发明创造名称：电子封装结构及其制法
外观设计名称：
决定号：198081
决定日：2019-12-13
委内编号：1F298734
优先权日：2015-01-30
申请（专利）号：201510095684.2
申请日：2015-03-04
复审请求人：矽品精密工业股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：吕媛
合议组组长：周江
参审员：张弘
国际分类号：H01L23/31，H01L23/528，H01L23/535，H01L21/60
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别特征，其中部分区别特征属于本领域的公知常识，但是其余部分区别特征未被对比文件公开，也不是本领域的公知常识，且该其余部分区别特征的引入使该权利要求的整体技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510095684.2，名称为“电子封装结构及其制法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为矽品精密工业股份有限公司。申请日为2015年03月04日，优先权日为2015年01月30日，公开日为2016年10月05日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年06月13日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由概括如下：1.独立权利要求1要求保护一种电子封装结构，对比文件1（CN1315823A，公开日为：2001年10月03日）公开了一种电子封装结构，权利要求1所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别特征是：该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，并使部分该线路层外露于该绝缘层；阻障层，其形成于该线路层与表面处理层之间；绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层。上述区别特征是本领域的常规技术手段，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性；2.从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的公知常识，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性；3. 独立权利要求5要求保护一种电子封装结构的制法，对比文件1公开了一种电子封装结构制法，权利要求5所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别特征是：其中该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，并使部分该线路层外露于该绝缘层；阻障层，其形成于该线路层与表面处理层之间，绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层。上述区别特征是本领域的常规技术手段，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性；4.从属权利要求6-11的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的公知常识，当其引用的权利要求不具备创造性时，上述从属权利要求也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2015年03月04日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图图1A-4，2018年05月16日提交的说明书第1-94段，2019年03月26日提交的权利要求第1-11项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种电子封装结构，其特征在于，该电子封装结构包括：
绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面；
线路层，其自该第二表面嵌埋于该绝缘层中；
阻障层，其形成于该线路层上；
表面处理层，其形成于该阻障层上；
至少一电子元件，其埋设于该绝缘层中并设于该线路层上，且该电子元件电性连接至该线路层；
多个导电凸块，其设于该线路层上并外露出该绝缘层的第二表面，其中该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，使部分该线路层外露于该绝缘层；以及
绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层。
2. 根据权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该导电凸块自该绝缘层的第二表面凸出。
3. 根据权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括形成于该导电凸块上的另一表面处理层。
4. 根据权利要求1的所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括形成于该导电凸块上的一止蚀层。
5. 一种电子封装结构的制法，其特征为，该制法包括：
形成线路层于一导体件上；
形成阻障层于该线路层上；
形成表面处理层于该阻障层上；
设置至少一电子元件于该线路层上，且令该电子元件电性连接该线路层；
形成绝缘层于该导体件上，以令该绝缘层包覆该电子元件与该线 路层，其中，该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，且该绝缘层以其第二表面结合至该导体件上；以及
移除部分该导体件，使该导体件的保留部分成为多个导电凸块，且外露出该绝缘层的第二表面，其中该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，且使部分该线路层外露于该绝缘层；以及
形成绝缘保护层于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层。
6. 根据权利要求5所述的电子封装结构的制法，其特征为，该导电凸块自该绝缘层的第二表面凸出。
7. 根据权利要求6所述的电子封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于设置该电子元件前，形成另一表面处理层于该导体件上。
8. 根据权利要求7所述的电子封装结构的制法，其特征为，于移除部分该导体件后，该另一表面处理层位于该导电凸块上。
9. 根据权利要求5所述的电子封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于移除部分该导体件后，形成另一表面处理层于该导电凸块上。
10. 根据权利要求5所述的电子封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于形成该线路层前，将该导体件覆盖于一止蚀层上。
11. 根据权利要求10所述的电子封装结构的制法，其特征为，于移除部分该导体件后，该止蚀层位于该导电凸块上。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年08月28日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-9项。复审请求人认为：对比文件1并未公开形成如本申请的绝缘保护层25于绝缘性树脂50下侧，因而未能给出“绝缘保护层形成于呈凹状的该绝缘层的第二表面上”的技术启示，本申请的绝缘层23的第二表面23b呈凹状，以于封装薄化的需求下，更利于凸出该导电凸块20’，并强化结合绝缘保护层25。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种电子封装结构，其特征在于，该电子封装结构包括：
绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面，该绝缘层的第二表面呈凹状；
线路层，其自该第二表面嵌埋于该绝缘层中；
阻障层，其形成于该线路层上；
表面处理层，其形成于该阻障层上；
至少一电子元件，其埋设于该绝缘层中并设于该线路层上，且该电子元件电性连接至该线路层；
多个导电凸块，其设于该线路层上并自该绝缘层的第二表面凸出以外露出该绝缘层的第二表面，其中该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，使部分该线路层外露于该绝缘层；以及
绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该多个导电凸块外露于该绝缘保护层。
2. 根据权利要求1所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括形成于该导电凸块上的另一表面处理层。
3. 根据权利要求1的所述的电子封装结构，其特征为，该电子封装结构还包括形成于该导电凸块上的一止蚀层。
4. 一种电子封装结构的制法，其特征为，该制法包括：
形成线路层于一导体件上；
形成阻障层于该线路层上；
形成表面处理层于该阻障层上；
设置至少一电子元件于该线路层上，且令该电子元件电性连接该线路层；
形成绝缘层于该导体件上，以令该绝缘层包覆该电子元件与该线路层，其中，该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，且该绝缘层以其第二表面结合至该导体件上；以及
移除部分该导体件，使该导体件的保留部分成为多个导电凸块，且自该绝缘层的第二表面凸出以外露出该绝缘层的第二表面，其中，该绝缘层的第二表面呈凹状，该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，且使部分该线路层外露于该绝缘层；以及
形成绝缘保护层于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该多个导电凸块外露于该绝缘保护层。
5. 根据权利要求4所述的电子封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于设置该电子元件前，形成另一表面处理层于该导体件上。
6. 根据权利要求5所述的电子封装结构的制法，其特征为，于移除部分该导体件后，该另一表面处理层位于该导电凸块上。
7. 根据权利要求4所述的电子封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于移除部分该导体件后，形成另一表面处理层于该导电凸块上。
8. 根据权利要求4所述的电子封装结构的制法，其特征为，该制法还包括于形成该线路层前，将该导体件覆盖于一止蚀层上。
9. 根据权利要求8所述的电子封装结构的制法，其特征为，于移除部分该导体件后，该止蚀层位于该导电凸块上。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年09月02日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：复审请求人的争议点在于“绝缘层23的第二表面23b呈现凹状”，认为该技术特征能够在封装薄化的需求下，利于凸出导电凸块，并强化结合绝缘保护层。然而，首先基于本申请的说明书记载，该凹状的形成在于以刻蚀方式移除部分导电件20时，绝缘层23的第二表面会呈现凹状。可见，该凹状是在刻蚀导电件20时，产生的附加特征，其并没有起到特定的作用和效果。另外，在本领域将绝缘层（即封装保护层）的第二表面设置成凹状是常见的设置方式，并且在凸块之间设置绝缘保护层（即阻焊层）属于本领域的常规技术手段。可见上述技术特征并不能给本申请带来创造性，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年08月28日提出复审请求时提交了权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-9项。经审查，上述修改文本符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审请求审查决定针对的文本是：复审请求人于2019年08月28日提交的权利要求第1-9项；申请日2015年03月04日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图图1A-4；2018年05月16日提交的说明书第1-94段。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在多个区别特征，其中部分区别特征属于本领域的公知常识，但是其余部分区别特征未被对比文件公开，也不是本领域的公知常识，且该其余部分区别特征的引入使该权利要求的整体技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。本复审决定引用了驳回决定中的对比文件1：
对比文件1：CN1315823A，公开日为：2001年10月03日
2.1 关于独立权利要求1
独立权利要求1要求保护一种电子封装结构，对比文件1公开了一种电子封装结构，并具体公开了（参见说明书第7页倒数第4段-第18页倒数第5段，附图1A-20）：参见附图1A，包括：绝缘层50，其具有相对的第一表面与第二表面；线路层51A-51C，其自该第二表面嵌埋于该绝缘层中；表面处理层（即57）形成在线路层51A-51C上；至少一电子元件52A-52B，其埋设于该绝缘层50中并设于该线路层上51A-51C，且该电子元件电性连接至该线路层；以及多个导电凸块(参见附图1A，51T-51U)，其设于该线路层上并外露出该绝缘层50的第二表面。
独立权利要求1所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别特征是：（1）该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，并使部分该线路层外露于该绝缘层；（2）阻障层，其形成于该线路层与表面处理层之间；（3）该绝缘层的第二表面呈凹状，且绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层。
基于上述区别特征，本申请实际所要解决的技术问题是：（1）对导电凸块进行相应的排列以容易对应电路板上的接点；（2）设置阻障层避免不同金属材料之间的扩散；（3）设置绝缘层表面形状以利于凸块凸出，强化结合绝缘保护层。
对于区别特征（1），根据封装结构的尺寸特点，本领域技术人员可以设置导电凸块的位置，具体将该导电凸块的位置未对齐该电性连接垫，并适应性地使部分该线路层外露于该绝缘层以满足电连接的要求属于本领域技术人员的惯用手段，并没有带来预料不到的技术效果。
对于区别特征（2），在线路层与表面处理层之间形成阻障层以避免不同金属材料之间的扩散属于本领域技术人员的惯用手段。
对于区别特征（3），对比文件1没有公开绝缘层第二表面的形状，以及在绝缘层的第二表面设置相应结构的绝缘保护层的技术方案，对比文件1也未启示上述区别特征所要解决的问题，更未公开或启示解决该问题的技术手段，对比文件1没有公开 “绝缘保护层形成于呈凹状的该绝缘层的第二表面上”的技术启示，本申请的绝缘层的第二表面呈凹状，以于封装薄化的需求下，更利于凸出该导电凸块，以达到强化结合绝缘保护层的技术效果。
上述区别特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员难以由对比文件1的技术方案想到独立权利要求1的技术方案。该区别特征使得独立权利要求1的技术方案具有有益的技术效果，即通过设置绝缘层第二表面的结构，以及设置相应结构的绝缘保护层，可以利于导电凸块的外露，在提升电连接效果的同时，强化绝缘层保护层的保护效果。
由此可知，本领域技术人员无法从对比文件1以及本领域的公知常识中得到技术启示，从而获得独立权利要求1的技术方案，并解决独立权利要求1实际所要解决的技术问题。因此，独立权利要求1的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2关于从属权利要求2-3
从属权利要求2-3引用独立权利要求1，在独立权利要求1的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识具备创造性的情况下，其从属权利要求2-3也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3关于独立权利要求4
独立权利要求4要求保护一种电子封装结构的制法，对比文件1公开了一种电子封装结构制法，并具体公开了（参见说明书第7页倒数第4段-第18页倒数第5段，附图1A-20）：包括：形成线路层51A-51C于一导体件60B上；形成表面处理层（即57）于线路层51A-51C上；设置至少一电子元件52A-52B于该线路层51A-51C上，且令该电子元件电性连接该线路层；形成绝缘层50于该导体件上，以令该绝缘层50包覆该电子元件与该线路层，其中，该绝缘层50具有相对的第一表面与第二表面，且该绝缘层50以其第二表面结合至该导体件上；以及移除部分该导体件60B，使该导体件60B的保留部分成为多个导电凸块(参见附图7-8)，且外露出该绝缘层的第二表面。
独立权利要求4所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别特征是：（1）形成阻障层于该线路层上；（2）该导电凸块的位置未对齐该线路层的位置，并使部分该线路层外露于该绝缘层；（3）该绝缘层的第二表面呈凹状，且绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层。
基于上述区别特征，本申请实际所要解决的技术问题是：（1）形成阻障层以避免不同金属材料之间的扩散；（2）对导电凸块进行排列以容易对应电路板上的接点；（3）设置绝缘层表面形状以利于凸块凸出，强化结合绝缘保护层。
对于区别特征（1），在线路层与表面处理层之间形成阻障层以避免不同金属材料之间的扩散属于本领域技术人员的惯用手段。
对于区别特征（2），根据封装结构的尺寸特点，本领域技术人员可以设置导电凸块的位置，具体将该导电凸块的位置未对齐该电性连接垫，并适应性地使部分该线路层外露于该绝缘层以满足电连接的要求属于本领域技术人员的惯用手段，并没有带来预料不到的技术效果。
对于区别特征（3），对比文件1没有公开绝缘层第二表面的形状，以及在绝缘层的第二表面设置相应结构的绝缘保护层的技术方案，即也未启示上述区别特征所要解决的问题，更未公开或启示解决该问题的技术手段，对比文件1也没有给出 “绝缘保护层形成于呈凹状的该绝缘层的第二表面上”的技术启示，本申请的绝缘层的第二表面呈凹状，以于封装薄化的需求下，更利于凸出该导电凸块，以达到强化结合绝缘保护层的技术效果。
上述区别特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员难以由对比文件1的技术方案想到独立权利要求4的技术方案。该区别特征使得独立权利要求4的技术方案具有有益的技术效果，即通过设置绝缘层第二表面的结构，以及设置相应结构的绝缘保护层，可以利于导电凸块的外露，在提升电连接效果的同时，强化绝缘保护层的保护效果。
由此可知，本领域技术人员无法从对比文件1以及本领域的公知常识中得到技术启示，从而获得独立权利要求4的技术方案，并解决独立权利要求4实际所要解决的技术问题。因此，独立权利要求4的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4关于从属权利要求5-9
从属权利要求5-9直接或间接引用独立权利要求4，在独立权利要求4的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识具备创造性的情况下，其从属权利要求5-9也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对驳回决定的相关意见和前置审查意见的评述
合议组认为：第一，复审请求人在提出复审请求时对权利要求书进行了修改，该修改后的独立权利要求1的技术方案相对于对比文件1的现有技术存在多个区别特征，其中，对比文件1中没有公开“该绝缘层的第二表面呈凹状”和“绝缘保护层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并覆盖在外露于该绝缘层的部分线路层上，且令该些导电凸块外露于该绝缘保护层”，即对比文件1没有公开绝缘层和绝缘保护层相应设置的技术方案，也没有给出这样的技术方案可以实现在封装薄化的需求下更利于凸出该导电凸块，达到强化结合绝缘保护层的技术启示。
第二，上述区别特征也不是本领域的公知常识，并且该区别特征能带来有益的技术效果，具体理由参见对独立权利要求1和4的创造性的评述部分，因此，独立权利要求1和4及其从属权利要求2-3和4-9的技术方案相对于对比文件1以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
至于本申请相对于其他现有技术是否具备新颖性或创造性，或者是否还存在其他实质性缺陷，皆留待原审查部门继续审查。
基于上述理由，合议组做出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年06月13日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在2019年08月28日提交的权利要求第1-9项；申请日2015年03月04日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图图1A-4；2018年05月16日提交的说明书第1-94段的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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