发明创造名称：液晶面板
外观设计名称：
决定号：196747
决定日：2019-12-05
委内编号：1F269841
优先权日：
申请（专利）号：201510509011.7
申请日：2015-08-18
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：崔双魁
合议组组长：刘章鹏
参审员：李剑韬
国际分类号：G02F1/1362
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而该区别技术特征的一部分被其他对比文件公开，另一部分属于本领域的常用技术手段，并且没有产生意料不到的技术效果，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510509011.7，名称为“液晶面板”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为深圳市华星光电技术有限公司。本申请的申请日为2015年08月18日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月08日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-9不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为申请日提交的说明书摘要、说明书第1-46段、摘要附图、说明书附图以及2018年06月08日提交的权利要求第1-9项。在驳回决定中引用了以下两篇对比文件 ：
对比文件1： CN101369076A，公开日期为2009年02月18日；
对比文件2： CN1932624A，公开日期为2007年03月21日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种液晶面板，其特征在于，包括TFT基板(1)、与所述TFT基板(1)相对设置的CF基板(2)、及位于所述TFT基板(1)与CF基板(2)之间的液晶层(3)；
所述TFT基板(1)包括第一基板(10)、设于所述第一基板(10)上的黑色矩阵(21)、数条沿横向设置的扫描线(8)、数条沿纵向设置的数据线(7)、数个挡光框(11)、数个TFT(9)、及像素电极(12)；
所述CF基板(2)包括第二基板(20)、设于所述第二基板(20)下方的色阻层(22)、及设于所述色阻层(22)下方的公共电极(23)；
所述TFT基板(1)中，数条扫描线(8)与数条数据线(7)垂直相交围成数个像素区域(5)，每一像素区域(5)内具有一开口区域(4)，所述挡光框(11)对应所述开口区域(4)的外围设于所述像素电极(12)的下方；所述黑色矩阵(21)包括在水平方向上分别位于数个像素区域(5)中且呈矩阵排列的数个黑色遮光框(211)，所述黑色遮光框(211)在水平方向上位于所述挡光框(11)与所述扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡；
所述黑色遮光框(211)的宽度大于所述挡光框(11)与所述扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙的宽度。
2. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述黑色矩阵(21)设于所述第一基板(10)的上表面。
3. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板(10)的上表面对应每一像素区域(5)内的挡光框(11)与扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙处设有沟槽(51)，所述黑色遮光框(211)填充于所述沟槽(51)中。
4. 如权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，所述黑色遮光框(211)的上表面与所述第一基板(10)的上表面平齐。
5. 如权利要求3所述的液晶面板，其特征在于，通过刻蚀制程在所述第一基板(10)的上表面形成所述沟槽(51)。
6. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板(10)、第二基板(20)均为玻璃基板。
7. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述公共电极(23)、像素电极(12)的材料均为ITO；所述挡光框(11)的材料为金属。
8. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述TFT基板还包括位于所述扫描线(8)与像素电极(12)之间的绝缘层。
9. 如权利要求8所述的液晶面板，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiNx。”
驳回决定认为，独立权利要求1与对比文件1的区别在于：1）设于所述第二基板(20)下方的色阻层，设于所述色阻层(22)下方的公共电极；2）所述黑色矩阵(21)包括黑色遮光框(211)，黑色遮光框(211)位于所述挡光框(11)与所述扫描线(8)之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡，黑色遮光框(211)的宽度大于所述挡光框(11)与所述扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙的宽度。其中，区别技术特征1）被对比文件2公开，区别技术特征2）属于本领域的惯用技术手段。因此，独立权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-9的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或属于本领域的常规选择。因此，权利要求2-9不具备创造性。
申请人深圳市华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年12月26日向国家知识产权局提出了复审请求，提交了权利要求书的全文修改替换页，其中，删除了从属权利要求2，将从属权利要求3和4的附加技术特征加入权利要求1中，并对其他从属权利要求的编号和引用关系进行了调整。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种液晶面板，其特征在于，包括TFT基板(1)、与所述TFT基板(1)相对设置的CF基板(2)、及位于所述TFT基板(1)与CF基板(2)之间的液晶层(3)；
所述TFT基板(1)包括第一基板(10)、设于所述第一基板(10)上的黑色矩阵(21)、数条沿横向设置的扫描线(8)、数条沿纵向设置的数据线(7)、数个挡光框(11)、数个TFT(9)、及像素电极(12)；
所述CF基板(2)包括第二基板(20)、设于所述第二基板(20)下方的色阻层(22)、及设于所述色阻层(22)下方的公共电极(23)；
所述TFT基板(1)中，数条扫描线(8)与数条数据线(7)垂直相交围成数个像素区域(5)，每一像素区域(5)内具有一开口区域(4)，所述挡光框(11)对应所述开口区域(4)的外围设于所述像素电极(12)的下方；所述黑色矩阵(21)包括在水平方向上分别位于数个像素区域(5)中且呈矩阵排列的数个黑色遮光框(211)，所述黑色遮光框(211)在水平方向上位于所述挡光框(11)与所述扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡；
所述黑色遮光框(211)的宽度大于所述挡光框(11)与所述扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙的宽度；
所述第一基板(10)的上表面对应每一像素区域(5)内的挡光框(11)与扫描线(8)及数据线(7)之间的缝隙处设有沟槽(51)，所述黑色遮光框(211)填充于所述沟槽(51)中；
所述黑色遮光框(211)的上表面与所述第一基板(10)的上表面平齐。
2. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，通过刻蚀制程在所述第一基板(10)的上表面形成所述沟槽(51)。
3. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述第一基板(10)、第二基板(20)均为玻璃基板。
4. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述公共电极(23)、像素电极(12)的材料均为ITO；所述挡光框(11)的材料为金属。
5. 如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，所述TFT基板还包括位于所述扫描线(8)与像素电极(12)之间的绝缘层。
6. 如权利要求5所述的液晶面板，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiNx。 ”
复审请求人认为：（1）对比文件1公开的技术方案仅仅是简单地将现有技术中设置在彩膜基板上的网格状的黑矩阵转移到阵列基板上的相对位置上，并没有任何关于其呈网格状的黑矩阵能够替换成其他任何形状的公开，由于其采用网格状且为一个整体的黑矩阵，使该黑矩阵必然需要和信号线、屏蔽条、扫描线均处于不同层，否则将无法制作黑矩阵，黑矩阵有部分覆盖了屏蔽条内部的区域，而屏蔽条内部的区域实际上是需要作为像素区域的开口区域，对比文件1采用网格状的黑矩阵的设置降低了显示装置的开口率；由于本申请的黑色遮光框仅对应遮挡挡光框与扫描线之间的缝隙处以及挡光框与数据线之间的缝隙处，并不对像素区域的开口区域进行遮挡，从而有利于提高显示装置的分辨率或者像素的开口率。（2）对比文件1即使适当减小了黑矩阵22的宽度后，也不能相当于本申请的黑色遮光框。对比文件1的黑矩阵的宽度并不能给予本申请“黑色遮光框的宽度大于所述挡光框与所述扫描线及数据线之间的缝隙的宽度”的技术启示。（3）本申请中，第一基板的上表面对应每一像素区域内的挡光框与扫描线及数据线之间的缝隙处设有沟槽，黑色遮光框填充于沟槽中，黑色遮光框的上表面与所述第一基板的上表面平齐。这样可以保证后续成膜制程中不受前边膜层的影响。这是对比文件1的优化结构设计，综合兼顾了对后续制程的影响，具有积极有利的效果。对比文件1无法给出任何启示，也并非常规选择。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年07 月11 日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）对比文件1已经公开了黑矩阵22形成了在水平方向上分别位于数个像素区域中且呈矩阵排列，黑矩阵22在水平方向上位于屏蔽条13与信号线11之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡，黑矩阵22的宽度大于屏蔽条13与信号线11之间的缝隙的宽；其次，对比文件1和本申请中的黑矩阵结构，都是为了遮断相邻子像素区域中信号线与屏蔽条之间的漏光，且都是将黑矩阵设置在阵列基板以避免上下基板错位导致的漏光，虽然本申请中的黑矩阵仅设置在挡光框与信号线之间的缝隙处，因此形成了申请人所述的呈矩阵排列的框型结构，但是黑矩阵的覆盖范围是本领域技术人员在遮光效果的基础之上可以合理调整的，对比文件1中的黑矩阵具有位于信号线下方的部分以及超出屏蔽条之外的部分，是为了最大程度的遮断漏光，是本领域技术人员为了提高遮光效果的常规设置。由于信号线和扫描线通常采用金属材料制成，由于金属材料的遮光效果，本领域技术人员从节省黑矩阵材料的角度考虑，也有动机去除信号线11和扫描线垂直于基板10方向所对应的那部分黑矩阵，仅将黑矩阵设置在屏蔽条13与信号线11或扫描线之间的缝隙处，从而得到本申请中的框型结构。与对比文件1中的黑矩阵相比，本申请中的黑矩阵并没有改变具体用途，仅是去除了与扫描线和数据线重合区域的黑矩阵，在一定程度上节省了材料，并未带来其他意料不到的技术效果。综上所述，本领域技术人员在对比文件1的基础之上，有动机根据实际需要合理设置黑矩阵的覆盖范围，在实现充分遮光的情况下，适当调整黑矩阵与扫描线、数据线、挡光框、像素电极之间的重叠区域，以节省材料、提高开口率。（2）对比文件1已经公开了通过黑色矩阵对信号线与屏蔽条之间的缝隙进行遮挡，在省略了信号线或扫描线对应位置的黑色矩阵后，为了保证同样的对挡光框与扫描线及数据线之间的缝隙进行遮光的作用，黑色遮光框也必然要覆盖缝隙的宽度，即黑色遮光框的宽度应大于等于缝隙的宽度，因此，对比文件1实质上已经给出了遮光部分大于缝隙宽度的启示，本领域技术人员在此技术启示下对黑色矩阵的具体形状和设置位置的调整都是容易想到的。（3）将黑矩阵填充于沟槽中，使黑色遮光框的上表面与所述第一基板的上表面平齐，仅是本领域技术人员为减薄液晶面板的厚度而做出的常规选择，并且本申请的其他实施例中也有不设置沟槽的情况，作为在基板表面设置的层结构来说，在保证实际所起的作用不变的前提下，对其相对于基板表面的高度进行调整是本领域的常用技术手段，并不会带来预料不到的技术效果。 。
复审请求人于2019 年08月13 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1仅在说明书附图4中示意出了一体结构的网状结构，该一体结构的网状的黑矩阵22显然并不具有多个阵列排布的遮光框，仅仅是对现有技术的黑矩阵的位置进行了调整，仍然是采用现有的黑矩阵的常用结构形式，若直接涂布多个第一条状部及第二条状部来制作黑矩阵，最终第一条状部及第二条状部交叉位置的厚度会比其他位置厚度大，大大降低了黑矩阵表面的平坦性，影响液晶面板的品质。本申请能够有效阻止挡光框与扫描线及数据线之间的缝隙发生漏光，并且黑色矩阵整体的面积较小，材料用量较少，产品成本较低，同时基于黑色矩阵包括多个黑色遮光框，从而黑色矩阵能够采用制程简单及材料浪费较少的直接涂布的方式制作多个黑色遮光框，并能保证制得的黑色遮光框的厚度均匀，不会影响液晶面板的品质。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2018年12月26日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定，因此，本决定所依据的文本为：复审请求人于2018年12月26日提交的权利要求第1-6项, 申请日提交的说明书摘要、说明书第1-46段、摘要附图、说明书附图。
（二）、具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而该区别技术特征的一部分被其他对比文件公开，另一部分属于本领域的常用技术手段，并且没有产生意料不到的技术效果，则该权利要求不具备创造性。
具体就本案而言，合议组认为：
1.权利要求1请求保护一种液晶面板，对比文件1公开了一种液晶显示面板，并具体公开了以下的技术特征(参见说明书第2页第1段，第3页倒数第1段至第4页，图3-4）：液晶显示面板包括阵列基板和彩膜基板，所述彩膜基板上设有彩色树脂；所述阵列基板与彩膜基板之间充有液晶；所述阵列基板上还设有黑矩阵（说明书第3页第1段）。如图3为液晶显示面板的一实施例在信号线方向的截面示意图，与现有技术的液晶显示面板相比，实施例中的黑矩阵22是设置于阵列基板10上的。黑矩阵22是采用工艺的方法固定于阵列基板10上，由于黑矩阵22的挡光作用，信号线11与屏蔽条13之间的区域漏光现象不可能发生。在各膜层的宽度和相对距离不变的情况下，此时对合偏差的最大允许值变为d e c b/2＝a/2，即相对于现有液晶显示面板，其对合偏差的最大允许值有c b/2的增加。故液晶显示面板上述实施例在没有影响像素开口率的前提下，极大地提高了对合偏差的最大允许值（说明书第3页倒数第1段至第四页第1段）。黑矩阵22可以根据工艺的需要，位于阵列基板10的任意一层（说明书第4页第2段）。黑矩阵22的宽度a可以根据对合偏差的最大允许值的需 要来确定，当对合偏差的最大允许值a/2富余较多时，可以适当减小黑矩阵的 宽度，使得像素开口率相应地有所增加。阵列基板10上的黑矩阵22相对于彩膜基板20上的彩色树脂21的边界是对称分布的（说明书第4页第3段）。现有技术的液晶显示面板结构中，起挡光作用的黑矩阵22是设置于彩膜基板20上的。阵列基板10上设置有绝缘相交的扫描线与信号线11，扫描线和信号线11的相交处设置有TFT和屏蔽条13，TFT 连接像素电极12；彩膜基板20上设置有彩色树脂21和黑矩 阵22。其中，a表示黑矩阵22的宽度，b表示信号线11的宽度，c表示信号线11到屏蔽条13的距离，d表示屏蔽条13的宽度，e表示屏蔽条13到黑矩阵22外侧的距离。由于信号线11和屏蔽条13通常为不透明的金属，只有信号线和屏蔽条之间的区域可能透光。正常对合状态下，由于彩膜基板 20上黑矩阵22的挡光作用，信号线11和屏蔽条13之间的漏光现象也不会发生。但是，实际工艺过程中，存在对合偏差，当彩膜基板20向右偏移到黑矩阵22的左边界与阵列基板上屏蔽条13的右边缘对齐时，刚好没有漏光现象发生。一旦彩膜基板20相对于阵列基板10偏移，使得彩膜基板20上黑矩阵22 的左边界超出阵列基板20上屏蔽条13的右边缘时，信号线11和屏蔽条13 之间就会发生部分漏光，如图2所示。因此，此时的对合偏差的最大允许值为d e。可以看出，当TFT电学特性设计参数一定时，即阵列基板上信号线11的宽度、屏蔽条13的宽度、信号线11到屏蔽条13的距离一定的情况下，增加黑矩阵 22的宽度可以有效提高对合偏差的最大允许值。但是，由于黑矩阵22宽度的增加，会降低阵列基板上像素的开口率，从而影响了液晶显示面板的透过率（说明书第1页倒数第1段至第2页第1段）。
经分析对比可知，对比文件1中的实施例相对于现有技术的液晶显示面板的改进主要在于黑矩阵22的设置位置不同，因此，现有技术的液晶显示面板的其他的结构被全部引用到实施例中；对比文件1中的阵列基板10必然包括有对应于本申请的“第一基板”的基板，彩膜基板20必然包括有对应于本申请的“第二基板”的基板，对比文件1的黑矩阵对应于本申请的黑色矩阵；从对比文件1的图4以及“阵列基板10上设置有绝缘相交的扫描线与信号线11”的记载可以确定，对比文件1公开了“设于所述第一基板上的黑色矩阵、数条沿横向设置的扫描线、数条沿纵向设置的数据线”；对比文件1的屏蔽条对应于本申请的挡光框；对比文件1中的彩色树脂21对应于本申请的色阻层。对比文件1的附图3和4以及“扫描线和信号线11的相交处设置有TFT和屏蔽条13，TFT 连接像素电极12”的记载对应公开了本申请中的“所述TFT基板中，数条扫描线与数条数据线垂直相交围成数个像素区域，每一像素区域内具有一开口区域，所述挡光框对应所述开口区域的外围设于所述像素电极的下方”。
由此可见，权利要求1与对比文件1的区别在于： 1）设于所述色阻层下方的公共电极；2）所述黑色矩阵包括在水平方向上分别位于数个像素区域中且呈矩阵排列的数个黑色遮光框，黑色遮光框在水平方向上位于所述挡光框与所述扫描线及数据线之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡，黑色遮光框的宽度大于所述挡光框与所述扫描线及数据线之间的缝隙的宽度；所述第一基板的上表面对应每一像素区域内的挡光框与扫描线及数据线之间的缝隙处设有沟槽，所述黑色遮光框填充于所述沟槽中； 所述黑色遮光框的上表面与所述第一基板的上表面平齐。基于上述区别技术特征，其实际解决的技术问题为如何设置公共电极的位置以及黑色矩阵的形状和位置。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种薄膜晶体管显示板与使用该板的液晶显示器，并具体公开了以下技术特征(参见说明书第9页倒数第5段，图3）：TFT显示板100和公共电极显示板200组合排列，液晶层300形成在它们之间。黑色矩阵94和彩色滤波片98形成在绝缘基板96上。在彩色滤波片98上，公共电极90由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。由此可见，对比文件2公开了该区别技术特征，上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用相同。
对于区别技术特征2），合议组认为，对比文件1已经公开了黑矩阵22形成了在水平方向上分别位于数个像素区域中且呈矩阵排列，黑矩阵22在水平方向上位于屏蔽条13与信号线11之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡，黑矩阵22的宽度大于屏蔽条13与信号线11之间的缝隙的宽度。由于信号线11和扫描线本身并不透光，本领域技术人员根据实际需要，去除信号线11和扫描线垂直于基板10方向所对应的那部分黑矩阵，从而如本申请所述的黑色遮光框，并将其在屏蔽条13与扫描线和数据线之间的缝隙处同样设置，是根据实际需要所做出的常规选择。为了实现完全遮光，黑矩阵的覆盖范围也必须大于或等于缝隙的宽度，本领域技术人员在对比文件1给出的可适当减小黑矩阵的宽度以增加像素开口率的技术启示下，有动机根据实际需要合理设置黑矩阵的覆盖范围，在实现充分遮光的情况下，适当调整黑矩阵与扫描线、数据线、挡光框、像素电极之间的重叠区域，以节省材料、提高开口率。另外，在下基板的上表面，对应每一像素区域内的屏蔽条13与扫描线和信号线11之间的缝隙处蚀刻容纳黑色遮光框的沟槽，使得黑色遮光框的上表面与下基板的上表面平齐，是本领域普通技术人员根据实际需要所做出的常规选择，不需要付出创造性的劳动。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及上述本领域的惯用技术手段，得出该权利要求的技术方案，对本技术领域的普通技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为，对比文件1已经公开了黑矩阵22形成了在水平方向上分别位于数个像素区域中且呈矩阵排列，黑矩阵22在水平方向上位于屏蔽条13与信号线11之间的缝隙处，对该缝隙处进行遮挡，黑矩阵22的宽度大于屏蔽条13与信号线11之间的缝隙的宽度；其次，对比文件1和本申请中的黑矩阵结构，都是为了遮断相邻子像素区域中信号线与屏蔽条之间的漏光，且都是将黑矩阵设置在阵列基板以避免上下基板错位导致的漏光，虽然本申请中的黑矩阵仅设置在挡光框与信号线之间的缝隙处，因此形成了申请人所述的如现有技术的呈矩阵排列的框型结构，但是黑矩阵的覆盖范围是本领域技术人员在满足遮光效果的基础之上可以合理调整的，对比文件1中的黑矩阵具有位于信号线下方的部分以及超出屏蔽条之外的部分，是为了最大程度地遮断漏光，是本领域技术人员为了提高遮光效果的常规设置。由于信号线和扫描线通常采用金属材料制成，由于金属材料具有遮光效果，本领域技术人员从节省黑矩阵材料的角度考虑，也有动机去除信号线11和扫描线垂直于基板10方向所对应的那部分黑矩阵，仅将黑矩阵设置在屏蔽条13与信号线11或扫描线之间的缝隙处，从而得到本申请中的框型结构，且仅在对应缝隙处形成黑矩阵时，本领域人员必然会考虑条状黑矩阵表面的平坦性要求，避免对阵列基板的结构设计产生影响，从而本领域技术人员在对比文件1的基础之上，有动机根据实际需要合理设置黑矩阵的覆盖范围，在实现充分遮光的情况下，适当调整黑矩阵与扫描线、数据线、挡光框、像素电极之间的重叠区域，以节省材料、提高开口率。
2.权利要求2-3是权利要求1的从属权利要求。对于本领域技术人员而言，在液晶显示面板的制造过程中，对基板的凹槽采用刻蚀制程形成属于本领域的常用技术手段；另外，第一基板和第二基板采用玻璃基板制成属于本领域的常用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求4-5是权利要求1的从属权利要求，权利要求6是权利要求5的从属权利要求。对比文件2进一步公开了以下技术特征(参见说明书第9页倒数第5段至第10页第1段，图3）：TFT显示板100和公共电极显示板200组合排列，液晶层300形成在它们之间。黑色矩阵94和彩色滤波片98可以形成在由透明绝缘材料例如玻璃制成的绝缘基板96上。在彩色滤波片98上，公共电极90由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成。浮置条21形成在绝缘基板10上数据线62的两边，数据线62与像素电极82之间的空间被形成在绝缘基板10上数据线62的两边的浮置条21所挡住，并且通过空间的背光也被挡住了，因而防止了漏光。浮置条21可以由其他的不同金属或导体制成。本领域技术人员在此基础之上，将第一基板和第二基板均设置为玻璃基板，像素电极的材料使用ITO，扫描线与像素电极之间设置绝缘层，绝缘层的材料为SiNx，是本领域的惯用手段。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求4-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上，权利要求1-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月08 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
