发明创造名称：为用于集成电路的部件实现无源附着的方法和设备
外观设计名称：
决定号：197385
决定日：2019-12-11
委内编号：1F281932
优先权日：2006-07-14
申请（专利）号：201510933381.3
申请日：2007-06-04
复审请求人：阿莱戈微系统有限责任公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王丹
合议组组长：骆素芳
参审员：徐健
国际分类号：H01L23/495,G01R33/07,G01D11/24
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款，专利法实施细则第20条第2款
决定要点：权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征的至少一部分不属于本领域的公知常识，其他对比文件也没有给出应用该区别技术特征以解决本申请的技术问题的技术启示，且该权利要求的技术方案获得了有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于该作为最接近的现有技术的对比文件、该其他对比文件及本领域的公知常识的结合具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201510933381.3，名称为“为用于集成电路的部件实现无源附着的方法和设备”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为阿莱戈微系统有限责任公司，申请日为2007年06月04日，优先权日为2006年07月14日，公开日为2016年02月10日，分案申请递交日为2015年12月15日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年01月28日发出驳回决定，以权利要求1-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其具体理由是：1、独立权利要求1、11所要求保护的技术方案与对比文件1（JP特开平9-79865A，公开日为1997年03月28日）相比的区别技术特征在于：（1）设置在所述引线框架的切口区域中的部件；（2）采用导电环氧树脂将所述部件电连接并固定到所述引线框架；（3）所述管芯和所述部件被设置在所述引线框架的同一侧，并且所述管芯的顶表面与所述部件的顶表面齐平，并且所述部件的底表面处于所述引线框架的所述第二表面之下。其中区别技术特征（1）被对比文件2（“The Close Attached capacitor: a solution to switching noise problems”，公开日为1992年12月31日）公开，区别技术特征（2）被对比文件3（CN1613148A，公开日为2005年05月04日）公开，区别技术特征（3）属于本领域的公知常识，因此权利要求1、11相对于对比文件1-3和本领域公知常识的结合不具备创造性。2、从属权利要求2、6、7、13的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求3、4、12的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求5、9、10的附加技术特征被对比文件4（US2005/0248005A1，公开日为2005年11月10日）公开；从属权利要求8、14的附加技术特征一部分被对比文件5（US6066890A，公开日为2000年05月23日）公开，其余部分属于本领域的公知常识，因而上述从属权利要求也都不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为分案申请递交日2015年12月15日提交的说明书摘要、说明书第1-93段、摘要附图、说明书附图图1-12C；2018年06月11日提交的权利要求第1-14项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种传感器，包括：
管芯；
具有相对的第一表面和第二表面的引线框架，所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯；
用于提供与所述引线框架和所述管芯的电连接的引线指状物；以及
设置在所述引线框架的切口区域中的部件，其中采用导电环氧树脂将所述部件电连接并固定到所述引线框架，
其中，所述管芯和所述部件被设置在所述引线框架的同一侧，所述管芯的顶表面与所述部件的顶表面齐平，并且所述部件的底表面处于所述引线框架的所述第二表面之下。
2. 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述部件大体上围绕所述引线框架的纵轴放置，使得处于所述第一表面之上和处于所述第二表面之下的所述部件的部分基本上等同。
3. 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述传感器包括磁传感器。
4. 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述部件包括电容器。
5. 根据权利要求1所述的传感器，其中，所述引线框架包括至少一个用于削弱涡流的狭缝。
6. 根据权利要求3所述的传感器，其中，所述磁传感器包括Hall元件。
7. 根据权利要求3所述的传感器，其中，所述磁传感器包括Hall元件、AMR元件和/或GMR元件中的一种或多种。
8. 根据权利要求1所述的传感器，还包括耦合到所述引线指状物中的第一引线指状物和第二引线指状物的第二部件，其中所述第一引线指状物和所述第二引线指状物具有下陷区域以容纳所述第二部件的末端。
9. 根据权利要求5所述的传感器，其中，所述传感器包括与所述至少一个狭缝对准的Hall元件。
10. 根据权利要求9所述的传感器，其中，所述至少一个狭缝包括第一狭缝、第二狭缝和第三狭缝，其中，所述第一狭缝与所述Hall元件对准，所述第二狭缝和第三狭缝相对于所述Hall元件对称。
11. 一种用于形成传感器的方法，包括：
提供管芯；
提供具有相对的第一表面和第二表面的引线框架，所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯；
提供用于提供与所述引线框架和所述管芯的电连接的引线指状物；以及
提供设置在所述引线框架的切口区域中的部件，其中采用导电环氧树脂将所述部件电连接并固定到所述引线框架，其中，所述管芯和所述部件被设置在所述引线框架的同一侧，所述管芯的顶表面与所述部件的顶表面齐平，并且所述部件的底表面处于所述引线框架的所述第二表面之下。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述传感器包括磁传感器。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中，所述磁传感器包括Hall元件、AMR元件和/或GMR元件中的一种或多种。
14. 根据权利要求11所述的方法，还包括提供耦合到所述引线指状物中的第一引线指状物和第二引线指状物的第二部件，其中所述第一引线指状物和所述第二引线指状物具有下陷区域以容纳所述第二部件的末端。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月07日向国家知识产权局提出了复审请求，并未修改申请文件。复审请求人认为：相对于对比文件1，权利要求1通过区别技术特征（1）（3）所要解决的技术问题是如何在传感器包含电容器的情况下使封装的竖直方向或者磁场受到最小的影响或者不受影响同时最小化封装的所需厚度，而非在审查意见中指出的缩小封装体积、如何进行电连接、如何设置器件设置位置。权利要求1正是通过上述技术上彼此关联的区别技术特征（1）（3），从而解决上述技术问题，使得分装的竖直方向或磁场受到最小或不受影响并使封装的所需厚度最小化。对比文件2没有公开将电容器布置在引线框架的开口区域和引线框架的底部表面下方可以解决噪声（磁场）问题或给出启示。对比文件2的传感器结构不仅无法减小封装所需的厚度，而且还不可避免地增加封装所需的厚度，从而使得在传感器包含电容器的情况下使封装的竖直方向或者磁场受到影响。因此对比文件2的技术方案不可能解决本申请所要解决的磁场问题，即受磁场最小影响或不受影响。对比文件1的MRE22和电容器27设置在引线框架24的相反表面上，也就是说MRE22和电容器27也被布置在引线框架彼此相对的两侧上，因此不可避免地增加封装所需的厚度，从而使得在传感器包含电容器的情况下封装的竖直方向或磁场遭受影响。对比文件6-9仅公开了管芯和电容器被设置在引线框架同一侧，然而均未公开或教导将切口设置在引线框架上，更不可能教导将电容器设置在引线框架的切口区域以最小化封装所需的厚度。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：虽然对比文件1未公开区别技术特征（1）、（3），但是在对比文件2给出将电容处于引线框架的开口区域中，并沉入引线框架的底表面之下能够解决噪声（磁场）的问题的技术启示下，为了不断缩小器件的封装集成度和衬底的利用率，在衬底的两个表面分别设置器件或是将两个器件同时设置在衬底的一个表面是本领域技术人员依据实际需要任意选择调整的，本领域技术人员很容易想到，在改善磁场影响的情况下，进一步缩小封装器件的体积，在半导体引线框架的一个表面上同时设置多个器件，并将部件的底表面处于引线框架的第二表面之下，且不需要付出创造性劳动。对比文件6-9都采用在同一侧设置管芯和电容，对比文件6-9的引入是为了说明电子器件在衬底的上、下表面的位置调节属于很常见的现有技术手段，是可以依据实际需要进行改变的。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月08日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1、11不符合专利法实施细则第20条第2款的规定。针对复审请求人的意见，合议组认为：尽管复审请求人强调本申请解决的技术问题是“如何在传感器包含电容器的情况下使封装的竖直方向或者磁场受到最小的影响或者不受影响同时最小化封装的所需厚度”，但是在独立权利要求1、11中并未记载解决上述技术问题的必要技术特征。
复审请求人于2019年08月22日提交了意见陈述书及修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-11项。其中，将原从属权利要求3、4的附加技术特征补入到原独立权利要求1中，对原独立权利要求11作类似修改，并删除了原从属权利要求3、4、12。复审请求人认为：修改后的权利要求克服了缺少必要技术特征的缺陷，也因此更加明显地区别于对比文件1而具有创造性。答复复审通知书时提交的权利要求书如下：
“1. 一种磁传感器，包括：
管芯；
具有相对的第一表面和第二表面的引线框架，所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯；
用于提供与所述引线框架和所述管芯的电连接的引线指状物；以及
设置在所述引线框架的切口区域中的部件，其中采用导电环氧树脂将所述部件电连接并固定到所述引线框架，并且其中，所述部件包括电容器，
其中，所述管芯和所述部件被设置在所述引线框架的同一侧，所述管芯的顶表面与所述部件的顶表面齐平，并且所述部件的底表面处于所述引线框架的所述第二表面之下。
2. 根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述部件大体上围绕所述引线框架的纵轴放置，使得处于所述第一表面之上和处于所述第二表面之下的所述部件的部分基本上等同。
3. 根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述引线框架包括至少一个用于削弱涡流的狭缝。
4. 根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述磁传感器包括Hall元件。
5. 根据权利要求1所述的磁传感器，其中，所述磁传感器包括Hall元件、AMR元件和/或GMR元件中的一种或多种。
6. 根据权利要求1所述的磁传感器，还包括耦合到所述引线指状物中的第一引线指状物和第二引线指状物的第二部件，其中所述第一引线指状物和所述第二引线指状物具有下陷区域以容纳所述第二部件的末端。
7. 根据权利要求3所述的磁传感器，其中，所述磁传感器包括与所述至少一个狭缝对准的Hall元件。
8. 根据权利要求7所述的磁传感器，其中，所述至少一个狭缝包括第一狭缝、第二狭缝和第三狭缝，其中，所述第一狭缝与所述Hall元件对准，所述第二狭缝和第三狭缝相对于所述Hall元件对称。
9. 一种用于形成磁传感器的方法，包括：
提供管芯；
提供具有相对的第一表面和第二表面的引线框架，所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯；
提供用于提供与所述引线框架和所述管芯的电连接的引线指状物；以及
提供设置在所述引线框架的切口区域中的部件，其中采用导电环氧树脂将所述部件电连接并固定到所述引线框架，其中，所述管芯和所述部件被设置在所述引线框架的同一侧，所述管芯的顶表面与所述部件的顶表面齐平，并且所述部件的底表面处于所述引线框架的所述第二表面之下，并且其中，所述部件包括电容器。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中，所述磁传感器包括Hall元件、AMR元件和/或GMR元件中的一种或多种。
11. 根据权利要求9所述的方法，还包括提供耦合到所述引线指状物中的第一引线指状物和第二引线指状物的第二部件，其中所述第一引线指状物和所述第二引线指状物具有下陷区域以容纳所述第二部件的末端。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年08月22日针对复审通知书提交了意见陈述书及修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-11项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本是：于分案申请递交日2015年12月15日提交的说明书摘要、说明书第1-93段、摘要附图、说明书附图图1-12C；于2019年08月22日提交的权利要求第1-11项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
权利要求所要求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征的至少一部分不属于本领域的公知常识，其他对比文件也没有给出应用该区别技术特征以解决本申请的技术问题的技术启示，且该权利要求的技术方案获得了有益的技术效果，则该权利要求的技术方案相对于该作为最接近的现有技术的对比文件、该其他对比文件及本领域的公知常识的结合具备创造性。
专利法实施细则第20条第2款规定：独立权利要求应当从整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。
如果独立权利要求能够从整体上反映本申请的技术方案，解决本申请所要解决的技术问题，则该权利要求包含解决技术问题的必要技术特征，符合专利法实施细则第20条第2款的规定。
在本复审请求审查决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：JP特开平9-79865A，公开日为1997年03月28日；
对比文件2：“The Close Attached capacitor: a solution to switching noise problems”，公开日为1992年12月31日；
对比文件3：CN1613148A，公开日为2005年05月04日；
对比文件4：US2005/0248005A1，公开日为2005年11月10日；
对比文件5：US6066890A，公开日为2000年05月23日。
1、独立权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种磁传感器。对比文件1公开了一种磁传感器，并公开了以下内容（参见说明书第0024，0026段、图9a-9b）：图9可以看出，该传感器21包括磁阻传感单元22（相当于管芯）、引线框架24、引线25和电容器27，并且上述组件共同封装成IC23。引线框架24具有上、下表面（相当于具有相对的第一表面和第二表面的引线框架），且其左侧中间的载体部分的下表面承载着磁阻传感器单元22（相当于所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯），磁阻传感单元22、引线框架左侧中间的载体部分与上下两侧的指状的引线框架24电连接。
权利要求1所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）采用导电环氧树脂将部件电连接并固定到引线框架；（2）设置在引线框架的切口区域中的部件；管芯和部件被设置在引线框架的同一侧，并且管芯的顶表面与部件的顶表面齐平，并且部件的底表面处于引线框架的第二表面之下。基于上述区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是：实现固定和电连接、缩小磁传感器竖直方向的封装厚度以使封装和所研究对象之间距离降低进而增强感测能力。
针对区别技术特征（1），对比文件3公开了一种带有共封装管芯的半导体器件，并公开了以下内容（参见说明书第4页1-2段，附图1-2）：第二半导体管芯通过导电层38与内夹具28的连接板部分电连接，导电层38为导电环氧树脂，该环氧树脂为含银环氧树脂，该导电环氧树脂同时具有导电和粘接性能，可以确定半导体芯片通过导电环氧树脂电连接并固定到夹具上。上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是电连接并固定器件。也就是说对比文件3给出了将上述技术特征用于对比文件1以解决其技术问题的启示。
针对区别技术特征（2），本申请的发明构思是通过集成电容器，并优化电容器的定位进而缩小在竖直方向的封装厚度，降低空间要求，以达到减小传感器封装和所研究对象之间距离进而增强感测能力的目的。对比文件2公开了一种设置邻近电容来降低噪声的方法，具体公开了如下技术特征（参见第1057页图2c）：引线框架具有开口区域，电容设置于该开口区域中；该电容器的底表面处于引线框架的底表面之下。然而对比文件2公开的IC和电容分别在引线框架的两侧且上下叠置，而没有公开管芯和电容设置在引线框架的同一侧且管芯的顶表面与部件的顶表面齐平。这部分区别技术特征没有被对比文件1、对比文件2公开，此外对比文件3-5也未公开这部分区别技术特征，而且其在整体上也不是解决缩小封装厚度进而增强感测能力的技术问题的公知常识。因此，本领域技术人员没有动机对对比文件1的技术方案进行改进，以得到权利要求1所要求保护的技术方案。而且上述区别技术特征（2）也使得权利要求1的技术方案能够减小磁传感器的竖直方向的封装厚度，以使封装和所研究对象之间距离降低进而增强感测能力。因此权利要求1所要求保护的技术方案相对于现有证据对比文件1-5和本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、独立权利要求9具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9要求保护一种用于形成磁传感器的方法。对比文件1公开了一种形成磁传感器的方法，并公开了以下内容（参见说明书第0024，0026段、图9a-9b）：图9可以看出，该传感器21提供有磁阻传感单元22（相当于管芯）、引线框架24、引线25和电容器27，并且上述组件共同封装成IC23。引线框架24具有上、下表面（相当于具有相对的第一表面和第二表面的引线框架），且其左侧中间的载体部分的下表面承载着磁阻传感器单元22（相当于所述引线框架以所述第一表面支撑所述管芯），磁阻传感单元22、引线框架左侧中间的载体部分与上下两侧的指状的引线框架24电连接。
权利要求9所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）采用导电环氧树脂将部件电连接并固定到引线框架；（2）提供设置在引线框架的切口区域中的部件；管芯和部件被设置在引线框架的同一侧，管芯的顶表面与部件的顶表面齐平，并且部件的底表面处于引线框架的第二表面之下。基于上述区别技术特征，权利要求9实际要解决的技术问题是：实现固定和电连接、缩小磁传感器竖直方向的封装厚度以使封装和所研究对象之间距离降低进而增强感测能力。
基于与权利要求1相同的理由，权利要求9所要求保护的技术方案相对于现有证据对比文件1-5和本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、从属权利要求2-8、10-11具备专利法第22条第3款规定的创造性。
上述权利要求分别直接或间接引用权利要求1、9，在引用的权利要求1、9相对于现有证据对比文件1-5和本领域公知常识的结合具备创造性的情况下，上述权利要求2-8、10-11相对于现有证据对比文件1-5和本领域公知常识的结合也具备创造性。
4、独立权利要求1、9符合专利法实施细则第20条第2款的规定。
修改后的独立权利要求1、9记载了解决本申请所要解决的技术问题的必要技术特征“传感器包括磁传感器”，“部件包括电容器”，因此符合专利法实施细则第20条第2款的规定。
（三）对驳回决定和前置审查相关意见的评述
对于驳回决定和前置审查相关意见，合议组认为：区别技术特征“设置在引线框架的切口区域中的部件；管芯和部件被设置在引线框架的同一侧，管芯的顶表面与部件的顶表面齐平，部件的底表面处于引线框架的第二表面之下”作为整体用于解决缩小磁传感器竖直方向的封装厚度，以使封装和所研究对象之间距离降低进而增强感测能力的技术问题，既未被现有证据对比文件1-5公开，其整体上也不属于本领域的公知常识。而上述结构的设置能够减小磁传感器的封装厚度，以使封装和所研究对象之间距离降低进而增强感测能力。因此本申请的权利要求相对于驳回决定所提供的现有证据和公知常识的结合具备创造性（参见前述具体理由的阐述）。
至此，驳回决定及复审通知书中指出的缺陷均已克服。至于本申请是否存在其它不符合专利法及实施细则规定的相关缺陷，由后续程序继续审查。
综上所述，合议组依法作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年01月28日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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