发明创造名称：半导体器件
外观设计名称：
决定号：196420
决定日：2019-11-28
委内编号：1F291966
优先权日：
申请（专利）号：201480001983.9
申请日：2014-01-29
复审请求人：瑞萨电子株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：蒋煜婧
合议组组长：段小晋
参审员：马良
国际分类号：H01L23/64
外观设计分类号：
法律依据：专利法第33条
决定要点
：如果修改后的权利要求的技术方案根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定，那么修改后的权利要求没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480001983.9，名称为“半导体器件”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为瑞萨电子株式会社。本申请的申请日为2014年01月29日，公开日为2015年05月06日，进入中国国家阶段日为2015年01月28日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年04月10日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1、10不符合专利法第33条的规定。权利要求1记载了技术特征“所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合”，权利要求10中记载了技术特征“…在俯视下与所述第1线圈重合的第2线圈”，然而，两线圈之间是否重合的技术特征的描述在原申请文件中并没有明确的文字说明，且说明书附图图1仅是表示半导体器件构成的概念图、附图2仅是半导体器件的剖面图的一部分，且为示意图，不能毫无疑义地确定出“所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合”的位置关系，因此权利要求1，10的记载超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。驳回决定所依据的文本为：申请进入中国国家阶段日2015年01月28日提交的说明书第1-320段、说明书附图图1-45、说明书摘要、摘要附图；2018年12月05日提交的权利要求第1-19项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件，其特征在于，具有：
具有主表面的衬底；
形成于所述衬底的所述主表面上的第1绝缘膜；
形成于所述第1绝缘膜之上的第1线圈及第1布线；
形成于所述第1线圈及所述第1布线之上的第2绝缘膜；
形成于所述第2绝缘膜之上的第2布线；
形成于所述第2布线之上的第3绝缘膜；以及
形成于所述第3绝缘膜之上的第2线圈及第3布线，
所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合，
所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离大，
在剖视下在所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离上没有配置布线。
2. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离大于等于剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离，
在剖视下在所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离上没有配置布线。
3. 根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，
在剖视下在所述第1线圈与所述第2线圈之间配置有绝缘膜。
4. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2布线、所述第2线圈及所述第3布线各自的膜厚在所述衬底的膜厚方向上为3μm以上。
5. 根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜由无机绝缘膜构成。
6. 根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
位于所述第1线圈与所述第2线圈之间的所述第2绝缘膜与所述 第3绝缘膜的膜厚之和在所述衬底的膜厚方向上为5μm以上。
7. 根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离大。
8. 根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈具有第1焊盘、第2焊盘、和包围所述第1焊盘的线圈部，
所述线圈部的一端与所述第1焊盘连接，
所述线圈部的另一端与所述第2焊盘连接，
所述第1焊盘和所述第2焊盘各自的平面形状为边数比四边形多的多边形。
9. 根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2布线和所述第3布线在形成于所述第3绝缘膜中的开口部连接，
所述开口部的平面形状为边数比四边形多的多边形。
10. 一种半导体器件，其特征在于，具有：
搭载在第1芯片焊盘上的第1半导体芯片；
与所述第1半导体芯片并列地配置、且搭载在第2芯片焊盘上的第2半导体芯片；
配置在所述第1芯片焊盘及所述第2芯片焊盘的外侧的多条引线；以及
连接所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片、连接多条引线和所述第1半导体芯片、以及连接多条引线和所述第2半导体芯片的多条接合电线，
所述多条引线包含多条第1引线及多条第2引线，所述多条第1引线在俯视下配置在与所述第2芯片焊盘相比更接近所述第1芯片焊盘的位置处，所述多条第2引线在俯视下配置在与所述第1芯片焊盘相比更接近所述第2芯片焊盘的位置处，并且配置在所述多条第1引线的相反侧，
所述多条接合电线包含：将所述多条第1引线和所述第1半导体芯片电连接的多条第1电线、将所述多条第2引线和所述第2半导体芯片电连接的多条第2电线、以及将所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片连接的多条第3电线，
所述第1半导体芯片具有：
具有第1主表面的半导体衬底；
形成于所述半导体衬底的所述第1主表面上的第1绝缘膜；以及
形成于所述第1绝缘膜上的多个布线层，
所述多个布线层包括第1布线层、第2布线层以及第3布线层，
所述第1布线层形成于所述第1绝缘膜上，并且包含被第2绝缘膜覆盖的第1线圈及第1布线，
所述第2布线层形成于所述第2绝缘膜上，并且包含被第3绝缘膜覆盖的第2布线，
所述第3布线层包含形成在所述第3绝缘膜上的第3布线、以及形成在所述第3绝缘膜上且在俯视下与所述第1线圈重合的第2线圈，
所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离大，
在剖视下在所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离上没有配置布线。
11. 根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离大于等于剖视下所述第1线圈与所述第2线圈之间的最短距离，
在剖视下在所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离上没有配置布线。
12. 根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，
在剖视下在所述第1线圈与所述第2线圈之间配置有绝缘膜。
13. 根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈和所述第3布线被第4绝缘膜覆盖。
14. 根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2绝缘膜及所述第3绝缘膜由无机绝缘膜构成。
15. 根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，
在剖视下，所述第2布线、所述第2线圈及所述第3布线各自在所述半导体衬底的膜厚方向上具有3μm以上的膜厚。
16. 根据权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，
在剖视下，位于所述第1线圈与所述第2线圈之间的第2绝缘膜与第3绝缘膜的膜厚之和在所述半导体衬底的膜厚方向上为5μm以上。
17. 根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈与所述第3布线之间的最短距离比剖视下所述第2线圈与所述第2布线之间的最短距离大。
18. 根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2线圈具有第1焊盘、第2焊盘、和包围所述第1焊盘的线圈部，
所述线圈部的一端与所述第1焊盘连接，
所述线圈部的另一端与所述第2焊盘连接，
所述第1焊盘和所述第2焊盘各自的平面形状为边数比四边形多的多边形。
19. 根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2布线和所述第3布线在剖视下在所述第3绝缘膜的开口部彼此连接，
所述开口部的平面形状为边数比四边形多的多边形。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年07月17日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：权利要求1和10符合专利法第33条的规定。本申请说明书[0089]段记载了： 图3所示的线圈与上层线圈CL2时应，线圈CL2由从上面的俯视下为螺旋状的导电性膜构成；[0090]段记载了：下层线圈CL1与上层线圈CL2相同地，由螺旋状的导电性膜构成，能够形成为从上面的俯视下为图3所示的螺旋状的形状。因此，基于说明书的上述记载，可以直接、毫无疑义地得出：上层线圈CL2和下层线圈CL1为相同形状。基于图2的剖面图可以确定得出，上层线圈CL2和下层线圈CL1有重合， 因此，权利要求1和10符合专利法第33条的规定。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年07月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1.下层线圈能够形成为从上面的俯视下为图3所示的螺旋状的形状，只能说明下层线圈的形状与上层线圈的形状相同，并不能说明下层线圈与上层线圈重合。附图2只是剖面图，并不能从中直接地、且毫无疑义地得到上层线圈和下层线圈重合。2.权利要求3中包含技术特征“在剖视下在所述第1线圈与所述第2线圈之间配置有绝缘膜”，此处并未限定绝缘膜具体为哪个绝缘膜，超出了原申请记载的范围，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时未修改申请文件，本复审决定依据的文本与驳回决定所针对的文本相同，即：复审请求人于申请进入中国国家阶段日2015年01月28日提交的说明书第1-320段、说明书附图图1-45、说明书摘要、摘要附图；2018年12月05日提交的权利要求第1-19项。
关于专利法第33条
专利法第33条规定：申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型文件的修改不得超出原说明书和权利要求记载的范围。
如果修改后的权利要求的技术方案根据原说明书和权利要求书文字记载的内容以及说明书附图能直接地、毫无疑义地确定，那么修改后的权利要求没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
2.1关于权利要求1和10
驳回决定中指出：权利要求1记载了技术特征“所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合”，权利要求10中记载了技术特征“…在俯视下与所述第1线圈重合的第2线圈”，然而，两线圈之间是否重合的技术特征的描述在原申请文件中并没有明确的文字说明，且说明书附图图1仅是表示半导体器件构成的概念图、附图2仅是半导体器件的剖面图的一部分，且为示意图，不能毫无疑义地确定出“所述第1线圈在俯视下与所述第2线圈重合”的位置关系，因此权利要求1、10的记载超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
然而，本申请说明书[0089]段记载了： 图3所示的线圈与上层线圈CL2时应，线圈CL2由从上面的俯视下为螺旋状的导电性膜构成；本申请说明书[0090]段记载了：下层线圈CL1与上层线圈CL2相同地，由螺旋状的导电性膜构成，能够形成为从上面的俯视下为图3所示的螺旋状的形状。本申请说明书[0127]段记载了：在此，在变压器形成区域1A中，将下层线圈CL1以与布线M2 同层的方式形成。即，在将上述层积膜图案化时，在变压器形成区域 1A中形成上述的螺旋状的导电性膜(线圈CL1)(参照图3)。基于说明书的上述记载，可以直接、毫无疑义地得出：上层线圈CL2和下层线圈CL1为相同形状。如本申请说明书附图5和33所示，上层线圈CL2和下层线圈CL1的一边重合，都位于DM3和DM4的右侧基准线处，并且两个线圈的延伸方向相同。当上下两层的线圈图案形状相同，一边重合，并且延伸方向相同时，其必然是在俯视下相互重合的。因此，上述修改的技术特征从原说明书文字记载的内容和说明书附图中可以直接地、毫无疑义地确定。故该权利要求1和10的技术方案可由说明书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，因而权利要求1和10符合专利法第33条的规定。
对前置审查意见的评述
前置审查意见书中还指出复审请求人于2018年12月05日提交的权利要求3中的技术特征“在剖视下在所述第1线圈与所述第2线圈之间配置有绝缘膜”，此处并未限定绝缘膜具体为哪个绝缘膜，超出了原申请记载的范围。然而，权利要求3是权利要求1的从属权利要求，根据权利要求1的记载，第1线圈和第2线圈之间包括第2和3绝缘膜，因此，上述修改的技术特征从原说明书文字记载的内容和说明书附图中可以直接地、毫无疑义地确定。故该权利要求3的技术方案可由说明书文字记载的内容以及说明书附图直接地、毫无疑义地确定，因而权利要求3符合专利法第33条的规定。
至于本申请是否还存在其他缺陷，留待原审查部门继续审查。
综上，合议组依法做出以下复审请求审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年04月10日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在申请进入中国国家阶段日2015年01月28日提交的说明书第1-320段、说明书附图图1-45、说明书摘要、摘要附图；2018年12月05日提交的权利要求第1-19项的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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