发明创造名称：一种单片集成两段式DFB半导体激光器及阵列
外观设计名称：
决定号：198914
决定日：2019-12-05
委内编号：1F274641
优先权日：
申请（专利）号：201510014192.6
申请日：2015-01-12
复审请求人：南京大学（苏州）高新技术研究院
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：白建辉
合议组组长：谭晓波
参审员：任晓东
国际分类号：H01S5/22,H01S5/42
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与最接近的对比文件之间存在区别特征，而该区别特征中的一些已经被其他对比文件所公开，并且在其他对比文件中所起的作用与其在本申请中的作用相同，另外一些区别技术特征属于本领域的常用技术手段，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510014192.6、名称为“一种单片集成两段式DFB半导体激光器及阵列”的发明专利申请（下称本申请），其申请日为2015年01月12日，公开日为2016年08月10日，申请人为南京大学（苏州）高新技术研究院。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门依法对本申请进行了实质审查，以本申请的权利要求1-12不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定为由，于2018年11月06日作出驳回决定。驳回决定中引用了如下两篇对比文件：
对比文件1：CN104124611A，公开日期：2014年10月29日；
对比文件2：JP昭62-295480A，公开日期：1987年12月22日。
驳回决定所依据的文本为申请日2015年01月12日申请日提交的说明书摘要、说明书、摘要附图、说明书附图以及权利要求第1-12项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种单片集成两段式DFB半导体激光器，其特征在于，包括：无源反射光栅区和DFB半导体激光器区；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区共用同一段波导结构，并集成在同一衬底或同一芯片上；所述无源反射光栅区无激光振荡，用于为所述DFB半导体激光器区提供反射；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构，所述外延结构依次包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层；所述外延结构的距离n型衬底较近的一面设有负电极，距离绝缘层较近的一面设有正电极，且与所述正电极相对应的区域不存在绝缘层。
2. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述两段式DFB半导体激光器采用脊波导结构或者掩埋异质结的结构。
3. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，还包括位于所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区之间的电隔离区；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相互独立的注入电流，且所述无源反射光栅区的注入电流小于等于所述无源反射光栅区的透明电流。
4. 根据权利要求3所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，在所述p型欧姆接触层中，与所述电隔离区相对应的p型欧姆接触层被刻蚀掉。
5. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述两段式DFB半导体激光器的两端面均镀抗反射膜；或者，所述两段式DFB半导体激光器的两端面均不镀膜，且两端面采用弯曲波导结构，弯曲角度大于5°。
6. 根据权利要求1-5任一所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，无源反射光栅和DFB半导体激光器光栅均为采用重构-等效啁啾技术制作的取样光栅；其中，所述无源反射光栅包括所述无源反射光栅区对应的光栅材料层，所述DFB半导体激光器光栅包括所述DFB半导体激光器区对应的光栅材料层。
7. 根据权利要求6所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述无源反射光栅和所述DFB半导体激光器光栅采用相同的取样周期P和种子光栅周期Λ0；所述无源反射光栅的长度L1不小于所述DFB半导体激光器光栅的长度L2。
8. 根据权利要求6所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述无源反射光栅采用均匀取样光栅结构；所述DFB半导体激光器光栅采用中心具有等效相移结构的光栅，包括：等效π相移光栅、等效π/2相移光栅、其他相应数值的相移光栅、或者具有相应数值相移的等效周期节距调制光栅。
9. 根据权利要求6所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述无源反射光栅和所述DFB半导体激光器光栅的 1或者-1级子光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区中心，而0级光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区之外。
10. 根据权利要求1-5任一所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区所采用的材料为III-V族化合物半导体材料，或者为II-VI族或IV-VI族化合物半导体材料中的三元化合物、四元化合物半导体材料，或者为掺铝半导体材料；所述III-V族化合物半导体材料包括GaAlAs/GaAs、InGaAs/InGaP、GaAsP/InGaP、InGaAsP/InP或InGaAsP/GaAsP；所述掺铝半导体材料包括AlGaInAs。
11. 一种单片集成两段式DFB半导体激光器阵列，其特征在于，包括：多个如权利要求1-10任一所述的单片集成两段式DFB半导体激光器；且多个所述两段式DFB半导体激光器沿垂直于激光器腔体的方向依次并列分布。
12. 根据权利要求11所述的两段式DFB半导体激光器阵列，其特征在于，多个所述两段式DFB半导体激光器的取样光栅的取样周期不完全相同，所述两段式DFB半导体激光器阵列为多波长的激光器阵列。”
驳回决定认为，权利要求1相对于对比文件1的区别在于：无源反射光栅区无激光振荡，用于为DFB半导体激光器区提供反射。但是上述区别技术特征已经被对比文件2所公开，并且在对比文件2中所起作用与其在本申请中的作用一致，因此，权利要求1不具有创造性。权利要求2-10的附加技术特征或者被对比文件1所公开，或者属于本领域的常用技术手段，因此这些权利要求都不具有创造性。由于对比文件1公开了基于多个由主-从结构的激光器沿垂直于激光器腔体方向依次并列分布的阵列，因此，参照权利要求1-10的评述意见可知，权利要求11相对于对比文件1和对比文件2也不具有创造性，而从属权利要求12的附加技术特征已经被对比文件1所公开，因此，权利要求12也不具有创造性。
申请人南京大学（苏州）高新技术研究院（下称复审请求人）对上述驳回决定不服, 于2019年02月21日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文替换页，具体是将原从属权利要求3的附加技术特征增加到权利要求1形成新的权利要求1，并删除了原权利要求2,4-8,10，并对剩余权利要求编号做了适应性修改，同时对说明书中相应部分做了适应性修改，修改后的权利要求书如下：
“1. 一种单片集成两段式DFB半导体激光器，其特征在于，包括：无源反射光栅区和DFB半导体激光器区；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区共用同一段波导结构，并集成在同一衬底或同一芯片上；所述无源反射光栅区无激光振荡，用于为所述DFB半导体激光器区提供反射；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构，所述外延结构依次包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层；所述外延结构的距离n型衬底较近的一面设有负电极，距离绝缘层较近的一面设有正电极，且与所述正电极相对应的区域不存在绝缘层；还包括位于所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区之间的电隔离区；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相互独立的注入电流，且所述无源反射光栅区的注入电流小于等于所述无源反射光栅区的透明电流。
2. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述两段式DFB半导体激光器采用掩埋异质结的结构。
3. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述两段式DFB半导体激光器的两端面均不镀膜，且两端面采用弯曲波导结构，弯曲角度大于5°。
4. 根据权利要求3所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述无源反射光栅和所述DFB半导体激光器光栅的 1或者-1级子光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区中心，而0级光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区之外。
5. 一种单片集成两段式DFB半导体激光器阵列，其特征在于，包括：多个如权利要求1-4任一所述的单片集成两段式DFB半导体激光器；且多个所述两段式DFB半导体激光器沿垂直于激光器腔体的方向依次并列分布。
6. 根据权利要求5所述的两段式DFB半导体激光器阵列，其特征在于，多个所述两段式DFB半导体激光器的取样光栅的取样周期不完全相同，所述两段式DFB半导体激光器阵列为多波长的激光器阵列。”
复审请求人认为：通过上面的修改，已经克服了驳回决定所指出的全部缺陷，但并未阐述任何具体的表明权利要求具有创造性的理由。
经形式审查合格，国家知识产权局依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1之间的区别在于：对比文件1从激光器的位置设置的是无源反射光栅区，无源反射光栅区的注入电流小于等于无源反射光栅区的透明电流，该区域无激光振荡，用于为DFB半导体激光器区提供反射。集成在同一衬底上的无源区的光栅将有源激光区激射的光反射回去实现选频已经被对比文件2所公开，而为了避免无源波导层对于光的吸收而施加透明电流属于本领域常用技术手段，因此，权利要求1不具有创造性。权利要求2-4的附加技术特征或者被对比文件1所公开，或者属于本领域的常用技术手段，因此，权利要求2-4也都不具有创造性。对比文件1公开了基于多个由主-从结构的激光器沿垂直于激光器腔体方向依次并列分布的阵列，因此，参照权利要求1-4的评述意见可知，权利要求5相对于对比文件1和对比文件2也不具有创造性，而从属权利要求6的附加技术特征已经被对比文件1所公开，因此，权利要求6也不具有创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年08 月23日提交了意见陈述书，未提交修改文本，后复审请求人于2019年10月28日再次提交了意见陈述书，并提交了说明书和权利要求书的全文替换页。具体的修改是在权利要求1中增加了如下技术特征“所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器的光栅采用重构-等效啁啾技术设计和制备”和“外延材料与传统单段式DFB激光器芯片的外延结构相似”，并删除了“所述外延结构依次包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层；所述外延结构的距离n型衬底较近的一面设有负电极，距离绝缘层较近的一面设有正电极，且与所述正电极相对应的区域不存在绝缘层”。删除了权利要求2，并将权利要求4的附加技术特征修改如下：所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器的光栅采用重构-等效啁啾技术设计和制作取样光栅，取样光栅的 1或者-1级子光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区中心，而其他级光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区之外。无源反射器光栅采用均匀取样光栅，DFB半导体激光器区域的光栅采用等效相移取样光栅，两处光栅的取样周期相同。同时对说明书相应部分作了适应性修改，修改后的权利要求书如下：
“1. 一种单片集成两段式DFB半导体激光器，其特征在于，包括：无源反射光栅区和DFB半导体激光器区； 所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区共用同一段波导结构，并集成在同一衬底或同一芯片上；所述无源反射光栅区无激光振荡，用于为所述DFB半导体激光器区提供反射；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相同的材料外延结构，外延材料与传统单段式DFB激光器芯片的外延结构相似；还包括位于所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区之间的电隔离区；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区具有相互独立的注入电流，且所述无源反射光栅区的注入电流小于等于所述无源反射光栅区的透明电流；所述无源反射光栅区和所述DFB半导体激光器区的光栅采用重构-等效啁啾技术设计和制备。
2. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述两段式DFB半导体激光器的两端面均不镀膜，且两端面采用弯曲波导结构，弯曲角度大于5°。
3. 根据权利要求1所述的两段式DFB半导体激光器，其特征在于，所述无源反射光栅和所述DFB半导体激光器光栅是采用重构等效啁啾激射设计和制作取样光栅，取样光栅的 1或者-1级子光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区中心，而其他级光栅的布拉格波长处于激光器介质的增益区之外。无源反射器光栅采用均匀取样光栅，DFB半导体激光器区域的光栅采用等效相移取样光栅，两处光栅的取样周期相同。
4. 一种单片集成两段式DFB半导体激光器阵列，其特征在于，包括：多个如权利要求1-4任一所述的单片集成两段式DFB半导体激光器；且多个所述两段式DFB半导体激光器沿垂直于激光器腔体的方向依次并列分布。
5. 根据权利要求4所述的两段式DFB半导体激光器阵列，其特征在于，多 个所述两段式DFB半导体激光器的取样光栅的取样周期不完全相同，所述两段式DFB半导体激光器阵列为多波长的激光器阵列。”
复审请求人认为：1）对比文件2的光栅采用的是利用全息光刻技术制作的均匀光栅，并且从对比文件2的图3可以看出，对比文件2的无源反射光栅与DFB激光器部分的量子阱结构是不一样的。本申请光栅采用重构等效啁啾技术制作光栅，可以分别设计两部分光栅的结构，提高激光器的输出效率和单模特性，并且本申请的两段式量子阱结构一致，不需要复杂的有源无源集成工艺，所以权利要求1具有创造性。2）本申请采用两段式结构，一端利用光栅反射，另一端采用弯曲波导，因此两端都不需要镀膜，降低了制作难度，传统的DFB激光器虽然也可以不镀膜，但是随机相位的影响严重，因此，权利要求2具有创造性。3）本申请中无源光栅和DFB激光器光栅的周期相同，这样DFB激光器的激射波长恰好处于无源反射光栅反射带宽内，从而提高了激光器的单模特性和输出效率，因此，权利要求3具有创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年10月28日提交了权利要求书和说明书的修改替换页。因此，本决定是基于以下文本做出的：
复审请求人于申请日2015年01月28日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图以及2019年10月28日提交的权利要求第1-5项，说明书第1-63段。
2、具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与最接近的对比文件之间存在区别特征，而该区别特征中的一些已经被其他对比文件所公开，并且在其他对比文件中所起的作用与其在本申请中的作用相同，另外一些区别技术特征属于本领域的常用技术手段，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
具体到本案：
权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
1. 权利要求1请求保护一种单片集成两段式DFB半导体激光器，该权利要求中记载有“外延材料与传统单段式DFB激光器芯片的外延结构相似”，由于传统单段式DFB激光器芯片的外延结构存在很多类型，所以不清楚该权利要求保护的是哪一种类型，根据说明书的记载，合议组将此处的“传统单段式DFB激光器芯片的外延结构”理解为说明书第0040段所记载的结构，即外延结构依次包括：n型衬底、n型缓冲层、波导层、应变多量子阱层、光栅材料层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层和绝缘层；所述外延结构的距离n型衬底较近的一面设有负电极，距离绝缘层较近的一面设有正电极，且与所述正电极相对应的区域不存在绝缘层。
对比文件1（CN104124611A）公开了一种基于重构-等效啁啾的单片集成注入锁定DFB激光器，该激光器在同一芯片上集成了主激光器1和从激光器2两个DFB激光器。为了保证主激光器1和从激光器2能够独立运转，在两个激光器之间设计电隔离区3（参见说明书第0037段）。主激光器1和从激光器2在材料结构上都包括： n型衬底4；n型InP缓冲层5；非掺杂晶格匹配InGaAsP波导层6；应变InGaAsP多量子阱层7；InGaAsP光栅材料层8；p型晶格匹配InGaAsP波导层9；p型InP限制层10；p型InGaAs欧姆接触层11；SiO2绝缘层12；主激光器正电极13-1；从激光器正电极13-2和负电极14（参见说明书第0038段）。从图1可以明确地、毫无疑义得知，正电极所在区域不存在绝缘层(参见附图1)。
将对比文件1公开的内容与权利要求1进行比较可知，对比文件1中的电隔离区3相当于权利要求1中的电隔离区，对比文件1中的主激光器和从激光器显然也是两段式的，也是集成在同一芯片或衬底上，共用了同一波导结构，对比文件1的各层结构均与权利要求1的各层结构相同。
由此可见，权利要求1与对比文件1的区别在于：1）对应于对比文件1从激光器的位置设置的是无源反射光栅区，无源反射光栅区的注入电流小于等于无源反射光栅区的透明电流，该区域无激光振荡，用于为DFB半导体激光器区提供反射；2）无源反射光栅区和DFB半导体激光器区的光栅采用重构-等效啁啾技术设计和制备。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1实际解决的技术问题是：提高DFB半导体激光器的输出效率和边模抑制比。
对比文件2（JP昭62-295480A）公开了一种半导体激光器，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第2页左栏第2段至第3页右栏第3段，附图1）：包括集成在同一片衬底上的电流注入区12a和非注入区13a，两者均包括一段光栅层17，非注入区不发生激光振荡，而仅仅是把注入区的受激辐射加以反射。上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决技术问题所起的作用相同，都是集成在同一衬底上的无源区的光栅部分将有源激光器发射的激光反射回去实现选频，最终实现窄线宽的输出，即，电流非注入区13a的光栅为电流注入区12a产生的激光提供了反射作用，所以其必定起到了提高输出效率的作用，同时由于两个区域中光栅的波长是一致的，实现了窄线宽的输出，也即提高了边模抑制比，所以对比文件2给出了使用无源区的光栅的对电流注入区的激光进行反射以提高输出效率和提高边摸抑制比的启示，这种启示会使本领域技术人员在面对上述技术问题时，有动机对对比文件1所述的技术方案进行改进，从而将对比文件1中主激光区域之外的具有相同层结构的从激光器区域设置成带有光栅结构的无源反射区，以实现选频和反射。而为了避免无源波导层对于光的吸收而施加透明电流以及使用重构-等效啁啾技术制作光栅均属于本领域常用技术手段。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常用技术手段得出权利要求1的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特定和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人在意见陈述书中所陈述了如下意见：对比文件2的光栅采用的是利用全息光刻技术制作的均匀光栅，并且从对比文件2的图3可以看出，对比文件2的无源反射光栅与DFB激光器部分的量子阱结构是不一样的。本申请光栅采用重构等效啁啾技术制作光栅，可以分别设计两部分光栅的结构，提高激光器的输出效率和单模特性，并且本申请的两段式量子阱结构一致，不需要复杂的有源无源集成工艺，所以权利要求1具有创造性。针对上述意见，合议组认为：正如复审请求人在意见陈述书所陈述的，使用重构-等效啁啾技术制作光栅属于本领域的现有常用技术手段，关于两段式结构采用相同的材料外延结构已经被对比文件1所公开，权利要求1与对比文件1的区别在于使用集成在同一衬底上的非电流注入区光栅部分将电流注入区的激光折返实现选频，但是该区别技术特征已经被对比文件2所公开且所起的作用相同。需要注意的是，在创造性的评述中，关注的是对比文件2是否公开了区别技术特征并是否给出了将其应用到最接近现有技术即对比文件1的启示，并不要求对比文件2必须公开权利要求的所有技术特征。至于复审请求人提到的对比文件2的附图3，其属于对比文件2的现有技术部分，合议组对于权利要求的创造性评述并未引用对比文件2的附图3，引用的是附图1的实施例，在该实施例中，从附图1可以看出，电流注入区12a和非注入区13a 的量子阱层5的结构是一样的，与附图3的有源层在两部分中为不同的结构并不相同，所以对比文件1和对比文件2均公开了左右两个区的量子阱有源层结构一样的启示。因此，合议组认为修改后的权利要求1依然不具备创造性。
2. 权利要求2对权利要求1作了进一步的限定。DFB和DBR激光器激射所需要的光反馈不由激光器端面的集中反射提供，而是由内藏的分布布拉格光山来实现光的反馈，这属于本领域所公知的技术，也是DFB的激光器的工作原理，为了避免端面形成的谐振腔对于DFB激光器的输出产生影响，一般都需要避免在两端面之间形成谐振腔，例如对比文件1中单片集成注入锁定激光器的两端面镀抗反射膜就是这个原因。而将端面设置为弯曲形状以使得光束不能按照原路反射从而形成端面之间的来回振荡属于本领域的常用技术手段。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人在意见陈述书陈述了如下意见：本申请采用两段式结构，一端利用光栅反射，另一端采用弯曲波导，因此两端都不需要镀膜，降低了制作难度，传统的DFB激光器虽然也可以不镀膜，但是随机相位的影响严重，因此，权利要求2具有创造性。针对上述意见，合议组认为：对比文件2公开了使用集成在同一衬底上的非电流注入区的光栅部分将注入电流区的激光折返实现选频，在这种情况下，想到激光器的端面不再进行端面镀膜是显而易见的，因为光栅已经作为了腔镜，自然不需要另外镀膜形成腔镜。而将端面设置为弯曲形状以使得光束不能按照原路反射从而形成端面之间的来回振荡属于本领域的常用技术手段。
3.权利要求3对权利要求1作了进一步的限定。对比文件1公开了在中心布拉格波长两侧的 1和-1级种子光栅，当激射波长选择为 1和-1级时，显然会要求该级的衍射波长处于激光器增益介质的增益中心，并抑制其他衍射级的输出，由此想到将其他级衍射波长设置在增益介质的增益区之外是显而易见的，而使用重构-等效啁啾技术制作光栅属于本领域的现有常用技术手段，均匀取样和等效相移取样光栅均属于本领域的常用光栅结构，无源光栅的目的就是为了对有源部分产生的激光进行反射，两者要求周期相同是必然的，当其引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人在意见陈述书中陈述了如下意见：本申请中无源光栅和DFB激光器光栅的周期相同，这样DFB激光器的激射波长恰好处于无源反射光栅反射带宽内，从而提高了激光器的单模特性和输出效率，因此，权利要求3具有创造性。针对上述意见，合议组认为：对比文件2公开了使用集成在同一衬底上的无源区的光栅部分将电流注入区的激光折返实现选频，也即电流注区和非电流注入区的光栅所针对的光是同一对象，那么要求两者的周期相同是显而易见的，否则将无法同时对相同的光产生的选频作用。
4.权利要求4请求保护一种单片集成两段式DFB半导体激光器阵列，参见对权利要求1-3的评述可知权利要求1-3所述两段式DFB半导体激光器均不具备创造性，而对比文件1同时公开了基于多个由主-从结构的激光器沿垂直于激光器腔体方向依次并列分布的阵列，在此公开的启示下，本领域技术人员容易想到将多个权利要求1-3所述两段式DFB半导体激光器进行同样的阵列排布以满足相应的输出波长或输出功率需求。由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常用技术手段得到权利要求4的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求4所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特定和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5.权利要求5对权利要求4作了进一步的限定。对比文件1公开了通过设置每个激光器取样光栅的取样周期精确控制每个激光器的波长，形成多通道（相当于多波长）的单片集成注入锁定激光器阵列。当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上，本申请的权利要求1-5均不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月06日对本申请作出的驳回决定。如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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