发明创造名称：像素隔离墙、显示基板及其制作方法和显示装置
外观设计名称：
决定号：196403
决定日：2019-11-28
委内编号：1F267086
优先权日：
申请（专利）号：201510624357.1
申请日：2015-09-25
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李剑韬
合议组组长：崔双魁
参审员：张帆
国际分类号：G02F1/161，G02F1/153，H01L27/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征部分被其他对比文件公开，部分属于本领域的常规技术手段，且没有带来预料不到的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术没有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510624357.1，名称为“像素隔离墙、显示基板及其制作方法和显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司。本申请的申请日为2015年09月25日，公开日为2015年12月23日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月14日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求第1-5项不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请日提交的说明书摘要、说明书第1-97段、摘要附图、说明书附图图1-11；2017年12月07日提交的权利要求第1-5项。
驳回决定中引用了如下2篇对比文件：
对比文件1：CN101076211A，公开日为2007年11月21日；
对比文件4：CN204257646U，公告日为2015年04月08日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种像素隔离墙制作方法，其特征在于，包括：
在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板之上形成亲油层；
在所述亲油层上形成疏油层；
在所述疏油层上形成光刻胶；
去除与所述像素电极阵列对应的光刻胶；
蚀刻与所述像素电极阵列对应的疏油层；
蚀刻与所述像素电极阵列对应的亲油层，以使所述亲油层和疏油层一起界定多个与所述像素电极阵列对应的凹陷区域，
形成亲油层的步骤包括：
在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板上涂覆亲油层的材料；
在80℃至100℃温度下对亲油层的材料烘烤3至5分钟；
在90℃至110℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；
在220℃至240℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；
所述疏油层的材料为SiNx，
在所述亲油层上形成疏油层包括：
通过等离子体增强化学气相沉积法沉积900至厚度的SiNx层。
2. 根据权利要求1所述的像素隔离墙制作方法，其特征在于，蚀刻与所述像素电极阵列对应的亲油层包括：
通过氧气干刻与所述像素电极阵列对应的亲油层的材料，以形成像素区域。
3. 根据权利要求1所述的像素隔离墙制作方法，其特征在于，蚀刻与所述像素电极阵列对应的疏油层包括：
通过SF6和Cl2干刻与所述像素电极阵列对应的SiNx。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的像素隔离墙制作方法，其特征在于，在所述亲油层上形成疏油层之后还包括：
对所述疏油层的上表面做亲水处理。
5. 一种显示基板制作方法，其特征在于，包括权利要求1至4中任一项所述的像素隔离墙制作方法，还包括：
向所述凹陷区域滴入亲油的功能显示材料，以在所述凹陷区域内形成功能显示层。 ”
驳回决定中指出：独立权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）在疏油层上形成光刻胶，去除与像素电极阵列对应的光刻胶，蚀刻与像素电极阵列对应的疏油层，蚀刻与像素电极阵列对应的亲油层；（2）形成亲油层的方法包括：在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板上涂覆亲油层的材料；在80℃至100℃温度下对亲油层的材料烘烤3至5分钟；在90℃至110℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；在220℃至240℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；（3）疏油层的材料为SiNx，在亲油层上形成疏油层包括：通过等离子体增强化学气相沉积法沉积900至1100埃厚度的SiNx层。区别技术特征（1）（2）属于本领域常规技术手段，区别技术特征（3）部分被对比文件4公开，部分属于本领域常规技术手段，因此权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2、3、4的附加技术特征部分被对比文件公开，部分属于本领域常规技术手段，也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求要求保护一种显示基板制作方法，其限定的技术特征被对比文件1公开，因此，在其引用的权利要求1-4不具备创造性的基础上，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人京东方科技集团股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年11月26日向复审和无效审理部提出了复审请求，并未提交修改文件。
复审请求人认为：对比文件1中未公开分阶段烘烤第一隔离层的方法。在公知举证材料（“木材胶黏剂与胶合技术”，余先纯等，中国轻工业出版社，2011年3月）中公开了阶梯升温，分段固化的方法，并公开升高温度可以缩短固化时间，降低温度可以适当延长固化时间。而本专利的阶梯升温过程分为3段，在烘烤温度和时间的设置上随着温度的升高烘烤时间延长，显然不同于木材胶黏剂的固化过程。通过本专利的阶梯式分段烘烤方法，能够获得有利于形成厚度均匀的功能显示层的凹陷区域。
经形式审查合格，复审和无效审理部于2018年11月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，复审和无效审理部成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月10日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）在疏油层上形成光刻胶，去除与像素电极阵列对应的光刻胶，蚀刻与像素电极阵列对应的疏油层，蚀刻与像素电极阵列对应的亲油层；（2）形成亲油层的方法包括：在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板上涂覆亲油层的材料；在80℃至100℃温度下对亲油层的材料烘烤3至5分钟；在90℃至110℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；在220℃至240℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；（3）疏油层的材料为SiNx，在亲油层上形成疏油层包括：通过等离子体增强化学气相沉积法沉积900至1100埃厚度的SiNx层。 区别技术特征（1）属于本领域常规手段；区别特征（3）部分被对比文件4公开，部分属于本领域常规技术手段。对于争议焦点区别技术特征（2），虽然权利要求1并未记载亲油层的具体材料，但是对于亲油层进行阶梯式分段固化的固化温度与时间设置，必然与亲油层选用的材料有关，根据本申请说明书的记载，亲油层的材料优选为光刻胶。在有机电致发光显示装置中，采用光刻胶作为隔离墙属于公知常识，在现有技术中，为了防止光刻胶没有烘透、膜不坚固等问题，常常选择缓慢升温或者阶梯升温的方式，在此基础上，使用阶梯升温的方式对亲油层进行固化是本领域技术人员基于现有技术而作出的常规选择；至于每一步的温度和时间，这与所选择的具体材料的特性相关，本领域技术人员可基于所选择的亲油层材料（如光刻胶）的特性来设置每个阶段具体的固化温度和固化时间，且未产生预料不到的技术效果。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的常规技术手段，因此权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求5要求保护一种显示基板制作方法，对比文件1也公开了一种有源矩阵型显示装置的制造方法，基于权利要求1-4的评述，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年07月22日提交了意见陈述书和修改文件，将技术特征“所述亲油层的材料为正性光刻胶”和权利要求2的附加技术特征补充至原权利要求1，形成新的独立权利要求1，并调整了其他权利要求的编号和引用关系。 修改后的权利要求书如下：
“1. 一种像素隔离墙制作方法，其特征在于，包括：
在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板之上形成亲油层；
在所述亲油层上形成疏油层；
在所述疏油层上形成光刻胶；
去除与所述像素电极阵列对应的光刻胶；
蚀刻与所述像素电极阵列对应的疏油层；
蚀刻与所述像素电极阵列对应的亲油层，以使所述亲油层和疏油层一起界定多个与所述像素电极阵列对应的凹陷区域，
形成亲油层的步骤包括：
在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板上涂覆亲油层的材料；
在80℃至100℃温度下对亲油层的材料烘烤3至5分钟；
在90℃至110℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；
在220℃至240℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；
所述疏油层的材料为SiNx，
在所述亲油层上形成疏油层包括：
通过等离子体增强化学气相沉积法沉积900至厚度的SiNx层；
通过氧气干刻与所述像素电极阵列对应的亲油层的材料，以形成像素区域；
所述亲油层的材料为正性光刻胶。
2. 根据权利要求1所述的像素隔离墙制作方法，其特征在于，蚀刻与所述像素电极阵列对应的疏油层包括：
通过SF6和Cl2干刻与所述像素电极阵列对应的SiNx。
3. 根据权利要求1至3中任一项所述的像素隔离墙制作方法，其特征在于，在所述亲油层上形成疏油层之后还包括：
对所述疏油层的上表面做亲水处理。
4. 一种显示基板制作方法，其特征在于，包括权利要求1至4中任一项所述的像素隔离墙制作方法，还包括：
向所述凹陷区域滴入亲油的功能显示材料，以在所述凹陷区域内形成功能显示层。”
复审请求人认为：权利要求1同对比文件1公开的区别技术特征是：通过氧气干刻与所述像素电极阵列对应的亲油层的材料， 以形成像素区域；所述亲油层的材料为正性光刻胶。在如何选择亲油层刻蚀方式，尤为重要。特别是，在刻蚀亲油层时，要保证不引发疏油层的刻蚀。否则将造成后续显示材料的形成工艺的不良。因此，本申请在刻蚀亲油层时，采用氧气干刻方式，而亲油层材料采用正性光刻胶。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年07月22日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定，因此，本决定所依据的文本为：申请日提交的说明书摘要、说明书第1-97段、摘要附图、说明书附图图1-11；2017年12月07日提交的权利要求第1-4项。
（二）关于专利法第22条第3款
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征部分被其他对比文件公开，部分属于本领域的常规技术手段，且没有带来预料不到的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术没有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案：
1.权利要求1要求保护一种像素隔离墙制作方法，对比文件1公开了一种能形成均匀的膜的膜形成方法（参见说明书第7页第20段-第18页第2段，图2-13），作为发光区域的多个像素区域A被排列成矩阵状（参见说明书第10页第6行）。用公知的方法在基体2上形成电路元件部14及像素电极111，在该电路元件部14上形成由第一隔壁层112a及第二隔壁层112b构成的隔壁112。电路元件部14包括作为电路元件的薄膜晶体管。第一隔壁层112a作为对空穴注入/输送层形成工序及发光层形成工序中使用的液体材料(第一组成物、第二组成物)具有亲液性的亲液层而形成。另外，第二隔壁层112b作为对所述液体材料具有疏液性的疏液层形成。在第一隔壁层112a及第二隔壁层112b上形成有在像素电极111上相互连通的开口部分。第一隔壁层112a及第二隔壁层112b的开口部分在一面上形成。第一隔壁层112a及第二隔壁层112b也可以逐层图案化，也可以在形成第一隔壁层112a及第二隔壁层112b之后，使用设在第二隔壁层上的公共掩模将第一隔壁层112a及第二隔壁层112b由干蚀刻等一并图案化（参见说明书第15页第15行-第16页第2行）。
将对比文件1与本申请的权利要求1对比可知，对比文件1中的第一隔壁层112a相应于本申请的亲油层，第二隔壁层112b相应于本申请的疏油层；第一隔壁层112a 形成在具有电路元件1和像素电极111的基底2上；第二隔壁层112b形成在第一隔壁层112a上；蚀刻第一隔壁层112a及第二隔壁层112b，使第一隔壁层112a及第二隔壁层112b一起界定多个与像素电极阵列对应的凹陷区域。
由此可见，权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）在疏油层上形成光刻胶，去除与像素电极阵列对应的光刻胶，蚀刻与像素电极阵列对应的疏油层，蚀刻与像素电极阵列对应的亲油层；（2）形成亲油层的方法包括：在形成有TFT阵列和像素电极阵列的基板上涂覆亲油层的材料；在80℃至100℃温度下对亲油层的材料烘烤3至5分钟；在90℃至110℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；在220℃至240℃温度下对亲油层的材料烘烤25至35分钟；通过氧气干刻与所述像素电极阵列对应的亲油层的材料，以形成像素区域；所述亲油层的材料为正性光刻胶；（3）疏油层的材料为SiNx，在亲油层上形成疏油层包括：通过等离子体增强化学气相沉积法沉积900至1100埃厚度的SiNx层；基于上述区别技术特征，该权利要求实际解决的技术问题是：如何对亲油层与疏油层图案化；如何固化亲油层；采用何种材料和工艺形成疏油层。
对于区别技术特征（1），在对比文件1中已经公开了使用公共掩膜将第一隔壁层和第二隔壁层进行干蚀刻来图案化，此外，也公开了第一隔壁层112a和第二隔壁层112b在与像素电极111对应的位置被蚀刻掉，对于本领域技术人员来说，利用光刻胶作为掩膜是光刻技术中惯用技术手段，因此，利用光刻胶作为掩膜层时，根据第一隔壁层112a和第二隔壁层112b的所处的位置，依次去除或蚀刻与像素电极阵列对应的光刻胶、与像素电极阵列对应的疏油层以及与像素电极阵列对应的亲油层是本领域技术人员的常规手段；
对于区别技术特征（2）虽然权利要求1并未记载亲油层的具体材料，但是对于亲油层进行阶梯式分段固化的固化温度与时间设置，必然与亲油层选用的材料有关，根据本申请说明书的记载，亲油层的材料优选为光刻胶。在有机电致发光显示装置中，采用光刻胶作为隔离墙属于公知常识，（参见“新型显示技术（上册）”，高鸿锦，董友梅，第265-266页，北京邮电大学出版社，2014年8月），本领域技术人员也明了，大部分光刻胶都是亲油疏水的（参见：“普通化学”，同济大学普通化学及无机化学教研室编，第395-399页，高等教育出版社，2004年7月； 以及参考文献CN1531018A、CN103105736A和CN104134631A）；在固化过程中使用阶梯升温法对其进行初固化、基本固化和后固化属于公知的固化工艺（参见“木材胶黏剂与胶合技术”，余先纯等编著，第175-176页，2011年3月）。具体到光刻胶的固化，在现有技术中，为了防止光刻胶没有烘透、膜不坚固等问题，常常选择缓慢升温或者阶梯升温的方式；比如在教科书“普通化学，同济大学普通化学及无机化学教研室编，第395-399页，高等教育出版社，2004年7月”中公开了在第6步的坚膜步骤中，最好采用缓慢升温的方式；另外，在教科书“微电子封装手册（第二版），Rao R.Tummala等，第723页，电子工业出版社，2001年8月”中也公开了在光刻技术中，光刻胶“Photoneece”（这是一种感光性聚酰亚胺涂料）的固化可采用阶梯升温法分三步进行，在这三步升温过程中，温度逐渐升高；由此可知，对光刻胶采用阶梯升温固化是本领域一种常规的固化方式（还可参见：CN104914663A、CN104536268A、CN103350982A），在此基础上，使用阶梯升温的方式对亲油层进行固化是本领域技术人员基于现有技术而作出的常规选择；至于每一步的温度和时间，这与所选择的具体材料的特性相关，本领域技术人员可基于所选择的亲油层材料（如光刻胶）的特性来设置每个阶段具体的固化温度和固化时间，且未产生预料不到的技术效果。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为，对比文件1已经公开了通过干蚀刻的方式进行图案化；如前所述，采用光刻胶作为隔离墙属于本领域公知常识，而正性光刻胶属于一种常见的光刻胶类型，氧气也属于干蚀刻工艺中常用的一种蚀刻剂气体。当选择何种蚀刻剂气体时，本领域人员通常也会考虑尽量避免刻蚀工艺对非刻蚀对象造成影响，从而对像素区域所对应的正性光刻胶进行刻蚀时，选择氧气作为刻蚀气体对于本领域技术人员也是显而易见的。
对于区别技术特征（3），对比文件4公开了一种阵列基板（参见说明书第[0072]-[0144]段，附图2-7）：衬底基板1、形成在衬底基板1上的第一电极层3，形成在第一电极层3上的像素界定层4，像素界定层4具有使第一电极层3暴露的开口，形成在第一电极层4上与开口区域对应的有机材料功能层5（参见说明书第[0072]段）；像素界定层2的材料为疏液性的材料，例如：氮化硅（参见说明书第[0101]-[0102]段）。上述特征在对比文件4中的作用与其在本申请中作用相同，都是确定疏液层的具体材料，对比文件4给出了利用氮化硅作为疏液层材料的启示；而利用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层并将依据需要其厚度设置在900-1100埃之间是本领域技术人员的常规技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件4以及本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.权利要求2对权利要求1作了进一步的限定，通过SF6和cl2干刻与像素电极阵列对应的氮化硅，均是本领域技术人员的常规技术手段，因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求3对权利要求1-2作了进一步的限定，对比文件1也公开了根据需要对第一隔壁层112a的表面施加亲液处理，对第二隔壁层112b的表面施加疏液处理（参见说明书第15页第25-26行）。因此，该权利要求的附加技术特征已被对比文件1公开，在引用的权利要求不具有创造性的情况下，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4.权利要求4要求保护一种显示基板制作方法，对比文件1（CN101076211A）公开了一种有源矩阵型显示装置的制造方法，形成用于区划出在基板上配置所述液体材料L的区域的隔壁B的工序；在由所述隔壁B区划出的区域配置包括功能性材料的液体材料L的工序（参见说明书第7页第20-27行）；由附图10可知，第一组成物110c滴注在相邻隔壁层112之间的凹陷区域内；第一组成物110c，能使用使上述的空穴注入/输送层形成材料溶解到极性溶剂上的组成物。作为极性溶剂，例如可列举：异丙醇(IPA)、 正丁醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP，methylpyrrolidone)、1，3 -二甲基-2-咪唑(DMI)及其衍生物、卡必醇醋酸盐(carbitol acetate)，丁基卡必醇醋酸盐等的乙二醇醚类等（参见说明书第16页第10-13行）。参照前面对权利要求1-3的评述，由于权利要求1-3均不具有创造性，因此，在对比文件1的基础上结合对比文件4和本领域公知常识得到权利要求4的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求4不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本申请权利要求1-4不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月14日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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