发明创造名称：阵列基板及其显示驱动方法、显示装置
外观设计名称：
决定号：197578
决定日：2019-12-13
委内编号：1F279050
优先权日：
申请（专利）号：201510628806.X
申请日：2015-09-28
复审请求人：重庆京东方光电科技有限公司 京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨蔚蔚
合议组组长：张礅
参审员：李苏宁
国际分类号：G02F1/1362，G02F1/133
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2款，第3款
决定要点
：如果一项权利要求与现有技术相比存在区别技术特征，没有证据表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，且该区别技术特征为该权利要求的技术方案带来了有益的效果，则该权利要求相对于现有技术具备新颖性和创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510628806.X、名称为“阵列基板及其显示驱动方法、显示装置”的发明专利申请（下称本申请），申请日为2015年09月28日，公开日为2015年12月02日，申请人为重庆京东方光电科技有限公司和京东方科技集团股份有限公司。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门以本申请权利要求1-3、5、10-12不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求4、6、12不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由于2018年12月28日驳回了本申请。驳回决定中，引用了如下对比文件：
对比文件2：US2009109157A1，公开日为2009年04月30日。
驳回决定所针对的文本为：申请日2015年09月28日提交的权利要求第1-12项、说明书第1-13页、说明书附图第1-4页、说明书摘要及摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括公共电压线、行列设置的若干个像素电极，以及至少一个设置在相邻的两个像素电极之间的第一晶体管；其中，所述第一晶体管的栅极连接所述公共电压线，第一极和第二极各自连接所述相邻的两个像素电极中的一个。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括若干个第二晶体管、均设置在相邻两行像素电极之间的多条扫描线，以及均设置在相邻两列像素电极之间的多条数据线；其中，对应于每一像素电极，一个所述第二晶体管的栅极与一条所述扫描线相连，第一极与该像素电极相连，第二极与一条所述数据线相连。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，至少一个的所述第一晶体管均设置在相邻行的两个像素电极之间。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，包括一个所述第二晶体管的第一极的第一导体结构穿过一条所述扫描线，并向行方向上相邻的一像素电极处延伸，以形成所述第一晶体管的第一极；与该像素电极相连的第二导体结构通过过孔与该第一晶体管的有源层接触，以形成该第一晶体管的第二极。
5. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，至少一个的所述第一晶体管均设置在相邻列的两个像素电极之间。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，包括一个所述第二晶体管的第一极的第一导体结构向列方向上相邻的像素电极处延伸，以形成该第一晶体管的第一极；包括与该像素电极相连的另一第二晶体管的第一极的第二导体结构向该第一晶体管的有源层延伸并接触，以形成该第一晶体管的第二极；所述第一导体结构与所述第二导体结构均避开所述若干个所述像素电极的形成区域。
7. 根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，任意两行相邻的像素电极之间设有两条所述扫描线；每隔两列相 连的像素电极设有一条所述数据线。
8. 根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，包括所述公共电压线的导体层在每一所述第一晶体管的形成区域内与该第一晶体管的有源层交叠，形成该第一晶体管的栅极。
9. 根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电压线被分为至少两个的导体图形，每一所述导体图形用于连接一单独的公共电压信号。
10. 一种如权利要求1至9中任意一项所述的阵列基板的显示驱动方法，其特征在于，包括：
在相邻显示帧之间向所述公共电压线施加电压，使得栅极与所述公共电压线相连的所有第一晶体管工作在线性区或者饱和区。
11. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：
在一显示帧内向所述若干个像素电极施加电压，使得与同一所述第一晶体管相连的两个相邻的像素电极具有相反的电压极性。
12. 一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的阵列基板。”
驳回决定指出：1、权利要求1请求保护一种阵列基板，对比文件2公开了权利要求1的全部技术特征，因此权利要求1所要求保护的技术方案不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。2、权利要求2-3、5的附加技术特征被对比文件1公开了，权利要求4、6的附加技术特征属于本领域的公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备新颖性时，权利要求2-3、5不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求4、6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求10、11请求保护一种阵列基板的显示驱动方法，对比文件2公开了权利要求10、11的全部技术特征，因此权利要求10-11所要求保护的技术方案不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。4、由于权利要求1-6不具备新颖性或创造性，包含上述权利要求1-6中任一项所述阵列基板的显示装置也不具备专利法第22条第2、3款规定的新颖性或创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年04月11日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：对比文件2中没有记载权利要求1中的技术特征“至少一个设置在相邻的两个像素电极之间的第一晶体管；其中，所述第一晶体管的栅极连接所述公共电压线，第一极和第二极各自连接所述相邻的两个像素电极中的一个”。本专利申请权利要求1采用上述技术特征后，可以达到的效果是：可以在不降低像素开口率的前提下实现相邻像素之间灰阶电压的极性中和，因而可以在不影响显示效果的前提下很大地程度地降低功耗，突破现有显示装置的最低功耗。对比文件2中仅公开了电荷中和控制开关330的两极分别连接相邻的两个像素电极中的一个，而电荷中和控制开关330的开启需要设置一条额外的控制信号线或控制器件来控制，从而不可避免的会抢占一部分的像素开口部的面积，从而造成像素开口率上的损失，在结构上电荷中和控制开关330与本申请中的第一晶体管不同，所对应的连接方式不同，所对应的开启方式也不同，所以其达到的技术效果也不相同，所以复审请求人认为，对比文件2中的电荷中和控制开关330和电中和控制模块310不能够等同于本申请权利要求1中的“第一晶体管与公共电压线”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至专利实质审查部门进行前置审查。
专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
针对上述复审请求，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
复审请求人于2019年12月04日提交了权利要求书的全文修改替换页，具体修改内容如下：将权利要求7由引用权利要求1-6修改为引用权利要求2-6。
复审请求人于2019年12月04日提交的权利要求的内容如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，包括公共电压线、行列设置的若干个像素电极，以及至少一个设置在相邻的两个像素电极之间的第一晶体管；其中，所述第一晶体管的栅极连接所述公共电压线，第一极和第二极各自连接所述相邻的两个像素电极中的一个。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括若干个第二晶体管、均设置在相邻两行像素电极之间的多条扫描线，以及均设置在相邻两列像素电极之间的多条数据线；其中，对应于每一像素电极，一个所述第二晶体管的栅极与一条所述扫描线相连，第一极与该像素电极相连，第二极与一条所述数据线相连。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，至少一个的所述第一晶体管均设置在相邻行的两个像素电极之间。
4. 根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，包括一个所述第二晶体管的第一极的第一导体结构穿过一条所述扫描线，并向行方向上相邻的一像素电极处延伸，以形成所述第一晶体管的第一极；与该像素电极相连的第二导体结构通过过孔与该第一晶体管的有源层接触，以形成该第一晶体管的第二极。
5. 根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，至少一个的所述第一晶体管均设置在相邻列的两个像素电极之间。
6. 根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，包括一个所述第二晶体管的第一极的第一导体结构向列方向上相邻的像素电极处延伸，以形成该第一晶体管的第一极；包括与该像素电极相连的另一第二晶体管的第一极的第二导体结构向该第一晶体管的有源层延伸并接触，以形成该第一晶体管的第二极；所述第一导体结构与所述第二导体结构均避开所述若干个所述像素电极的形成区域。
7. 根据权利要求2至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，任意两行相邻的像素电极之间设有两条所述扫描线；每隔两列相 连的像素电极设有一条所述数据线。
8. 根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，包括所述公共电压线的导体层在每一所述第一晶体管的形成区域内与该第一晶体管的有源层交叠，形成该第一晶体管的栅极。
9. 根据权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电压线被分为至少两个的导体图形，每一所述导体图形用于连接一单独的公共电压信号。
10. 一种如权利要求1至9中任意一项所述的阵列基板的显示驱动方法，其特征在于，包括：
在相邻显示帧之间向所述公共电压线施加电压，使得栅极与所述公共电压线相连的所有第一晶体管工作在线性区或者饱和区。
11. 根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：
在一显示帧内向所述若干个像素电极施加电压，使得与同一所述第一晶体管相连的两个相邻的像素电极具有相反的电压极性。
12. 一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任意一项所述的阵列基板。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1.审查文本的认定
复审请求人在2019年12月04日提交了权利要求书的全文修改替换页。经查，所作修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对文本为：申请日2015年09月28日提交的说明书第1-13页、说明书附图第1-4页、说明书摘要及摘要附图；2019年12月04日提交的权利要求第1-12项。
2.专利法第22条第2款、第3款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与现有技术相比存在区别技术特征，没有证据表明该区别技术特征属于本领域的公知常识，且该区别技术特征为该权利要求的技术方案带来了有益的效果，则该权利要求相对于现有技术具备新颖性和创造性。
2.1、权利要求1要求保护一种阵列基板，对比文件2公开了一种阵列基板，具体公开了（参见说明书第[0037]-[0043]段，附图5）：包括阵列排布的多个像素单元（其必然包括对应的像素电极），电荷中和控制信号产生模组310，控制线K以及电荷中和控制晶体管330（相当于第一晶体管），控制信号产生模组310通过控制线K连接所述电荷中和控制晶体管330的栅极，电荷中和控制晶体管330的源漏极分别连接至左侧和右侧像素单元中的电容器组51和52的充放电节点，各充放电节点必然连接像素电极。
驳回决定和前置审查意见中认为：对比文件2中的晶体管330即相当于权利要求1中的第一晶体管，该晶体管的栅极连接电荷中和控制模块，其它两级分别连接相邻的两个像素电极中的一个。阵列基板工作时，在像素电极充电之前，可以通过开启第一晶体管实现不同像素之间的电荷中和，进而实现降低功耗的技术效果，效果恰似权利要求1中的第一晶体管栅极与公共电压线连接。“公共电压线”和“电中和控制模块之控制线”仅仅是称谓不同，对于基板的结构而言并无不同，在不影响开口率的前提下实现电中和以降低功耗这一方案中是完全一致的，即使“电中和模块”与“公共电压线”存在差异，对比文件2揭示的技术方案也使得本技术方案不具备创造性。
对此合议组认为：“公共电压线”在本领域具有固定的含义，即传输公共电压的导线。对比文件2并未记载电荷中和控制信号产生模组310的控制线K可以传输公共电压，因此，对比文件2的“控制线K”不能相当于本申请的“公共电压线”，即对比文件2没有公开权利要求1中的“公共电压线”。对比文件2中也没有明确控制晶体管330的具体位置，即没有公开控制晶体管330位于两个像素电极之间。
因此，权利要求1的技术方案相对于对比文件2，区别技术特征在于：包括公共电极线，第一晶体管的栅极连接所述公共电压线，第一晶体管设置在相邻的两个像素电极之间。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题为：在不影响像素开口率的前提下降低功耗。
因此，权利要求1请求保护的技术方案具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
对于上述区别技术特征，根据本申请说明书第[0003]段的记载，本申请要解决的技术问题是：现有技术中相邻像素之间灰阶电压的极性中和往往需要设置有一条额外的控制信号线来进行控制进行灰阶电压的极性中和的时序，而这条额外的控制信号线的设置会不可避免地抢占一部分的像素开口部的面积，从而造成像素开口率上的严重损失。根据本申请说明书第[0019]段记载可知，本申请的公共电压线是现有阵列基板中已经存在的结构，而设计在相邻的两个像素电极之间的第一晶体管可以不占据像素开口部的面积。所以，本申请可以在不降低像素开口率的前提下实现相邻像素之间灰阶电压的极性中和。可见上述区别技术特征“包括公共电极线，第一晶体管的栅极连接所述公共电压线，第一晶体管设置在相邻的两个像素电极之间”是本申请对技术问题的解决作出贡献的技术特征。目前没有证据表明上述区别技术特征为本领域的公知常识，基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案在不影响像素开口率的前提下降低了系统的功耗，获得了有益的技术效果。因此，权利要求1请求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、在权利要求1具备新颖性和创造性的情况下，引用权利要求1的权利要求2-12也具备专利法第22条规定的新颖性和创造性。
基于上述事实和理由，合议组作出如下复审请求审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年12月28日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定所针对文本的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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