发明创造名称：影像感测器及其制作工艺
外观设计名称：
决定号：196189
决定日：2019-11-27
委内编号：1F275974
优先权日：
申请（专利）号：201310205544.7
申请日：2013-05-29
复审请求人：联华电子股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：熊洁
合议组组长：刘利芳
参审员：孙学锋
国际分类号：H01L27/146
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求与最接近的对比文件相比存在多个区别技术特征，但是该些区别技术特征的一部分特征分别被其它对比文件公开了，且该些部分特征在该对比文件中所起的作用与其在本申请中的作用相同，即该对比文件给出了将该部分技术特征应用到最接近的对比文件中的技术启示；该些区别技术特征的另一部分特征为本领域的公知常识，且该另一部分特征所起的技术效果是本领域技术人员可以预期的，本领域技术人员并不需要付出创造性的劳动即可得到该另一部分特征，则该权利要求相对于该些对比文件和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及发明名称为“影像感测器及其制作工艺”的第201310205544.7号发明专利申请（下称本申请），本申请的申请人为联华电子股份有限公司，申请日为2013年05月29日，公开日为2014年12月17日。
2019年01月18日，国家知识产权局实质审查部门针对申请日提交的说明书第1-54段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图、2018年12月27日提交的权利要求第1-16项，驳回了本申请。
驳回决定所引用的对比文件如下：
对比文件1：CN101447499A，公开日为2009年06月03日；
对比文件2：CN102683375A，公开日为2012年09月19日；
对比文件3：CN102637707A，公开日为2012年08月15日。
驳回决定认为：（1）权利要求1、10相对于对比文件1、2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）从属权利要求2、11、12、13的附加技术特征被对比文件3公开，从属权利要求3、4、8、14的附加技术特征为公知常识；从属权利要求5、6、7、15、16的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求9的附加技术特征是在有限实验的基础上能够得到的，在其引用的独立权利要求不具备创造性的基础上，上述从属权利要求也不具备创造性。
驳回决定针对的权利要求书如下：
“1. 一种影像感测器，包含：
透镜，用以接收光；
基底，包含一光感测元件于一光感测区，用以接收入射至该透镜的光，其中该基底具有一周边区，位于该光感测区旁，该周边区与该光感测区由一隔离结构电性绝缘；
介电层、第一介电层以及第二介电层，由下而上堆叠于该基底上，其中该第一介电层包含一金属内连线结构，该第二介电层具有一凹槽，该凹槽位于该介电层、该第一介电层上及于该透镜以及该光感测元件之间的一光路径上，该介电层包含MOS晶体管以及接触插塞；以及
彩色滤光片，设置于该凹槽中。
2. 如权利要求1所述的影像感测器，还包含：
蚀刻停止层，位于该第一介电层以及该第二介电层之间，以覆盖该金属内连线结构但暴露出该第一介电层的一部分，而该部分位于该透镜以及该光感测元件之间的光路径上。
3. 如权利要求2所述的影像感测器，其中该凹槽暴露出该第一介电层的该部分，因此该彩色滤光片直接设置于该第一介电层上。
4. 如权利要求2所述的影像感测器，其中该蚀刻停止层包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层。
5. 如权利要求1所述的影像感测器，其中该第二介电层包含一堆叠的介电层。
6. 如权利要求1所述的影像感测器，还包含：
材料层，位于该透镜以及该彩色滤光片之间。
7. 如权利要求6所述的影像感测器，其中该材料层具有一延伸部，填充该凹槽并接触该彩色滤光片。
8. 如权利要求6所述的影像感测器，其中该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂。
9. 如权利要求1所述的影像感测器，其中该彩色滤光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)～2微米(micrometer,μm)。
10. 一种影像感测制作工艺，包含：
提供一基底，包含一光感测元件于一光感测区中，其中该基底具有一周边区，位于该光感测区旁，该周边区与该光感测区由一隔离结构电性绝缘；
依序形成一介电层、一第一介电层以及一第二介电层堆叠于该基底上，其中该介电层包含MOS晶体管以及接触插塞，该第一介电层包含一金属内连线结构；
形成一凹槽于该第二介电层中，其中该凹槽位于该介电层、该第一介电层上；
形成一彩色滤光片于该第一介电层上的该凹槽中；以及
形成一透镜于该彩色滤光片的上方，以使该光感测元件接收入射至该透镜并且通过该彩色滤光片的光。
11. 如权利要求10所述的影像感测制作工艺，还包含：
形成一蚀刻停止层于该第一介电层以及该第二介电层之间，以覆盖该金属内连线结构但暴露出该第一介电层的一部分，而该部分位于该透镜以及该光感测元件的一光路径上。
12. 如权利要求10所述的影像感测制作工艺，还包含：
形成一蚀刻停止层于该第一介电层以及该第二介电层之间，以停止用以形成该凹槽的一蚀刻制作工艺。
13. 如权利要求12所述的影像感测制作工艺，在形成该凹槽之后，还包含：
进行一蚀刻制作工艺，以蚀刻该蚀刻停止层的一部分，而该部分位于该透镜以及该光感测元件之间的一光路径上。
14. 如权利要求12所述的影像感测制作工艺，其中该蚀刻停止层包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层。
15. 如权利要求10所述的影像感测制作工艺，在形成该透镜之前，还包含：
形成一材料层于该彩色滤光片的上方。
16. 如权利要求15所述的影像感测制作工艺，其中该材料层具有一延伸部，填充该凹槽并接触该彩色滤光片。”
2019年03月11日，申请人联华电子股份有限公司（下称请求人）对上述驳回决定不服，向国家知识产权局提出复审请求，请求人在提出复审请求时对权利要求书进行了修改，修改如下：将原从属权利要求9的附加技术特征“该彩色滤光片的厚度介于1微米（micrometer, μm）～2微米（micrometer, μm）”加入原独立权利要求1、10，删除原从属权利要求9，并适应性调整权利要求的序号和引用关系。
请求人认为：1.修改后的权利要求1与对比文件1-3的区别特征为：（1）彩色滤光片具有1-2微米之间的厚度；（2）影像感测器包括第一介电层，第一介电层位于介电层和第二介电层之间，其中该第一介电层包含一金属内连线结构，凹槽位于第一介电层上，介电层包含接触插塞。上述区别（1）不是在现有技术的基础上通过有限的实验后可获得的，上述区别（2）并不是本领域的公知常识，综上所述，修改后的权利要求1应具备创造性，同理，独立权利要求9也具备创造性。2.在独立权利要求1、9具备创造性的基础上，其从属权利要求也具备创造性。
经形式审查合格后，国家知识产权局受理了该复审请求，并于2019年03月15日向请求人发出了复审请求受理通知书，同时将本申请转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
前置审查意见认为请求人主张的理由均不成立，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局组成合议组，对本复审请求进行审理，并于2019年06月24日向请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1、9相对于对比文件1、2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）从属权利要求2、10、11、12的附加技术特征被对比文件3公开，从属权利要求3、4、8、13的附加技术特征为公知常识；从属权利要求5、6、7、14、15的附加技术特征被对比文件1公开，在其引用的独立权利要求不具备创造性的基础上，上述从属权利要求也不具备创造性。
针对上述复审通知书，请求人于2019年07月25日提交了意见陈述书，并对权利要求书进行了修改，在权利要求1中加入了原权利要求6、8的附加技术特征：“材料层，位于该透镜以及该彩色滤光片之间，该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂”；在原权利要求9中加入了“形成一材料层于该彩色滤光片的上方，该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂”、“其中该透镜接触该材料层”，将“形成一透镜于该彩色滤光片的上方”修改为“形成一透镜于该彩色滤光片和该材料层的上方”，删除了原权利要求6、8、14。
修改后的权利要求书如下：
“1. 一种影像感测器，包含：
透镜，用以接收光；
基底，包含一光感测元件于一光感测区，用以接收入射至该透镜的光，其中该基底具有一周边区，位于该光感测区旁，该周边区与该光感测区由一隔离结构电性绝缘；
介电层、第一介电层以及第二介电层，由下而上堆叠于该基底上，其中该第一介电层包含一金属内连线结构，该第二介电层具有一凹槽，该凹槽位于该介电层、该第一介电层上及于该透镜以及该光感测元件之间的一光路径上，该介电层包含MOS晶体管以及接触插塞；
彩色滤光片，设置于该凹槽中，其中该彩色滤光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)～2微米(micrometer,μm)；以及
材料层，位于该透镜以及该彩色滤光片之间，该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂。
2. 如权利要求1所述的影像感测器，还包含：
蚀刻停止层，位于该第一介电层以及该第二介电层之间，以覆盖该金属内连线结构但暴露出该第一介电层的一部分，而该部分位于该透镜以及该光感测元件之间的光路径上。
3. 如权利要求2所述的影像感测器，其中该凹槽暴露出该第一介电层的该部分，因此该彩色滤光片直接设置于该第一介电层上。
4. 如权利要求2所述的影像感测器，其中该蚀刻停止层包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层。
5. 如权利要求1所述的影像感测器，其中该第二介电层包含一堆叠的介电层。
6. 如权利要求1所述的影像感测器，其中该材料层具有一延伸部，填充该凹槽并接触该彩色滤光片。
7. 一种影像感测制作工艺，包含：
提供一基底，包含一光感测元件于一光感测区中，其中该基底具有一周边区，位于该光感测区旁，该周边区与该光感测区由一隔离结构电性绝缘；
依序形成一介电层、一第一介电层以及一第二介电层堆叠于该基底上， 其中该介电层包含MOS晶体管以及接触插塞，该第一介电层包含一金属内连线结构；
形成一凹槽于该第二介电层中，其中该凹槽位于该介电层、该第一介电层上；
形成一彩色滤光片于该第一介电层上的该凹槽中，该彩色滤光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)～2微米(micrometer,μm)；
形成一材料层于该彩色滤光片的上方，该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂；以及
形成一透镜于该彩色滤光片和该材料层的上方，以使该光感测元件接收入射至该透镜并且通过该彩色滤光片的光，其中该透镜接触该材料层。
8. 如权利要求7所述的影像感测制作工艺，还包含：
形成一蚀刻停止层于该第一介电层以及该第二介电层之间，以覆盖该金属内连线结构但暴露出该第一介电层的一部分，而该部分位于该透镜以及该光感测元件的一光路径上。
9. 如权利要求7所述的影像感测制作工艺，还包含：
形成一蚀刻停止层于该第一介电层以及该第二介电层之间，以停止用以形成该凹槽的一蚀刻制作工艺。
10. 如权利要求9所述的影像感测制作工艺，在形成该凹槽之后，还包含：
进行一蚀刻制作工艺，以蚀刻该蚀刻停止层的一部分，而该部分位于该透镜以及该光感测元件之间的一光路径上。
11. 如权利要求9所述的影像感测制作工艺，其中该蚀刻停止层包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层。
12. 如权利要求9所述的影像感测制作工艺，其中该材料层具有一延伸部，填充该凹槽并接触该彩色滤光片。”
请求人在意见陈述书中认为：修改后的权利要求1与对比文件1-3的区别特征在于：（1）影像感测器包含第一介电层，该第一介电层位于介电层与第二介电层之间，第一介电层包含一金属内连线结构，凹槽位于第一介电层上；（2）彩色滤光片的厚度介于1-2微米之间；（3）材料层位于该透镜以及该彩色滤光片之间，该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂。上述区别特征也不是本领域的公知常识。因此，权利要求1具备创造性，同理，独立权利要求7也具备创造性，其从属权利要求也具备创造性。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
请求人在2019年07月25日针对复审通知书提交意见陈述书时，提交了权利要求书的全文替换页。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定依据的文本为：请求人于申请日提交的说明书第1-54段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图，2019年07月25日提交的权利要求第1-12项。
（二） 具体理由的阐述 专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求与最接近的对比文件相比存在多个区别技术特征，但是该些区别技术特征的一部分特征分别被其它对比文件公开了，且该些部分特征在该对比文件中所起的作用与其在本申请中的作用相同，即该对比文件给出了将该部分技术特征应用到最接近的对比文件中的技术启示；该些区别技术特征的另一部分特征为本领域的公知常识，且该另一部分特征所起的技术效果是本领域技术人员可以预期的，本领域技术人员并不需要付出创造性的劳动即可得到该另一部分特征，则该权利要求相对于该些对比文件和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本决定在评述权利要求创造性时所使用的对比文件与驳回决定以及复审通知书中使用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN101447499A，公开日为2009年06月03日；
对比文件2：CN102683375A，公开日为2012年09月19日；
对比文件3：CN102637707A，公开日为2012年08月15日。
1、权利要求1不符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
权利要求1请求保护一种影像感测器。对比文件1公开了一种图像传感器（相当于影像感测器），并具体公开了以下技术特征（参见说明书第2页倒数第13行-第5页倒数第7行，附图1-7）：包含：微透镜65（相当于透镜），用以接收光；半导体衬底10（相当于基底），包含一光接收元件15（相当于光感测元件）于光接收元件15所在区域（相当于光感测区，以下统一称为A区）和隔离层5，光接收元件15用以接收入射至该微透镜65的光；电路层20、金属互连层30（相当于第二介电层），由下而上堆叠于该半导体衬底10上，该金属互连层30具有一沟槽37（相当于凹槽），该凹槽37于该电路层20上及于该微透镜65以及该光接收元件15之间的一光路径上；以及第一至第三光致抗蚀剂滤色镜51、52及53（相当于彩色滤光片），设置于该凹槽37中。
对于对比文件1中的电路层20，对比文件1公开了：电路层20可包括本领域公知的任意适合的电路元件，例如晶体管。由此可见，电路层20必然具有介电层以及插塞，才能使晶体管形成于该层中，因此，电路层20相当于权利要求1中的介电层。此外，对比文件1涉及CMOS图像传感器，则电路层20必然亦包含MOS晶体管及接触插塞，即对比文件1公开了权利要求1中的“介电层包含MOS晶体管以及接触插塞”。对比文件1还公开了（参见说明书第4页倒数第2行-第5页第2行，附图7）：第一保护层61（相当于材料层），位于该微透镜65（相当于透镜）以及该第一至第三光致抗蚀剂滤色镜51、52及53（相当于彩色滤光片）之间。
可见，权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）其中该基底具有一周边区，位于该光感测区旁；该周边区与该光感测区由一隔离结构电性绝缘；（2）影像传感器还包含第一介电层，第一介电层位于介电层和第二介电层之间，其中该第一介电层包含一金属内连线结构，凹槽位于第一介电层上，介电层包含接触插塞；（3）彩色滤光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)～2微米(micrometer,μm)；（4）材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂。
基于上述区别技术特征，其实际解决的技术问题是：（1）如何实现信号传输以及实现更好的感光性能；（2）优化通过材料层至彩色滤光片以及光感测元件的光路径，提高光感测元件的光接收量。
对于上述区别技术特征（1），对比文件2公开了（参见说明书第[0041]-[0070]段，附图1-9）一种CMOS图像传感器（相当于影像感测器），包含半导体衬底20（相当于基底），其中该半导体衬底20具有位于光电二极管21、21’所在区域（相当于光感测区）旁的区域（包括金属互连线以及电路，相当于周边区）。可见，上述区别技术特征已被对比文件2公开，并且上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，均是形成影像感测器。因此，对比文件2给出了将上述区别技术特征应用到对比文件1以解决其技术问题的启示。此外，在周边区与光感测区之间设置一隔离结构从而实现两区的电性绝缘，是一种常规设置，属于本领域的公知常识。
对于上述区别技术特征（2），为了实现信号传输，本领域技术人员在对比文件1中的电路层20（相当于介电层）和金属互连层30（相当于第二介电层）之间形成包含金属内连线结构的介电层（相当于第一介电层），并在需要时设置接触插塞以实现与其他层的电连接，属于本领域的公知常识；此时介电层、第一介电层和第二介电层由下而上堆叠于基底上，凹槽位于第二介电层上。
对于上述区别技术特征（3），请求人认为：本申请所述彩色滤光片厚度的大小直接影响到本申请感光度优劣及各波段的色分能力的好坏，只有使该彩色滤光片达到最佳厚度如介于1-2微米并且搭配本申请的其它特征才可获得较佳感光度及各波段较佳的色分能力等预料不到的技术效果。对此，合议组认为，对比文件1公开了（说明书第1页最后一段）：可在沟槽中形成滤色镜，以减少光程的长度，从而改善图像传感器的性能；以及在说明书第4页第7-8段详细公开了如何根据不同波长选择不同厚度的滤色镜。因此，本领域技术人员在现有技术的基础上，能够得到启示根据滤光片通过的光的波长情况，根据实际需要选择滤光片的厚度，这对本领域技术人员来说是在现有技术的基础上显而易见的。而且，本申请中亦未具体公开1-2微米厚度的滤光片相对于其他厚度是否有预料不到技术效果，因此，请求人的理由不成立。
对于上述区别技术特征（4），本领域技术人员利用包含一透明材料或一光致抗蚀剂形成的材料层来优化通过材料层至彩色滤光片以及光感测元件的光路径、提高光感测元件的光接收量，这是一种常规的技术手段，不需要付出创造性的劳动。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案对于本领域的技术人员来说是显而易见的。因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2．关于权利要求2
权利要求2是权利要求1的从属权利要求。其附加技术特征涉及各介电层的结构，其实际解决的技术问题是如何在各介电层中实现对凹槽蚀刻的控制。对比文件3公开了（参见说明书第[0044]-[0047]、[0069]-[0083]段，附图4A-5B、10A-11D）固态图像拾取装置（相当于影像感测器）的具体制作方法，其含：绝缘膜10062（附图11D，形成绝缘膜10062的由硅氮化物绝缘膜1006作为蚀刻阻止膜，绝缘膜10062相当于蚀刻停止层），位于绝缘膜1004（相当于第一介电层）以及绝缘膜10062以上的层（相当于第二介电层）之间，以覆盖第一到第三布线层1005、1008、1011（相当于金属内连线结构）但暴露出绝缘膜1004的一部分，而该部分位于微透镜以及电荷累积部分1002（相当于光感测元件）之间的光路径上，通过设置形成为绝缘膜10062的绝缘膜1006可实现对开口1103（相当于凹槽）蚀刻的控制。可见，权利要求2的附加技术特征已被对比文件3公开，并且上述特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，均是实现对凹槽蚀刻的控制。因此，对比文件3给出了将上述技术特征应用到对比文件1以解决其技术问题的启示。也就是说，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求3
权利要求3是权利要求2的从属权利要求。在上述对比文件公开内容的基础上，本领域技术人员令凹槽暴露出第一介电层的该部分，该彩色滤光片直接设置于该第一介电层上，是一种常规设置，属于公知常识。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于权利要求4
权利要求4是权利要求2的从属权利要求。如上所述，对比文件3已经公开了使用硅氮化物1006作为蚀刻停止层，而且，本领域技术人员利用包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层作为蚀刻停止层，也是一种常规材料选择，属于公知常识。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、关于权利要求5
权利要求5是权利要求1的从属权利要求。对比文件1公开了（参见附图1）其中该金属互连层30（相当于第二介电层）包含一堆叠的介电层。可见其附加技术特征已被公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、关于权利要求6
权利要求6是权利要求1的从属权利要求。对比文件1公开了（参见附图7）其中该第一保护层61（相当于材料层）具有一延伸部，填充该凹槽37并接触该第二、第三光致抗蚀剂滤色镜52及53（相当于彩色滤光片）。可见其附加技术特征已被公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、关于权利要求7
权利要求7请求保护一种影像感测制作工艺。对比文件1公开了一种制造图像传感器的方法（相当于影像感测制作工艺），并具体公开了以下技术特征（参见说明书第2页倒数第13行-第5页倒数第7行，附图1-7）：包含：提供一半导体衬底10（相当于基底），包含一光接收元件15（相当于光感测元件）于光接收元件15所在区域（相当于光感测区，以下统一称为A区）中；依序形成一电路层20（相当于介电层）以及一金属互连层30（相当于第二介电层）于该半导体衬底10上，其中该电路层20包含MOS晶体管；形成一凹槽37于该金属互连层30中，其中该凹槽37位于该电路层20上；形成第一至第三光致抗蚀剂滤色镜51、52及53（相当于公开了一彩色滤光片）于电路层20上的该凹槽37中；以及形成一微透镜65（相当于透镜）于该第一至第三光致抗蚀剂滤色镜51、52及53的上方，以使该光接收元件15接收入射至该微透镜65并且通过该第一至第三光致抗蚀剂滤色镜51、52及53的光。
对于对比文件1中的电路层20，对比文件1公开了，电路层20可包括本领域公知的任意适合的电路元件，例如晶体管。由此可见，电路层20必然具有介电层以及插塞，才能使晶体管形成与该层中，因此，电路层20相当于权利要求7中的介电层。此外，对比文件1涉及CMOS图像传感器，则电路层20必然亦包含MOS晶体管及接触插塞，即对比文件1公开了权利要求7中的“介电层包含MOS晶体管以及接触插塞”。对比文件1还公开了（参见说明书第4页倒数第2行-第5页第2行，附图7）在形成微透镜65（相当于透镜）之前，还包含：形成一第一保护层61（相当于材料层）于该第一至第三光致抗蚀剂滤色镜51、52及53（相当于彩色滤光片）的上方。
可见，权利要求7与对比文件1的区别技术特征为：（1）其中该基底具有一周边区，位于该光感测区旁，该周边区与该光感测区由一隔离结构电性隔离；（2）依序形成一介电层、一第一介电层以及一第二介电层堆叠于该基底上，其中该介电层还包含接触插塞，该第一介电层包含一金属内连线结构，凹槽位于第一介电层上；（3）彩色滤光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)～2微米(micrometer,μm)。（4）该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂，该透镜接触该材料层。
基于上述区别技术特征，其实际解决的技术问题是：（1）如何实现信号传输以及实现更好的感光性能；（2）优化通过材料层至彩色滤光片以及光感测元件的光路径，提高光感测元件的光接收量。
关于区别技术特征（1），对比文件2公开了（参见说明书第[0041]-[0070]段，附图1-9）一种CMOS图像传感器（相当于影像感测器），包含半导体衬底20（相当于基底），其中该半导体衬底20具有位于光电二极管21、21’所在区域（相当于光感测区）旁的区域（包括金属互连线以及电路，相当于周边区）。可见，上述区别技术特征已被对比文件2公开，并且上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，均是形成影像感测器。因此，对比文件2给出了将上述区别技术特征应用到对比文件1以解决其技术问题的启示。此外，在周边区与光感测区之间设置一隔离结构从而实现两区的电性绝缘，是一种常规设置，属于公知常识。
关于区别技术特征（2），为了实现信号传输，本领域技术人员在对比文件1中的电路层20（相当于介电层）和金属互连层30（相当于第二介电层）之间形成包含金属内连线结构的第一介电层、令电路层20还包含接触插塞，也是一种常规设置，属于公知常识；此时介电层、第一介电层和第二介电层由下而上堆叠于基底上，凹槽位于第一介电层上。
关于区别技术特征（3），请求人认为：本申请所述彩色滤光片厚度的大小直接影响到本申请感光度优劣及各波段的色分能力的好坏，只有使该彩色滤光片达到最佳厚度如介于1-2微米并且搭配本申请的其它特征才可获得较佳感光度及各波段较佳的色分能力等预料不到的技术效果。对此，合议组认为，对比文件1公开了（说明书第1页最后一段）：可在沟槽中形成滤色镜，以减少光程的长度，从而改善图像传感器的性能；以及在说明书第4页第7-8段详细公开了如何根据不同波长选择不同厚度的滤色镜。因此，本领域技术人员在现有技术的基础上，能够得到启示根据滤光片通过的光的波长情况，根据实际需要选择滤光片的厚度，这对本领域技术人员来说是在现有技术的基础上显而易见的。而且，本申请中亦未具体公开1-2微米厚度的滤光片相对于其他厚度是否有预料不到技术效果，因此，请求人的理由不成立。
关于区别技术特征（4），本领域技术人员利用包含一透明材料或一光致抗蚀剂形成的材料层来优化通过材料层至彩色滤光片以及光感测元件的光路径、提高光感测元件的光接收量，这是一种常规的技术手段，透镜与材料层直接接触或不接触，都是本领域普通技术人员可以根据实际需要选择的，不需要付出创造性的劳动。
综上所述，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求7的技术方案对于本领域的技术人员来说是显而易见的。因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、关于权利要求8
权利要求8是权利要求7的从属权利要求，其附加技术特征与从属权利要求2的附加技术特征对应，基于对权利要求2的创造性评述可知，该附加技术特征已被对比文件3公开，并且上述特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，均是实现对凹槽蚀刻的控制。因此，对比文件3给出了将上述区别技术特征应用到对比文件1以解决其技术问题的启示。也就是说，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、关于权利要求9
权利要求9是权利要求7的从属权利要求。对比文件3公开了（参见说明书第[0077]-[0083]段，附图11A-11D）还包含：形成一绝缘膜1006（相当于蚀刻停止层）于该绝缘膜1004（相当于第一介电层）以及绝缘膜10062以上的层（相当于第二介电层）之间，以停止用以形成该开口1103（相当于凹槽）的一蚀刻制作工艺。可见其附加技术特征已被公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、关于权利要求10
权利要求10是权利要求9的从属权利要求。对比文件3公开了（参见说明书第[0044]-[0047]、[0077]-[0083]段，附图4A-5B、11A-11D）还包含：进行一蚀刻制作工艺，以蚀刻该绝缘膜1006（相当于蚀刻停止层）的一部分，而该部分位于该透镜以及该电荷累积部分1002（相当于光感测元件）之间的一光路径上。可见其附加技术特征已被公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11、关于权利要求11
权利要求11是权利要求9的从属权利要求。本领域技术人员利用包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层作为蚀刻停止层，是一种常规材料选择，属于公知常识。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12、关于权利要求12
权利要求12是权利要求9的从属权利要求。对比文件1公开了（参见附图7）其中该第一保护层61（相当于材料层）具有一延伸部，填充该凹槽37并接触该第二、第三光致抗蚀剂滤色镜52及53（相当于彩色滤光片）。可见其附加技术特征已被公开。因此当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对请求人意见陈述的评述
对于请求人2019年07月25日提交的上述理由，合议组认为：
参考针对权利要求1的创造性的评述，上述区别技术特征（1）被对比文件2公开了，上述区别技术特征（2）-（4）均为本领域的公知常识，权利要求1相对于对比文件1、2和公知常识的结合不具备创造性。同理，独立权利要求7相对于对比文件1、2和公知常识的结合也不具备创造性。因此复审请求人陈述的上述理由不成立。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月18日对201310205544.7号发明专利申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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