发明创造名称：表膜组件和其制造方法
外观设计名称：
决定号：196142
决定日：2019-11-26
委内编号：1F268289
优先权日：2015-05-29
申请（专利）号：201510860072.8
申请日：2015-11-30
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：肖远
合议组组长：朱宇澄
参审员：王睿爽
国际分类号：G03F7/20
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件所公开的方案相比存在区别技术特征，而其他对比文件也未公开上述区别技术特征并且未给出采用该区别特征相关技术手段以解决其技术问题的技术启示，并且没有证据或充分理由证明该区别技术特征属于本领域的公知常识，且该技术方案能产生有益的技术效果，则该技术方案具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510860072.8，名称为“表膜组件和其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2015年11月30日，优先权日为2015年05月29日，公开日为2016年12月07日，申请人为台湾积体电路制造股份有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月11日发出驳回决定，驳回了本发明专利申请，其理由是：权利要求1-18不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。在驳回决定中引用如下2篇对比文件：
对比文件1：US 2006/0246234 A1，公开日期为2006年11月02日；
对比文件2：US 2014/0202952 A1，公开日期为2014年07月24日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2015年11月30日提交的说明书摘要、说明书第1-60段、摘要附图、说明书附图图1-2、3A-3C、4A-4B、5-7，以及于2018年4月25日提交的权利要求第1-18项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种用于半导体光刻过程的系统，其包括：
薄膜；
表膜框架，其固定跨越所述表膜框架的所述薄膜，其中所述表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成；以及
包含经图案化表面的掩模，其中所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与所述掩模之间的粘着剂层直接粘结到所述掩模，且其中所述薄膜与所述经图案化表面相距一相隔距离悬置；
其中所述均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。
2. 根据权利要求1所述的系统，其中所述多个孔隙通道形成有序布置，且其中所述多个孔隙通道中的每一者从所述表膜框架的所述外部表面上的第一开口延伸到所述表膜框架的所述内部表面上的第二开口。
3. 根据权利要求1所述的系统，
其中内部空间由所述薄膜的底部表面、所述掩模的顶部表面和所述表膜框架的所述内部表面界定。
4. 根据权利要求1所述的系统，其中所述多个孔隙通道经配置以防止粒子进入所述内部空间，且其中所述多个孔隙通道经配置以在所述内部空间与围绕所述系统的空间之间提供压力均衡。
5. 根据权利要求1所述的系统，其中所述均匀连续的多孔材料包含阳极氧化铝AAO。
6. 根据权利要求2所述的系统，其中所述表膜框架的所述外部表面上的所述第一开口具有在约10nm到1000nm之间的范围内的直径。
7. 根据权利要求1所述的系统，其中所述系统充当极紫外EUV光刻系统的部分。
8. 一种用于制造用于光刻过程的表膜组件的方法，其包括：
制造包含侧壁的表膜框架，其中所述表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成，且其中所述均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道；
使用低透射率材料形成表膜薄膜；
将所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置；以及
经由插入在所述均匀连续的多孔材料与掩模之间的粘着剂层将所述均匀连续的多孔材料粘结到所述掩模。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中所述制造表膜框架进一步包括：
在所述侧壁的表面上形成图案，其中所述图案充当用于形成所述孔隙通道的起始位点；
将所述表膜框架浸入在电解质溶液中且在所述表膜框架与阴极之间施加电位差；
响应于施加所述电位差，对所述表膜框架执行阳极化过程，所述表膜框架的所述侧壁经阳极化以形成包含所述多个孔隙通道的所述均匀连续的多孔材料，其中所述多个孔隙通道具有有序结构，其中所述多个孔隙通道中的每一者从所述表膜框架的所述侧壁的外部表面上的第一开口延伸到所述侧壁的内部表面上的第二开口。
10. 根据权利要求9所述的方法，其中形成于所述侧壁的所述表面上的所述图案使用经选择以向所述多个孔隙通道提供所要的配置的图案化过程而形成。
11. 根据权利要求9所述的方法，其中所述执行所述阳极化过程进一步包含通过调节至少一个阳极化参数来配置所述多个孔隙通道的特性，所述阳极化参数选自包含以下各者的群组：所述电解质溶液的温度、所述电解质溶液的酸性、所述电解质溶液的组成、所述电解质溶液的浓度、电压、电流，和所述阳极化过程的持续时间。
12. 根据权利要求9所述的方法，其中所述执行所述阳极化过程进一步包含在所述表膜框架的顶部表面和所述表膜框架的底部表面上沉积涂层，其中所述涂层包含不可阳极化材料，且其中所述涂层用以在所述表膜框架的所述侧壁上形成所述多个孔隙通道。
13. 根据权利要求9所述的方法，其中所述表膜框架包含选自包含以下各者的群组的材料：铝、铝合金、钛、铌、钛铌合金，和其组合。
14. 根据权利要求9所述的方法，其中所述第一开口具有在约10nm到1000nm之间的范围内的直径。
15. 根据权利要求10所述的方法，其中所述图案化过程包含选自以下各者的至少一者：通过点状压模压印、通过锥形压模压印、胶体球面光刻、电子束光刻、聚焦离子束光刻、全息光刻、氩Ar等离子蚀刻，以及直接写入激光DWL光刻。
16. 根据权利要求8所述的方法，其中所述薄膜包含选自以下各者的材料：硅、氮化硅SiN、多晶硅(多晶Si)、碳化硅SiC、基于Si的化合物，以及聚合物。
17. 一种用于光刻过程的方法，其包括：
提供表膜装置，其中所述表膜装置包含薄膜和固定跨越表膜框架的所述薄膜的所述表膜框架，且其中所述表膜框架完全由具有多个孔隙通道的均匀连续的多孔材料形成，所述多个孔隙通道在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面；
将所述表膜装置安装到掩模上，其中所述掩模包含经图案化表面，且其中所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与所述掩模之间的粘着剂层粘结到所述掩模；
将具有安装在其上的所述表膜装置的所述掩模装载到光刻系统中且将半导体晶片装载到所述光刻系统的衬底平台上；以及
执行光刻曝光过程以将所述经图案化表面的图案从所述掩模转移到所述半导体晶片。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中内部空间由所述薄膜的底部表面、所述掩模的顶部表面和所述表膜框架的所述内部表面界定，其中所述多个孔隙通道经配置以防止粒子进入所述内部空间，且其中所述多个孔隙通道在所述表膜装置装载在所述光刻系统内时于所述内部空间与围绕所述表膜装置的空间之间提供压力均衡。”
驳回决定认为，独立权利要求1、8、17与对比文件1的区别技术特征为：表膜框架由均匀连续的多孔材料形成，均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。而上述区别技术特征为本领域常用技术手段，因此权利要求1、8、17相对于对比文件1以及本领域常用技术手段的结合不具备创造性。从属权利要求2-7、9-16、18的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或为本领域常用技术手段，因此从属权利要求2-7、9-16、18也不具备创造性。
申请人台湾积体电路制造股份有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年12月11日向国家知识产权局会提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1没有公开、教示或建议本申请权利要求1的技术特征“所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与掩模之间的粘着剂层直接粘结到所述掩模”。根据对比文件1说明书第0041段及其附图5b，由于其金属框架34及清除剂部分36间存在相同的粘着剂，其金属框架34及清除剂部分36并无法形成如本申请权利要求1中的技术特征“所述均匀连续的多孔材料”。且上述技术特征也不属于本领域公知常识。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月14日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，（1）对比文件1的清除剂部分36及金属框架部分34均是由多孔材料形成，因此表膜框架整体是完全由多孔材料形成的；（2）虽然对比文件1的表膜框架40是由两部分不同的多孔材料形成，但是表膜框架的整体是经粘着剂直接粘结在掩膜上的；（3）对比文件1公开了清除剂部分36的体积占复合框架的体积比例为0.1%至95%，当体积比为0.1%时，复合框架基本为多孔的金属框架，并且金属框架也是由阳极氧化铝及AAO组成，即与本申请材料可以相同，因此将表膜框架采用同一种材料的均匀连续的多孔材料形成是本领域技术人员容易想到的。因而坚持原驳回决定。
随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月12日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-18不具备创造性，复审通知书认为：独立权利要求1、17与对比文件1所公开的技术方案的区别在于：（1）表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成；（2）均匀连续的多孔材料所包含的多个孔隙通道的方向为垂直于表膜框架的外部表面的方向。而上述区别技术特征（1）和（2）均为本领域常用技术手段，因此权利要求1、17相对于对比文件1与本领域常用技术手段的结合不具备创造性。独立权利要求8与对比文件1所公开的技术方案的区别在于：（1）表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成；（2）均匀连续的多孔材料所包含的多个孔隙通道的方向为垂直于表膜框架的外部表面的方向；（3）表膜薄膜为低透射率材料。而上述区别技术特征（1）至（3）均为本领域常用技术手段，因此权利要求8相对于对比文件1与本领域常用技术手段的结合不具备创造性。从属权利要求2-7、9-16、18的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或为本领域常用技术手段，因此从属权利要求2-7、9-16、18也不具备创造性。
针对复审请求人的意见，合议组认为：对比文件1已经公开了通过粘着剂层直接将清除部件36和金属框架34构成的薄膜框架粘结到光掩模基板的连接方式，只是其薄膜框架并非由完全由均匀连续的多孔材料形成，相应地合议组将“表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成”列为区别技术特征（1）。针对该区别技术特征，清除器部件的多少可根据需要进行调整，当不需要清除器部件提供额外的吸附功能时，本领域技术人员容易想到仅仅使用具有多孔的金属部件作为薄膜框架，此时将不再需要金属部件与清除器部件之间的粘着剂层，薄膜框架整体上完全由均匀连续的多孔材料形成自然是容易做到的。
复审请求人于2019年09月19日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书全文的修改替换页，在复审通知书所针对的文本的基础上，将从属权利要求5的技术特征由“其中所述均匀连续的多孔材料包含阳极氧化铝AAO”修改为“其中所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成”后合并入独立权利要求1、8、17中；将从属权利要求13的附加技术特征由“其中所述表膜框架包含选自包含以下各者的群组的材料：铝、铝合金、钛、铌、钛铌合金，和其组合”修改为“其中所述光刻过程使用极紫外EUV光作為辐射源”；并对权利要求进行重新编号，形成新的权利要求1-17。修改后的独立权利要求1、7、16如下：
“1. 一种用于半导体光刻过程的系统，其包括：
薄膜；
表膜框架，其固定跨越所述表膜框架的所述薄膜，其中所述表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成；以及
包含经图案化表面的掩模，其中所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与所述掩模之间的粘着剂层直接粘结到所述掩模，且其中所述薄膜与所述经图案化表面相距一相隔距离悬置；
其中所述均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道；
其中所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成。 ”
“7. 一种用于制造用于光刻过程的表膜组件的方法，其包括：
制造包含侧壁的表膜框架，其中所述表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成，且其中所述均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道，所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成；
使用低透射率材料形成表膜薄膜；
将所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置；以及
经由插入在所述均匀连续的多孔材料与掩模之间的粘着剂层将所述均匀连续的多孔材料粘结到所述掩模。 ”
“16. 一种用于光刻过程的方法，其包括：
提供表膜装置，其中所述表膜装置包含薄膜和固定跨越表膜框架的所述薄膜的所述表膜框架，且其中所述表膜框架完全由具有多个孔隙通道的均匀连续的多孔材料形成，所述多个孔隙通道在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面，所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成；
将所述表膜装置安装到掩模上，其中所述掩模包含经图案化表面，且其中所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与所述掩模之间的粘着剂层粘结到所述掩模；
将具有安装在其上的所述表膜装置的所述掩模装载到光刻系统中且将半导体晶片装载到所述光刻系统的衬底平台上；以及
执行光刻曝光过程以将所述经图案化表面的图案从所述掩模转移到所述半导体晶片。 ”
复审请求人在意见陈述书中认为：（1）对比文件1教导表膜框架无法单独由非金属所构成的材料（例如作为清除剂组件36的材料）单独组成，因为无法提供足够的机械强度和结构支持；阳极氧化铝AAO是非金属，因此本领域技术人员不会使用阳极氧化铝AAO取代对比文件1原有的金属框架。（2）对比文件1第0046段仅公开了将金属铝进行“表面处理”以得到黑色表面，而非整体结构的氧化处理，也未启示产生从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。因此本申请权利要求具备创造性。
复审请求人于2019年11月05日再次提交了权利要求书全文的修改替换页及意见陈述书，在前次递交的文本的基础上，将独立权利要求1、7、16的技术特征“所述表膜框架完全由均匀连续的多孔材料形成”修改为“所述表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成”，并删除技术特征“所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成”。
复审请求人于2019年11月15日再一次提交了权利要求书全文的修改替换页及意见陈述书，在该次意见陈述书中请求人申明所做修改为在前次递交的文本的基础上在独立权利要求1、7、16中增加技术特征“所述均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道”，但在该次递交的权利要求书全文修改替换页中实际所做的修改与申请人在意见陈述中申明的不一致，除了增加上述特征外，还恢复了前次文本中已经删除的独立权利要求7、16中的技术特征“所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成”。
复审请求人于2019年11月19日又再一次提交了权利要求书全文的修改替换页，在前次递交的文本的基础上，将独立权利要求7、16中的技术特征“所述均匀连续的多孔材料由阳极氧化铝AAO组成”删除。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种用于半导体光刻过程的系统，其包括：
薄膜；
表膜框架，其固定跨越所述表膜框架的所述薄膜，其中所述表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成；以及
包含经图案化表面的掩模，其中所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与所述掩模之间的粘着剂层直接粘结到所述掩模，且其中所述薄膜与所述经图案化表面相距一相隔距离悬置；
其中所述均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道，所述均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道。
2. 根据权利要求1所述的系统，其中所述多个孔隙通道形成有序布置，且其中所述多个孔隙通道中的每一者从所述表膜框架的所述外部表面上的第一开口延伸到所述表膜框架的所述内部表面上的第二开口。
3. 根据权利要求1所述的系统，
其中内部空间由所述薄膜的底部表面、所述掩模的顶部表面和所述表膜框架的所述内部表面界定。
4. 根据权利要求1所述的系统，其中所述多个孔隙通道经配置以防止粒子进入所述内部空间，且其中所述多个孔隙通道经配置以在所述内部空间与围绕所述系统的空间之间提供压力均衡。
5. 根据权利要求2所述的系统，其中所述表膜框架的所述外部表面上的所述第一开口具有在约10nm到1000nm之间的范围内的直径。
6. 根据权利要求1所述的系统，其中所述系统充当极紫外EUV光刻系统的部分。
7. 一种用于制造用于光刻过程的表膜组件的方法，其包括：
制造包含侧壁的表膜框架，其中所述表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成，且其中所述均匀连续的多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道，所述均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道；
使用低透射率材料形成表膜薄膜；
将所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置；以及
经由插入在所述均匀连续的多孔材料与掩模之间的粘着剂层将所述均匀连续的多孔材料粘结到所述掩模。
8. 根据权利要求7所述的方法，其中所述制造表膜框架进一步包括：
在所述侧壁的表面上形成图案，其中所述图案充当用于形成所述孔隙通道的起始位点；
将所述表膜框架浸入在电解质溶液中且在所述表膜框架与阴极之间施加电位差；
响应于施加所述电位差，对所述表膜框架执行阳极化过程，所述表膜框架的所述侧壁经阳极化以形成包含所述多个孔隙通道的所述均匀连续的多孔材料，其中所述多个孔隙通道具有有序结构，其中所述多个孔隙通道中的每一者从所述表膜框架的所述侧壁的外部表面上的第一开口延伸到所述侧壁的内部表面上的第二开口。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中形成于所述侧壁的所述表面上的所述图案使用经选择以向所述多个孔隙通道提供所要的配置的图案化过程而形成。
10. 根据权利要求8所述的方法，其中所述执行所述阳极化过程进一步包含通过调节至少一个阳极化参数来配置所述多个孔隙通道的特性，所述阳极化参数选自包含以下各者的群组：所述电解质溶液的温度、所述电解质溶液的酸性、所述电解质溶液的组成、所述电解质溶液的浓度、电压、电流，和所述阳极化过程的持续时间。
11. 根据权利要求8所述的方法，其中所述执行所述阳极化过程进一步包含在所述表膜框架的顶部表面和所述表膜框架的底部表面上沉积涂层，其中所述涂层包含不可阳极化材料，且其中所述涂层用以在所述表膜框架的所述侧壁上形成所述多个孔隙通道。
12. 根据权利要求8所述的方法，其中所述光刻过程使用极紫外EUV光作為辐射源。
13. 根据权利要求8所述的方法，其中所述第一开口具有在约10nm到1000nm之间的范围内的直径。
14. 根据权利要求9所述的方法，其中所述图案化过程包含选自以下各者的至少一者：通过点状压模压印、通过锥形压模压印、胶体球面光刻、电子束光刻、聚焦离子束光刻、全息光刻、氩Ar等离子蚀刻，以及直接写入激光DWL光刻。
15. 根据权利要求7所述的方法，其中所述薄膜包含选自以下各者的材料：硅、氮化硅SiN、多晶硅(多晶Si)、碳化硅SiC、基于Si的化合物，以及聚合物。
16. 一种用于光刻过程的方法，其包括：
提供表膜装置，其中所述表膜装置包含薄膜和固定跨越表膜框架的所述薄膜的所述表膜框架，且其中所述表膜框架完全由具有多个孔隙通道的经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成，所述多个孔隙通道在垂直于所述表膜框架的外部表面的方向上从所述表膜框架的所述外部表面延伸到内部表面，所述均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道；
将所述表膜装置安装到掩模上，其中所述掩模包含经图案化表面，且其中所述均匀连续的多孔材料经由插入在所述均匀连续的多孔材料与所述掩模之间的粘着剂层粘结到所述掩模；
将具有安装在其上的所述表膜装置的所述掩模装载到光刻系统中且将半导体晶片装载到所述光刻系统的衬底平台上；以及
执行光刻曝光过程以将所述经图案化表面的图案从所述掩模转移到所述半导体晶片。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中内部空间由所述薄膜的底部表面、所述掩模的顶部表面和所述表膜框架的所述内部表面界定，其中所述多个孔隙通道经配置以防止粒子进入所述内部空间，且其中所述多个孔隙通道在所述表膜装置装载在所述光刻系统内时于所述内部空间与围绕所述表膜装置的空间之间提供压力均衡。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年11月19日提交了权利要求全文的修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条以及实施细则第61条第1款的规定。本复审决定以复审请求人于申请日2015年11月30日提交的说明书摘要、说明书第1-60段、摘要附图、说明书附图图1-2、3A-3C、4A-4B、5-7，以及于2019年11月19日提交的权利要求第1-17项为审查基础。
关于权利要求是否具有创造性
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件所公开的方案相比存在区别技术特征，而其他对比文件也未公开上述区别技术特征并且未给出采用该区别特征相关技术手段以解决其技术问题的技术启示，并且没有证据或充分理由证明该区别技术特征属于本领域的公知常识，且该技术方案能产生有益的技术效果，则该技术方案具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
就本申请而言，合议组认为：
权利要求1要求保护一种用于半导体光刻过程的系统，对比文件1公开了一种包含金属/清除器薄膜框架的光掩模组件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0002-0005、0017-0021、0035-0037、0039-0040、0045-0057段，附图1、2、4、5）：作为背景技术的传统光掩模组件20包括薄膜12、框架14、光掩模基板20等（参见说明书第0003段，附图1）。改进的光掩模组件的薄膜框架包括金属部件和清除器部件，形成复合框架作为传统全金属框架的替代（参见说明书第0031段）。由于薄膜框架的多孔清除器部件可透过气体，因此可以使薄膜空间和组件外部之间的压力差相等（参见说明书第0037段）。薄膜框架的金属部件可以构造成部分或完全多孔的，以便于从薄膜空间清除有害化学物质；金属部件的多孔部分也可以用作通气孔，用于使薄膜空间压力与外部压力相等（参见说明书第0049段）。清除器部件相对于复合框架总体积的体积百分比优选为0.1至95％（参见说明书第0063段）。薄膜框架的金属部件可以是铝，铝可以进行黑色阳极氧化处理，以提供黑色表面（参见说明书第0046段）。
其中，光掩模组件用于半导体光刻工艺过程（参见说明书第0002-0003段），相当于公开了用于半导体光刻过程的系统；改进的光掩模组件只对薄膜框架做出改进和替代，可见其仍然包括薄膜12；改进后的薄膜框架相当于本申请的表膜框架，将取代附图1中传统框架14的位置，从附图1可见薄膜12以跨越框架的方式被固定；光掩模基板20包括经图案化表面的掩模，结合附图5所示的实施例可看出清除部件36和金属框架34（它们的组合即薄膜框架，相当于本申请的表膜框架）通过粘着剂层直接粘结到光掩模基板20上，从而使得薄膜框架上方的薄膜12与薄膜框架下方的光掩模基板20的图案化表面相距一相隔距离悬置，可见对比文件1已经公开了通过粘着剂层直接将薄膜框架粘结到光掩模基板20的连接方式，其中对比文件1的薄膜框架的金属部件34可以是完全多孔的，相当于公开了多孔材料与掩模之间采用粘着剂直接粘结，只是其薄膜框架还包括非金属材料的多孔清除部部件，因而并非完全由均匀连续的多孔材料形成。对比文件1已经公开了薄膜框架的金属部件的多孔部分可以用作通气孔，用于使薄膜空间压力与外部压力相等（第0049段倒数第4行），也就是说空气能从薄膜空间内部到外部进行流通，即必然包括从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道，只是没有公开多个孔隙通道的方向为垂直于表膜框架的外部表面的方向。
权利要求1与对比文件1所公开的技术方案的区别在于：表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成；均匀连续的多孔材料包含在垂直于表膜框架的外部表面的方向上从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个的孔隙通道，均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题为：简化结构；压力差更快的消除；提供一种不同的均匀连续的多孔材料。
对于上述区别技术特征，对比文件1未公开该区别技术特征也不能给出相应的技术启示。对比文件1公开的相应内容为（参见说明书第0046段）：复合框架的金属部件是铝；铝可以进行黑色阳极化处理，以提供黑色表面，改善灰尘颗粒的可见度，并最大限度地减小可能在掩膜检查过程中引起问题的反射。其中对比文件1中对铝进行黑色阳极化处理的目的是提供黑色表面，与本申请利用阳极化形成垂直贯穿孔隙通道不同，对比文件1中阳极氧化铝仅形成于金属铝的表面，并未对金属铝整体进行阳极化处理，而修改后的权利要求1不仅限定了表膜框架仅包含阳极氧化铝，还限定了多个垂直贯穿孔隙通道为阳极化所形成，因此对比文件1并未从整体上公开上述区别技术特征。关于对比文件1是否给出了去掉金属铝基质部分仅保留阳极氧化铝的技术启示，由于对比文件1中阳极氧化铝仅形成于金属铝的表面，结合对比文件1公开的金属框架可以完全是多孔的（参见说明书第0049段），可知对比文件1必然利用了不同于本申请的阳极化的其他工艺进行打孔，同时对比文件1明确记载金属部件的作用是形成骨架以提供机械强度和结构支撑（参见说明书第0032、0063段），在对比文件1利用其他工艺形成孔隙并且需要金属材料提供机械强度和结构支撑的情况下，即使本领域技术人员能想到省略复合框架中的清除剂部件，也没有动机去掉金属部件中除了其表面的阳极氧化铝以外的金属铝基质部分。
此外，对比文件2也没有公开上述区别技术特征并且不能给出相应的技术启示。对比文件2公开了一种多层阳极氧化铝纳米多孔膜及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0054-0076段，附图1-5）：第一步硬质阳极氧化过程，在Al表面形成多个六边形的凹面（参见说明书第0065-0070段）；第二步温和阳极氧化包括从草酸，磷酸，硫酸和马来酸中选择电解质，然后施加恒定电压进行阳极氧化过程（参见说明书第0070-0072段）；去除阻挡层的步骤，将AAO与Al分离（参加说明书第0073-0075段）。虽然对比文件2公开了利用阳极化过程形成具有多孔的阳极氧化铝多孔膜，但对比文件2的多孔膜用于选择性过滤溶质例如用于血液透析（参见说明书第0002段），可见对比文件2的多孔膜在应用领域和物理机械强度上的均与本申请存在差异，本领域技术人员难以想到将其应用到表膜框架中作为用于支撑的侧壁。因此对比文件2未从整体上公开上述区别技术特征也不能给出相应的技术启示。
因此对比文件1-2均未公开上述区别技术特征并且不能给出相应的技术启示，也没有充分的理由和证据说明该区别技术特征属于本领域的公知常识，而且包括上述区别技术特征的权利要求1的技术方案中，通过完全由具有阳极化的氧化铝形成的垂直贯穿孔隙通道的均匀连续多孔材料组成表膜框架，提供了一种不一样的适用于表膜框架的均匀连续多孔材料，简化结构的同时保证了压力差的快速消除，因而具备有益的技术效果。
关于“对比文件1公开了清除剂部分36的体积占复合框架的体积比例为0.1%至95%，当体积比为0.1%时，复合框架基本为多孔的金属框架，并且金属框架也是由阳极氧化铝及AAO组成，即与本申请材料可以相同，因此将表膜框架采用同一种材料的均匀连续的多孔材料形成是本领域技术人员容易想到的”的观点，合议组经审查认为，请求人通过修改限定了表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成，也就是说本申请的表膜框架仅包含阳极氧化铝的单一多孔材料，并不包含金属铝。由本领域中对铝的阳极化处理的通常理解可知，阳极化处理是利用氧化原理使用电解氧化处理生成氧化铝，本身自发生成带色的阳极氧化膜，铝形成阳极氧化膜可分为阻挡型和多孔型两类，在接近中性的电解液中阳极氧化，可得到致密的阻挡型氧化膜，在酸性或弱碱性电解液中阳极氧化时，由于它们具有溶解氧化铝的能力故可形成多孔型氧化膜。结合如前评述中对比文件1公开的内容，对比文件1对铝进行黑色阳极化处理的目的是提供黑色表面，阳极氧化铝仅形成于金属铝的表面，属于上述类型中的阻挡型氧化膜，而本申请权利要求1中表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成，阳极氧化铝自身形成多孔结构，属于利用上述多孔型铝阳极氧化膜的原理来制作表膜框架，可见，对比文件1与权利要求1对铝进行阳极氧化的原理类型不同，那么，在将铝阳极氧化膜材料单独用作提供支撑的框架并未在本领域中获得广泛应用的情形下，本领域技术人员难以想到去掉金属部件中除了其表面的阳极氧化铝以外的金属铝基质部分，并转而采用多孔型铝阳极氧化膜的原理制作表膜框架。
综上所述，对本领域技术人员来说，在对比文件1-2的基础上结合本领域的公知常识尚不足以认定权利要求1不具备创造性，即权利要求1相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求1具备创造性的情况下，其相应的从属权利要求2-6也符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
独立权利要求7要求保护一种用于制造用于光刻过程的表膜组件的方法，对比文件1公开了一种包含金属/清除器薄膜框架的光掩模组件及其相应的制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0002-0005、0017-0021、0035-0037、0039-0040、0045-0050、0066-0110段，附图1、2、4、5）：光掩模组件用于半导体光刻工艺过程（参见说明书第0002-0003段，相当于公开了用于半导体光刻过程的表膜组件）；制造包含四个侧壁的薄膜框架（参见说明书第0066段，对应于本申请的制造表膜框架的步骤）；由软透明聚合物制成薄膜12（参见说明书第0004段，对应于本申请的制造表膜薄膜的步骤）；结合附图1、5可见薄膜12固定在薄膜框架上方使得薄膜12被悬置，即必然包括将薄膜12（相当于本申请的表膜薄膜）附接到薄膜框架（相当于本申请的表膜框架）的步骤；从附图5可看出清除部件36和金属框架34（它们的组合即薄膜框架，相当于本申请的表膜框架）通过粘着剂层直接粘结到光掩模基板20（相当于本申请的掩模）上，即必然包括经由插入粘着剂层将薄膜框架粘结到掩模的步骤。其中对比文件1的薄膜框架的金属部件可以是完全多孔的（参见说明书第0049段），相当于公开了多孔材料与掩模之间采用粘着剂直接粘结（参见附图5），只是其薄膜框架还包括非金属材料的多孔清除部部件，因而并非完全由均匀连续的多孔材料形成。对比文件1已经公开了薄膜框架的金属部件的多孔部分可以用作通气孔，用于使薄膜空间压力与外部压力相等（第0049段倒数第4行），也就是说空气能从薄膜空间内部到外部进行流通，即必然包括从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道，只是没有公开多个孔隙通道的方向为垂直于表膜框架的外部表面的方向。
权利要求7与对比文件1所公开的技术方案的区别在于：（1）表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成；均匀连续的多孔材料包含在垂直于表膜框架的外部表面的方向上从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个的孔隙通道，均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道；（2）表膜薄膜为低透射率材料。基于上述区别技术特征，权利要求7实际解决的技术问题为：简化结构；压力差更快的消除；提供一种不同的均匀连续的多孔材料；保护掩模。
虽然上述区别技术特征（2）可被认为是本领域常用技术手段，然而经过比较可知上述权利要求7与对比文件1的区别技术特征（1），与前述权利要求1与对比文件1的区别技术特征相同，基于前述同样的理由，对比文件1-2均未公开上述区别技术特征（1）并且不能给出相应的技术启示，也没有充分的理由和证据说明该区别技术特征（1）属于本领域的公知常识，而且包括上述区别技术特征的权利要求7的技术方案中，通过完全由具有阳极化氧化铝形成的垂直贯穿孔隙通道的均匀连续多孔材料组成表膜框架，提供了一种不一样的适用于表膜框架的均匀连续多孔材料，简化结构的同时保证了压力差的快速消除，因而具备有益的技术效果。
由此可见，对本领域技术人员来说，在对比文件1-2的基础上结合本领域的公知常识尚不足以认定权利要求7不具备创造性，即权利要求7相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求7具备创造性的情况下，其相应的从属权利要求8-15也符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
独立权利要求16要求保护一种用于光刻过程的方法，对比文件1公开了一种对比文件1公开了一种包含金属/清除器薄膜框架的光掩模组件及其相应的制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0002-0005、0017-0021、0035-0037、0039-0040、0045-0050、0066-0110段，附图1、2、4、5）：制造包含四个侧壁的薄膜框架（参见说明书第0066段，其中薄膜框架相当于本申请的表膜框架）；由软透明聚合物制成薄膜12（参见说明书第0004段，其中薄膜12相当于本申请的表膜薄膜）；结合附图1、5可见薄膜12固定跨越在薄膜框架上方（薄膜12和薄膜框架的组合相当于本申请的表膜装置），即必然包括提供表膜装置的步骤；从附图5可看出清除部件36和金属框架34（它们的组合即薄膜框架）通过粘着剂层直接粘结到光掩模基板20（相当于本申请的掩模）上，即必然包括将表膜装置安装到掩模上的步骤，其中光掩模基板20上包含经图案化表面；光掩模组件用于半导体光刻工艺过程（参见说明书第0002-0003段，相当于公开了用于光刻过程的方法，即必然包含将光掩模组件装载到光刻系统、以及将半导体芯片装载到光刻系统的衬底平台、执行光刻曝光过程以将图案化表面的图案从掩模转移到半导体芯片的步骤）。其中对比文件1的薄膜框架的金属部件可以是完全多孔的（参见说明书第0049段），相当于公开了多孔材料与掩模之间采用粘着剂直接粘结（参见附图5），只是其薄膜框架还包括非金属材料的多孔清除部部件，因而并非完全由均匀连续的多孔材料形成。对比文件1已经公开了薄膜框架的金属部件的多孔部分可以用作通气孔，用于使薄膜空间压力与外部压力相等（第0049段倒数第4行），也就是说空气能从薄膜空间内部到外部进行流通，即必然包括从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道，只是没有公开多个孔隙通道的方向为垂直于表膜框架的外部表面的方向。
权利要求16与对比文件1所公开的技术方案的区别在于：表膜框架完全由经阳极化的氧化铝组成的均匀连续的多孔材料形成；均匀连续的多孔材料包含在垂直于表膜框架的外部表面的方向上从表膜框架的外部表面延伸到内部表面的多个的孔隙通道，均匀连续的多孔材料包含经阳极化形成的所述孔隙通道。基于上述区别技术特征，权利要求16实际解决的技术问题为：简化结构；压力差更快的消除；提供一种不同的均匀连续的多孔材料。
经过比较可知，上述权利要求16与对比文件1的区别技术特征，与前述权利要求1与对比文件1的区别技术特征相同，基于同样的理由，对比文件1-2均未公开上述区别技术特征并且不能给出相应的技术启示，也没有充分的理由和证据说明该区别技术特征属于本领域的公知常识，而且包括上述区别技术特征的权利要求16的技术方案中，通过完全由具有阳极化氧化铝形成的垂直贯穿孔隙通道的均匀连续多孔材料组成表膜框架，提供了一种不一样的适用于表膜框架的均匀连续多孔材料，简化结构的同时保证了压力差的快速消除，因而具备有益的技术效果。
由此可见，对本领域技术人员来说，在对比文件1-2的基础上结合本领域的公知常识尚不足以认定权利要求16不具备创造性，即权利要求16相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求16具备创造性的情况下，其相应的从属权利要求17也符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
综上所述，本申请权利要求1-17均具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年09月11日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审决定所针对审查文本的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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