发明创造名称：具有预先施加的填充材料的引线框封装体
外观设计名称：
决定号：197345
决定日：2019-12-11
委内编号：1F280769
优先权日：2014-12-22
申请（专利）号：201510591002.7
申请日：2015-09-16
复审请求人：意法半导体公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王丹
合议组组长：骆素芳
参审员：徐健
国际分类号：H01L23/495,H01L21/48,H01L21/60
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其他对比文件公开，其余部分是本领域的公知常识，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合该其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所请求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201510591002.7，名称为“具有预先施加的填充材料的引线框封装体”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为意法半导体公司，申请日为2015年09月16日，优先权日为2014年12月22日，公开日为2016年06月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年01月11日发出驳回决定，以权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。1、独立权利要求1与对比文件1（JP特开2000-294719A，公开日为2000年10月20日）相比的区别技术特征为：所述焊料具体为导电凸块；所述导电凸块包括与所述导电填充材料的一种或多种材料不同的一种或多种材料。上述区别技术特征部分被对比文件2（US2010/0013069A1，公开日为2010年01月21日）公开，部分属于本领域的公知常识，因此权利要求1不具备创造性。2、独立权利要求6与对比文件1相比的区别技术特征为：位于引线的凹进中的导电填充材料与封装体外部的其它电气组件电绝缘。独立权利要求15与对比文件1相比的区别技术特征为：先利用导电填充材料对凹进进行基本上填充；切割穿过所述导电填充材料。上述区别技术特征被对比文件2公开，因此权利要求6、15不具备创造性。3、从属权利要求2-5、7-14、16-20的附加技术特征或者被对比文件1、对比文件2公开，或者属于本领域的公知常识。因此从属权利要求2-5、7-14、16-20不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年09月16日提交的说明书摘要、说明书第1-45段、摘要附图、说明书附图图1A-5E；2018年10月08日提交的权利要求第1-20项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种电子器件，包括：
半导体封装体，包括：
具有第一表面和第二表面的裸片焊盘；
耦合至所述裸片焊盘的第一表面的半导体裸片；
位于所述裸片焊盘附近并且与所述裸片焊盘分开的多条引线，所述多条引线中的每一条引线的外表面包括凹进；
位于所述多个凹进中的导电填充材料；
衬底，具有多个导电焊盘；以及
导电凸块，将所述半导体封装体的引线耦合至所述衬底的焊盘，所述导电凸块被耦合至所述导电填充材料，所述导电凸块包括与所述导电填充材料的一种或多种材料不同的一种或多种材料。
2. 根据权利要求1所述的电子器件，进一步包括位于所述半导体裸片和所述多条引线的一部分上方的密封材料。
3. 根据权利要求1所述的电子器件，其中焊料为第一焊料，其中所述填充材料为第二焊料。
4. 根据权利要求2所述的电子器件，其中所述第一焊料为Sn/Pb、Ag、Sn/Bi或Cu/Sn。
5. 根据权利要求1所述的电子器件，其中所述衬底是印刷电路板。
6. 一种半导体封装体，包括：
具有第一表面和第二表面的裸片焊盘；
耦合至所述裸片焊盘的第一表面的半导体裸片；
位于所述裸片焊盘的至少一个侧面附近并且与所述侧面分开的多条引线，所述多条引线的外表面形成所述半导体封装体的外表面的一部分；所述多条引线分别具有凹进；
位于所述多条引线的凹进中的导电填充材料，所述导电填充材料与所述封装体外部的其它电气组件电绝缘；以及
位于所述半导体裸片和所述多条引线的一部分上方的密封材料。
7. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述凹进跨所述引线的整个宽度进行延伸。
8. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述填充材料是焊料材料。
9. 根据权利要求8所述的半导体封装体，其中所述焊料材料是Cu/Sn、Sn/Pb、Ag和Sn/Bi之一。
10. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述填充材料具有底部表面并且所述密封材料具有在所述引线和所述裸片焊盘之间的底部表面，所述密封材料的底部表面基本上与所述填充材料的底部表面共面。
11. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于所述裸片焊盘的第二表面而凹进的表面。
12. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述凹进延伸通过所述多条引线的超过一半。
13. 根据权利要求6所述的半导体封装体，进一步包括将所述半导体裸片的键合焊盘电耦合至所述多条引线之一的导线键合。
14. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述多条引线包括所述凹进中的导电层，所述导电层包括Au、Ag、Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金和Ni/Pd/Au/Ag中的一种，并且所述填充材料位于所述导电层上。
15. 一种形成多个半导体封装体的方法，所述方法包括：
利用导电填充材料对通过连接栏接合在一起的多条引线中的多个凹进进行基本上填充；
将多个半导体裸片附着至裸片焊盘的表面；
将所述多个半导体裸片电耦合至所述多条引线；
密封所述多个半导体裸片；以及
切割穿过所述密封材料、所述连接栏和所述导电填充材料，以形 成所述多个半导体封装体，其中切割穿过所述连接栏包括将接合的所述引线进行分割。
16. 根据权利要求15所述的方法，进一步包括对所述导电填充材料进行表面处理，使得所述导电填充材料的表面基本上与相应引线的表面共面。
17. 根据权利要求15所述的方法，其中基本上填充包括对所述多个凹进进行填充使得所述导电填充材料在所述引线的表面之下而凹进。
18. 根据权利要求15所述的方法，其中在将所述多个半导体裸片附着至裸片焊盘的表面之前对所述多个凹进进行基本上填充。
19. 根据权利要求15所述的方法，其中在密封所述半导体裸片之后对所述多个凹进进行基本上填充。
20. 根据权利要求15所述的方法，其中所述导电填充材料为焊料。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年04月25日向国家知识产权局提出了复审请求，并未修改申请文件。复审请求人认为：相对于对比文件1，本申请要求保护的技术方案关注于消除凹进中的空隙以加强结合，而不是便于视觉检查，“视觉检查的便利性”这不是本申请要解决的技术问题，而仅是解决技术问题后本申请的技术方案可以获得的技术效果中的一个技术效果。对比文件2在8、9段中记载了：其发明目的是提供一种能够防止由毛刺引起的有缺陷安装的半导体器件和引线框架以及制造具有引线框架的半导体器件的方法。因此对比文件2解决的技术问题是防止由毛刺引起的有缺陷的安装，而不是便于视觉检查。因此对比文件2解决的技术问题与本申请所要解决的上述问题不同，本领域技术人员没有动机将对比文件2与对比文件1结合，不存在技术启示引导本领域技术人员从对比文件1和对比文件2出发获得权利要求1的技术方案。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：只要对比文件2解决了一个本申请要解决的技术问题，本领域技术人员就有动机将对比文件2结合至对比文件1，对比文件2不一定要解决本申请要解决的所有技术问题。此外，对比文件1公开了权利要求1的大部分技术特征，也公开了位于凹进内的焊料（导电填充结构），仅未公开该导电填充结构是预填的。由于对比文件1导电填充材料是与导电凸块一起形成的，故对比文件1未公开区别技术特征导电填充材料与导电凸块由不同的材料构成。对比文件2公开了本申请的发明构思——将凹进内的导电填充材料预填，且该预填焊料的作用与说明书5、26段记载的相同，对比文件2给出了预填焊料的结合启示。本领域技术人员有动机将对比文件2结合至对比文件1中，将对比文件1中的焊料预填。在此技术启示下，将导电填充材料与导电凸块采用不同的材料形成，是本领域的惯用技术手段。此外，对比文件2也可作为最接近的现有技术，结合对比文件1与公知常识得到权利要求1的技术方案。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月08日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-14、17、19不具备专利法第22条第3款规定的创造性，权利要求15、16、18、20不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。1、权利要求1与对比文件2相比的区别技术特征为：包括导电凸块，将所述半导体封装体的引线耦合至所述衬底的焊盘，所述导电凸块被耦合至所述导电填充材料，所述导电凸块包括与所述导电填充材料的一种或多种材料不同的一种或多种材料。上述区别技术特征一部分被对比文件1公开，其余部分属于本领域的公知常识。因此权利要求1不具备创造性。2、权利要求6与对比文件2相比的区别技术特征为：导电填充材料与所述封装体外部的其它电气组件电绝缘。上述区别技术特征属于本领域的公知常识。因此权利要求6不具备创造性。3、权利要求2-5、7-14的附加技术特征或者被对比文件1、对比文件2公开，或者属于本领域的公知常识。因此权利要求2-5、7-14不具备创造性。4、权利要求15、16、18、20所要求保护的技术方案与对比文件2公开的技术方案相比，其技术方案实质上是相同的，且两者属于相同的技术领域，采用了相同的技术手段，并能解决相同的技术问题，产生相同的技术效果，因此上述权利要求不具备新颖性。5、权利要求17、19的附加技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求17、19不具备创造性。6、针对复审请求人的意见，合议组认为：本申请说明书第5、26段文字部分明确记载了：本申请在凹进中的导电填充材料提供可润湿的表面，可以为导电凸块对封装体和PCB之间的接合的视觉检查提供便利。因此“视觉检查的便利性”至少是本申请要解决的技术问题之一。对比文件2说明书第65段记载了：嵌入体12由焊料制成，用作引线4和安装衬底之间的键合剂的焊料可以湿润地爬上嵌入体12的端面12B，因而可以容易地目视测试引线4和线路板之间的键合（焊接）状态。即，在对比文件2中，采用焊料制成的嵌入体12的结构所解决的一个技术问题是提供视觉检查的便利性。此外，由于对比文件2公开了预先采用导电焊料填充引线的凹部的技术方案，其与本申请的整体技术方案密切相关，并且也能够解决相同的技术问题，取得相同的技术效果，因此采用对比文件2作为最接近的现有技术。
复审请求人于2019年08月23日提交了意见陈述书以及修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-16项。其中分别将原权利要求11、17的附加技术特征分别补入原独立权利要求1、6、15中，并删除权利要求10-11、16-17。复审请求人认为：技术特征“所述填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于所述裸片焊盘的第二表面而凹进的表面”提供多个优点，导电凸块48在安装期间将会被提供至凹进26之中以可能地加强封装体10和PCB46之间的键合，还可以节省凹进26中的填充材料。对比文件2关注于如何将半导体器件稳定地安装在基板上，而不是增强键合，尽管对比文件2提到了视觉测试的便利性，但是本领域技术人员没有动机在填充材料上形成凹进表面，因为凹进表面对于视觉检查是不利的，并且对于稳定地安装半导体器件也是不利的。答复复审通知书提交的权利要求书如下：
“1. 一种电子器件，包括：
半导体封装体，包括：
具有第一表面和第二表面的裸片焊盘；
耦合至所述裸片焊盘的第一表面的半导体裸片；
位于所述裸片焊盘附近并且与所述裸片焊盘分开的多条引线，所述多条引线中的每一条引线的外表面包括凹进；
位于所述多个凹进中的导电填充材料，其中所述填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于所述裸片焊盘的第二表面而凹进的表面；衬底，具有多个导电焊盘；以及
导电凸块，将所述半导体封装体的引线耦合至所述衬底的焊盘，所述导电凸块被耦合至所述导电填充材料，所述导电凸块包括与所述导电填充材料的一种或多种材料不同的一种或多种材料。
2. 根据权利要求1所述的电子器件，进一步包括位于所述半导体裸片和所述多条引线的一部分上方的密封材料。
3. 根据权利要求1所述的电子器件，其中焊料为第一焊料，其中所述填充材料为第二焊料。
4. 根据权利要求2所述的电子器件，其中所述第一焊料为Sn/Pb、Ag、Sn/Bi或Cu/Sn。
5. 根据权利要求1所述的电子器件，其中所述衬底是印刷电路板。
6. 一种半导体封装体，包括：
具有第一表面和第二表面的裸片焊盘；
耦合至所述裸片焊盘的第一表面的半导体裸片；
位于所述裸片焊盘的至少一个侧面附近并且与所述侧面分开的多条引线，所述多条引线的外表面形成所述半导体封装体的外表面的一部分；所述多条引线分别具有凹进；
位于所述多条引线的凹进中的导电填充材料，所述导电填充材料与所述封装体外部的其它电气组件电绝缘，其中所述填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于所述裸片焊盘的第二表面而凹进的表面；以及
位于所述半导体裸片和所述多条引线的一部分上方的密封材料。
7. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述凹进跨所述引线的整个宽度进行延伸。
8. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述填充材料是焊料材料。
9. 根据权利要求8所述的半导体封装体，其中所述焊料材料是Cu/Sn、Sn/Pb、Ag和Sn/Bi之一。
10. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述凹进延伸通过所述多条引线的超过一半。
11. 根据权利要求6所述的半导体封装体，进一步包括将所述半导体裸片的键合焊盘电耦合至所述多条引线之一的导线键合。
12. 根据权利要求6所述的半导体封装体，其中所述多条引线包括所述凹进中的导电层，所述导电层包括Au、Ag、Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金和Ni/Pd/Au/Ag中的一种，并且所述填充材料位于所述导电层上。
13. 一种形成多个半导体封装体的方法，所述方法包括：
利用导电填充材料对通过连接栏接合在一起的多条引线中的多个凹进进行基本上填充，其中基本上填充包括对所述多个凹进进行填充使得所述导电填充材料在所述引线的表面之下而凹进；
将多个半导体裸片附着至裸片焊盘的表面；
将所述多个半导体裸片电耦合至所述多条引线；
密封所述多个半导体裸片；以及
切割穿过所述密封材料、所述连接栏和所述导电填充材料，以形成所述多个半导体封装体，其中切割穿过所述连接栏包括将接合的所述引线进行分割。
14. 根据权利要求13所述的方法，其中在将所述多个半导体裸片附着至裸片焊盘的表面之前对所述多个凹进进行基本上填充。
15. 根据权利要求13所述的方法，其中在密封所述半导体裸片之后对所述多个凹进进行基本上填充。
16. 根据权利要求13所述的方法，其中所述导电填充材料为焊料。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年08月23日针对复审通知书提交了意见陈述书和修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-16项。经审查，上述所做修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本是：于申请日2015年09月16日提交的说明书摘要、说明书第1-45段、摘要附图、说明书附图图1A-5E；2019年08月23日提交的权利要求第1-16项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其他对比文件公开，其余部分是本领域的公知常识，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合该其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所请求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
在本复审请求审查决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：JP特开2000-294719A，公开日为2000年10月20日；
对比文件2：US2010/0013069A1，公开日为2010年01月21日。
其中，对比文件2作为最接近的现有技术。
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种电子器件。对比文件2公开了一种半导体器件，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第8-15段，第39-67段，附图1-3E）：包括半导体封装体，具有第一表面和第二表面的管芯垫3，管芯垫3包括本体部分7，耦合至管芯垫3的第一表面的半导体芯片2；位于管芯垫3附近并且与管芯垫3分开的多条引线4，每条引线4的外表面包括沟槽11；位于多个沟槽11中的可为焊料的嵌入体12；该焊料用作引线4和安装衬底之间的键合剂，因此安装衬底必然具有多个导电焊盘。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件2公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）包括导电凸块，将所述半导体封装体的引线耦合至所述衬底的焊盘，所述导电凸块被耦合至所述导电填充材料，所述导电凸块包括与所述导电填充材料的一种或多种材料不同的一种或多种材料；（2）填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于裸片焊盘的第二表面而凹进的表面。基于上述区别技术特征，本申请实际所要解决的技术问题是实现引线与安装衬底的电连接、提高键合强度。
针对区别技术特征（1），对比文件1公开了一种具有引线框结构的半导体器件，并具体公开了以下技术特征（参见说明书摘要，说明书第18-96段，附图1-7）：包括焊料8（相当于导电凸块），将半导体封装体7的引线1a耦合至安装衬底9的衬底端子9a。上述技术特征在对比文件1中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，均是实现引线与安装衬底的电连接。因此对比文件1给出了将上述技术特征用于对比文件2以解决其技术问题的启示。因此，在对比文件2已经公开了通过可为焊料的嵌入体12键合引线4和安装衬底的基础上，当采用对比文件1的上述技术手段实现引线与安装衬底的电连接时，必然会使作为导电凸块的焊料耦合至作为嵌入体的焊料。并且在半导体封装工艺过程中，各工艺步骤中采用的导电焊料中的一种或多种材料可以相同或不同，这是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识。本领域技术人员可以根据实际需要选择导电凸块包括与导电填充材料的一种或多种材料不同的一种或多种材料，并且这种选择并未产生预料不到的技术效果。
针对区别技术特征（2），具体设计导电填充材料形状是本领域的惯用技术手段，而且为了提高键合强度而使导电凸块进入到引线框架的凹陷的设计也是本领域的常见设计，本领域技术人员可以根据实际需要具体选择填充材料具有凹面并且低于裸片焊盘的第二表面而凹进的表面以允许焊接后导电凸块能够进入到凹陷中，进而提高键合强度。并且也未产生预料不到的技术效果。
因此在对比文件2公开的技术方案的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识得到上述权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此上述权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2、权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6要求保护一种半导体封装体。对比文件2公开了一种半导体器件封装，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第8-15段，第39-67段，附图1-3E）：包括具有第一表面和第二表面的管芯垫3，管芯垫3包括本体部分7，耦合至管芯垫3的第一表面的半导体芯片2；位于管芯垫3的多个侧面附近并且与管芯垫3侧面分开的多条引线4，每条引线4的外表面形成半导体器件封装的外表面的一部分；多个引线分别包括沟槽11；位于多条引线的沟槽11中的可为焊料的嵌入体12；位于半导体芯片2和多个引线4的一部分上方的密封树脂5。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件2公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）导电填充材料与所述封装体外部的其它电气组件电绝缘；（2）填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于裸片焊盘的第二表面而凹进的表面。基于上述区别技术特征，本申请实际所要求的技术问题是防止不必要的电气短路、提高键合强度。
针对区别技术特征（1），在半导体领域中，为了防止不必要的电气短路，而使得导电材料与其他电气组件之间保持电绝缘，这是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识。本领域技术人员可以根据实际需要选择导电填充材料与半导体封装体外部的其它电气组件电绝缘，并且也未产生预料不到的技术效果。
针对区别技术特征（2），与权利要求1的理由相同。
因此在对比文件2公开的技术方案的基础上结合本领域的公知常识得到上述权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此上述权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
3、权利要求2-5、8、9、11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件2公开了（参见说明书第8-15段，第39-67段，附图1-3E）：包括位于半导体芯片2和多个引线4的一部分上方的密封树脂5；嵌入体12可为焊料；包括半导体芯片2的焊盘电耦合至多条引线4的一个的键合线6。对比文件1公开了（参见说明书第18-96段，附图1-7）：还包括焊料8。此外，印刷电路板是本领域常用的安装衬底，Sn/Pb、Ag、Sn/Bi或Cu/Sn是本领域常见的焊料材料，本领域技术人员可以根据实际需要选择Sn/Pb、Ag、Sn/Bi或Cu/Sn作为键合的焊料，选择印刷电路板作为封装结构的安装基板，并且也未产生预料不到的技术效果。因此在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
4、权利要求7、10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
具体设计凹进的形状是本领域的惯用技术手段，使凹进跨引线的整个宽度进行延伸或者凹进延伸通过多条引线并超过其一半，以增加凹进宽度、深度等，进而增加凹进内可容纳焊料容量及封装体与安装衬底的接触面积，从而增强封装体与封装衬底的接合能力等，这是本领域技术人员可以根据实际需要进行选择的，并且也未带来预料不到的技术效果。因此在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
5、权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12的附加技术特征构成该权利要求与对比文件2相比的另一区别技术特征。基于该区别技术特征，该权利要求的技术方案实际所要求解决的技术问题是提高电耦合性能。对比文件1公开了（参见说明书摘要，说明书第18-96段，附图1-7）以下技术特征：多条引线1a包括凹进1d中的焊接镀层6，并且填充材料8位于焊接镀层6上。上述技术特征在对比文件1中所起的作用与在本申请中的作用相同，都是提高电耦合性能。因此对比文件1给出了将上述技术特征应用于对比文件2以解决其技术问题的启示。此外，Au、Ag、Ni/Pd/Ag、Ni/Pd/Au-Ag合金和Ni/Pd/Au/Ag是常见的焊料电镀导电材料，这是本领域的公知常识，本领域技术人员可以根据实际需要选择这些材料中的一种，并且也未产生预料不到的技术效果。因此在对比文件2公开的技术方案的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识得到上述权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此上述权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
6、权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13要求保护一种形成多个半导体封装体的方法。对比文件2公开了一种形成多个半导体器件封装的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第8-15段，第39-67段，附图1-3E）：利用焊料31对通过支撑部分22接合在一起的多条引线4的多个沟槽11进行填充；将多个半导体芯片2附接至管芯垫3的表面，将多个半导体芯片2电耦合至多条引线4；用密封树脂32密封多个半导体芯片2；切割穿过密封树脂32、支撑部分22和焊料31，以形成多个半导体封装体，其中切割穿过支撑部分22包括将接合的引线4进行分割。该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件2公开的内容相比，区别技术特征在于：基本上填充包括对多个凹进进行填充使得导电填充材料在引线的表面之下而凹进。基于上述区别技术特征，本申请实际所要求的技术问题是提高键合强度。然而具体设计导电填充材料的形状，这是本领域的惯用技术手段，本领域技术人员为了防止焊料过多而突出封装结构底面以及提高键合强度而使导电凸块进入到引线框架的凹陷的设计也是本领域的常见设计，本领域技术人员可以根据实际需要具体选择填充材料具有凹面并且在引线表面之下凹进，以允许焊接后导电凸块能够进入到凹陷中，进而提高键合强度。并且也未产生预料不到的技术效果。因此在对比文件2公开的技术方案的基础上结合本领域的公知常识得到上述权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此上述权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
7、权利要求14、16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件2还公开了（参见说明书第8-15段，第39-67段，附图3B）：将多个半导体芯片2附接至管芯垫3的表面之前对多个沟槽11填充焊料31。因此在引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
8、权利要求15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
上述权利要求的附加技术特征构成其与对比文件2相比的区别技术特征。然而具体选择填充凹进与密封半导体芯片的步骤顺序，是本领域的惯用技术手段，本领域技术人员可以根据实际需要具体选择先密封半导体芯片再填充凹进等，并且也未产生预料不到的技术效果。因此在对比文件2公开的技术方案的基础上结合本领域的公知常识得到上述权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此上述权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：技术特征“所述填充材料具有至少一个为凹面形状并且低于所述裸片焊盘的第二表面而凹进的表面”提供多个优点，导电凸块48在安装期间将会被提供至凹进26之中以可能地加强封装体10和PCB46之间的键合，还可以节省凹进26中的填充材料。对比文件2关注于如何将半导体器件稳定地安装在基板上，而不是增强键合，尽管对比文件2提到了视觉测试的便利性，但是本领域技术人员没有动机在填充材料上形成凹进表面，因为凹进表面对于视觉检查是不利的，并且对于稳定地安装半导体器件也是不利的。
对此，合议组认为：首先，具体设计导电填充材料形状是本领域的惯用技术手段，在引线框架上形成凹陷以增强封装体和安装基板（或导电凸块）之间的键合强度，也是本领域的惯用技术手段，因此即便在存在填充材料的情况下，为了增加键合强度，本领域技术人员仍有动机根据实际需要使得填充材料的表面呈现凹陷以增大接触面积并增强键合强度，所产生的技术效果例如加强封装体和PCB之间的键合、节省凹进中的填充材料，这些技术效果都是可预期的。实际上，对比文件1就公开了一种通过形成凹陷以尽可能增加焊接键合面积，进而提高连接强度的技术方案。其次，对比文件2可以解决多个技术问题，其中包括与安装基板结合的稳定性以及视觉测试的便利性等，然而当存在凹进的情况下，由于焊接过程中所焊接材料仍能够进入到凹进部并与以焊料为材料的导电填充材料充分接合，仍能够湿润地向上移动，因此能够实现稳定安装及视觉检查，并非如复审请求人所述“对于视觉检查是不利的，对稳定地安装半导体器件也是不利的”。正如本申请的技术方案也是如此，本申请存在凹进，而且视觉检查的便利性也是本申请所要解决的技术问题，可见，二者之间并不矛盾。因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月11日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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