发明创造名称：一种半导体器件及其制备方法、电子装置
外观设计名称：
决定号：196468
决定日：2019-11-21
委内编号：1F258974
优先权日：
申请（专利）号：201510107693.9
申请日：2015-03-12
复审请求人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐媛
合议组组长：陈飚
参审员：宋霄
国际分类号：B81C1/00(2006.01);;G03F7/00(2006.01)
外观设计分类号：
法律依据：中国专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比虽然存在区别技术特征，但该区别技术特征部分被另外的现有技术公开，部分属于本领域技术人员解决相关技术问题所采用的常规技术手段，且该区别技术特征没有为该权利要求限定的技术方案带来预料不到的技术效果，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201510107693.9，名称为“一种半导体器件及其制备方法、电子装置”的发明专利申请（下称“本申请”）。本申请的申请人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，申请日为2015年03月12日，公开日为2016年10月19日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年06月07日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：本申请的权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年03月12日提交的说明书第1-82段（即第1-8页）、说明书附图图1a-4（即第1-8页）、说明书摘要、摘要附图；2017年07月27日提交的权利要求第1-8项。
驳回决定所引用的对比文件如下：
对比文件1：CN102067289A，公开日为2011年05月18日；
对比文件2：CN101055421A，公开日为2007年10月17日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供晶圆，在所述晶圆上形成有具有第一开口的光刻胶层；
步骤S2：对所述光刻胶层进行后烘，以固化所述光刻胶层；
步骤S3：在所述光刻胶层和所述第一开口表面上贴敷感光性的膜层材料，
步骤S4：对所述膜层材料曝光、显影，以在所述第一开口底部的所述膜层材料上形成第二开口；
步骤S5：以所述光刻胶层和所述膜层材料为掩膜蚀刻所述晶圆，通过一次蚀刻步骤在所述晶圆中形成深度不同的凹槽和台阶形结构。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：提供晶圆并在所述晶圆上形成光刻胶层；
步骤S12：对所述刻胶层进行曝光显影，以形成所述第一开口。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中选用真空贴膜方法贴敷所述膜层材料。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5中，以所述光刻胶层和所述膜层材料为掩膜蚀刻所述晶圆，以分别在所述晶圆中形成中第一凹槽和第二凹槽，其中所述第一凹槽的尺寸大于所述第二凹槽的尺寸，所述第一凹槽的深度小于所述第二凹槽的深度。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还进一步包括后烘的步骤。
6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S5之后，所述方法还进一步去除所述光刻胶层的步骤。
7. 一种基于权利要求1至6之一所述方法制备得到的半导体器件。
8. 一种电子装置，包括权利要求7所述的半导体器件。”
驳回决定认为：权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征是：（1）选择晶圆作为刻蚀对象；第二掩膜层通过贴敷形成，形成第一开口后对光刻胶进行后烘，以固化光刻胶层；（2）在刻蚀晶圆时，通过一次刻蚀步骤形成。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1要求保护的技术方案实际要解决的技术问题是：如何减少加工工序。然而区别（1）属于本领域的常规技术手段，区别（2）被对比文件2公开，因此，权利要求1相对于对比文件1、2和本领域常规技术手段的结合而不具备专利法第22条第3款规定的创造性；从属权利要求2，4，6的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求3和5的附加技术特征属于本领域的常规技术手段。因此，从属权利要求2-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求7所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征是：权利要求7要求保护的一种半导体器件，其是基于权利要求1-6之一所述的方法制得，然而，诸如麦克风一类的半导体器件，可具有台阶结构的衬底，因此，根据产品的应用需求，将包含台阶结构的衬底用于半导体器件的制备是本领域技术人员根据产品的应用需求可以确定的，这并不需要付出创造性的劳动，也不存在技术障碍，基于权利要求1-6之一不具备创造性，权利要求7相对于对比文件1、2和本领域常规技术手段的结合而不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求8所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征是：权利要求8要求保护一种包含权利要求7所述的半导体器件的电子装置，然而，诸如麦克风一类的电子装置通常为基于半导体制备技术所形成的半导体器件，可具有台阶结构的腔体，因此，根据产品的应用需求，将包含台阶结构的半导体器件应用于电子装置对于本领域技术人员来说是容易实现的，这并不需要付出创造性的劳动，也不存在技术障碍，基于权利要求7不具备创造性，权利要求8相对于对比文件1、2和本领域常规技术手段的结合而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年08月21日向国家知识产权局提出了复审请求，并没有提交修改文件。复审请求人认为：（1）驳回决定不符合听证原则，驳回决定引入了前两次审查意见中均没有提及的对比文件3和对比文件4，对于新引入的对比文件并没有给申请人听证的机会；（2）驳回决定将对比文件1中的第二掩膜层材料等同于本申请中的感光性的膜层材料与事实不符，对比文件1中所述第二掩膜层材料是作为掩膜使用，而在本申请中所述感光性的膜层材料是作为牺牲层使用的，同理，对比文件2中所述正性光刻胶和负性光刻胶也都是作为掩膜使用的，而且位于下层的刻胶层208还会被部分地蚀刻去除，其与本申请中的感光性的膜层材料不同；（3）对比文件1没有公开“对所述光刻胶层进行后烘，以固化所述光刻胶层”这一工艺步骤，在本申请中只有将光刻胶层固化到一定硬度才能实现贴敷，以避免光刻胶塌陷，而并非如驳回决定中指出的光刻胶后烘去除光刻胶中多余的水分，进一步，在本申请中对所述光刻胶层进行后烘，以固化所述光刻胶层的目的还在于提高所述光刻胶层硬度的同时，使光刻胶失去光活性，以避免在后续的曝光显影中受到影响，对比文件1和对比文件4均没有给出任何技术启示；此外，在光刻胶上贴感光性的膜层材料并非现有技术或容易实现的，对比文件3公开的内容为感光制版的设备工具，包括将贴了感光膜的网版烘干的步骤，但其并没有公开膜层材料的贴敷位置（如本申请中在光刻胶上贴敷）以及先对光刻胶进行固化的步骤，因此本领域技术人员即使将比文件3的贴敷方案应用到对比文件1中也无法实现贴敷。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）审查员基于同样的事实、理由和证据对本申请作出驳回决定，符合听证原则，对比文件3和对比文件4是公知常识的佐证，不影响听证原则；（2）本申请的感光性膜层作用是掩膜，感光膜只是在刻蚀衬底时起到部分阻挡作用，没有分离/临时占位的作用，不是牺牲层；此外，感光膜也是光刻胶，而对比文件2中记载的正/负性光刻胶是光刻胶的下位概念，因此请求人声称的对比文件2与本申请的感光膜材料不同不成立；（3）在光刻工艺中，对光刻胶进行曝光、显影后对其进行固化以使其硬化，失去活性，以免影响后续工艺属于本领域的常规技术手段；此外，通过涂覆光刻胶或者贴敷感光膜以形成感光材料均属于本领域的常规技术手段；（4）本申请为了制备多层台阶结构，改进点在于在刻蚀衬底中没有穿插涂覆掩膜步骤；上述手段被对比文件1、2均公开了，掩膜最终均会被去除，其去除时机是本领域技术人员根据实际情况可以确定的，不需要付出创造性的劳动，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年06 月26 日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别在于：（1）形成第一开口后对光刻胶进行后烘，以固化光刻胶层；（2）在光刻胶层和第一开口表面上设置感光性的膜层材料，对膜层材料曝光、显影以形成第二开口，在刻蚀时，通过一次刻蚀步骤形成；（3）感光性的膜层材料通过贴敷形成。基于上述区别可以确定，权利要求1要求保护的技术方案实际要解决的技术问题是：如何优化和简化加工工序。然而区别（1）和（3）属于本领域的公知常识，区别（2）被对比文件2公开，因此，权利要求1相对于对比文件1、2和本领域常规技术手段的结合而不具备专利法第22条第3款规定的创造性；从属权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求4的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域的常规技术手段，从属权利要求3和5的附加技术特征属于本领域的常规技术手段，从属权利要求6的附加技术特征被对比文件2公开。因此，从属权利要求2-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求7要求保护一种基于权利要求1至6之一所述方法制备得到的半导体器件，然而对比文件1已经公开了多段型衬底的制备方法可用于半导体器件等技术领域中的微细加工，因此在其涉及的权利要求1至6之一所述的制备方法不具备创造性的情况下，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求8要求保护一种包括权利要求7所述半导体器件的电子装置，然而根据产品的应用需求，将包含台阶结构的半导体器件应用于电子装置属于本领域的常规应用，因此在其涉及的权利要求7所述的半导体器件不具备创造性的情况下，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性 。
复审请求人于2019 年08 月08 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：（1）对比文件1并没有公开对光刻胶进行后烘的步骤，在本申请中所述后烘除了固化所述光刻胶层的目的还在于在提高所述光刻胶层硬度的同时，使光刻胶失去光活性，以避免在后续的曝光显影中受到影响，对比文件1和公知常识证据3均没有给出任何技术启示；此外，在光刻胶上贴感光性的膜层材料并非现有技术或容易实现的，如上所述，如果没有执行本申请中对所述光刻胶层进行后烘以固化所述光刻胶层的步骤，则根本无法实现在光刻胶上贴感光性的膜层材料，公知常识证据4没有公开将所述感光胶形成于后烘的光刻胶上，以及先对光刻胶进行固化的步骤，因此本领域技术人员即使将公知常识证据4的方案应用到对比文件1中也无法实现贴敷；（2）本申请中在固化处理的光刻胶层上形成感光的感光性的膜层材料，以作为牺牲层，而对比文件2中形成的正性光刻胶和负性光刻胶均作为掩膜层使用，这与本申请中所述光刻胶层作为掩膜，感光性的膜层材料作为牺牲层不同，另外，对比文件2虽然公开了一次蚀刻工艺，但是该工艺的原理与本申请完全不同，本申请中该一次蚀刻的原理是对所述光刻胶层进行固化并且使光刻胶失去光活性并且具有一定硬度，在蚀刻的过程中光刻胶层作为掩膜不会被蚀刻去除，而所述感光的感光性的膜层材料会被蚀刻去除，这与对比文件2中位于下层的光刻胶层会被部分地蚀刻去除，上层的光刻胶层不会去除相反，因此对比文件2中的一次蚀刻与本申请中的一次蚀刻工艺步骤和原理是不同的，所述不同正是由于在本申请中对光刻胶进行了固化处理，而且对比文件2也没有给出任何技术启示，本领域技术人员不会将对比文件2的方案与对比文件1相结合，并非如驳回决定指出的“有动机将对比文件2应用于对比文件1”；（3）本申请和对比文件1的上述区别步骤紧密相连，不能将其进一步分割，复审通知书将每个步骤进行分割，显然是不合理的；即使各个对比文件公开了部分工艺步骤，但是将多个工艺步骤按照先后顺序进行组合，以得到解决本申请的技术问题的技术方案没有在任何一个对比文件中公开，各个步骤组合后得到的新的技术方案是非显而易见的，因此权利要求1所要保护的技术方案具有创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在复审请求审查阶段未提交修改文件。本次复审决定所针对的文本与驳回决定所针对的文本相同，即：申请日2015年03月12日提交的说明书第1-8页、说明书附图第1-8页、说明书摘要、摘要附图；2017年07月27日提交的权利要求第1-8项。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
2.1关于独立权利要求1
权利要求1要求保护一种半导体器件的制备方法，对比文件1公开了一种多段型衬底的制备方法，其可用于半导体器件、微机械及MEMS器件等技术领域中的微细加工，并具体公开了以下技术特征（参见对比文件1的说明书第42-60段、附图2）：在衬底201上形成由掩膜材料形成的膜，用光刻法等进行图案化，形成第一掩膜202（即光刻胶层，其包括如图2b中所示的开口），衬底可以选用硅作为衬底（即晶圆），掩膜材料可以使用光致抗蚀剂；在第一掩膜202的表面上，用由与第一掩膜202不同的且剥离手段不同的材料形成为第二掩膜的膜，进行图案化，在第一掩膜202上及衬底201的一部分表面上形成第二掩膜203（即包括如图2c所示的第二开口），接着，对所得到的衬底进行干蚀刻，凿映射第二掩膜203的形状的槽204，得到具有槽204的衬底201a(图2d)，其后，剥离第二掩膜203，使第一掩膜202及衬底201a的表面露出(图2e)，在该状态下进行干蚀刻，凿进未被第一掩膜202覆盖的槽204部分和衬底201a的表面，形成映射第一掩膜202的形状的槽205，得到具有槽204及205的衬底201b。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的上述内容相比，其区别在于：（1）形成第一开口后对光刻胶进行后烘，以固化光刻胶层；（2）在光刻胶层和第一开口表面上设置感光性的膜层材料，对膜层材料曝光、显影以形成第二开口，在刻蚀时，通过一次刻蚀步骤形成；（3）感光性的膜层材料通过贴敷形成。基于上述区别可以确定，权利要求1要求保护的技术方案实际要解决的技术问题是：如何优化和简化加工工序。
对于区别（1），显影后会对光刻胶进行后烘步骤属于本领域的公知常识（参见公知常识证据3：《新型显示技术（下册）》，北京邮电大学出版社，2014年8月，第112页），后烘又称为坚膜，就是将显影及漂洗后的基片在较高的温度下进行固化处理，后烘可去除所有残存的溶剂，使膜胶更致密坚硬。
对于区别（2），对比文件2公开了一种双镶嵌结构的形成方法，并具体公开了以下技术特征（参见对比文件2的说明书第4页第2行至第5页第13行、附图6-12）：利用传统的光刻工艺（包括光刻胶涂布、光刻胶曝光、显影步骤）在内层介电层206表面形成具有接触孔开口210图案的光刻胶层208，该光刻胶为负性光刻胶；然而利用传统的光刻工艺在上述光刻胶图案208的表面再形成具有沟槽开口216图案的光刻胶层212，该光刻胶为正性光刻胶，接着利用一次反应离子刻蚀工艺刻蚀负性光刻胶和正性光刻胶，将两层光刻胶的图形转移到内层介电层中，形成具有凹槽和台阶的结构。且上述特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用相同，均是为了将现有技术中两到三次刻蚀清洗工艺改进为仅经过一次刻蚀清洗从而简化工艺。即对比文件2给出了通过一次刻蚀步骤形成深度不同的凹槽和台阶形结构的技术启示，当本领域技术人员面对上述技术问题时，有动机将对比文件2的内容结合到对比文件1中以进一步解决其技术问题。
对于区别（3），通过贴敷感光膜或涂覆感光胶以形成感光层均属于本领域的公知常识（参见公知常识证据4：《中华印刷通史》，印刷工业出版社，1999年，第795-796页，“干膜感光胶可以预先加工制作，长期保存备用，用时只要将聚乙烯膜揭去，将感光胶膜面对向线路板基铜箔，在加热、加压条件下，使感光膜层粘贴附于铜箔上”），本领域技术人员可以根据实际需要选择上述任意一种方式来形成感光层，其不需要付出创造性的劳动。
由此可见，在对比文件1公开的内容的基础上，结合对比文件2和本领域的公知常识得出该权利要求要求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2关于从属权利要求2-6
权利要求2对权利要求1作了进一步限定，然而对比文件1公开了提供硅衬底，并在硅衬底上形成光致抗蚀剂，利用光刻工艺刻蚀光致抗蚀剂以形成第一开口（光刻工艺隐含公开了曝光显影的步骤）（参见对比文件1的说明书第41-60段、附图2a-2g），即权利要求2的附加技术特征已被对比文件1公开。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3对权利要求1作了进一步限定，而通过真空贴膜方法贴敷膜层材料属于本领域的常规技术手段，不需要付出创造性的劳动，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4对权利要求1作了进一步限定，然而对比文件2公开了以第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜刻蚀半导体衬底，以分别在衬底上的内层介电层中形成接触孔218（即第二凹槽）和沟槽开口219（即第一凹槽），并且根据附图12可直接得出其中沟槽开口219的尺寸大于接触孔218的尺寸，沟槽开口219的深度小于接触孔218的深度（参见对比文件2的说明书第4页第2行至第5页第13行、附图6-12），而将对比文件2结合到对比文件1的工程中，本领域技术人员容易想到将上述半导体衬底替换为硅衬底即晶圆。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5引用权利要求1，然而，在对感光性材料进行曝光、显影后进行后烘属于本领域的公知常识，具体参见上述针对区别（1）的评述。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6引用权利要求1，对比文件2公开了最后利用化学清洗工艺，例如灰化工艺去除光刻胶层208和212（参见对比文件2的说明书第5页第10-13行），即权利要求6的附加技术特征已被对比文件2公开。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，该权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3关于独立权利要求7
权利要求7要求保护一种基于权利要求1至6之一所述方法制备得到的半导体器件，然而对比文件1已经公开了多段型衬底的制备方法可用于半导体器件等技术领域中的微细加工（参见对比文件1的说明书第95段），因此在其涉及的权利要求1至6之一所述的制备方法不具备创造性的情况下，该权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4关于独立权利要求8
权利要求8要求保护一种包括权利要求7所述半导体器件的电子装置，然而根据产品的应用需求，将包含台阶结构的半导体器件应用于电子装置属于本领域的常规应用，不需要付出创造性的劳动，因此在其涉及的权利要求7所述的半导体器件不具备创造性的情况下，该权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
3.1复审请求人认为：对比文件1并没有公开对光刻胶进行后烘的步骤，在本申请中所述后烘除了固化所述光刻胶层的目的还在于在提高所述光刻胶层硬度的同时，使光刻胶失去光活性，以避免在后续的曝光显影中受到影响，对比文件1和公知常识证据3均没有给出任何技术启示；此外，在光刻胶上贴感光性的膜层材料并非现有技术或容易实现的，如上所述，如果没有执行本申请中对所述光刻胶层进行后烘以固化所述光刻胶层的步骤，则根本无法实现在光刻胶上贴感光性的膜层材料，公知常识证据4没有公开将所述感光胶形成于后烘的光刻胶上，以及先对光刻胶进行固化的步骤，因此本领域技术人员即使将公知常识证据4的方案应用到对比文件1中也无法实现贴敷。
对此，合议组认为：“对所述光刻胶层进行后烘，以固化所述光刻胶层”以及“在光刻胶上贴敷感光性的膜层材料”均属于本领域的公知常识，具体参见上述针对区别（1）和（3）的评述，其中公知常识证据3中明确记载了“后烘又称为坚膜，就是将显影及漂洗后的基片在较高的温度下进行固化处理，后烘可去除所有残存的溶剂，使膜胶更致密坚硬”，同时公知常识证据4中明确记载了“干膜感光胶可以预先加工制作，长期保存备用，用时只要将聚乙烯膜揭去，将感光胶膜面对向线路板基铜箔，在加热、加压条件下，使感光膜层粘贴附于铜箔上”，即对比文件4给出了可将感光胶膜贴敷在固体材料上的技术启示，那么面对固化后的光刻胶层需要覆盖感光材料这一技术问题时，本领域技术人员容易想到将现有的干膜感光胶贴敷在固化后的光刻胶层上，不需要克服技术偏见，也没有实现预料不到的技术效果。
3.2复审请求人：本申请中在固化处理的光刻胶层上形成感光的感光性的膜层材料，以作为牺牲层，而对比文件2中形成的正性光刻胶和负性光刻胶均作为掩膜层使用，这与本申请中所述光刻胶层作为掩膜，感光性的膜层材料作为牺牲层不同，另外，对比文件2虽然公开了一次蚀刻工艺，但是该工艺的原理与本申请完全不同，本申请中该一次蚀刻的原理是对所述光刻胶层进行固化并且使光刻胶失去光活性并且具有一定硬度，在蚀刻的过程中光刻胶层作为掩膜不会被蚀刻去除，而所述感光的感光性的膜层材料会被蚀刻去除，这与对比文件2中位于下层的光刻胶层会被部分地蚀刻去除，上层的光刻胶层不会去除相反，因此对比文件2中的一次蚀刻与本申请中的一次蚀刻工艺步骤和原理是不同的，所述不同正是由于在本申请中对光刻胶进行了固化处理，而且对比文件2也没有给出任何技术启示，本领域技术人员不会将对比文件2的方案与对比文件1相结合，并非如驳回决定指出的“有动机将对比文件2应用于对比文件1”。
对此，合议组认为：发明或者实用新型专利权的保护范围以其权利要求的内容为准，本申请的权利要求书中并没有记载“感光性的膜层材料是作为牺牲层”、“在蚀刻的过程中光刻胶层作为掩膜不会被蚀刻去除，而所述感光的感光性的膜层材料会被蚀刻去除”等，相反，权利要求1中记载了“以所述光刻胶层和所述膜层材料为掩膜蚀刻所述晶圆，通过一次蚀刻步骤在所述晶圆中形成深度不同的凹槽和台阶形结构”，而对比文件2中同样公开了以光刻胶层208和212作为掩膜，经过一次刻蚀清洗便形成具有接触孔218和沟槽开口219的双镶嵌图形，即对比文件2给出了在两层掩膜上通过一次蚀刻步骤从而形成深度不同的凹槽和台阶形结构的技术启示；至于“对光刻胶进行了固化处理”，则属于本领域的公知常识，具体参见上述针对区别（1）的评述。
3.3复审请求人认为：本申请和对比文件1的上述区别步骤紧密相连，不能将其进一步分割，复审通知书将每个步骤进行分割，显然是不合理的；即使各个对比文件公开了部分工艺步骤，但是将多个工艺步骤按照先后顺序进行组合，以得到解决本申请的技术问题的技术方案没有在任何一个对比文件中公开，各个步骤组合后得到的新的技术方案是非显而易见的，因此权利要求1所要保护的技术方案具有创造性。
对此，合议组认为：上述区别步骤中的区别（2）已由对比文件2给出技术启示，针对区别（2）中设置感光材料层这一步骤，由于通过贴敷感光膜或涂覆感光胶以形成感光层均属于本领域的公知常识，因此，本领域技术人员可以根据实际需要选择上述任意一种方式来形成感光层，而当选择在光刻胶层上贴敷感光性膜层材料时，为了增强感光性膜层的附着力，本领域技术人员容易想到对曝光显影后的光刻胶层进行后烘，以去除所有残存的溶剂，使光刻胶层更致密坚硬，这属于本领域的常规技术手段。在复审通知书中将上述区别步骤进行分割仅是便于说理清晰，区别（1）为区别（2）的准备步骤，而区别（3）为区别（2）中一个步骤的具体选择，其先后顺序对本领域技术人员来说是显而易见的，因此本领域技术人员可以在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到本申请权利要求1要求保护的技术方案，不需要付出创造性的劳动。
因此，复审请求人的陈述意见不具有说服力，本合议组不予支持。本申请权利要求1-8仍均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本案合议组作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于 2018年06 月07 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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