发明创造名称：用于同位素产生系统的靶窗
外观设计名称：
决定号：196688
决定日：2019-11-28
委内编号：1F262329
优先权日：2012-03-30
申请（专利）号：201380018275.1
申请日：2013-02-26
复审请求人：通用电气公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：汪磊
合议组组长：张晶
参审员：韩杰
国际分类号：H05H6/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条、第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，其他对比文件没有给出将该区别技术特征应用到该最接近的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，该区别技术特征也不属于本领域的公知常识，并且该区别技术特征使该权利要求请求保护的技术方案产生了有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380018275.1、名称为“用于同位素产生系统的靶窗”的发明专利PCT申请（下称本申请），本申请的申请日为2013年02月26日，优先权日为2012年03月30日，进入中国国家阶段日为2014年09月30日，公开日为2014年12月10日，申请人为通用电气公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月04日以本申请权利要求1-20不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定为由作出驳回决定。驳回决定中引用了如下三篇对比文件：
对比文件1：Proton Beam Monitoring via (p, xn) Reactions in Niobium，M. A. Avila-Rodriguez et al.，”12th International Workshop on Targetry and Target Chemistry” Abstract Book，第57-59页，公开日期为2008年07月24日；
对比文件2：US2007/0040115A1，公开日期为2007年02月22日；
对比文件3：The Cyclotron Production of Carrier-free 77Br via the 79Br(p, 3n)77Kr→77Br Reaction using a Liquid Target and On-line Extraction，E. Galiano et al.，《Appl. Radiat. Isot.》，第49卷第105-111页，公开日期为1998年12月31日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于本申请进入中国国家阶段日即2014年09月30日提交的说明书第1-56段、说明书附图1-9、说明书摘要和摘要附图，以及于2018年04月28日提交的权利要求第1-20项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1、一种用于同位素产生系统的靶窗，所述靶窗包括：
呈堆叠布置的多个箔部件，所述箔部件具有侧面，其中，
所述箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面，并且所述箔部件中的至少两个由不同的材料形成；
其中，所述的靶窗设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间；
所述多个箔部件包括由高强度材料形成的第一箔部件和由化学惰性材料形成的第二箔部件。
2、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述多个箔部件是以贴靠布置而对齐的、分开来形成的部件。
3、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述第一箔部件为粒子进入侧箔部件，而所述第二箔部件为靶材料侧箔部件。
4、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述第一箔部件由具有类似于哈氏合金的属性的材料形成。
5、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，进一步包括第三箔部件。
6、根据权利要求5所述的靶窗，其特征在于，所述第三箔部件由导热材料形成。
7、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述箔部件中的至少两个具有不同的箔属性。
8、根据权利要求7所述的靶窗，其特征在于，所述箔属性包括导热率、抗拉强度、化学活性或惰性、能量衰变性、放射激活性和熔点。
9、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述箔部件中的至少两个具有不同的箔属性，并且所述多个箔部件布置成堆叠布置，以具有与所述箔部件的属性不同的期望总属性。
10、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述多个箔部件包括第一箔部件和第二箔部件，对于高达100微米的厚度，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度，而所述第二箔部件由化学惰性金属形成。
11、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述多个箔部件中的一个包括由哈氏合金形成的箔部件。
12、一种用于同位素产生系统的靶，所述靶包括：
本体，其构造成包围靶材料，并且具有用于带电粒子射束的通路；以及
在粒子进入侧和靶材料侧之间的靶窗，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述多个箔部件包括由高强度材料形成的第一箔部件和由化学惰性材料形成的第二箔部件。
13、根据权利要求12所述的靶，其特征在于，由高强度材料形成的箔部件朝向所述粒子进入侧而定向，而由化学惰性材料形成的箔部件朝向所述靶材料侧而定向。
14、根据权利要求12所述的靶，其特征在于，包括三个箔部件，其中一个箔部件由导热材料形成。
15、根据权利要求12所述的靶，其特征在于，对于高达100微米的厚度，所述箔部件中的一个具有至少1000MPa的抗拉强度，并且第二箔部件由化学惰性金属形成。
16、根据权利要求12所述的靶，其特征在于，所述多个箔部件中的一个包括由哈氏合金形成的箔部件。
17、一种同位素产生系统，包括：
包括加速室的加速器；以及
靶系统，其位于所述加速室的内部、附近或离所述加速室一距离，所述加速器构造成将粒子射束从所述加速室引导到所述靶系统，所述靶系统具有本体，所述本体构造成使靶材料和靶窗在所述本体内保持在高能量粒子进入侧和靶材料侧之间，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述多个箔部件包括由高强度材料形成的第一箔部件和由化学惰性材料形成的第二箔部件。
18、根据权利要求17所述的同位素产生系统，其特征在于，由高强度材料形成的箔部件朝向所述粒子进入侧而定向，而由化学惰性材料形成的箔部件朝向所述靶材料侧而定向。
19、根据权利要求17所述的同位素产生系统，其特征在于，进一步包括三个箔部件，其中一个箔部件由导热材料形成。
20、根据权利要求17所述的同位素产生系统，其特征在于，所述多个箔部件中的一个包括由哈氏合金形成的箔部件。”
驳回决定主要认为：独立权利要求1、12、17与对比文件1的区别技术特征均是：(1)靶窗；(2)由高强度材料形成的第一箔部件。然而，区别技术特征(1)是所属领域技术人员的常规技术手段，区别技术特征(2)被对比文件3给出了技术启示，因此权利要求1、12、17相对于对比文件1、对比文件3与本领域公知常识的结合均不具备创造性。从属权利要求2-11、13-16、18-20的附加技术特征或已被对比文件1-3公开，或属于本领域的公知常识，因而同样不具备创造性。
申请人通用电气公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月09日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，所作修改包括：根据本申请原权利要求3、4、6和7以及说明书的内容，将独立权利要求1、12和17中的特征“所述多个箔部件包括由高强度材料形成的第一箔部件和由化学惰性材料形成的第二箔部件”修改为“所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；所述第一箔部件由高强度金属材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成；所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中”，同时删除了从属权利要求3、5、13、14、18和19，同时修改了权利要求的编号。修改后的权利要求书包括权利要求1-14，其中独立权利要求1、10和13具体内容如下：
“1、一种用于同位素产生系统的靶窗，所述靶窗包括：
呈堆叠布置的多个箔部件，所述箔部件具有侧面，其中，
所述箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面，并且所述箔部件中的至少两个由不同的材料形成；
其中，所述的靶窗设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间；
所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度金属材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
10、一种用于同位素产生系统的靶，所述靶包括：
本体，其构造成包围靶材料，并且具有用于带电粒子射束的通路；以及
在粒子进入侧和靶材料侧之间的靶窗，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多 个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度金属材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
13、一种同位素产生系统，包括：
包括加速室的加速器；以及
靶系统，其位于所述加速室的内部、附近或离所述加速室一距离，所述加速器构造成将粒子射束从所述加速室引导到所述靶系统，所述靶系统具有本体，所述本体构造成使靶材料和靶窗在所述本体内保持在高能量粒子进入侧和靶材料侧之间，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度金属材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。”
复审请求人在复审请求书中认为：本申请所要解决的技术问题是提供一种靶窗，其能够在同位素系统运作期间减少或者避免产生的长寿命放射性同位素转移到靶材料或靶介质中，从而减少对患者的损害。基于本申请结构的靶窗，第一箔部件可以提供强度、以抵抗高压力和高温度状况，第二箔部件可以提供化学惰性，阻止产生的长寿命同位素从第一箔部件转移到靶材料中、从而可以有效地消除或减少靶材料中产生的长寿命同位素的量、减少对患者的损害，第三箔部件可以提供有效的散热或传热。对比文件1所揭示的靶和本申请的靶窗的结构显然是不同的，技术问题、技术方案和技术效果均不相同，并没有给出解决本申请所要解决的技术问题的任何技术启示。对比文件3所揭示的Havar窗和钽窗主要是用于隔离氦冷却真空空间的前室和有效体积，其和权利要求1所限定的由高强度材料形成的第一箔部件和由惰性材料形成的第二箔部件所起的作用并不相同，也没有给出解决本申请所要解决的技术问题的任何技术启示。因此，本申请的权利要求1-14具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月17日依法受理了该复审请求，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1、修改后的独立权利要求1、10和13中新增的内容“所述第二箔部件用于防止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中”超出了原申请文件记载的范围，因为该特征与原说明书第22、32段记载的不一致。2、对比文件1明确公开了所述箔部件中至少由两种不同的材料Al、Nb形成，每个箔部件前设置一个铜监测箔片，即每个箔部件中包括一个设置在前的铜箔片和两个不同材料的Al、Nb箔片（起码最前端依次有Cu、Al和Nb三个箔片），其中，Nb箔片即本申请的由化学惰性材料形成的第二箔部件，Al箔片即对应公开了本申请的第三箔部件由铝或铜形成。至于“由高强度材料形成的第一箔部件”，权利要求中并没有限定出高强度材料的选取条件，对比文件1公开的Cu（及Al）均具有一定高的强度，可以认为是有效的高强度材料，对比文件3也公开了箔部件包括由高强度材料（Havar window哈氏材料窗）形成的第一箔部件和由化学惰性材料（Tantalum window）形成的第二箔部件，给出了提高强度的技术启示。因此本申请权利要求不具备创造性，坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月15日向复审请求人发出复审通知书（下称第一次复审通知书），指出：修改后的权利要求1、10和13中新增的技术特征“所述第一箔部件由高强度金属材料形成”超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。合议组进而假定将独立权利要求1、10和13中的上述特征修改为“所述第一箔部件由哈氏合金形成”或“所述第一箔部件由具有类似于哈氏合金的属性的材料形成”，从而提出关于创造性的审查意见：对于独立权利要求1，根据本领域技术书籍《放射性同位素技术》（肖伦主编，原子能出版社，2005年09月第2版）关于靶窗的定义可知，对比文件3公开的Havar窗、氦冷前室和钽窗作为一个整体共同构成了“靶窗”，Havar窗和钽窗分别对应于本申请的“第一箔部件”和“第二箔部件”。因而，独立权利要求1的技术方案与对比文件3之间的区别技术特征是：(1)权利要求1的多个箔部件呈堆叠布置，箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面；(2)权利要求1的靶窗还包括定位在第一箔部件和第二箔部件之间的第三箔部件，第三箔部件由铝或铜形成。然而，区别技术特征(1)被对比文件1给出了技术启示，区别技术特征(2)属于本领域的常规技术手段。因此独立权利要求1相对于对比文件3、对比文件1与本领域公知常识的结合不具备创造性。基于相同的理由，独立权利要求10、13相对于对比文件3、对比文件1与本领域公知常识的结合也不具备创造性。从属权利要求2-9、11-12和14的附加技术特征或已被对比文件3公开，或属于本领域的公知常识，因而同样不具备创造性。
复审请求人于2019年07月01日针对第一次复审通知书提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，所作修改包括：将独立权利要求1、10和13中的特征“所述第一箔部件由高强度金属材料形成”修改为“所述第一箔部件由高强度材料形成”并增加特征“所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度”，同时将从属权利要求8中的特征“对于高达100微米的厚度，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度”修改为“所述第一箔部件和第二箔部件具有5-400微米的厚度”，将从属权利要求11中的特征“对于高达100微米的厚度，所述箔部件中的一个具有至少1000MPa的抗拉强度”修改为“所述箔部件中的一个具有5-400微米的厚度”。修改后的权利要求书包括权利要求1-14，其中独立权利要求1、10和13和从属权利要求8和11具体内容如下：
“1、一种用于同位素产生系统的靶窗，所述靶窗包括：
呈堆叠布置的多个箔部件，所述箔部件具有侧面，其中，
所述箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面，并且所述箔部件中的至少两个由不同的材料形成；
其中，所述的靶窗设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间；
所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
8、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述多个箔部件包括第一箔部件和第二箔部件，所述第一箔部件和第二箔部件具有5-400微米的厚度，而所述第二箔部件由化学惰性金属形成。
10、一种用于同位素产生系统的靶，所述靶包括：
本体，其构造成包围靶材料，并且具有用于带电粒子射束的通路；以及
在粒子进入侧和靶材料侧之间的靶窗，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
11、根据权利要求10所述的靶，其特征在于，所述箔部件中的一个具有5-400微米的厚度，并且第二箔部件由化学惰性金属形成。
13、一种同位素产生系统，包括：
包括加速室的加速器；以及
靶系统，其位于所述加速室的内部、附近或离所述加速室一距离，所述加速器构造成将粒子射束从所述加速室引导到所述靶系统，所述靶系统具有本体，所述本体构造成使靶材料和靶窗在所述本体内保持在高能量粒子进入侧和靶材料侧之间，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。”
复审请求人在答复第一次复审通知书中认为：关于修改超范围，独立权利要求1、10和13中修改后的特征记载于权利要求8、11以及说明书第22、29段中，权利要求8和11修改后的特征记载于说明书第27、52段中，因而修改后的权利要求书不再涉及修改超范围的问题。关于创造性：1、首先，对比文件3所揭示的Harvar窗和钽窗主要是用于隔离氦冷却真空空间的前室和有效体积，与本申请权利要求1所限定的由高强度材料形成的第一箔部件和由惰性材料形成的第二箔部件所起的作用并不相同。其次，尽管对比文件3公开了Harvar窗，但并不意味着其必然由高强度材料形成，尤其是新权利要求1所具体限定的“具有至少1000MPa的抗拉强度”，本领域技术人员没有动机将其替换为“由高强度材料形成的第一箔部件”。再次，在对比文件3中，氦冷前室是被夹在Harvar窗和钽窗之间的细窄空间，氦气从下方进入并从上方流出，从而带走Harvar窗和钽窗上面的热量，即对Harvar窗和钽窗进行冷却的技术问题已经通过对比文件3所公开的技术方案得以完美的解决，这种技术问题不再存在于对比文件3中，而且本领域技术人员不会有动机采取另外的技术手段来解决该问题。本申请提供了一种技术构思不同于对比文件3的技术方案，其技术效果能够基本上达到现有技术的水平，可以说是具有有益的技术效果和显著的进步。2、对比文件1所述的“靶”不能够对应于本申请权利要求1所述的“靶窗”，两者发挥完全不同的作用，即使本领域技术人员想到需要改造对比文件3中的Harvar窗和钽窗，也不可能采用对比文件1中示出的靶结构。此外，对比文件1中的Al和Cu均不像本申请权利要求1所述的第三箔片那样用来进行传热和散热，Al显然也不满足修改后的权利要求1对“高强度材料”的定义。3、即使在内部增加铝或铜等导热性能好的金属箔片以用于散热并提升散热效果是本领域技术人员容易想到的，也没有现有证据表明铝或铜等导热性能好的金属箔片可以用于同位素产生系统的靶窗中，同位素产生系统的靶窗需要考虑带电粒子射束、放射性同位素等因素，不同于一般的机器设备，即便铝或铜等导热性能好的金属箔片在一些系统中用于散热，也不能简单地将其适用于同位素产生系统的靶窗中，例如用在对比文件3所示的Harvar窗和钽窗之间。因此本申请权利要求1-14具备创造性。
合议组于2019年09月23日再次向复审请求人发出复审通知书（下称第二次复审通知书），指出：修改后的权利要求8和11中的厚度“5-400微米”与原说明书中记载的“大约5微米至大约300微米”以及“高达400微米”记载不一致，也不能从原说明书和权利要求书记载的上述内容直接地、毫无疑义地得出，该修改超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
复审请求人于2019年11月05日针对第二次复审通知书提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，所作修改包括：对于从属权利要求8，删除了特征“所述多个箔部件包括第一箔部件和第二箔部件”，将特征“所述第一箔部件和第二箔部件具有5-400微米的厚度”修改为“所述第一箔部件和第二箔部件各具有5-300微米或400微米的厚度”；对于从属权利要求11，将特征“所述箔部件中的一个具有5-400微米的厚度”修改为“所述箔部件中的一个具有5-300微米或400微米的厚度”，同时将“第二箔部件”修改为“所述第二箔部件”。修改后的权利要求书包括权利要求1-14，具体内容如下：
“1、一种用于同位素产生系统的靶窗，所述靶窗包括：
呈堆叠布置的多个箔部件，所述箔部件具有侧面，其中，
所述箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面，并且所述箔部件中的至少两个由不同的材料形成；
其中，所述的靶窗设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间；
所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
2、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述多个箔部件是以贴靠布置而对齐的、分开来形成的部件。
3、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述第一箔部件由具有类似于哈氏合金的属性的材料形成。
4、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述第三箔部件由导热材料形成。
5、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述箔部件中的至少两个具有不同的箔属性。
6、根据权利要求5所述的靶窗，其特征在于，所述箔属性包括导热率、抗拉强度、化学活性或惰性、能量衰变性、放射激活性和熔点。
7、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述箔部件中的至少两个具有不同的箔属性，并且所述多个箔部件布置成堆叠布置，以具有与所述箔部件的属性不同的期望总属性。
8、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述第一箔部件和第二箔部件各具有5-300微米或400微米的厚度，而所述第二箔部件由化学惰性金属形成。
9、根据权利要求1所述的靶窗，其特征在于，所述多个箔部件中的一个包括由哈氏合金形成的箔部件。
10、一种用于同位素产生系统的靶，所述靶包括：
本体，其构造成包围靶材料，并且具有用于带电粒子射束的通路；以及
在粒子进入侧和靶材料侧之间的靶窗，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
11、根据权利要求10所述的靶，其特征在于，所述箔部件中的一个具有5-300微米或400微米的厚度，并且所述第二箔部件由化学惰性金属形成。
12、根据权利要求10所述的靶，其特征在于，所述多个箔部件中的一个包括由哈氏合金形成的箔部件。
13、一种同位素产生系统，包括：
包括加速室的加速器；以及
靶系统，其位于所述加速室的内部、附近或离所述加速室一距离，所述加速器构造成将粒子射束从所述加速室引导到所述靶系统，所述靶系统具有本体，所述本体构造成使靶材料和靶窗在所述本体内保持在高能量粒子进入侧和靶材料侧之间，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；
所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；
所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。
14、根据权利要求13所述的同位素产生系统，其特征在于，所述多个箔部件中的一个包括由哈氏合金形成的箔部件。”
复审请求人在答复第二次复审通知书中认为：以上修改是基于本申请的权利要求书和说明书中明确描述的内容而做出的，或者仅仅是一些形式上的修改，故符合专利法第33条的规定。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年11月05日针对第二次复审通知书提交了权利要求书的全文修改替换页，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定以复审请求人于本申请进入中国国家阶段日即2014年09月30日提交的说明书第1-56段、说明书附图1-9、说明书摘要和摘要附图，以及于2019年11月05日提交的权利要求第1-14项为基础作出。
（二）、有关修改超范围的问题
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
在2019年11月05日提交的权利要求书中，对于修改后的独立权利要求1、10和13中的特征“所述第一箔部件由高强度材料形成”和“所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度”，原说明书第22段记载了“在一些实施例中，箔部件24由提供需要的强度的材料形成，以抵抗高压力和高温度状况”和“在一个实施例中，例如，箔部件24具有至少1000MPa（兆帕斯卡）的抗拉强度”。即修改后的上述特征与原说明书和权利要求书的记载一致，上述修改克服了第一次复审通知书中指出的缺陷。对于修改后的权利要求8中的特征“所述第一箔部件和第二箔部件各具有5-300微米或400微米的厚度”和权利要求11中的特征“所述箔部件中的一个具有5-300微米或400微米的厚度”，原说明书第27段记载了“例如，在一些实施例中，例如基于系统的能量，各种箔部件的厚度范围为大约5微米至大约300微米，如另外期望的或需要的那样。但是，箔部件可具有更大或更小的厚度，例如，高达400微米或更大”。即修改后的上述特征与原说明书和权利要求书的记载一致，上述修改克服了第二次复审通知书中指出的缺陷。因此，权利要求1、8、10、11和13的修改没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
此外，关于修改后的独立权利要求1、10和13中的特征“所述第二箔部件用于防止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中”是否存在修改超范围的问题，合议组认为：原说明书第21段记载了“箔部件24定位在同位素产生系统的高能量粒子进入侧28上，并且箔部件26定位在同位素产生系统的靶材料侧30上”，则箔部件24为第一箔部件，箔部件26为第二箔部件。原说明书第22段记载了“在一些实施例中，箔部件26由具有特定特性（诸如最大程度地减少长寿命放射性同位素转移到靶介质）的材料或包括与靶介质接触的化学惰性材料（诸如铌材料）形成”，则从中可以得出第二箔部件用于防止长寿命放射性同位素转移到靶材料中。再结合原说明书第3段记载的“靶窗需要能够在高压力和高温度的状况下不破裂，传统的系统典型地使用哈氏合金（Havar）箔来形成这个窗，但是，哈氏合金箔会激活长寿命放射性同位素，对于某些靶类型，特别是水靶，靶介质直接接触箔，并且长寿命放射性同位素转移到靶介质上，在注射到患者体内之前，通常处理靶介质，这会移除这些同位素，但是在一些应用中，这些同位素将注射到患者体内，这可对患者有害”，从中可看出本申请要解决的技术问题之一就是防止传统靶窗中承受高压力的箔中激活的长寿命放射性同位素转移到靶介质中。结合上述内容可得出，即便第一箔部件中激活产生了长寿命放射性同位素，第二箔部件也可防止长寿命放射性同位素从第一箔部件转移到靶材料中。即该特征可从原说明书和权利要求书记载的内容中直接地、毫无疑义地得出，这一修改未超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
（三）、有关创造性的问题
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，其他对比文件没有给出将该区别技术特征应用到该最接近的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，该区别技术特征也不属于本领域的公知常识，并且该区别技术特征使该权利要求请求保护的技术方案产生了有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
1、关于独立权利要求1及从属权利要求2-9的创造性
独立权利要求1请求保护一种用于同位素产生系统的靶窗。对比文件1公开了一种质子束监测方法，不同能量的质子束辐照铌引发核反应，使用堆叠箔技术测量激发函数，总共5个堆叠层，每个堆叠层包括4-7层铌箔，被铝箔隔离以用于能量降低，质子束的入射能量和强度通过每个堆叠层之前的铜监测箔来改变（参见“Introduction”和“Methods”）。以对比文件1作为最接近的现有技术时，将权利要求1的技术方案与对比文件1公开的上述技术方案对比可知，对比文件1公开了权利要求1中的“呈堆叠布置的多个箔部件，所述箔部件具有侧面，其中，所述箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面，并且所述箔部件中的至少两个由不同的材料形成”和“所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件”。
因此，权利要求1的技术方案与对比文件1之间的区别技术特征是：权利要求1请求保护的是用于同位素产生系统的靶窗，设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间；第一箔部件由高强度材料形成，第二箔部件由化学惰性材料形成，第三箔部件由铝或铜形成，第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；第一箔部件定位在同位素产生系统的高能量粒子进入侧，第二箔部件定位在同位素产生系统的靶材料侧，当带电粒子束入射到多个箔部件时，第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从第一箔部件转移到靶材料中。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1的技术方案相对于对比文件1实际解决的技术问题是：提供一种用于同位素产生系统的兼具高强度、散热性和化学惰性等多种属性的靶窗，减少靶材料中长寿命同位素的产生。
对比文件3公开了一种利用液体靶由79Br产生77Br的系统，并具体公开了以下技术特征（参见“Experimental”部分及图2）：在UT健康科学中心回旋加速器利用40MeV质子束辐照接近饱和的天然溴化物溶液，发生核反应(1)和(2)，由79Br产生77Br；基于铜具有优良的导热性、相对易于加工、以及低的感应活性这三个优点，初级靶由铜制成，该靶具有40cm-3的活性体积，镀有镍和金以控制溴的化学活性，靶厚度约1cm，足以使40MeV质子停止；Havar窗将氦冷前室与加速器真空室隔离开，钽窗将氦冷前室与活性体积隔离开，冷水循环通过靶的背面以实施冷却，所产生的77Br通过循环氦气带走，紧邻靶的上部设有玻璃可视管用于监测氦气对77Br的吹扫。
关于在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识是否能够得到本申请权利要求1的技术方案的问题，合议组认为：首先，对比文件1公开的是一种质子束监测方法，其中采用多层箔的堆叠测量不同能量的质子束辐照铌引发核反应的激发函数，因而多层箔可视为一种靶材料，而本申请涉及一种靶窗，设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间，用于隔离靶材料与其它部件。靶窗与靶材料在同位素产生过程中起到不同的作用，因而对材料和结构的要求也不同，两者属于完全不同的技术主题，本领域技术人员从对比文件1出发，没有动机将一种靶材料改进为用于隔离靶材料的靶窗。其次，虽然对比文件1也公开了多层箔的堆叠结构，但从对比文件1的描述可看出，每个堆叠层包括4-7层铌箔用于引发核反应，被铝箔隔离以用于能量降低，每个堆叠层之前设置铜监测箔以改变质子束的入射能量和强度。而本申请权利要求1具体限定了三层箔部件从粒子进入侧到靶材料侧依次为：第一箔部件是具有至少1000MPa抗拉强度的高强度材料，第三箔部件是铝或铜，第二箔部件是化学惰性材料，并且第一箔部件的作用是提供高强度，第三箔部件的作用是用于散热或传热，第二箔部件的作用是防止长寿命放射性同位素转移到靶材料中，减少长寿命同位素的产生。由此可见，虽然对比文件1与本申请所使用的部分箔的材料相同，但其作用和设置位置不同，所解决的技术问题和产生的技术效果也均不同，本领域技术人员从而无法从对比文件1获得启示，在靶窗中采用如本申请权利要求1所限定的多层箔结构。再次，虽然对比文件3公开了Havar窗和钽窗，但是本领域技术人员在对比文件1的基础上进行改进时，如果将其中的部分箔材料改为哈氏合金或钽，则无法实现对比文件1本身进行质子束监测的发明目的，而且在现有技术没有明确的指引的前提下，本领域技术人员也无从知晓应该将对比文件1中的哪些箔改为哈氏合金或钽，以获得本申请所要求保护的靶窗。因此，本领域技术人员在对比文件1的基础上，即便结合对比文件3和本领域的公知常识也无法得到本申请权利要求1的用于同位素产生系统的靶窗。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识无法得到独立权利要求1的技术方案，独立权利要求1具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
当以对比文件3为最接近的现有技术时，将权利要求1的技术方案与对比文件3公开的上述技术方案对比可知，对比文件3的系统通过质子束辐照液体靶由79Br产生77Br，即公开了权利要求1中的“同位素产生系统”。对比文件3中质子束从加速器真空室依次通过Havar窗、氦冷前室和钽窗进入靶的活性体积，从图2可看出Havar窗和钽窗均为箔部件，氦冷前室是被夹在两片箔之间的细窄空间，氦气从下方进入，从上方流出，Havar窗、氦冷前室和钽窗均位于质子束进入侧和靶材料侧之间，Havar窗位于质子束进入侧，钽窗位于靶材料侧。根据本领域技术书籍《放射性同位素技术》（肖伦主编，原子能出版社，2005年09月第2版）第52页记载的“建立合适的靶系统是加速器生产放射性核素的基本工作内容之一。靶系统由这几部分组成：(1)隔离加速器真空室与靶物的靶窗；(2)靶物；(3)靶容器和测束器；(4)冷却系统”中对“靶窗”的说明，可以认为对比文件3中设置在粒子入射侧和靶材料侧之间的Havar窗、氦冷前室和钽窗整体构成了“靶窗”，其中Havar窗和钽窗分别对应于权利要求1中的“第一箔部件”和“第二箔部件”，且对比文件3还公开了权利要求1中的特征“多个箔部件，所述箔部件具有侧面”、“所述箔部件中的至少两个由不同的材料形成”、“所述的靶窗设置在同位素产生系统的粒子进入侧和靶材料侧之间”、以及“所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧”。对比文件3的钽具有优良的抗腐蚀性，对于多种酸碱溶液呈化学惰性，因而公开了权利要求1中的“所述第二箔部件由化学惰性材料形成”，且由于钽窗是紧挨靶材料的最后一道窗口，这一设置位置可使得钽窗具备让带电粒子束激活Havar窗时产生的长寿命放射性同位素无法通过的能力，因而钽窗能够起到“当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中”这样的作用。
因此，权利要求1的技术方案与对比文件3之间的区别技术特征是：权利要求1的多个箔部件呈堆叠布置，箔部件中的至少一个的侧面接合其它箔部件中的至少一个的侧面，在第一箔部件和第二箔部件之间定位第三箔部件，第一箔部件由高强度材料形成，具有至少1000MPa的抗拉强度，第三箔部件由铝或铜形成。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1的技术方案相对于对比文件3实际解决的技术问题是：提供一个整体的、多层堆叠的、同时具有高强度、化学惰性和散热性等多种属性的靶窗。
关于在对比文件3的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识是否能够得到本申请权利要求1的技术方案的问题，合议组认为：如对比文件3的图2所示，靶材料为溴溶液，位于由铜制成的活性体积内，加速器真空室与靶材料之间依次设置有Havar窗、氦冷前室和钽窗，氦冷前室可为Havar窗和钽窗提供冷却，即对比文件3的靶窗由两个单层的箔部件和中间的冷却空间构成，并且已经解决了靶窗冷却的技术问题。而对比文件1公开的是多层箔堆叠形成的靶材料，并不涉及靶窗，其所能给出的技术启示也是如何对靶材料进行改进，而并不涉及靶窗的改进，本领域技术人员在看到对比文件1时，难以意识到从对比文件3出发，还能够或者有必要将氦冷前室用铝箔或铜箔取代，进而改进成本申请中多层箔堆叠结构的靶窗。此外，尽管本领域技术人员知晓铝和铜均为导热性良好的金属材料，但这属于本领域技术人员对这些金属材料导热性能的一般认知，具体到铝或铜的整体性能是否能够适用于靶窗中，目前尚没有明确的证据或教导能够促使本领域技术人员对对比文件3作出改进，去掉氦冷前室而取代以铝箔或铜箔，并将铝箔或铜箔置于Havar窗和钽窗之间，以多层箔堆叠的技术形成一个整体的、多功能的靶窗。而本申请采用了第一、第三、第二箔部件堆叠布置形成的靶窗，能够以更为简单的结构、占据更少的空间来同时提供高强度、化学惰性和散热性等多重属性，取得了有益的技术效果。目前也没有证据能够证明上述区别技术特征属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识也无法得到独立权利要求1的技术方案，独立权利要求1具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求1具备创造性的基础上，从属权利要求2-9也具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、关于独立权利要求10及从属权利要求11-12的创造性
独立权利要求10请求保护一种用于同位素产生系统的靶。参见上文的评述，对比文件1公开了一种质子束监测方法所使用的靶（参见“Introduction”和“Methods”）。以对比文件1作为最接近的现有技术时，将权利要求10的技术方案与对比文件1公开的上述技术方案对比可知，对比文件1公开了权利要求10中的“一种用于同位素产生系统的靶”以及“靶材料”。
因此，权利要求10的技术方案与对比文件1之间的区别技术特征是：权利要求10的靶包括本体，其构造为包围靶材料，并且具有用于带电粒子射束的通路，还包括在粒子进入侧和靶材料侧之间的靶窗，靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性；靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在第一箔部件和第二箔部件之间的第三箔部件，第一箔部件由高强度材料形成，第二箔部件由化学惰性材料形成，第三箔部件由铝或铜形成，第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；第一箔部件定位在同位素产生系统的高能量粒子进入侧，第二箔部件定位在同位素产生系统的靶材料侧，当带电粒子束入射到多个箔部件时，第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从第一箔部件转移到靶材料中。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求10的技术方案相对于对比文件1实际解决的技术问题是：封装靶材料，以及提供一种用于同位素产生系统的兼具高强度、散热性和化学惰性等多种属性的靶窗，减少靶材料中长寿命同位素的产生。
上述区别技术特征与独立权利要求1和对比文件1的区别技术特征相对应，关于在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识是否能够得到本申请权利要求10的技术方案的问题，合议组认为：首先，对比文件3公开了一种利用液体靶由79Br产生77Br的系统，包括液体靶，以及加速器真空室与靶之间的Havar窗、氦冷前室和钽窗，靶由铜制成，具有40cm-3的活性体积（参见“Experimental”部分及图2）。可见对比文件3公开了用本体来包围液体的靶材料，且本体具有可供带电粒子射束通过的通路。但是，对比文件1中的多层箔堆叠的靶本身是固体，并不需要其他的本体来进行封装，而且其靶材料是用于质子束的监测，如果用本体包围靶材料，本体材料可能引起质子束能量的衰减，导致监测结果不准确，因而即便增加一个包围在外的本体，本领域技术人员也需注意其对监测结果是否带来影响。其次，参见上文对独立权利要求1的评述理由，本领域技术人员没有动机将对比文件1公开的靶材料改进成一个多层箔堆叠的靶窗，即便结合对比文件3和本领域的公知常识，本领域技术人员也无法得到本申请权利要求10的用于同位素产生系统的靶。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识无法得到独立权利要求10的技术方案，独立权利要求10具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
当以对比文件3为最接近的现有技术时，将权利要求10的技术方案与对比文件3公开的上述技术方案对比可知，对比文件3的系统通过质子束辐照液体靶由79Br产生77Br，即公开了权利要求10中的“同位素产生系统”。对比文件3中靶材料为溴溶液，位于由铜制成的活性体积内，即公开了权利要求10中的“本体，其构造成包围靶材料，并且具有用于带电粒子射束的通路”。对比文件3中质子束从加速器真空室依次通过Havar窗、氦冷前室和钽窗进入靶的活性体积，从图2可看出Havar窗和钽窗均为箔部件，氦冷前室是被夹在两片箔之间的细窄空间，氦气从下方进入，从上方流出，Havar窗、氦冷前室和钽窗均位于质子束进入侧和靶材料侧之间，Havar窗位于质子束进入侧，钽窗位于靶材料侧，因而Havar窗、氦冷前室和钽窗作为一个整体共同构成了权利要求10中的“在粒子进入侧和靶材料侧之间的靶窗”，且靶窗“包括多个箔部件”，其中Havar窗和钽窗分别对应于权利要求10中的“第一箔部件”和“第二箔部件”，且对比文件3还公开了权利要求10中的特征“所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性”、以及“所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧”。对比文件3的钽窗具有优良的抗腐蚀性，对于多种酸碱溶液呈化学惰性，因而公开了权利要求10中的“所述第二箔部件由化学惰性材料形成”，且由于钽窗是紧挨靶材料的最后一道窗口，这一设置位置可使得钽窗具备让带电粒子束激活Havar窗时产生的长寿命放射性同位素无法通过的能力，因而钽窗能够起到“当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中”这样的作用。
因此，权利要求10的技术方案与对比文件3之间的区别技术特征是：权利要求10的靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，靶窗还包括定位在第一箔部件和第二箔部件之间的第三箔部件，第一箔部件由高强度材料形成，具有至少1000MPa的抗拉强度，第三箔部件由铝或铜形成。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求10的技术方案相对于对比文件3实际解决的技术问题是：提供一个整体的、多层堆叠的、同时具有高强度、化学惰性和散热性等多种属性的靶窗。
上述区别技术特征与独立权利要求1和对比文件3的区别技术特征相同，基于相同的理由，本领域技术人员从对比文件3出发进行改进，即便结合对比文件1和本领域的公知常识也无法得到本申请权利要求10所请求保护的靶。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识也无法得到独立权利要求10的技术方案，独立权利要求10具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求10具备创造性的基础上，从属权利要求11-12也具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于独立权利要求13及从属权利要求14的创造性
独立权利要求13请求保护一种同位素产生系统。参见上文的评述，对比文件1公开了一种质子束监测方法所使用的系统，包括TR19/9回旋加速器（参见“Introduction”和“Methods”），实质上也属于一种同位素产生系统。以对比文件1作为最接近的现有技术时，将权利要求13的技术方案与对比文件1公开的上述技术方案对比可知，对比文件1还公开了权利要求13中的“包括加速室的加速器”以及“靶系统，其位于加速室的内部、附近或离加速室一距离，加速器构造成将粒子射束从加速室引导到靶系统”。
因此，权利要求13的技术方案与对比文件1之间的区别技术特征是：权利要求13的靶系统具有本体，所述本体构造成使靶材料和靶窗在所述本体内保持在高能量粒子进入侧和靶材料侧之间，所述靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，其中所述多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性，所述靶窗包括第一箔部件、第二箔部件、以及定位在所述第一箔部件和所述第二箔部件之间的第三箔部件；所述第一箔部件由高强度材料形成，所述第二箔部件由化学惰性材料形成，所述第三箔部件由铝或铜形成，所述第一箔部件具有至少1000MPa的抗拉强度；所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧；当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求13的技术方案相对于对比文件1实际解决的技术问题是：封装靶材料，以及提供一种用于同位素产生系统的兼具高强度、散热性和化学惰性等多种属性的靶窗，减少靶材料中长寿命同位素的产生。
上述区别技术特征与独立权利要求10和对比文件1的区别技术特征相对应，基于相同的理由，本领域技术人员从对比文件1出发进行改进，即便结合对比文件3和本领域的公知常识也无法得到本申请权利要求13所请求保护的同位素产生系统。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3和本领域的公知常识也无法得到独立权利要求13的技术方案，独立权利要求13具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
当以对比文件3为最接近的现有技术时，对比文件3的系统通过质子束辐照液体靶由79Br产生77Br，即公开了权利要求13中的“同位素产生系统”。对比文件3中的回旋加速器公开了权利要求13中的“包括加速室的加速器”；靶材料为溴溶液，位于由铜制成的40cm-3的活性体积内，质子束从加速器真空室进入靶的活性体积，即公开了权利要求13中的“靶系统，其位于所述加速室的内部、附近或离所述加速室一距离，所述加速器构造成将粒子射束从所述加速室引导到所述靶系统”，从对比文件3的图2可看出其公开了“所述靶系统具有本体，所述本体构造成使靶材料和靶窗在所述本体内保持在高能量粒子进入侧和靶材料侧之间”。对比文件3中质子束从加速器真空室依次通过Havar窗、氦冷前室和钽窗进入靶的活性体积，从图2可看出Havar窗和钽窗均为箔部件，氦冷前室是被夹在两片箔之间的细窄空间，氦气从下方进入，从上方流出，Havar窗、氦冷前室和钽窗均位于质子束进入侧和靶材料侧之间，Havar窗位于质子束进入侧，钽窗位于靶材料侧，因而Havar窗、氦冷前室和钽窗作为一个整体共同构成了权利要求13中的“靶窗”，且靶窗包括“多个箔部件”，其中Havar窗和钽窗分别对应于权利要求13中的“第一箔部件”和“第二箔部件”，且对比文件3还公开了权利要求13中的特征“所述多个箔部件中的至少两个具有不同的材料属性”、以及“所述第一箔部件定位在所述同位素产生系统的高能量粒子进入侧，所述第二箔部件定位在所述同位素产生系统的靶材料侧”。对比文件3的钽窗具有优良的抗腐蚀性，对于多种酸碱溶液呈化学惰性，因而公开了权利要求13中的“所述第二箔部件由化学惰性材料形成”，且由于钽窗是紧挨靶材料的最后一道窗口，这一设置位置可使得钽窗具备让带电粒子束激活Havar窗时产生的长寿命放射性同位素无法通过的能力，因而钽窗能够起到“当带电粒子束入射到所述多个箔部件时，所述第二箔部件用于阻止长寿命放射性同位素从所述第一箔部件转移到所述靶材料中”这样的作用。
因此，权利要求13的技术方案与对比文件3之间的区别技术特征是：权利要求13的靶窗包括呈堆叠布置的多个箔部件，多个箔部件中的不同的箔部件的侧面彼此接合，靶窗还包括定位在第一箔部件和第二箔部件之间的第三箔部件，第一箔部件由高强度材料形成，具有至少1000MPa的抗拉强度，第三箔部件由铝或铜形成。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求13的技术方案相对于对比文件3实际解决的技术问题是：提供一个整体的、多层堆叠的、同时具有高强度、化学惰性和散热性等多种属性的靶窗。
上述区别技术特征与独立权利要求1和对比文件3的区别技术特征相同，基于相同的理由，本领域技术人员从对比文件3出发进行改进，即便结合对比文件1和本领域的公知常识也无法得到本申请权利要求13所请求保护的靶。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件1和本领域的公知常识也无法得到独立权利要求13的技术方案，独立权利要求13具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求13具备创造性的基础上，从属权利要求14也具备突出的实质性特点和显著的进步，从而具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本申请权利要求1、8、10、11和13的修改符合专利法第33条的规定，权利要求1-14符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
在上述程序的基础上，合议组依法作出如下复审决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年07月04日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本决定所针对的文本的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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