发明创造名称：阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
外观设计名称：
决定号：195567
决定日：2019-11-20
委内编号：1F268011
优先权日：
申请（专利）号：201610232470.X
申请日：2016-04-14
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 合肥鑫晟光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘燕梅
合议组组长：崔双魁
参审员：张帆
国际分类号：G02F1/1362，G02F1/1333
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征是在对比文件的基础上容易做出的改进，且没有带来预料不到的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610232470.X，名称为“阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司、合肥鑫晟光电科技有限公司。本申请的申请日为2016年04月14日，公开日为2016年06月15日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月28日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请人于申请日2016年04月14日提交的说明书第1-93段、说明书附图1-5、说明书摘要及摘要附图；2017年10月17日提交的权利要求第1-10项。驳回决定中引用了如下1篇对比文件：
对比文件2：CN103676354A，公开日期为2014年03月26日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有栅极金属图形和栅线；
形成有所述栅线的衬底基板上形成有栅极绝缘层；
形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有数据线和源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极；
形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有钝化层，其中，所述栅极绝缘层上形成有第一过孔组，所述第一过孔组位于所述栅线上方，所述钝化层上形成有第二过孔组、第三过孔组和第四过孔组，所述第二过孔组位于所述漏极上方，所述第三过孔组位于所述栅线上方，所述第三过孔组与所述第一过孔组连通，所述第四过孔组位于所述数据线上方；
形成有所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极图形、第一测试电极图形和第二测试电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接，所述第一测试电极图形通过所述第三过孔组、所述第一过孔组与所述栅线连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接，所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行测试或断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行测试或断线修复。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有有源层图形、氧化物沟道图形、所述数据线和所述源漏极金属图形。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极图形由透明导电材料制作而成，所述第一测试电极图形、所述第二测试电极图形与所述像素电极图形材料相同。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
第一至第四过孔组中的任一过孔的横截面为圆形或方形。
5. 一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上依次形成栅极金属图形和栅线；
在形成有所述栅线的衬底基板上形成栅极绝缘层；
在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上依次形成数据线和源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极；
在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层，其中，所述栅极绝缘层上形成有第一过孔组，所述第一过孔组位于所述栅线上方，所述钝化层形成有第二过孔组、第三过孔组和第四过孔组，所述第二过孔组位于所述漏极上方，所述第三过孔组位于所述栅线上方，所述第三过孔组与所述第一过孔组连通，所述第四过孔组位于所述数据线上方；
在形成有所述钝化层的衬底基板上依次形成像素电极图形、第一测试电极图形和第二测试电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接，所述第一测试电极图形通过所述第三过孔组、所述第一过孔组与所述栅线连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接，所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行测试或断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行测试或断线修复。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层之后，所述方法还包括：
对形成有所述栅极绝缘层和所述钝化层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第一过孔组、所述第二过孔组、所述第三过孔组和所述第四过孔组。
7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述栅线的衬底基板上形成栅极绝缘层之后，所述方法还包括：
对形成有所述栅极绝缘层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第一过孔组；
所述在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层之后，所述方法还包括：
对形成有所述钝化层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第二过孔组、 所述第三过孔组和所述第四过孔组。
8. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述像素电极图形由透明导电材料制作而成，所述第一测试电极图形、所述第二测试电极图形与所述像素电极图形材料相同。
9. 一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至4任一所述的阵列基板。
10. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。”
驳回决定中指出：独立权利要求1与对比文件2的区别为：第一过孔组设置在栅线上方，第四过孔组设置在数据线上方，以及第一测试电极图形用于对栅线进行断线修复和第二测试电极图形用于对数据线进行断线修复。上述区别是在对比文件2公开内容的基础上容易想到的，因此独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件2公开，或是本领域的公知常识，因此权利要求2-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求5与对比文件2的区别为：第一过孔组设置在栅线上方，第四过孔阻设置在数据线上方，以及第一测试电极图形用于对栅线进行断线修复和第二测试电极图形用于对数据线进行修复。上述区别是在对比文件2公开内容的基础上容易想到的。因此独立权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求6-7的附加技术特征属于本领域常用技术手段，从属权利要求8的附加技术特征被对比文件2和本领域公知常识的结合所公开，因此权利要求6-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求9请求保护一种显示面板，并引用了权利要求1-4的阵列基板，显示面板包括阵列基板是本领域的公知常识，因此当权利要求1-4不具有创造性时，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求10请求保护一种显示装置，并引用了权利要求9的显示面板，对比文件2公开了显示装置，显示装置包括显示面板是本领域的公知常识，因此当权利要求9不具有创造性时，权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人京东方科技集团股份有限公司、合肥鑫晟光电科技有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年12月06日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：（1）对比文件2中电极结构的形成位置与本申请中的形成位置不同。本申请与对比文件2中的过孔连接对象不同。（2）对比文件2中，当需要测试时，向第一电极结构的引入电极输入栅线测试信号，向第二电极结构的引入电极输入数据线测试信号，从而对整个阵列基板进行测试，而本申请中可以对每个像素分别进行检测，并在任一像素所在的栅线或数据线断线时能够对该处栅线或数据线进行断线修复。并且测试电极图形用于对栅线、数据线进行断线修复也不属于本领域惯用技术手段。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月12日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1与对比文件2的区别为：（1）第一过孔组位于所述栅线上方，第三过孔组位于所述栅线上方；第四过孔组位于所述数据线上方；所述第一测试电极图形通过所述第三过孔组、所述第一过孔组与所述栅极连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接；（2）栅极、源极和漏极为金属；所述钝化层上形成有第二过孔组，第二过孔组位于漏极上方；所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接；（3）所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行断线修复。其中区别（1）是在对比文件2公开内容的基础上容易想到的，区别（2）、（3）属于本领域的公知常识，因此独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件2公开，或是本领域的公知常识，因此权利要求2-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求5与对比文件2的区别为：（1）第一过孔组位于所述栅线上方，第三过孔组位于所述栅线上方；第四过孔组位于所述数据线上方；所述第一测试电极图形通过所述第三过孔组、所述第一过孔组与所述栅极连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接；（2）栅极、源极和漏极为金属；所述钝化层上形成有第二过孔组，第二过孔组位于漏极上方；所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接；（3）所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行断线修复。上述区别技术特征与独立权利要求1与对比文件2的区别技术特征实质上相同，因此基于前述对独立权利要求1的评述，独立权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求6-7的附加技术特征是本领域的常用技术手段，从属权利要求8的附加技术特征是在对比文件2公开内容的基础上容易想到的，因此权利要求6-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求9请求保护一种显示面板，并引用了权利要求1-4的阵列基板，对比文件2公开了一种显示面板，基于对权利要求1-4的评述，独立权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求10请求保护一种显示装置，并引用了权利要求9的显示面板，对比文件2公开了一种显示装置，基于前述对权利要求9的评述，独立权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年08月21日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。其中根据说明书第50、53-58、62-65段及附图1至3-2所记载的内容作出如下修改：权利要求1、5中增加特征“所述多条栅线和所述多条数据线限定出多个像素区域”、“所述栅线中限定每个所述像素区域的部分的上方具有所述第一过孔组的一个过孔”、“所述栅线中限定每个所述像素区域的部分的上方具有所述第三过孔组的一个过孔”以及“所述数据线中限定每个所述的部分的上方具有所述第四过孔组的一个过孔”；将特征“所述第三过孔组的过孔与所述第一过孔组连通”修改为“所述第三过孔组的过孔与所述第一过孔组的过孔一一对应连通”；将特征“所述第一测试电极图形通过所述第三过孔组、所述第一过孔组与所述栅线连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接”修改为“所述第一测试电极图形依次通过所述第三过孔组和所述第一过孔组中相互连通的过孔与所述栅线连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组的过孔与所述数据线连接”，同时还将部分“栅线”、“数据线”修改为“多条栅线”和“多条数据线”。
修改后的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
衬底基板；
所述衬底基板上形成有栅极金属图形和多条栅线；
形成有所述栅线的衬底基板上形成有栅极绝缘层；
形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有多条数据线和源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述多条栅线和所述多条数据线限定出多个像素区域；
形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成有钝化层，其中，所述栅极绝缘层上形成有第一过孔组，所述第一过孔组位于所述栅线上方，所述栅线中限定每个所述像素区域的部分的上方具有所述第一过孔组的一个过孔，所述钝化层上形成有第二过孔组、第三过孔组和第四过孔组，所述第二过孔组位于所述漏极上方，所述第三过孔组位于所述栅线上方，所述栅线中限定每个所述像素区域的部分的上方具有所述第三过孔组的一个过孔，所述第三过孔组的过孔与所述第一过孔组的过孔一一对应连通，所述第四过孔组位于所述数据线上方，所述数据线中限定每个所述的部分的上方具有所述第四过孔组的一个过孔；
形成有所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极图形、第一测试电极图形和第二测试电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接，所述第一测试电极图形依次通过所述第三过孔组和所述第一过孔组中相互连通的过孔与所述栅线连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组的过孔与所述数据线连接，所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行测试或断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行测试或断线修复。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上形成有有源层图形、氧化物沟道图形、所述数据线和所述源漏极金属图形。
3. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素电极图形由透明导电材料制作而成，所述第一测试电极图形、所 述第二测试电极图形与所述像素电极图形材料相同。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
第一至第四过孔组中的任一过孔的横截面为圆形或方形。
5. 一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上依次形成栅极金属图形和多条栅线；
在形成有所述栅线的衬底基板上形成栅极绝缘层；
在形成有所述栅极绝缘层的衬底基板上依次形成多条数据线和源漏极金属图形，所述源漏极金属图形包括源极和漏极，所述多条栅线和所述多条数据线限定出多个像素区域；
在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层，其中，所述栅极绝缘层上形成有第一过孔组，所述第一过孔组位于所述栅线上方，所述栅线中限定每个所述像素区域的部分的上方具有所述第一过孔组的一个过孔，所述钝化层形成有第二过孔组、第三过孔组和第四过孔组，所述第二过孔组位于所述漏极上方，所述第三过孔组位于所述栅线上方，所述栅线中限定每个所述像素区域的部分的上方具有所述第三过孔组的一个过孔，所述第三过孔组的过孔与所述第一过孔组的过孔一一对应连通，所述第四过孔组位于所述数据线上方，所述数据线中限定每个所述的部分的上方具有所述第四过孔组的一个过孔；
在形成有所述钝化层的衬底基板上依次形成像素电极图形、第一测试电极图形和第二测试电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接，所述第一测试电极图形依次通过所述第三过孔组和所述第一过孔组中相互连通的过孔与所述栅线连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组的过孔与所述数据线连接，所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行测试或断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行测试或断线修复。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层之后，所述方法还包括：
对形成有所述栅极绝缘层和所述钝化层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第一过孔组、所述第二过孔组、所述第三过孔组和所述第四过孔组。
7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述栅线的衬底基板上形成栅极绝缘层之后，所述方法还包括：
对形成有所述栅极绝缘层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第一过孔组；
所述在形成有所述源漏极金属图形的衬底基板上形成钝化层之后，所述方法还包括：
对形成有所述钝化层的衬底基板进行一次构图工艺，形成所述第二过孔组、所述第三过孔组和所述第四过孔组。
8. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述像素电极图形由透明导电材料制作而成，所述第一测试电极图形、所述第二测试电极图形与所述像素电极图形材料相同。
9. 一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至4任一所述的阵列基板。
10. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。”
复审请求人认为：（1）对比文件2是在栅极信号输入电极21和数据线信号输入电极22的上方形成过孔，栅线信号输入电极21是与栅线电连接并在同一构图工艺中形成的结构，并不是栅线，同样数据线信号输入电极22也不是数据线，因此对比文件2中过孔的位置与本申请的不同。（2）对比文件2中的过孔是为了将属于同一电极结构且异层分布的引入电极和本体电极连接，因此对比文件2中的电极本体不需要通过过孔与栅线或数据线连接。而本申请中的测试电极图形可相当于对比文件2中的电极结构，权利要求1中的电极结构是同层设置的结构，并不是由异层设置的多个部分连接构成，因此无需通过过孔连接；对比文件2的本体电极与同层设置的被测试结构连接，可以使引入电极的测试信号到达被测试结构进行测试，权利要求1中的测试电极图形是将测试信号引入被测试结构进行测试，虽然对比文件2与权利要求1的结构都能对被测试结构进行测试，但是对比文件2中的过孔是为了使测试信号在电极结构内传输，而权利要求1中的过孔是为了使测试信号在测试电极图形与被测试结构之间传输，作用不相同。（3）权利要求1中的过孔可以进行断线修复，还可以用于对栅线或数据线进行测试，虽然本领域中可以在栅线或数据线上方设置开口并在栅线或数据线需要修复时，通过开口与其他修复线或辅助线电连接进行修复，但是并没有任何教科书或工具书记载过孔既可以用于对栅线或数据线进行测试，又可以用于断线修复。即使为了节约成本以及便于修复，本领域技术人员也不会选择通过测试电极对栅极或数据线进行修复。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年08月21日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定是以申请日2016年04月14日提交的说明书第1-93段、说明书附图1-5、说明书摘要及摘要附图；2019年08月21日提交的权利要求第1-10项为基础作出的。
（二）关于专利法第22条第3款
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征是在对比文件的基础上容易做出的改进，且没有带来预料不到的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案：
1、独立权利要求1请求保护一种阵列基板，对比文件2公开了一种阵列基板（参见说明书第44-79段，附图3-5），包括衬底基板11以及设置于衬底基板11上方的多个电极结构，像素区域区内设置有薄膜晶体管7，薄膜晶体管7包括栅极71、栅绝缘层8、有源层74、源极72和漏极73，栅绝缘层8设置在栅极71与源极72之间，栅极71与栅线电连接且设置在同一层中，源极72与数据线电连接且设置在同一层中，薄膜晶体管7的上方还设置有有机绝缘层9和钝化层10，钝化层10的上方还设置有公共电极12（说明书第67段）。电极结构包括第一电极结构001和第二电极结构002。第一电极结构001采用实施例2中的电极结构，第二电极结构002采用实施例1中的电极结构，栅线与第一电极结构001中的本体电极（即栅线信号输入电极21）电连接，钝化层10还延伸至非显示区02并作为第一隔离层，有机绝缘层9还延伸至非显示区02并作为第二隔离层，栅绝缘层8还延伸至非显示区02并作为第三隔离层，引入电极（即第一引入电极61）用于引入栅线测试信号。数据线与第二电极结构002中的本体电极（即数据线信号输入电极22）电连接，钝化层10还延伸至非显示区02并作为第一隔离层，有机绝缘层9还延伸至非显示区02并作为第二隔离层，引入电极（即第二引入电极62）用于引入数据线测试信号（说明书第68段）。其中，实施例1中的电极结构包括引入电极6和本体电极2，本体电极2设置在第一衬底基板1上，引入电极6与本体电极2之间设置有第一隔离层5和第二隔离层4，第一隔离层5中开设有第一过孔51、第二隔离层中开设有第二过孔41，第一过孔51的孔轴和第二过孔41的孔轴在同一直线，引入电极6依次通过第一过孔51和第二过孔41与本体电极2电连接（说明书第44段）。实施例2中的电极结构在本体电极2与第二隔离层4之间还设置有第三隔离层3，第三隔离层3中开设有第三过孔31，第三过孔31的孔轴与第二过孔41的孔轴在同一直线、且其直径小于等于第一过孔51的直径，引入电极6还通过第三过孔31与本体电极2电连接，第一隔离层5还延伸至覆盖第三隔离层3对应着第三过孔31区域未被第二隔离层4覆盖的表面。第一电极结构001中的本体电极（即栅线信号输入电极21）与栅极71采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成，即第一电极结构001中的本体电极与栅极71以及栅线形成在阵列基板的同一层中。第二电极结构002中的本体电极（即数据线信号输入电极22）与源极72采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成，即第二电极结构002中的本体电极与源极72以及数据线形成在阵列基板的同一层中（说明书第69段）。虽然第一电极结构001的引入电极和第二电极结构002的引入电极与公共电极12形成在阵列基板的同一层中，但第一电极结构001的引入电极、第二电极结构002的引入电极和公共电极12中任意两者之间不互相连接，即相互电隔离。原因是公共电极12用于在显示时输入公共参考电压信号，第一电极结构001的引入电极用于在测试时输入栅线测试信号，第二电极结构002的引入电极用于在测试时输入数据线测试信号。显示时的公共电压信号和测试时的栅线测试信号及数据线测试信号分别独立提供，互不干扰（说明书第71段）。
经分析对比可知，对比文件2中的阵列基板包括衬底基板11以及设置于衬底基板11上方的多个电极结构，像素区域区内设置有薄膜晶体管7，薄膜晶体管7包括栅极71、栅绝缘层8、有源层74、源极72和漏极73，栅绝缘层8设置在栅极71与源极72之间，栅极71与栅线电连接且设置在同一层中，源极72与数据线电连接且设置在同一层中，薄膜晶体管7的上方还设置有有机绝缘层9和钝化层10，其中必然设置有多条栅线和数据线，并且限定出多个像素区域，因此对应公开了权利要求1中的特征“阵列基板包括衬底基板；衬底基板上形成有栅极图形和栅线；形成有栅线的衬底基板上形成有栅极绝缘层；形成有栅极绝缘层的衬底基板上形成有数据线和源漏极图形，多条栅线和多条数据线限定出多个像素区域；形成源漏极图形的衬底基板上形成有钝化层”；对比文件2中的第2实施例中的电极结构包括引入电极6和本体电极2，本体电极2设置在第一衬底基板1上，引入电极6与本体电极2之间依次设置有第三隔离层3、第一隔离层5和第二隔离层4，第三隔离层3中开设有第三过孔31，即对应于权利要求中的栅极绝缘层上形成有第一过孔组；第一隔离层5中开设有第一过孔51，第二隔离层中开设有第二过孔41，第三过孔31的孔轴与第二过孔41的孔轴在同一直线，第一过孔51的孔轴和第二过孔41的孔轴在同一直线，由于对比文件2中的电极结构还包括了第一电极结构001和第二电极结构002分别输入栅线测试信号和数据形测试信号，因此对应公开了权利要求中的特征“钝化层上形成有第三过孔组、第四过孔组，第三过孔组与第一过孔组连通”。
因此权利要求1与对比文件2的区别为：（1）第一过孔组位于所述栅线上方，栅线中限定每个像素区域的部分的上方具有第一过孔组的一个过孔，第三过孔组位于所述栅线上方；栅线中限定每个像素区域的部分的上方具有第三过孔组的一个过孔，第三过孔组的过孔与第一过孔组的过孔一一对应连通；第四过孔组位于所述数据线上方，数据线中限定每个所述的部分的上方具有第四过孔组的一个过孔；所述第一测试电极图形依次通过所述第三过孔组和所述第一过孔组中相互连通的过孔与所述栅极连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接；（2）栅极、源极和漏极为金属；所述钝化层上形成有第二过孔组，第二过孔组位于漏极上方；所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接；（3）所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行断线修复。基于上述区别技术特征可以确定其实际解决的技术问题是：如何设置过孔的位置并且对栅线或数据线进行修复。
对于上述区别技术特征（1），合议组认为：对比文件2公开了一种电极结构，该电极结构可用于对栅线和数据线进行信号检测。其中电极结构的本体电极与栅线或数据线电连接，对应于本体电极位置处的第三隔离层和第二隔离层中形成有第三过孔和第二过孔，引入电极通过两个过孔电连接至本体电极（参见说明书第56段）。栅线与第一电极结构001中的本体电极（即栅线信号输入电极21）电连接，引入电极（即第一引入电极61）用于引入栅线测试信号；数据线与第二电极结构002中的本体电极（即数据线信号输入电极22）电连接，引入电极（即第二引入电极62）用于引入数据线测试信号（参见说明书第68段）。也就是说，对比文件2中公开了在栅线信号输入电极21和数据线信号输入电极22的上方形成过孔，其中栅线与栅线信号输入电极21电连接并在同一构图工艺中形成在同一层，数据线与数据线信号输入电极22电连接并在同一构图工艺中形成在同一层，以此来进行信号测试。而本申请中是通过在栅线或数据线上的钝化层中设置对应的过孔，并将测试电极通过过孔电连接至栅线或数据线，通过测试电极输入测试信号来进行检测，其与对比文件2的作用实质上是相同的。而对于本领域的技术人员而言，为了便于对显示面板进行信号检测同时减小对显示面板的损坏，以及为了提高对整个面板的检测的准确性以及缺陷的位置的精确度，本领域的技术人员容易想到在栅极和数据线上、每个像素区域中设置同样的结构，即每个像素区域中在栅线上依次形成第一过孔组的一个过孔和第三过孔组的一个过孔，并使依次设置的第一过孔组的一个过孔和第三过孔组一个过孔连通，使测试电极分别连接至每个像素区域中的栅线和数据线，以便对栅线和数据线进行信号检测。
对于区别技术特征（2），在显示面板中通常在钝化层上设置有用于像素电极，并且像素电极通过钝化层形成的过孔电连接至薄膜晶体管的漏极上，并且使用金属形成栅极、源极和漏极是本领域的公知常识。
对于区别技术特征（3），在该技术领域中，通过在栅线或数据线上方的绝缘层或钝化层上设置开口并在栅线或数据线需要修复时，通过这些开口将栅线或数据线与其他修复线或辅助线等电连接进行修复是常见的方式。对比文件2和本申请中都是通过过孔连接测试电极和过孔下方的电极，因此当发生断线需要修复时，本领域的技术人员能够想到通过测试电极电连接至其他信号线或电极处以对下方的电极或信号线进行修复。因此当在栅线或数据线上方设置过孔时，为了节约成本以及便于修复，选择通过测试电极来对栅极或数据线进行修复是本领域的技术人员容易想到的。
因此权利要求1相对于对比文件2和本领域的常用技术手段的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：（1）如上述对权利要求1的评述，对比文件2已经公开了本体电极与栅极/数据线采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成，引入电极通过过孔电连接至本体电极，用于对栅线或数据线进行测试，即本体电极与栅线/数据线形成在阵列基板的同一层中，并且本体电极能够接收测试信号并用来测试栅线或数据线，因此，在对比文件2公开的基础上，为了提高测试的精确度和准确性，进一步将阵列基板中的栅线或数据线上设置类似的结构也是容易想到并可以实现的。（2）对比文件2中的栅线与第一电极结构001中的本体电极（即栅线信号输入电极21）电连接，引入电极（即第一引入电极61）用于引入栅线测试信号；数据线与第二电极结构002中的本体电极（即数据线信号输入电极22）电连接，引入电极（即第二引入电极62）用于引入数据线测试信号（参见说明书第68段）。也就是说，引入电极将测试信号引入至本体电极，由于本体电极与栅线或数据线电连接，因此可以对栅线或数据线进行测试，因此引入电极的作用与权利要求1中的测试电极图形的作用相同，基于上述意见（1）中指出，当在显示区域的栅线或数据线上设置相同的测试结构时，其过孔即能够在测试电极与被测结构之间传递测试信号（3）正如复审请求人所述，栅线或数据线上设置有过孔，并通过过孔电连接辅助线或修复线以对栅线或数据线进行修复是本领域常用的技术手段，对于本领域技术人员而言，当在栅线或数据线上方设置过孔时并电连接能够传输信号的电极图形时，为了节约成本以及便于修复，选择通过测试电极图形来对栅极或数据线进行修复是本领域的技术人员容易想到的。因此复审请求人的意见不具有说服力。
2、权利要求2引用权利要求1，对比文件2公开了（参见说明书第67段）：衬底基板11以及设置于衬底基板11上方的多个电极结构，像素区域区内设置有薄膜晶体管7，薄膜晶体管7包括栅极71、栅绝缘层8、有源层74、源极72和漏极73。可见，其附加技术特征被对比文件2公开，因此当引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3引用权利要求1，对比文件2公开了（参见说明书第69段）：第一电极结构001的引入电极（即第一引入电极61）和第二电极结构002的引入电极（即第二引入电极62）与公共电极12采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成，即第一电极结构001中的引入电极和第二电极结构002中的引入电极均与公共电极12形成在阵列基板的同一层中。对本领域的技术人员来说，像素电极和公共电极通常由ITO等透明导电材料形成，对比文件2已经公开了第一电极和第二电极的引入电极可以与公共电极相同的材料形成，在此基础上，选择和像素电极的材料相同也是容易想到的。因此当引用的权利要求1不具有创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4引用权利要求1，对比文件2公开了（说明书第49、51段）：采用掩模板对第二过孔41进行曝光，掩模板上对应形成第二过孔41的图形为圆形，其直径为R；掩模板上对应形成第一过孔51的图形为圆形，其直径为r。相应地，形成的第一过孔51的直径也为r。对比文件2已经公开了接触孔为圆形，而接触孔为方形也是本领域常用的技术手段，因此当引用的权利要求1不具有创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、独立权利要求5请求保护一种阵列基板的制造方法，对比文件2公开了一种阵列基板的制造方法（参见说明书第46-79段，附图3-5），包括在显示区01形成栅极71和栅线；形成栅绝缘层8，栅绝缘层8还延伸至非显示区02并作为第三隔离层；形成包括源极72、漏极73和数据线的源漏金属层，以及形成有源层74；形成有机绝缘层9和钝化层10，有机绝缘层9和钝化层10还延伸至非显示区02并分别作为第二隔离层和第一隔离层；形成公共电极12（参见说明书第75段）。第一电极结构001中的本体电极（即栅线信号输入电极21）与栅极71采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成；第二电极结构002中的本体电极（即数据线信号输入电极22）与源极72采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成（说明书第76段）。栅线与第一电极结构001中的本体电极电连接，数据线与第二电极结构002中的本体电极电连接（说明书第77段）。第一电极结构001的制备步骤与实施例2中电极结构的制备步骤相同，第二电极结构002的制备步骤与实施例1中的电极结构的制备步骤相同（说明书第78段）。实施例1中的电极结构的制备步骤为：步骤S1：采用构图工艺在第一衬底基板1上形成本体电极2；步骤S2：采用一次构图工艺在完成步骤S1的第一衬底基板1上形成第二隔离层4及第二过孔41；步骤S3：采用一次构图工艺在完成步骤S2的第一衬底基板1上形成第一隔离层5及第一过孔51；步骤S4：采用一次构图工艺在完成步骤S3的第一衬底基板 1上形成引入电极6（参见说明书第46-52段）。实施例2中的制备步骤为：在实施例1中电极结构的制备步骤的基础上，还包括：在完成步骤S1的第一衬底基板1上沉积或涂覆第三隔离层3；步骤S3中还进一步包括：采用一次构图工艺在完成步骤S2的第一衬底基板1上形成第三过孔31（参见说明书第56-63段）。
因此权利要求5与对比文件2的区别为：（1）第一过孔组位于所述栅线上方，栅线中限定每个像素区域的部分的上方具有第一过孔组的一个过孔，第三过孔组位于所述栅线上方；栅线中限定每个像素区域的部分的上方具有第三过孔组的一个过孔，第三过孔组的过孔与第一过孔组的过孔一一对应连通；第四过孔组位于所述数据线上方，数据线中限定每个所述的部分的上方具有第四过孔组的一个过孔；所述第一测试电极图形依次通过所述第三过孔组和所述第一过孔组中相互连通的过孔与所述栅极连接，所述第二测试电极图形通过所述第四过孔组与所述数据线连接；（2）栅极、源极和漏极为金属；所述钝化层上形成有第二过孔组，第二过孔组位于漏极上方；所述钝化层的衬底基板上形成有像素电极图形，所述像素电极图形通过所述第二过孔组与所述漏极连接；（3）所述第一测试电极图形用于对所述栅线进行断线修复，所述第二测试电极图形用于对所述数据线进行断线修复。上述区别技术特征与权利要求1与对比文件2的区别技术特征实质上相同，因此基于前述对权利要求1的评述，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求6、7分别引用权利要求5，对本领域的技术人员来说，为了节约制作工序在同一步骤中通过一次构图工艺形成多个过孔是常用的技术手段。因此当引用的权利要求5不具备创造性时，权利要求6、7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求8引用权利要求5，对比文件2公开了（参见说明书第69段）：第一电极结构001的引入电极（即第一引入电极61）和第二电极结构002的引入电极（即第二引入电极62）与公共电极12采用相同的材料、且在同一构图工艺中形成，即第一电极结构001中的引入电极和第二电极结构002中的引入电极均与公共电极12形成在阵列基板的同一层中。对本领域的技术人员来说，像素电极和公共电极通常由ITO等透明导电材料形成，对比文件2已经公开了第一电极和第二电极的引入电极可以与公共电极相同的材料形成，在此基础上，选择和像素电极的材料相同也是容易想到的。因此当引用的权利要求5不具有创造性时，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、独立权利要求9请求保护一种显示面板，包括权利要求1-4任一所述的阵列基板，对比文件2公开了一种显示面板（参见说明书第44-79段，附图3-5），基于前述对权利要求1-4的评述，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、独立权利要求10请求保护一种显示装置，包括权利要求9所述的显示面板。对比文件2公开了一种显示装置（参见说明书第44-79段，附图3-5），基于前述对权利要求9的评述，权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-10均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月28日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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