发明创造名称：半导体器件和电子装置
外观设计名称：
决定号：196170
决定日：2019-11-26
委内编号：1F294645
优先权日：2013-03-18
申请（专利）号：201480010495.4
申请日：2014-03-07
复审请求人：索尼公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王磊
合议组组长：商纪楠
参审员：吕媛
国际分类号：H01L27/14;H04N5/369
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征属于公知常识，一部分区别技术特征被另一对比文件公开，另一部分区别技术特征既未被其它现有技术所公开，也不属于本领域的公知常识，且上述另一部分区别技术特征使得权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该权利要求相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480010495.4，名称为“半导体器件和电子装置”的PCT发明专利申请（下称本申请）。申请人为索尼公司。本申请的申请日为2014年03月07日，优先权日为2013年03月18日，进入中国国家阶段日为2015年08月25日，公开日为2015年11月18日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年04月17日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1相对于对比文件1（US2012267744A1，公开日为2012年10月25日）和对比文件2（WO2012008387A1，公开日为2012年01月19日）以及公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）该器件还包括透光板，其设置在基板上并覆盖光学元件，且透镜位于透光板下；（2）透镜由无机材料制成。上述区别技术特征（1）属于公知常识，上述区别技术特征（2）被对比文件2公开。因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-11的附加技术特征或在对比文件1中公开，或在对比文件2中公开，或在对比文件3（US2012199928A1，公开日为2012年08月09日）中公开，或属于公知常识，因此从属权利要求2-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：依据专利合作条约第28条或者第41条提交的修改，说明书第64-85,96-104段、说明书附图图2、摘要附图；2015年08月25日提交的说明书第1-63,86-95,105-204段、说明书附图1、3-11、说明书摘要；2019年03月29日提交的权利要求第1-13项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件，其包括：
多层基板，所述基板包含光学元件；
透光板，所述透光板设置在所述基板上并且覆盖所述光学元件；和
透镜，所述透镜由无机材料制成并且设置在所述基板与所述透光板之间，
其中，当俯视观察所述基板时，在形成有所述光学元件的有效感光区域的外侧的一部分区域设置有具有与所述透镜的每单位面积强度相同的强度的结构。
2. 根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第一有机材料层，所述第一有机材料层设置在所述透镜的下方；和
第二有机材料层，所述第二有机材料层设置在所述透镜的上方。
3. 根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述结构具有与所述透镜相同的形状并且由所述无机材料形成。
4. 根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述结构是平面膜，所述平面膜由与所述透镜相同的材料形成并且具有与所述透镜相同的每单位面积体积。
5. 根据权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述结构是被设计为具有与所述透镜相同的每单位面积强度的平面膜。
6. 根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，还包括：
膜，所述膜的一端被设置为所述透镜的延伸且所述膜的另一端连接至所述基板的预定层。
7. 根据权利要求6所述的半导体器件，
其中，所述膜被连续地设置为包围所述有效感光区域。
8. 根据权利要求6所述的半导体器件，
其中，所述膜被非连续地设置为包围所述有效感光区域。
9. 根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，
其中，所述无机材料是氮化硅。
10. 根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，
其中，所述半导体器件是背面照射型摄像元件。
11. 根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，
其中，所述半导体器件是正面照射型摄像元件。
12. 一种半导体器件，其包括：
多层基板，所述基板包含光学元件；
透光板，所述透光板设置在所述基板上并且覆盖所述光学元件；和
透镜，所述透镜由无机材料制成并且设置在所述基板与所述透光板之间，
其中，所述透镜的一部分被由与所述透镜相同的材料形成的膜连接至所述基板的预定层。
13. 一种电子装置，其包括：
半导体器件，所述半导体器件是如权利要求1至12中任一项所述的半导体器件；和
信号处理单元，所述信号处理单元对从所述半导体器件输出的像素信号进行信号处理。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年08月01日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改权利要求。复审请求人认为：对比文件1-3并未公开权利要求1中的技术特征“在形成有所述光学元件的有效感光区域的外侧的一部分区域设置有具有与所述透镜的每单位面积强度相同的强度的结构”。对比文件1的无效像素区9并不等同于本申请的“形成有所述光学元件的有效感光区域的外侧的一部分”。并且，尽管透镜31也形成在无效像素区9，但其并不具有与透镜的每单位面积强度相同的强度的结构。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年08月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：权利要求1中的技术特征“在形成有所述光学元件的有效感光区域的外侧的一部分区域设置有具有与所述透镜的每单位面积强度相同的强度的结构”，其“结构”是指透镜层，不包括透镜层下的光电二极管（本申请）或光接收部23（对比文件1），也不包括其下间隔壁29，其强度仅仅只与透镜（本申请220和对比文件1中31）的材料和尺寸有关。由此，复审请求人认为光接收部23也属于该结构的一部分是不合理的。对比文件1中有效像素区11和无效像素区9中间隔壁29宽度不同，并不能断定其上方形成的透镜31尺寸不同，因为透镜31的尺寸是由间隔壁29的宽度和相邻间隔壁29的间距之和决定的，且在说明书第147段中记载了，无效像素区9的间隔壁29的间距大于有效像素区11的间隔壁29的间距。与此同时，如图6B所示，即使在无效像素区9不存在间隔壁29的情况下，每个PD 23之上都对应具有一个透镜31，而所有的PD 23都是在同一工艺中形成，在对比文件1没有特殊工艺的情况下，PD 23的间距是相等的，由此整个区域3上方的透镜31也是相同间距，相同尺寸的，因此有效像素区11和无效像素区9中透镜每单位面积强度相同。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年08月01日提交复审请求时未提交权利要求书的修改替换页。本复审决定针对的文本为：复审请求人依据专利合作条约第28条或者第41条提交的修改，说明书第64-85,96-104段、说明书附图图2、摘要附图；2015年08月25日提交的说明书第1-63,86-95,105-204段、说明书附图1、3-11、说明书摘要；2019年03月29日提交的权利要求第1-13项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。”
如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在多个区别技术特征，其中一部分区别技术特征属于公知常识，一部分区别技术特征被另一对比文件公开，另一部分区别技术特征既未被其它现有技术所公开，也不属于本领域的公知常识，且上述另一部分区别技术特征使得权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该权利要求相对于现有技术具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2012267744A1，公开日为2012年10月25日；
对比文件2：WO2012008387A1，公开日为2012年01月19日；
对比文件3：US2012199928A1，公开日为2012年08月09日。
2.1权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种半导体器件。对比文件1公开了一种正面照射型摄像器件，并具体公开了（参见对比文件1说明书第0036-0072段，图1-2B）：该器件包括多层基板21，基板21中包含光电二极管PD 23（相当于光学元件），微透镜31，设置在基板21上，当俯视观察基板21时，在形成有光电二极管PD 23的有效像素区11的外侧的无效像素区域9上也设置有透镜31，无效像素区9中的PD 23与图像输出或对输出进行的计算处理无关（相当于有效感光区域的外侧的一部分区域）。
该权利要求与对比文件1的区别技术特征是：（1）透光板，其设置在基板上并覆盖光学元件，且透镜位于透光板下；（2）透镜由无机材料制成；（3）有效感光区域外侧的一部分区域设置有具有与透镜的每单位面积强度相同的强度的结构。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：（1）提供透光封盖；（2）具体限定透镜材料；（3）提供应力弛豫结构以防止透镜褶皱或变形。
对于区别技术特征（1），在摄像器件的透镜外部设置一层覆盖玻璃是本领域的常用技术手段。
针对区别技术特征（2），对比文件2公开了一种固态成像元件，并具体公开了（参见对比文件2说明书第0022-0042段，图1）：该元件包括由氮化硅制成的微透镜层23。
对于区别技术特征（3），对比文件1-3并未公开该区别技术特征，且该区别技术特征也不属于公知常识，而该区别技术特征能够实现通过在有效感光区域外围的区域中设置与有效感光区域所形成的透镜材料的每单位面积强度相同的强度或每单位面积体积相同的体积的结构，从而缓解有效感光区域中的透镜材料的应力以避免其产生褶皱或变形，从而提高芯片均匀性，提高集光特性的有益技术效果。
因此，权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1-3和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，符合专利法第22条第3款关于创造性的规定。
2.2从属权利要求2-11直接或间接引用权利要求1，在权利要求1具备创造性时，权利要求2-11也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对驳回决定以及前置审查意见的评述
对于驳回决定和前置审查意见，合议组认为：对比文件1在有效像素区11及其外围的无效像素区9中形成了不同宽度的分隔壁29，其中有效像素区11中的分隔壁29的宽度大于无效像素区9中的分隔壁29的宽度，对比文件1实际解决的技术问题为：利用上述不同宽度的分隔壁29的结构，使得各个分隔壁29之间形成的滤色器层27在有效像素区11和无效像素区9中的厚度保持均匀。虽然对比文件1说明书以及相应附图记载和图示了在有效像素区11和无效像素区9中均形成了微透镜31，但对比文件1并未公开形成在无效像素区9中的微透镜31的每单位面积强度或每单位面积体积与有效像素区11中的微透镜31的相应强度和体积相同，也未公开形成在无效像素区9中的微透镜31能够作为应力弛豫结构而缓解有效像素区11中形成的微透镜31发生的褶皱或变形。而且对比文件1与本申请解决的技术问题不同，不能认为对比文件1中公开的无效像素区9中形成的微透镜31能够作为应力弛豫结构而解决本申请声称解决的技术问题，且上述区别技术特征也未被对比文件2-3公开，也不属于本领域公知常识。因此权利要求1-11相对于对比文件1-3和公知常识的结合具备创造性。
基于上述理由，合议组对驳回决定和前置审查意见不予支持。至于本申请是否还存在其它不符合专利法及实施细则的缺陷，留待原审查部门在后续程序中继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019 年04 月17 日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在复审请求人依据专利合作条约第28条或者第41条提交的修改，说明书第64-85,96-104段、说明书附图图2、摘要附图；2015年08月25日提交的说明书第1-63,86-95,105-204段、说明书附图1、3-11、说明书摘要；2019年03月29日提交的权利要求第1-13项的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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