发明创造名称：一种低偏超辐射发光二极管
外观设计名称：
决定号：197600
决定日：2019-11-27
委内编号：1F267496
优先权日：
申请（专利）号：201410728250.7
申请日：2014-12-04
复审请求人：国家电网公司 国网智能电网研究院 北京大学
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：丁长林
合议组组长：孙世新
参审员：汤晨光
国际分类号：H01S3/042;H01S3/02
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，该区别技术特征部分被其它对比文件公开且给出了启示，部分属于公知常识，在该最接近的现有技术的基础上，结合其它对比文件和公知常识获得该权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410728250.7，名称为“一种低偏超辐射发光二极管”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为国家电网公司、国网智能电网研究院、北京大学。本申请的申请日为2014年12月04日，公开日为2015年03月25日。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年08月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定针对的文本为：申请日2014年12月04日提交的说明书第1-5页、说明书附图第1-3页、说明书摘要、摘要附图，以及2018年03月05日提交的权利要求第1-2项。驳回决定中引用的对比文件如下：
对比文件1：“超辐射发光二极管组件”，谢辉 等，光通信技术，2004年第4期，第27-29页，公开日为2004年04月30日；
对比文件2：JP2003202522A，公开日为2003年07月18日；
对比文件3：CN103852825A，公开日为2014年06月11日；
对比文件4：CN103222015A，公开日为2013年07月24日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种低偏超辐射发光二极管，包括管壳、管壳内的部件和光隔离器，所述光隔离器包括第二透镜(10)、合光晶体(8)、波片(9)、磁环(7)、旋光晶体(11)和分光晶体(6)，其特征在于，所述光隔离器集成与所述管壳内；
所述管壳内的部件由半导体制冷器和位于所述半导体制冷器上端面的热沉基底构成，所述热沉基底的上端面依次设置有位于同一水平轴线上的探测器(2)、超辐射发光管芯(3)、第一透镜(5)、所述分光晶体(6)、所述旋光晶体(11)、所述磁环(7)、所述波片(9)、所述合光晶体(8)和所述第二透镜(10)，所述超辐射发光管芯(3)的一侧设置有热敏电阻(4)；
所述热敏电阻(4)为片状热敏电阻；
所述波片(9)为1/2波片；
所述热敏电阻包括：
热敏电阻素体(4-3)，具有在第一方向上彼此相对的第一主面(4-3a)和第二主面(4-3b)；
第一电极(4-5)和第二电极(4-7)，分布在所述热敏电阻素体(4-3)的所述第一主面(4-3a)，在与所述第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；
第三电极(4-9)，分布在所述热敏电阻素(4-3)体的所述第二主面(4-3b)，以从所述第一方向看与所述第一电极(4-5)和所述第二电极(4-7)重叠的方式配置；
所述第二方向上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-9)的沿面距离设定为比所述第二方向上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)的空间距离大；
在所述第一主面(4-3a)上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)之间的区域，形成有凹凸；
在所述第一主面(4-3a)上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)之间的区域，形成有沿着与所述第二方向交叉的方向延伸的槽(4-11)；
从所述第一方向看，所述第一主面(4-3a)位于所述第二主面的(4-3b)外轮廓的内侧，所述第一电极(4-5)和第二电极(4-7)位于所述第三电极(4-9)的外轮廓的内侧。
2. 根据权利要求1所述的低偏超辐射发光二极管，其特征在于，所述热沉基底(6)由钨铜材料制成。”
驳回决定的具体理由是：1.权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）包括光隔离器，光隔离器集成于管壳内，还包含第一透镜；（2）光隔离器包括第二透镜、合光晶体、波片、磁环、旋光晶体和分光晶体；管壳内还包含位于半导体制冷器上端面的热沉基底，热沉基底的上端面依次设置有位于同一水平轴线上的探测器、超辐射发光管芯、第一透镜、分光晶体、旋光晶体、磁环、波片、合光晶体和第二透镜；波片为1/2波片；（3）热敏电阻为片状热敏电阻，热敏电阻包括：热敏电阻素体，具有在第一方向上彼此相对的第一主面和第二主面；第一电极和第二电极，分布在热敏电阻素体的第一主面，在与第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；第三电极，分布在热敏电阻素体的第二主面，以从第一方向看与第一电极和第二电极重叠的方式配置；第二方向上的第一电极与第二电极的沿面距离设定为比第二方向上的第一电极与第二电极的空间距离大；在第一主面上的第一电极与第二电极之间的区域，形成有凹凸；在第一主面上的第一电极与第二电极之间的区域，形成有沿着与第二方向交叉的方向延伸的槽；从第一方向看，第一主面位于第二主面的外轮廓的内侧，第一电极和第二电极位于第三电极的外轮廓的内侧。基于上述区别技术特征可以确定，本申请权利要求1实际解决的技术问题是提供集成隔离器的低偏超辐射发光二极管并具体实现隔离器和发光二极管的结构以及设置具体热敏电阻的类型。对于区别技术特征（1），对比文件2给出了将其应用至对比文件1的技术启示。对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种隔离器的具体结构，其采用分光、偏振旋转再合光的结构设计，适用于低偏光源，本领域技术人员在面对具体构造适用于低偏SLED的隔离器时，容易想到采用对比文件3中的隔离器；另外，本领域技术人员可以根据实际需要采用分光晶体、带磁环的旋光晶体、合光晶体替换对比文件3中的第一胶合棱镜L1、磁光晶体C、第二胶合棱镜L2，而且采用第二透镜实现光线的会聚，这属于本领域的常用技术手段；此外，为了进一步提高测量温度的精确度，能够更好的将超辐射发光管芯所发出的热量传递到半导体制冷器上面，进而散热保持温度的恒定，采用热沉基底对整体系统进行控温，并将热沉基底设置在半导体制冷器上端面，将组件依次设置位于同一水平轴线上并设置在热沉基底上端面，也均属于本领域的常用技术手段。对于区别技术特征（3），对比文件4给出了将其应用至对比文件1的技术启示。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2-4以及本领域的常用技术手段以得出权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2.从属权利要求2的附加技术特征属于本领域的常用技术手段，因此，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，修改涉及：将权利要求2的附加技术特征加入到权利要求1中。复审请求人陈述了修改后的权利要求1具备创造性的理由为：1．驳回决定中“因而本领域技术人员有动机将对比文件2中的隔离器集成于光学装置内的设计应用到对比文件1中”与“将光隔离器集成于管壳内，同时设置准直透镜对光源进行准直”间用“即”表征有些牵强，因为“光学装置”并非即为“管壳”。2.驳回决定中对于有关光隔离器的区别技术特征的认定结论有些牵强，“本领域技术人员在面对具体构造适用于低偏SLED的隔离器时，容易想到采用对比文件3中的隔离器”是一种推测；“本领域技术人员可以根据实际需要”概括度极高，并未指出现有技术是否提出“测量温度”的技术需要这一前提，据此延伸出的认定结论说服力不足。3.对比文件1公开的是“超辐射发光二极管组件”，对比文件2公开的是“一种光学装置”，对比文件3公开的是“一种光隔离器”，均未提出需要测量温度的问题，因此认定结论“选用钨铜材料制成热沉基底是本领域技术人员的常用手段”中的“本领域”有些牵强。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种低偏超辐射发光二极管，包括管壳、管壳内的部件和光隔离器，所述光隔离器包括第二透镜(10)、合光晶体(8)、波片(9)、磁环(7)、旋光晶体(11)和分光晶体(6)，其特征在于，所述光隔离器集成与所述管壳内；所述管壳内的部件由半导体制冷器和位于所述半导体制冷器上端面的热沉基底构成，所述热沉基底的上端面依次设置有位于同一水平轴线上的探测器(2)、超辐射发光管芯(3)、第一透镜(5)、所述分光晶体(6)、所述旋光晶体(11)、所述磁环(7)、所述波片(9)、所述合光晶体(8)和所述第二透镜(10)，所述超辐射发光管芯(3)的一侧设置有热敏电阻(4)；
所述热敏电阻(4)为片状热敏电阻；
所述波片(9)为1/2波片；
所述热敏电阻包括：热敏电阻素体(4-3)，具有在第一方向上彼此相对的第一主面(4-3a)和第二主面(4-3b)；
第一电极(4-5)和第二电极(4-7)，分布在所述热敏电阻素体(4-3)的所述第一主面(4-3a)，在与所述第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；
第三电极(4-9)，分布在所述热敏电阻素(4-3)体的所述第二主面(4-3b)，以从所述第一方向看与所述第一电极(4-5)和所述第二电极(4-7)重叠的方式配置；
所述第二方向上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-9)的沿面距离设定为比所述第二方向上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)的空间距离大；
在所述第一主面(4-3a)上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)之间的区域，形成有凹凸；
在所述第一主面(4-3a)上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)之间的区域，形成有沿着与所述第二方向交叉的方向延伸的槽(4-11)；从所述第一方向看，所述第一主面(4-3a)位于所述第二主面的(4-3b)外轮廓的内侧，所述第一电极(4-5)和第二电极(4-7)位于所述第三电极(4-9)的外轮廓的内侧；
所述热沉基底(6)由钨铜材料制成。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月06日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月05日向复审请求人发出复审通知书，指出：1.权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）包括集成于管壳内的光隔离器，在超辐射发光管芯和光隔离器之间设置第一透镜，在光隔离器的尾部设置第二透镜。（2）光隔离器包括第二透镜、合光晶体、波片、磁环、旋光晶体和分光晶体；管壳内还包含位于半导体制冷器上端面的热沉基底，热沉基底的上端面依次设置有位于同一水平轴线上的探测器、超辐射发光管芯、第一透镜、分光晶体、旋光晶体、磁环、波片、合光晶体和第二透镜，热敏电阻设置在超辐射发光管芯的一侧；波片为1/2波片，热沉基底由钨铜材料制成。（3）热敏电阻为片状热敏电阻，热敏电阻包括：热敏电阻素体，具有在第一方向上彼此相对的第一主面和第二主面；第一电极和第二电极，分布在热敏电阻素体的第一主面，在与第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；第三电极，分布在热敏电阻素体的第二主面，以从第一方向看与第一电极和第二电极重叠的方式配置；第二方向上的第一电极与第二电极的沿面距离设定为比第二方向上的第一电极与第二电极的空间距离大；在第一主面上的第一电极与第二电极之间的区域，形成有凹凸；在第一主面上的第一电极与第二电极之间的区域，形成有沿着与第二方向交叉的方向延伸的槽；从第一方向看，第一主面位于第二主面的外轮廓的内侧，第一电极和第二电极位于第三电极的外轮廓的内侧。对于区别技术特征（1），对比文件2给出了将其应用至对比文件1的技术启示。对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种光隔离器的具体结构，其采用分光、偏振旋转再合光的结构设计，适用于低偏光源，本领域技术人员在面对具体构造适用于低偏SLED的光隔离器时，有动机选用对比文件3中的光隔离器；此外，分光晶体和第一胶合棱镜L1均能实现分光，带磁环的旋光晶体和磁光晶体C均能实现旋光，合光晶体和第二胶合棱镜L2均能实现合光，本领域技术人员可以选择采用分光晶体、带磁环的旋光晶体、合光晶体从功能上分别等效替换对比文件3中的第一胶合棱镜L1、磁光晶体C、第二胶合棱镜L2；为了能够更好地将SLED管芯所发出的热量传递到半导体制冷器上面，进而散热保持温度的恒定，采用热沉基底对整体系统进行控温，并将热沉基底设置在半导体制冷器上端面，将各光学元件依次设置位于同一水平轴线上且设置在热沉基底上端面，属于本领域的常用技术手段；将热敏电阻设置在SLED管芯的一侧以及采用钨铜材料制成热沉基底，属于本领域的常规选择。对于区别技术特征（3），对比文件4给出了将其应用至对比文件1的技术启示。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2-4以及公知常识以得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2.针对复审请求人的陈述意见进行了答复。
复审请求人于2019年09月20日提交了意见陈述书，未再次修改申请文件。复审请求人陈述了权利要求1具备创造性的理由为：1．复审通知书对区别技术特征（1）性质的认定说服力不足，没有证据说明“光学装置内部”即为“管壳内的SLED管芯”，“有动机”的结论有些牵强。2.复审通知书对区别技术特征（2）性质的认定说服力不足，没有证据证明“磁环”是“光学元件”，各个“光学元件”的光合性能是不一样的，将各个“光学元件”依次设置在同一水平轴线上认定为“属于本领域的常用技术手段”有些牵强，本领域技术人员无法得出区别技术特征（2）。3.本申请具有有益效果：整个隔离器均在管壳内部的热沉基底之上，这样的热沉基底能够保证整个光路系统的稳定性，不仅能够减小系统的空间体积，降低费用，同时热沉的控温能够确保整体系统的稳定性和可靠性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在复审阶段于2018年11月30日提出复审请求时提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其修改符合专利法第33条的规定。本审查决定针对的文本为：申请日2014年12月04日提交的说明书第1-5页、说明书附图第1-3页、说明书摘要、摘要附图，以及2018年11月30日提交的权利要求第1项。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，该区别技术特征部分被其它对比文件公开且给出了启示，部分属于公知常识，在该最接近的现有技术的基础上，结合其它对比文件和公知常识获得该权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
权利要求1请求保护一种低偏超辐射发光二极管。对比文件1公开了一种超辐射发光二极管SLED组件（参见第28页左栏，图1），SLED组件采用标准的8pin蝶形管壳或14pin双列直插式管壳气密封装，组件包括SLED管芯、半导体制冷器、热敏电阻、背光探测器等（相当于管壳内的部件），使用时可通过外电路实现温控、光控以使组件长期稳定工作；采用单模光纤或保偏光纤耦合输出；SLED发射的是部分偏振光，有70-80%的功率在平行于半导体结的“水平”偏振中（相当于低偏超辐射发光二极管）。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）包括集成于管壳内的光隔离器，在超辐射发光管芯和光隔离器之间设置第一透镜，在光隔离器的尾部设置第二透镜。（2）光隔离器包括第二透镜、合光晶体、波片、磁环、旋光晶体和分光晶体；管壳内还包含位于半导体制冷器上端面的热沉基底，热沉基底的上端面依次设置有位于同一水平轴线上的探测器、超辐射发光管芯、第一透镜、分光晶体、旋光晶体、磁环、波片、合光晶体和第二透镜，热敏电阻设置在超辐射发光管芯的一侧；波片为1/2波片，热沉基底由钨铜材料制成。（3）热敏电阻为片状热敏电阻，热敏电阻包括：热敏电阻素体，具有在第一方向上彼此相对的第一主面和第二主面；第一电极和第二电极，分布在热敏电阻素体的第一主面，在与第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；第三电极，分布在热敏电阻素体的第二主面，以从第一方向看与第一电极和第二电极重叠的方式配置；第二方向上的第一电极与第二电极的沿面距离设定为比第二方向上的第一电极与第二电极的空间距离大；在第一主面上的第一电极与第二电极之间的区域，形成有凹凸；在第一主面上的第一电极与第二电极之间的区域，形成有沿着与第二方向交叉的方向延伸的槽；从第一方向看，第一主面位于第二主面的外轮廓的内侧，第一电极和第二电极位于第三电极的外轮廓的内侧。
基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1实际解决的技术问题是提高系统稳定性和减少系统体积、如何实现光隔离和如何布置管壳内的部件以及采用何种热敏电阻。
关于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种光学装置10（参见说明书第[0001]、[0002]、[0006]、[0015]-[0021]段，图1），包括：第一透镜31，对激光光源30发出的激光进行准直；光隔离器20，位于第一透镜31之后，可以去除后续光学元件或光纤的反射光对光源的干扰，光隔离器20集成于光学装置10内部，可以减小装置体积；第二透镜，对通过光隔离器20的光线进行会聚后进入后续光学元件或光纤，可以进一步减小装置体积。可见，对比文件2给出了将光隔离器集成于光学装置内部并在光隔离器两侧分别设置第一透镜、第二透镜以提高系统稳定性和减少系统体积的技术启示，由此本领域技术人员有动机在对比文件1的管壳内的SLED管芯之后依次设置第一透镜、光隔离器和第二透镜以提高系统稳定性和减少系统体积。
关于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种光隔离器（参见说明书第[0021]-[0026]段，图1-4），包括第一胶合棱镜L1、磁光晶体C、半波片B、第二胶合棱镜L2、设有空腔的腔体，空腔的中心轴即为光轴，第一胶合棱镜L1、磁光晶体C、半波片B、第二胶合棱镜L2沿光路方向依次设置于空腔内的中心轴上；第一胶合棱镜L1由第一棱镜L11、与第一棱镜L11胶合固定的第二棱镜L12构成，第一棱镜L11与第二棱镜L12相向的端面为第一胶合面；第二胶合棱镜L2由第三棱镜L21、与第三棱镜L21胶合固定的第四棱镜L22构成，第三棱镜L21与第四棱镜L22相向的端面为第二胶合面；当一束自然光到达第一胶合面时，p光将透过该面，s光将被反射，当被反射的s光到达第二棱镜底端面时被反射，两束光p光和s光分别沿OP、O′P′两路进入磁光晶体C，由于法拉第效应的结果，使得从磁光晶体C中透过的两束光的偏振方向均向一个方向旋转一定的角度，该角度为45°；经过半波片B时，OP路光旋转45°，变成s光，O′P′路光旋转225°，变成p光；p光经第三棱镜顶端面和第二胶合面的反射，与从第二胶合面透射的s光融合，这样，第二胶合棱镜L2将s光和p光重新合成自然光；在反射光路中，反射光最后与入射方向垂直，不可能被反射回原光路，起到了对反射光的隔离作用。由此可知，对比文件3公开了一种光隔离器的具体结构，其采用分光、偏振旋转再合光的结构设计，适用于低偏光源，本领域技术人员在面对具体构造适用于低偏SLED的光隔离器时，有动机选用对比文件3中的光隔离器。此外，分光晶体和第一胶合棱镜L1均能实现分光，带磁环的旋光晶体和磁光晶体C均能实现旋光，合光晶体和第二胶合棱镜L2均能实现合光，本领域技术人员可以选择采用分光晶体、带磁环的旋光晶体、合光晶体从功能上分别等效替换对比文件3中的第一胶合棱镜L1、磁光晶体C、第二胶合棱镜L2；为了能够更好地将SLED管芯所发出的热量传递到半导体制冷器上面，进而散热保持温度的恒定，采用热沉基底对整体系统进行控温，并将热沉基底设置在半导体制冷器上端面，将各光学元件依次设置位于同一水平轴线上且设置在热沉基底上端面，属于本领域的常用技术手段；将热敏电阻设置在SLED管芯的一侧以及采用钨铜材料制成热沉基底，属于本领域的常规选择。
关于区别技术特征（3），对比文件4公开了一种片状热敏电阻（参见权利要求1-5，说明书第[0044]-[0053]段，图1-6），其包括：热敏电阻素体3，具有在第一方向上彼此相对的第一主面3a和第二主面3b；第一电极5和第二电极7，配置在热敏电阻素体3的第一主面3a，在与第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；以及第三电极9，配置在热敏电阻素体3的第二主面3b，以从第一方向看与第一电极5和第二电极7重叠的方式配置；第二方向上的第一电极5与第二电极7的沿面距离设定为比第二方向上的第一电极5与第二电极7的空间距离大；在第一主面3a上的第一电极5与第二电极7之间的区域，形成有凹凸；在第一主面3a上的第一电极5与第二电极7之间的区域，形成有沿着与第二方向交叉的方向延伸的槽11；从第一方向看，第一主面3a位于第二主面3b的外轮廓的内侧，第一电极5和第二电极7位于第三电极9的外轮廓的内侧。可见，区别技术特征（3）被对比文件4公开了，且其在对比文件4中所起的作用与其在权利要求1中所起的作用相同，都是提供一种高精度的片状热敏电阻，即对比文件4给出了技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件4中的片状热敏电阻应用到对比文件1中。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2-4以及公知常识以得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书的陈述意见，合议组认为：1.对比文件2给出了将光隔离器集成于光学装置内部并在光隔离器两侧分别设置第一透镜、第二透镜以提高系统稳定性和减少系统体积的技术启示，虽然光学装置不同于管壳，但是，对比文件1中的管壳与对比文件2中的光学装置10相对应，对比文件1中的SLED管芯与对比文件2中的激光光源30相对应，对比文件2中在激光光源30之后依次设置了第一透镜31、光隔离器20和第二透镜，基于对比文件2给出的技术启示，本领域技术人员有动机在对比文件1的管壳内的SLED管芯之后依次设置第一透镜、光隔离器和第二透镜以提高系统稳定性和减少系统体积。2.虽然“磁环”单独不能成为“光学元件”，但是带磁环的旋光晶体在本申请中构成一个“光学元件”，与对比文件3中的“磁光晶体C”等效；虽然各个“光学元件”的性能不一样，但是对比文件1-3中采用的相应光学元件在光路上是依次设置在同一水平轴线上的，基于前面关于区别技术特征（1）、（2）的评述可知，本领域技术人员得到区别技术特征（2）所限定的各个光学元件的布置是显而易见的。3.对比文件1公开的SLED组件“包括热敏电阻和半导体制冷器，使用时可通过外电路实现温控、光控以使组件长期稳定工作”，在此基础上，为了能够更好地将SLED管芯所发出的热量传递到半导体制冷器上面，进而散热保持温度的恒定，采用热沉基底对整体系统进行控温，并将热沉基底设置在半导体制冷器上端面，将各光学元件依次设置位于同一水平轴线上且设置在热沉基底上端面，属于本领域的常用技术手段；对比文件2给出了将光隔离器集成于光学装置内部并在光隔离器两侧分别设置第一透镜、第二透镜以提高系统稳定性和减少系统体积的技术启示；对比文件3给出了适用于低偏光源的光隔离器以实现光隔离的技术启示；对比文件4给出了采用高精度的片状热敏电阻的技术启示；由此，在对比文件1的基础上结合对比文件2-4以及公知常识可以预期得到本申请的技术效果。综上所述，复审请求人的陈述意见不具有说服力。
根据以上事实和理由，合议组做出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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