发明创造名称：具有适于保护抵抗氟等离子体的保护涂层的腔室部件
外观设计名称：
决定号：197357
决定日：2019-11-28
委内编号：1F282558
优先权日：2013-03-08
申请（专利）号：201480013077.0
申请日：2014-02-06
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：查洁立
合议组组长：武瑛
参审员：宋丽
国际分类号：H01L21/3065
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被其它对比文件公开且具有相同的作用，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480013077.0，名称为“具有适于保护抵抗氟等离子体的保护涂层的腔室部件”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为应用材料公司，申请日为2014年02月06日，优先权日为2013年03月08日，进入中国国家阶段日为2015年09月08日，公开日为2015年12月23日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年02月03日发出驳回决定，以权利要求1-11不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2015年09月08日进入中国国家阶段时提交的原始国际申请文件的中文译文的说明书第1-5页、说明书摘要；2017年08月23日提交的说明书附图第1-3页、摘要附图；2018年05月22日提交的权利要求第1-11项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种供用于等离子体处理腔室中的装置，所述装置包含：
腔室部件，所述腔室部件具有陶瓷表面，其中所述陶瓷表面包含氮化铝；及
抗腐蚀保护涂层，所述抗腐蚀保护涂层通过CVD工艺沉积于所述腔室部件的所述表面上，所述抗腐蚀保护涂层包含氧化镁或氧化镧。
2. 如权利要求1所述的装置，其中所述抗腐蚀保护涂层因暴露于含氟等离子体而包含氟化镁或氟化镧。
3. 如权利要求1所述的装置，其中所述腔室部件选自下列所组成之群组底座、基座、升降销、衬里、加热器、静电夹盘、屏蔽件、边缘环、喷头、圆顶及腔室主体。
4. 一种在适用于等离子体处理腔室中的腔室部件上形成抗腐蚀保护涂层的方法，所述方法包含以下步骤：
执行CVD工艺以用氧化镁或氧化镧中的至少一种在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层，其中所述腔室部件包含氮化铝。
5. 如权利要求4所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：将所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体。
6. 如权利要求4所述的方法，其中将所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体的所述步骤在大于400℃的温度执行。
7. 如权利要求4所述的方法，其中沉积所述抗腐蚀保护涂层的所述步骤进一步包含以下步骤：提供含镁前驱物及含氧前驱物。
8. 如权利要求4所述的方法，其中沉积所述抗腐蚀保护涂层的所述步骤进一步包含以下步骤：提供含镧前驱物及含氧前驱物。
9. 如权利要求5所述的方法，其中将所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体的步骤包含以下步骤：用远程等离子体源产生所述含氟等离子体。
10. 如权利要求4所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
通过暴露于含氟等离子体将所述抗腐蚀保护涂层的至少一部分转换成氟化镁。
11. 如权利要求4所述的方法，所述方法进一步包含以下步骤：
通过暴露于含氟等离子体将所述抗腐蚀保护涂层的至少一部分转换成氟化镧。”
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件3：CN 102272344A，公开日为2011年12月07日；
对比文件4：US 2005/0112289A1，公开日为2005年05月26日；
对比文件5：US 2011/0297319A1，公开日为2011年12月08日。
驳回决定的主要理由是：（1）权利要求1中包含特征“所述抗腐蚀保护涂层包含氧化镁”的并列技术方案1相对于对比文件3的区别技术特征在于：陶瓷表面包含氮化铝，抗腐蚀保护涂层通过CVD工艺沉积到腔室部件的表面上。而上述区别技术特征是本领域的公知常识，因此权利要求1的该技术方案相对于对比文件3和公知常识的结合不具备创造性。权利要求1中包含特征“所述抗腐蚀保护涂层包含氧化镧”的并列技术方案2相对于对比文件4的区别技术特征在于：陶瓷表面包含氮化铝，抗腐蚀保护涂层通过CVD工艺沉积到腔室部件的表面上。而上述区别技术特征是本领域的公知常识，因此权利要求1的该技术方案相对于对比文件4和公知常识的结合不具备创造性。（2）权利要求2-3为从属权利要求，其附加特征或被对比文件3-5之一公开，或为本领域公知常识，因此也不具备创造性。（3）权利要求4中包含特征“用氧化镁在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层”的并列技术方案1相对于对比文件3的区别技术特征在于：通过CVD工艺将抗腐蚀保护涂层沉积到腔室部件的表面上，腔室部件包括氮化铝。而上述区别技术特征是本领域的公知常识，因此权利要求4的该技术方案相对于对比文件3和公知常识的结合不具备创造性。权利要求4中包含特征“用氧化镧在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层”的并列技术方案2相对于对比文件4的区别技术特征在于：通过CVD工艺沉积将抗腐蚀保护涂层到腔室部件的表面上，腔室部件包含氮化铝。而上述区别技术特征是本领域的公知常识，因此权利要求4的该技术方案相对于对比文件4和公知常识的结合不具备创造性。权利要求4中包含特征“用氧化镁和氧化镧在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层”的并列技术方案3相对于对比文件3的区别技术特征在于：执行CVD工艺以用氧化镁和氧化镧在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层，腔室部件包含氮化铝。其中部分区别技术特征是本领域技术人员在对比文件4和公知常识的基础上容易得出的，其余区别技术特征是本领域的公知常识。因此权利要求4的该技术方案相对于对比文件3、4和公知常识的结合不具备创造性。（4）权利要求5-11为从属权利要求，其附加特征或被对比文件3、4或5公开，或为本领域的公知常识，因此也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月13日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-6项），具体修改为：将原权利要求1中的特征“腔室部件，所述腔室部件具有陶瓷表面，其中所述陶瓷表面包含氮化铝；及抗腐蚀保护涂层，所述抗腐蚀保护涂层通过CVD工艺沉积于所述腔室部件的所述表面上，所述抗腐蚀保护涂层包含氧化镁或氧化镧”修改为“腔室部件，所述腔室部件具有表面，所述表面包含氮化铝；及抗腐蚀保护涂层，所述抗腐蚀保护涂层沉积于所述腔室部件的所述表面上，所述抗腐蚀保护涂层包含氟化镧和氧化镧”，将原权利要求4中的特征“执行CVD工艺以用氧化镁或氧化镧中的至少一种在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层，其中所述腔室部件包含氮化铝”修改为“用氧化镧在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层，其中所述腔室部件包含氮化铝；和将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体”，删除权利要求2、5、7、10-11，并相应修改权利要求的编号和引用关系。
提出复审请求时提交的修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种供用于等离子体处理腔室中的装置，所述装置包含：
腔室部件，所述腔室部件具有表面，所述表面包含氮化铝；及
抗腐蚀保护涂层，所述抗腐蚀保护涂层沉积于所述腔室部件的所述表面上，所述抗腐蚀保护涂层包含氟化镧和氧化镧。
2. 如权利要求1所述的装置，其中所述腔室部件选自下列所组成之群组底座、基座、升降销、衬里、加热器、静电夹盘、屏蔽件、边缘环、喷头、圆顶及腔室主体。
3. 一种在适用于等离子体处理腔室中的腔室部件上形成抗腐蚀保护涂层的方法，所述方法包含以下步骤：
用氧化镧在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层，其中所述腔室部件包含氮化铝；和
将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体。
4. 如权利要求3所述的方法，其中将所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体的所述步骤在大于400℃的温度执行。
5. 如权利要求3所述的方法，其中沉积所述抗腐蚀保护涂层的所述步骤进一步包含以下步骤：提供含镧前驱物及含氧前驱物。
6. 如权利要求3所述的方法，其中将所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体的步骤包含以下步骤：用远程等离子体源产生所述含氟等离子体。”
复审请求人认为：对比文件4描述了一种包含氧化镧的涂层，但没有提及氟化镧，对比文件5描述了一种包含氧化镁和氟化镁的涂层，但没有提及氧化镧或氟化镧，此外，对比文件5描述了将氧化镁暴露于含氟等离子体，但没有提及将氧化镧暴露于含氟等离子体。因此本申请的权利要求具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年09月10日向复审请求人发出复审通知书，引用了驳回决定中所引用的对比文件4和对比文件5，指出：（1）权利要求1相对于对比文件4的区别技术特征在于：1）腔室部件的表面包含氮化铝；2）所述抗腐蚀保护涂层同时包含氟化镧和氧化镧。区别技术特征1）是本领域的公知常识，而区别技术特征2）是本领域技术人员在对比文件5的基础上结合本领域的公知常识容易得到的，因此权利要求1相对于对比文件4、5和本领域公知常识的结合不具备创造性。权利要求2为从属权利要求，其附加特征或被对比文件4公开，或为本领域的公知常识，因此也不具备创造性。权利要求3相对于对比文件4的区别技术特征在于：1）腔室部件包含氮化铝；2）将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体。区别技术特征1）是本领域的公知常识，而区别技术特征2）是本领域技术人员在对比文件5的基础上结合本领域公知常识容易得到的，因此权利要求3相对于对比文件4、5和本领域公知常识的结合不具备创造性。权利要求4-6为从属权利要求，其附加特征或被对比文件5公开，或为本领域的公知常识，因此也不具备创造性。（2）对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件5虽仅提及将氧化镁暴露于含氟等离子体从而至少部分形成氟化镁，然而对比文件5已经给出了使得氧化物涂层暴露于含氟等离子体使其至少部分形成氟化物以增加其耐侵蚀和腐蚀性的技术启示，当对比文件4中采用氧化镧作为保护涂层，使得该涂层暴露于含氟等离子体使其至少部分形成氟化镧以增强氧化物层的耐侵蚀和腐蚀性，是本领域技术人员容易想到的。因此，复审请求人陈述的理由没有说服力，合议组不予接受。
复审请求人于2019年10月18日提交了意见陈述书和权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-5项），具体修改为：将权利要求1中的特征“腔室部件，所述腔室部件具有表面，所述表面包含氮化铝”修改为“陶瓷加热器，所述陶瓷加热器包含氮化铝”，将权利要求3中的特征“将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体”修改为“在大于400℃的温度下，将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体”，删除权利要求4，并相应修改权利要求的编号和引用关系。答复复审通知书时提交的修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种供用于等离子体处理腔室中的装置，所述装置包含：
陶瓷加热器，所述陶瓷加热器包含氮化铝；及
抗腐蚀保护涂层，所述抗腐蚀保护涂层沉积于所述腔室部件的所述表面上，所述抗腐蚀保护涂层包含氟化镧和氧化镧。
2. 如权利要求1所述的装置，其中所述腔室部件选自下列所组成之群组底座、基座、升降销、衬里、加热器、静电夹盘、屏蔽件、边缘环、喷头、圆顶及腔室主体。
3. 一种在适用于等离子体处理腔室中的腔室部件上形成抗腐蚀保护涂层的方法，所述方法包含以下步骤：
用氧化镧在等离子体处理腔室部件的表面上沉积抗腐蚀保护涂层，其中所述腔室部件包含氮化铝；和
在大于400℃的温度下，将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体。
4. 如权利要求3所述的方法，其中沉积所述抗腐蚀保护涂层的所述步骤进一步包含以下步骤：提供含镧前驱物及含氧前驱物。
5. 如权利要求3所述的方法，其中将所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体的步骤包含以下步骤：用远程等离子体源产生所述含氟等离子体。”
复审请求人认为：关于权利要求1和2，陶瓷加热器不能用纯铝代替，因为纯铝不是陶瓷，并且纯铝的熔点远低于氮化铝的熔点；关于权利要求3-6，对比文件5没有教导或建议执行氟化步骤的温度，为了控制对比文件5的物体的铜扩散，可能不希望采用本申请的较高温度，即大于400℃，因此不能从对比文件5的公开内容中推断出本申请的特定氟化温度。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年10月18日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括5项权利要求。经审查，所作修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的文本为：2015年09月08日进入中国国家阶段时提交的原始国际申请文件的中文译文的说明书第1-5页、说明书摘要；2017年08月23日提交的说明书附图第1-3页、摘要附图；2019年10月18日提交的权利要求第1-5项。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被其它对比文件公开且具有相同的作用，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与复审通知书所引用的对比文件相同，即引用驳回决定中所引用的对比文件4、5：
对比文件4：US 2005/0112289A1，公开日为2005年05月26日；
对比文件5：US 2011/0297319A1，公开日为2011年12月08日。
权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由如下：
1、权利要求1请求保护一种供用于等离子体处理腔室中的装置，对比文件4公开了一种内表面涂覆有涂层的等离子体处理室，并具体公开了以下技术特征（参见说明书摘要，说明书第0001段，第0011-0025段，第0063-0066段）：在实施例1中，铝基材2构成等离子体处理装置的等离子体处理室，在等离子体处理室的铝基材2（相当于腔室部件）的表面上沉积由至少包含La和O的金属氧化物形成的等离子体接触表面1（相当于抗腐蚀保护涂层），使得与等离子体接触的暴露表面表现出优异的耐受性，等离子体接触表面1可选择为La2O3；另外，实施例1中的La2O3膜结构也可以是具有至少97％纯度的LaF3膜结构；用于沉积喷涂涂层的合适基础材料还可以为氮化物陶瓷，即铝基材2可替换为氮化物陶瓷。
权利要求1与对比文件4相比，其区别技术特征在于：（1）供用于等离子体处理腔室的装置包含陶瓷加热器，所述陶瓷加热器包含氮化铝；（2）所述抗腐蚀保护涂层同时包含氟化镧和氧化镧。基于上述区别技术特征，权利要求1相对于对比文件4实际解决的技术问题在于：选择制成基材的氮化物陶瓷的具体材质；增加氧化物层的耐侵蚀和腐蚀性。
对于区别技术特征（1），如前所述，对比文件4中已经公开了，用于沉积喷涂涂层的合适基础材料还可以为氮化物陶瓷，即铝基材2可替换为氮化物陶瓷。加热器属于等离子体处理腔室中的常见部件，而氮化铝是常见的氮化物陶瓷材质，使用氮化铝作为制成等离子体处理腔室部件例如加热器的基材是本领域的常用手段。
对于区别技术特征（2），对比文件5公开了一种用于在半导体加工系统中的物体表面形成氧化物层的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书摘要，第0001-0011段，第0051-0058段，第0084-0099段，附图1A-1B、8A-8B）：提供物体，该物体可为等离子体腔室的内壁，使用等离子体电解氧化（PEO）法在所述物体的表面上形成氧化物层，所述物体的表面包括沉积的氧化镁，在步骤116中，使所述物体的氧化表面接触含卤素的等离子体和/或受激发的含卤素气体，当包括氧化镁的氧化物层接触受激发的含氟气体或含氟等离子体时，所述氧化镁与氟发生反应，在氧化物层中形成氟化镁（MgF2）。对比文件5通过在氧化层中形成氟化物增强等离子体腔室部件的耐腐蚀和侵蚀性，对比文件5给出了在氧化层中形成氟化物增强等离子体腔室部件的耐腐蚀和侵蚀性的启示，在这种启示下，本领域技术人员有动机将对比文件5与对比文件4结合，而在对比文件4中采用氧化镧作为保护涂层时，使其至少部分形成氟化镧以增强氧化物层的耐侵蚀和腐蚀性，是本领域技术人员容易想到的。由此可见，在对比文件4的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识以获得权利要求1请求保护的技术方案，对本领域的技术人员而言是显而易见的，权利要求1的技术方案不具有突出的实质性特点，因此不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2引用权利要求1，对比文件4（参见说明书摘要，说明书第0001段，第0011-0025段，第0063-0066段）公开了，其涂层处理方法用于涂覆等离子体处理室内壁，即公开了腔室部件为腔室主体。对于与“腔室部件选自腔室主体”相并列的技术方案，底座、基座、升降销、衬里、加热器、静电夹盘、屏蔽件、边缘环、喷头、圆顶均属于等离子体处理腔室中的常见部件，在上述各个部件上沉积抗腐蚀涂层以提高相应部件的耐腐蚀性是本领域技术人员的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3请求保护一种在适用于等离子体处理腔室中的腔室部件上形成抗腐蚀保护涂层的方法，对比文件4公开了一种涂覆等离子体处理室内表面的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书摘要，说明书第0001段，第0011-0025段，第0063-0066段）：在实施例1中，铝基材2构成等离子体处理装置的等离子体处理室，在等离子体处理室的铝基材2（相当于腔室部件）的表面上沉积由至少包含La和O的金属氧化物形成的等离子体接触表面1（相当于抗腐蚀保护涂层），使得与等离子体接触的暴露表面表现出优异的耐受性，等离子体接触表面1可选择为La2O3；用于沉积喷涂涂层的合适基础材料还可以为氮化物陶瓷，即铝基材2可替换为氮化物陶瓷。
权利要求3与对比文件4相比，其区别技术特征在于：（1）腔室部件包含氮化铝；（2）在大于400℃的温度下，将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体。基于上述区别技术特征，权利要求3相对于对比文件4实际解决的技术问题在于：选择制成基材的氮化物陶瓷的具体材质；增加氧化物层的耐侵蚀和腐蚀性。
对于区别技术特征（1），氮化铝是常见的氮化物陶瓷材质，使用氮化铝制成等离子体处理腔室部件的基材是本领域的常用手段。
对于区别技术特征（2），对比文件5公开了一种用于在半导体加工系统中的物体表面形成氧化物层的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书摘要，第0001-0011段，第0051-0058段，第0084-0099段，附图1A-1B、8A-8B）：提供物体，该物体可为等离子体腔室的内壁，使用等离子体电解氧化（PEO）法在所述物体的表面上形成氧化物层，所述物体的表面包括沉积的氧化镁，在步骤116中，使所述物体的氧化表面接触含卤素的等离子体和/或受激发的含卤素气体，卤素可选为氟（相当于将所述等离子体处理腔室部件的所述表面上的所述抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体），当包括氧化镁的氧化物层接触受激发的含氟气体或含氟等离子体时，所述氧化镁与氟发生反应，在氧化物层中形成氟化镁（MgF2）。对比文件5中通过在氧化层中形成氟化物增强等离子体腔室部件的耐腐蚀和侵蚀性，对比文件5给出了在氧化层中形成氟化物增强等离子体腔室部件的耐腐蚀和侵蚀性的启示，在这种启示下，本领域技术人员有动机将对比文件5与对比文件4结合，在对比文件4中采用氧化镧作为保护涂层时，使涂层暴露于含氟等离子体使其至少部分形成氟化镧以增强氧化物层的耐侵蚀和腐蚀性，是本领域技术人员容易想到的。使得将抗腐蚀保护涂层暴露于含氟等离子体的步骤在大于400℃的温度执行是本领域技术人员的常规选择。由此可见，在对比文件4的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识以获得权利要求3请求保护的技术方案，对本领域的技术人员而言是显而易见的，权利要求3的技术方案不具有突出的实质性特点，因此不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4引用权利要求3，提供含镧前驱物及含氧前驱物以沉积氧化镧抗腐蚀保护涂层也属于本领域常用的用于沉积保护层的方法。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求5引用权利要求3，对比文件5（参见说明书第0092段）公开了，等离子体源884可为远程等离子体源，使经氧化的物体接触由等离子体源产生的NF3等离子体以在表面上产生氟化镁。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的答复
对于复审请求人陈述的意见，合议组认为：（1）对比文件4中已经公开了，用于沉积喷涂涂层的合适基础材料还可以为氮化物陶瓷，即铝基材2可替换为氮化物陶瓷。加热器属于等离子体处理腔室中的常见部件，而氮化铝是常见的氮化物陶瓷材质，使用氮化铝作为制成等离子体处理腔室部件例如加热器的基材是本领域的常用手段；（2）对比文件5未提及执行氟化步骤的温度，其给出的是通过在氧化层中形成氟化物增强等离子体腔室部件的耐腐蚀和侵蚀性的技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件5与对比文件4结合，使得对比文件4中的氧化镧保护涂层暴露于含氟等离子体使其至少部分形成氟化镧，此时采用大于400℃的温度更有利于氟化过程的进行，这属于本领域的公知常识。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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