发明创造名称：存储器系统
外观设计名称：
决定号：195113
决定日：2019-11-15
委内编号：1F271416
优先权日：2006-11-30
申请（专利）号：201510111605.2
申请日：2007-11-28
复审请求人：东芝存储器株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王昆
合议组组长：李晨
参审员：温睿
国际分类号：G06F11/00，G06F11/10，G11C16/34
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：若一项权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的常用技术手段，且现有技术已经给出了相应的技术启示令所属领域技术人员有动机将相关技术手段应用于最接近的现有技术中以解决相应的技术问题并获得该权利要求所要求保护的技术方案，而且该区别技术特征的引入未给该权利要求带来预料不到的技术效果，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510111605.2，名称为“存储器系统”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为东芝存储器株式会社。本申请的申请日为2007年11月28日，优先权日为2006年11月30日，公开日为2015年06月10日。本申请是申请日为2007年11月28日、申请号为2007800425527、发明名称为“存储器系统”的中国专利申请的分案申请。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月22日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-2，4-20相对于对比文件1（US2006265545A1，公开日为2006年11月23日）以及本领域的惯用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求1与对比文件1相比，区别在于：1）对比文件1中用于监控存储器的生命周期的参数包括累计擦除次数和最大擦除操作次数，而在该权利要求中是基于在第1信息、第2信息、第3信息，即上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量、已写入的数据总量及读取的数据的总量；控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。2）在半导体非易失性存储器执行损耗均衡；定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的第1命令。针对上述区别技术特征，权利要求1实际所要解决的技术问题是:1）基于存储器可写入的数据的总量、已写入的数据总量及读取的数据的总量实现对存储器生命周期的监控。2）如何定期地取得信息显示寿命及如何高效使用存储器。对于区别1），对比文件1中公开了通过擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，所属领域技术人员根据掌握的技术常识同时结合对比文件1容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量、已写入数据总量及读取数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，这是本领域技术人员在解决此类问题时所经常采用的技术手段。在此基础上，本领域技术人员很容易想到控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；并且上述管理单元配置为使用上述第1信息和第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。对于区别2），对比文件1公开了：记录单元102e将不仅在信息处理装置关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新；且对比文件1还公开了根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型参数表22a，累计擦除次数统计管理表22b中的累计擦除次数和最大擦除操作次数监控存储器的生命周期。由上可知，对比文件1公开了基于累计擦除次数统计管理表22b中的累计擦除次数和最大擦除操作次数监控存储器的生命周期，且对比文件1公开了定期更新表22b，即定期获取累计擦除次数，而在定期获取累计擦除次数的基础上，还同时定期执行生命周期监控是本领域技术人员可根据需要自行选择的；另外，为了使得存储器可更高效地使用，在半导体非易失性存储器执行损耗均衡是本领域的公知常识。由此可见，对比文件1给出了技术教导，并结合本领域中的常用技术手段，使得本领域技术人员在对比文件1公开的存储器系统的基础上有动机进行改进从而得到该权利要求所要保护的技术方案，而不需要付出创造性的劳动，因此该权利要求1不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。权利要求2、4-13的附加技术特征或被对比文件1公开，或为所属技术领域中的惯用技术手段，因此，权利要求2、4-13也不具备创造性。基于类似的原因，权利要求14-20也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为分案申请递交日2015年03月13日提交的说明书摘要、说明书第1-114段、摘要附图、说明书附图图1-21，2018年08月10日提交的权利要求第1-20项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种系统，包括：
存储器系统；和
管理单元，其安装于连接到上述存储器系统的主机，该存储器管理单元配置为决定上述存储器系统的状态；
其中，上述存储器系统，包括：
半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第1信息、第2信息、第3信息和第4信息，上述第1信息表示在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量，上述第2信息表示已写入上述半导体非易失性存储器的数据的总量，上述第3信息表示从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量，上述第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数；
控制器，其配置为接收来自上述管理单元的要求与上述半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令；并将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；
其中，在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡，
上述管理单元配置为：定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的上述第1命令，使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的上述剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命；
上述控制器配置为进一步接收来自上述管理单元的第2命令，并将上述第4信息输出到上述管理单元以回应上述第2命令。
2. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述管理单元配置为不使用上述第3信息和上述第4信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。
3. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述可写入的数据的总量为将(上述半导体非易失性存储器的每一块的存储/擦除操作限制次数)×(上述半导体非易失性存储器的总容量)与作为权重的数据保存效率相乘而得到的值。
4. 根据权利要求1所述的系统，其中：
对至少一些块的擦除操作的次数进行管理，以使其平均化。
5. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述存储器系统还包括纠错单元，该纠错单元对从上述半导体非易失性存储器读取的数据的错误的数量进行计数，
并且上述控制器输出上述错误的数量以回应第3命令。
6. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述存储器系统还包括易失性存储器，该易失性存储器配置为存储从上述半导体非易失性存储器读取的上述第1信息、上述第2信息、上述第3信息和上述第4信息。
7. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述存储器系统还包括接口，该接口配置为连接到主机。
8. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述管理单元配置为以天为单位计算剩余寿命或以年为单位计算数据保持期间。
9. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述管理单元配置为进一步使用上述第1信息和上述第2信息来计算在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的剩余量。
10. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述管理单元配置为使用上述第3信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。
11. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述管理单元配置为使用上述第3信息乘以预定因子之后来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。
12. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述可写入的数据的总量是由对上述半导体非易失性存储器的写入和擦除循环操作的限定次数和上述半导体非易失性存储器的总容量来决定。
13. 根据权利要求12所述的系统，其中：
上述可写入的数据的总量由进一步使用与将数据存储到上述半导体非易失性存储器的效率相关的加权因子来决定。
14. 一种使用计算机和显示器来监视包括半导体非易失性存储器的存储器系统的状态的方法，包括如下步骤：
将数据写入上述半导体非易失性存储器；
从上述半导体非易失性存储器读取数据；
擦除已写入上述半导体非易失性存储器的数据；
存储第1信息，该第1信息表示在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量；
存储第2信息，该第2信息表示已写入上述半导体非易失性存储器的数据的总量；
存储第3信息，该第3信息表示从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量；
存储第4信息，该第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数；
从上述存储器系统输出第1信息、第2信息以及第3信息以回应来自上述计算机的第1命令；
使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命；和
将上述剩余寿命显示于显示器；
其中，上述存储器系统配置为进一步输出上述第4信息以回应来自上述计算机的第2命令，
在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡，
上述计算机配置为定期地发出用于计算上述剩余寿命的上述第1命令。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中：
不使用上述第3信息和上述第4信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。
16. 根据权利要求14所述的方法，其中：
对从上述半导体非易失性存储器读取的数据的错误的数量进行计数，并且输出上述错误的数量以回应第3命令。
17. 根据权利要求14所述的方法，其中：
以天为单位将上述剩余寿命显示于显示器或以年为单位将数据保持期间显示于显示器。
18. 根据权利要求14所述的方法，其中：
使用上述第3信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中：
上述第3信息在乘以预定因子之后使用。
20. 一种系统，包括：
存储器系统；和
管理单元，其安装于连接到上述存储器系统的主机，该存储器管理单元配置为决定上述存储器系统的状态；
其中，上述存储器系统，包括：
半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第1信息、第2信息、第3信息和第4信息，上述第1信息表示在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量，上述第2信息表示已写入上述半导体非易失性存储器的数据的总量，上述第3信息表示从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量，上述第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数；
控制器，其配置为接收来自上述管理单元的要求与上述半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令；并将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；
其中，在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡，
上述管理单元配置为：定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的上述第1命令，使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的上述剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月17日向国家知识产权局提出了复审请求，复审请求人在提出复审请求时一并提交了修改后的权利要求书，其中在权利要求1、10、14、18以及20中加入了“刷新”的相关技术特征，修改后的权利要求1、10、14、18以及20如下：
“1. 一种系统，包括：
存储器系统；和
管理单元，其安装于连接到上述存储器系统的主机，该存储器管理单元配置为决定上述存储器系统的状态；
其中，上述存储器系统，包括：
半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第1信息、第2信息、第3信息和第4信息，上述第1信息表示在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量，上述第2信息表示已写入上述半导体非易失性存储器的数据的总量，上述第3信息表示从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量，上述第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数；
控制器，其配置为接收来自上述管理单元的要求与上述半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令；并将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；
其中，在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新，
上述管理单元配置为：定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的上述第1命令，使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的上述剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命；
上述控制器配置为进一步接收来自上述管理单元的第2命令，并将上述第4信息输出到上述管理单元以回应上述第2命令。”
“10. 根据权利要求1所述的系统，其中：
上述管理单元配置为使用上述第3信息并考虑刷新来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。 ”
“14. 一种使用计算机和显示器来监视包括半导体非易失性存储器的存储器系统的状态的方法，包括如下步骤：
将数据写入上述半导体非易失性存储器；
从上述半导体非易失性存储器读取数据；
擦除已写入上述半导体非易失性存储器的数据；
存储第1信息，该第1信息表示在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量；
存储第2信息，该第2信息表示已写入上述半导体非易失性存储器的数据的总量；
存储第3信息，该第3信息表示从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量；
存储第4信息，该第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数；
从上述存储器系统输出第1信息、第2信息以及第3信息以回应来自上述计算机的第1命令；
使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命；和
将上述剩余寿命显示于显示器；
其中，上述存储器系统配置为进一步输出上述第4信息以回应来自上述计算机的第2命令，
在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新，
上述计算机配置为定期地发出用于计算上述剩余寿命的上述第1命令。”
“18. 根据权利要求14所述的方法，其中：
使用上述第3信息并考虑刷新来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命。”
“20. 一种系统，包括：
存储器系统；和
管理单元，其安装于连接到上述存储器系统的主机，该存储器管理单元配置为决定上述存储器系统的状态；
其中，上述存储器系统，包括：
半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第1信息、第2信息、第3信息和第4信息，上述第1信息表示在上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量，上述第2信息表示已写入上述半导体非易失性存储器的数据的总量，上述第3信息表示从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量，上述第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数；
控制器，其配置为接收来自上述管理单元的要求与上述半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令；并将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；
其中，在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新，
上述管理单元配置为：定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的上述第1命令，使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的上述剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。”
复审请求人认为：由于本发明是基于可写入的数据总量和已写入的数据总量计算存储器的剩余寿命，而对比文件1中是基于由信息管理装置管理的改写次数计算存储器的寿命，这样对比文件1中由于信息管理装置不能把握由刷新导致的改写次数，因此相比于本申请，无法精确计算存储器的寿命。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：
首先，对于独立权利要求中的“在上述半导体非易失性存储器执行刷新”，本领域技术人员可知，在现有技术中，为了防止该读取扰动且为了防止信息丢失，在非易失性存储器中执行刷新操作是本领域的公知常识。对于权利要求10、 20中的“使用上述第3信息并考虑刷新来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命”，本领域技术人员可知，对存储器进行读写、刷新等是针对存储器的常规操作，在此基础上，在对比文件1公开的通过擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期的基础上，本领域技术人员很容易想到在对剩余寿命进行计算时还考虑刷新操作。由此可知，本申请中计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的发明构思已被对比文件1公开，而改写次数的值是由主机管理还是由存储器本身来进行管理，以上是本领域技术人员可以根据需要自行选择的。综上，复审请求人的意见不能被接受。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月24日向复审请求人发出复审通知书，指出：
权利要求1与对比文件1相比，区别在于：1）对比文件1中用于监控存储器的生命周期的参数包括累计擦除次数和最大擦除操作次数，而在该权利要求中是基于第1信息、第2信息、第3信息，即上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量、已写入的数据总量及从上述半导体非易失性存储器中读取的数据的总量；控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。2）在半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新；管理单元定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的第1命令。基于上述区别，该权利要求实际所要解决的技术问题是：1）如何通过多种参数实现对存储器生命周期的监控。2）如何高效使用存储器、如何防止读取扰动以及何时计算存储器的剩余寿命。
对于区别1），合议组认为基于对比文件1公开的内容以及本领域的公知常识，很容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量、已写入数据总量及读取数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，这是本领域技术人员在解决此类问题时所经常采用的技术手段。在此基础上，本领域技术人员也很自然地容易想到使得控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；并且在对比文件1已经公开了显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期的基础上，本领域技术人员也很容易想到使得上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并使得显示装置显示该计算出的剩余寿命。
对于区别2），对比文件1已经公开了基于累计擦除次数和最大擦除操作次数监控存储器的生命周期，以及定期获取累计擦除次数，而在定期获取累计擦除次数的基础上，还同时定期执行生命周期监控是本领域技术人员可根据需要自行选择的；另外，为了使得存储器可更高效地使用，在半导体非易失性存储器执行损耗均衡是本领域的公知常识，并且，执行刷新操作以防止读取扰动所带来的影响，这也是本领域惯用技术手段。由此可见，对比文件1给出了技术教导，并结合本领域中的常用技术手段，使得本领域技术人员在对比文件1公开的存储器系统的基础上有动机进行改进从而得到该权利要求所要保护的技术方案，其是显而易见的，并不需要付出创造性的劳动，因此该权利要求不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
权利要求2-13的附加技术特征或被对比文件1公开，或为所属技术领域中的惯用技术手段，因此，权利要求2-13也不具备创造性，基于类似的原因，权利要求14-20也不具备创造性。
复审请求人于2019年07月22日提交了复审无效宣告程序意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1中信息管理装置并不能把握由刷新导致的改写次数，因此无法精确计算存储器的寿命。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时，未对申请文件进行修改。因此本复审决定所针对的审查文本为：分案申请递交日2015年03月13日提交的说明书摘要、说明书第1-114段、摘要附图、说明书附图图1-21，2019年01月17日提交的权利要求第1-20项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定的创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
若一项权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的常用技术手段，且现有技术已经给出了相应的技术启示令所属领域技术人员有动机将相关技术手段应用于最接近的现有技术中以解决相应的技术问题并获得该权利要求所要求保护的技术方案，而且该区别技术特征的引入未给该权利要求带来预料不到的技术效果，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定引用驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件1作为最接近的现有技术，具体如下：
对比文件1：US 2006265545 A1，公开日：2006年11月23日。
（2.1）权利要求1请求保护一种系统，对比文件1作为最接近的现有技术公开了一种存储器系统及相应生命周期监控方法，并具体披露了以下技术特征（参见对比文件1说明书第[0007]-[0014]、[0052]-[0071]、[0146]-[0217]、[0233]段，图1-4）：如图1所示，信息处理装置1连接至存储装置2（该存储装置2相当于该权利要求的“存储器系统”），该存储装置2包括控制电路21和闪存存储器22。所述闪存存储器22以页为单位管理数据，其中多个页用作基础擦除区域，即擦除块，在其中数据能够被电写入或擦除，对特定擦除块的重复写入和擦除会导致其存储单元的退化，因此存在一个最大擦除次数，即能被读取/存储的最大次数的阈值，当数据的读取/存储次数超过这个阈值，控制电路21可能反馈一个错误信号以响应来自信息处理装置1的读取请求。因此，在所述闪存存储器22中存在存储模型名字参数表22a，累计改写次数管理表22b，其中累计改写次数管理表22b用于对擦除块的擦除操作次数进行计数，并保存该计数，同时存储模型名字参数表22a用于保存最大擦除操作次数（即公开了该权利要求中的“半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第4信息，上述第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数”）；
所述存储装置2中所包括的控制电路21（相当于该权利要求中的“控制器”），其被连接为从信息处理装置1接收并解释读写请求，将数据从闪存22中读出或者写入，并根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22中的最大擦除操作次数a和存储于累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期（即公开了该权利要求中的“控制器其配置为接收来自上述管理单元的要求与上述半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令”）；信息处理装置1与存储装置2连接，基于从存储装置2中获得的累计擦除次数等数据，负责对存储装置2生命周期的监控，该信息处理装置1包括主存储器、计算单元、显示单元及输入/输出单元，计算单元包括一计算机，例如，计算单元读取存储在主存储器中的执行程序，执行程序以进行各种处理（即公开了该权利要求中的“管理单元，其安装于连接到上述存储器系统的主机，该存储器管理单元配置为决定上述存储器系统的状态；上述控制器配置为进一步接收来自上述管理单元的第2命令，并将上述第4信息输出到上述管理单元以回应上述第2命令”）；监控单元提供一预警显示信息至显示电路，显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期（即公开了该权利要求中的“显示装置显示”）；
当信息处理装置1关闭时，累计改写次数管理表22b更新，但如果信息处理装置1持续使用，表22b更将长期未得到更新，因此，记录单元102e将不仅在信息处理装置1关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新。
该权利要求与对比文件1相比，区别在于：1）对比文件1中用于监控存储器的生命周期的参数包括累计擦除次数和最大擦除操作次数，而在该权利要求中是基于第1信息、第2信息、第3信息，即上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量、已写入的数据总量及从上述半导体非易失性存储器中读取的数据的总量；控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。2）在半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新；管理单元定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的第1命令。基于上述区别，该权利要求实际所要解决的技术问题是：1）如何通过多种参数实现对存储器生命周期的监控。2）如何高效使用存储器、如何防止读取扰动以及何时计算存储器的剩余寿命。
对于区别1），对比文件1中公开了通过擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，在对比文件1已经公开的内容的基础上，所属领域技术人员根据掌握的技术常识很容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量、已写入数据总量及读取数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，这是本领域技术人员在解决此类问题时所经常采用的技术手段。在此基础上，本领域技术人员也很自然地容易想到使得控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；并且在对比文件1已经公开了显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期的基础上，本领域技术人员也很容易想到使得上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并使得显示装置显示该计算出的剩余寿命。
对于区别2），对比文件1公开了：记录单元102e将不仅在信息处理装置1关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新；且对比文件1还公开了根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22a中的最大擦除操作次数和存储在累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期。由上可知，对比文件1公开了基于累计擦除次数和最大擦除操作次数监控存储器的生命周期，且对比文件1公开了定期更新表22b，即定期获取累计擦除次数，而在定期获取累计擦除次数的基础上，还同时定期执行生命周期监控是本领域技术人员可根据需要自行选择的；另外，为了使得存储器可更高效地使用，在半导体非易失性存储器执行损耗均衡是本领域的公知常识，并且，执行刷新操作以防止读取扰动所带来的影响，这也是本领域惯用技术手段。由此可见，对比文件1给出了技术教导，并结合本领域中的常用技术手段，使得本领域技术人员在对比文件1公开的存储器系统的基础上有动机进行改进从而得到该权利要求所要保护的技术方案，其是显而易见的，并不需要付出创造性的劳动，因此该权利要求不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
（2.2）对于权利要求2，对比文件1公开了：所述存储装置2中所包括的控制电路21，其被连接为从信息处理装置1接收并解释读写请求，将数据从闪存22中读出或者写入，并根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22中的最大擦除操作次数a和存储于累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期；即对比文件1公开了通过累计擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，所属领域技术人员根据掌握的技术常识同时结合对比文件1所公开的内容容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量和已写入数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，而不使用从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量和在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数来监控生命周期，这是本领域技术人员在解决此类问题时可根据需要进行的自主选择。因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.3）对于权利要求3，众所周知，可向存储器中写入的总量必然受到该存储器总容量的限制，同时也受到可写入次数的限制，即，可写入的总量必然与存储器的总容量和可写入的限制次数之间存在一定的关系，那么在此基础上，将可写入的数据的总量定义为(上述半导体非易失性存储器的每一块的存储/擦除操作限制次数)×(上述半导体非易失性存储器的总容量)与作为权重的数据保存效率相乘而得到的值，这是本领域技术人员根据具体需要容易想到的，无需付出创造性的劳动。因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.4）对于权利要求4，在现有技术中，对至少一些块的擦除操作的次数进行管理，以使其平均化，从而延长存储器的寿命，这是本领域的公知常识。因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.5）对于权利要求5，本领域技术人员皆知，半导体非易失性存储器读取的数据的错误的数量是掌握存储器使用情况的常见因子，因此，对本领域技术人员而言，也便很容易想到在存储器系统中设置一纠错单元，使得该纠错单元对从上述半导体非易失性存储器读取的数据的错误的数量进行计数，并且由上述控制器输出上述错误的数量以回应相应命令，这并不需要付出创造性的劳动。因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.6）对于权利要求6，虽然对比文件1中没有单独设置一个易失性存储器用来存储与存储器生命周期有关的监控信息，但是其考虑到了对存储器的特定擦除块的重复写入和擦除会导致其存储单元的退化，而在存储器内单独划定了一个特定存储单元用以存储存储器的生命周期相关的信息，可见对比文件1实际已经给出了单独设立存储区域用以存储生命周期相关监控信息的技术启示，而易失性存储器又是本领域的常用器件，因此，在对比文件1所公开的技术方案的基础上，本领域技术人员很容易想到在存储器系统中设置一易失性存储器，用来存储从上述半导体非易失性存储器读取的上述第1信息、上述第2信息、上述第3信息和上述第4信息，这并不需要付出创造性的劳动。因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.7）对于权利要求7，对比文件1进一步公开了：所述存储装置2中所包括的控制电路21，其被连接为从信息处理装置1接收并解释读写请求，将数据从闪存22中读出或者写入，并根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22中的最大擦除操作次数a和存储于累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期。而要进行数据、命令的读取，该存储器系统中必然包括与信息处理装置1进行连接的接口，即实质上公开了该权利要求中的“上述存储器系统还包括接口，该接口配置为连接到主机”。因此当其所引用的权利要求1不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.8）对于权利要求8-11，对比文件1公开了通过累计擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，而以天为单位计算存储器的剩余寿命又是本领域的惯用技术手段，并且，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，因此，根据实际应用的需要，本领域技术人员很容易想到将管理单元配置为进一步使用写入限制量及已写入量计算在上述半导体非易失性存储器中可写入数据的剩余量；另外，采用刷新操作来防止读取扰动，这是本领域惯用技术手段，而刷新操作也将影响存储器的寿命，因此，对本领域技术人员而言，也很容易想到将上述管理单元配置为使用从存储器中的读取总量并考虑刷新来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，这也不需要付出创造性的劳动；此外，使用存储器的数据读取总量乘以预定因子之后来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，这也是本领域技术人员容易想到的。因此当它们所引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求8-11也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.9）权利要求12对权利要求1作了进一步限定，权利要求13对权利要求12作了进一步限定，众所周知，可向存储器中写入的总量必然受到该存储器总容量的限制，同时也受到可写入和擦除循环操作次数的限制，即，可写入的总量必然与存储器的总容量及可写入和擦除循环操作的限制次数之间存在一定的关系，那么在此基础上，本领域技术人员很容易想到使得上述可写入的数据的总量由对上述半导体非易失性存储器的写入和擦除循环操作的限定次数和上述半导体非易失性存储器的总容量来决定，并且进一步地，使得上述可写入的数据的总量由使用与将数据存储到上述半导体非易失性存储器的效率相关的加权因子来决定，这并不需要付出创造性的劳动。因此当它们所引用的权利要求不具备创造性时，权利要求12-13也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.10）权利要求14请求保护一种使用计算机和显示器来监视包括半导体非易失性存储器的存储器系统的状态的方法，对比文件1作为最接近的现有技术公开了一种存储器系统及相应生命周期监控方法，并具体披露了以下技术特征（参见对比文件1说明书第[0007]-[0014]、[0052]-[0071]、[0146]-[0217]、[0233]段，图1-4）：如图1所示，信息处理装置1连接至存储装置2（该存储装置2相当于该权利要求的“存储器系统”），该存储装置2包括控制电路21和闪存存储器22。所述闪存存储器22以页为单位管理数据，其中多个页用作基础擦除区域，即擦除块，在其中数据能够被电写入或擦除，对特定擦除块的重复写入和擦除会导致其存储单元的退化，因此存在一个最大擦除次数，即能被读取/存储的最大次数的阈值，当数据的读取/存储次数超过这个阈值，控制电路21可能反馈一个错误信号以响应来自信息处理装置1的读取请求（即公开了该权利要求中的“将数据写入上述半导体非易失性存储器，从上述半导体非易失性存储器读取数据，擦除已写入上述半导体非易失性存储器的数据”）。因此，在所述闪存存储器22中存在存储模型名字参数表22a，累计改写次数管理表22b，其中累计改写次数管理表22b用于对擦除块的擦除操作次数进行计数，并保存该计数，同时存储模型名字参数表22a用于保存最大擦除操作次数（即公开了该权利要求中的“存储第4信息，该第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数”）；
所述存储装置2中所包括的控制电路21，其被连接为从信息处理装置1接收并解释读写请求，将数据从闪存22中读出或者写入，并根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22中的最大擦除操作次数a和存储于累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期；信息处理装置1与存储装置2连接，基于从存储装置2中获得的累计擦除次数等数据，负责对存储装置2生命周期的监控，该信息处理装置1包括主存储器、计算单元、显示单元及输入/输出单元，计算单元包括一计算机，例如，计算单元读取存储在主存储器中的执行程序，执行程序以进行各种处理（即公开了该权利要求中的“上述存储器系统配置为进一步输出上述第4信息以回应来自上述计算机的第2命令”）；监控单元提供一预警显示信息至显示电路，显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期（即公开了该权利要求中的“显示于显示器”）；
当信息处理装置1关闭时，累计改写次数管理表22b更新，但如果信息处理装置1持续使用，表22b更将长期未得到更新，因此，记录单元102e将不仅在信息处理装置1关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新。
该权利要求与对比文件1相比，区别在于：1）对比文件1中用于监控存储器的生命周期的参数包括累计擦除次数和最大擦除操作次数，而在该权利要求中是基于第1信息、第2信息、第3信息，即上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量、已写入的数据总量及从上述半导体非易失性存储器中读取的数据的总量；从上述存储器系统输出第1信息、第2信息以及第3信息以回应来自上述计算机的第1命令；使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并将上述剩余寿命显示于显示器。2）在上述半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新；上述计算机配置为定期地发出用于计算上述剩余寿命的上述第1命令。基于上述区别，该权利要求实际所要解决的技术问题是：1）如何通过多种参数实现对存储器生命周期的监控。2）如何高效使用存储器、如何防止读取扰动以及何时计算存储器的剩余寿命。
对于区别1），对比文件1中公开了通过擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，在对比文件1已经公开的内容的基础上，所属领域技术人员根据掌握的技术常识很容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量、已写入数据总量及读取数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，这是本领域技术人员在解决此类问题时所经常采用的技术手段。在此基础上，本领域技术人员也很自然地容易想到从上述存储器系统输出第1信息、第2信息以及第3信息以回应来自上述计算机的第1命令；并且在对比文件1已经公开了显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期的基础上，本领域技术人员也很容易想到使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并将上述剩余寿命显示于显示器。
对于区别2），对比文件1公开了：记录单元102e将不仅在信息处理装置1关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新；且对比文件1还公开了根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22a中的最大擦除操作次数和存储在累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期。由上可知，对比文件1公开了基于累计擦除次数和最大擦除操作次数监控存储器的生命周期，且对比文件1公开了定期更新表22b，即定期获取累计擦除次数，而在定期获取累计擦除次数的基础上，还同时定期执行生命周期监控是本领域技术人员可根据需要自行选择的；另外，为了使得存储器可更高效地使用，在半导体非易失性存储器执行损耗均衡是本领域的公知常识，并且，执行刷新操作以防止读取扰动所带来的影响，这也是本领域惯用技术手段。由此可见，对比文件1给出了技术教导，并结合本领域中的常用技术手段，使得本领域技术人员在对比文件1公开的生命周期监控方法的基础上有动机进行改进从而得到该权利要求所要保护的技术方案，其是显而易见的，并不需要付出创造性的劳动，因此该权利要求不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
（2.11）对于权利要求15，对比文件1公开了：所述存储装置2中所包括的控制电路21，其被连接为从信息处理装置1接收并解释读写请求，将数据从闪存22中读出或者写入，并根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22中的最大擦除操作次数a和存储于累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期；即对比文件1公开了通过累计擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，所属领域技术人员根据掌握的技术常识同时结合对比文件1所公开的内容容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量和已写入数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，而不使用从上述半导体非易失性存储器读取的数据的总量和在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数来监控生命周期，这是本领域技术人员在解决此类问题时可根据需要进行的自主选择。因此当其所引用的权利要求14不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.12）对于权利要求16，本领域技术人员皆知，半导体非易失性存储器读取的数据的错误的数量是掌握存储器使用情况的常见因子，因此，对本领域技术人员而言，也便很容易想到对从上述半导体非易失性存储器读取的数据的错误的数量进行计数，并且输出上述错误的数量以回应相应命令，这并不需要付出创造性的劳动。因此当其所引用的权利要求14不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.13）对于权利要求17-19，权利要求17和18均对权利要求14分别作了进一步限定，权利要求19对权利要求18作了进一步限定，对比文件1公开了通过累计擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，而以天为单位计算存储器的剩余寿命又是本领域的惯用技术手段；另外，采用刷新操作来防止读取扰动，这是本领域惯用技术手段，而刷新操作也将影响存储器的寿命，因此，对本领域技术人员而言，也很容易想到使用从存储器中的读取总量并考虑刷新来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，这也不需要付出创造性的劳动；此外，使用存储器的数据读取总量乘以预定因子之后来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，这也是本领域技术人员容易想到的。因此当它们所引用的权利要求不具备创造性时，权利要求17-19也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2.14）权利要求20请求保护一种系统，对比文件1作为最接近的现有技术公开了一种存储器系统及相应生命周期监控方法，并具体披露了以下技术特征（参见对比文件1说明书第[0007]-[0014]、[0052]-[0071]、[0146]-[0217]、[0233]段，附图1-4）：如图1所示，信息处理装置1连接至存储装置2（该存储装置2相当于该权利要求的“存储器系统”），该存储装置2包括控制电路21和闪存存储器22。所述闪存存储器22以页为单位管理数据，其中多个页用作基础擦除区域，即擦除块，在其中数据能够被电写入或擦除，对特定擦除块的重复写入和擦除会导致其存储单元的退化，因此存在一个最大擦除次数，即能被读取/存储的最大次数的阈值，当数据的读取/存储次数超过这个阈值，控制电路21可能反馈一个错误信号以响应来自信息处理装置1的读取请求。因此，在所述闪存存储器22中存在存储模型名字参数表22a，累计改写次数管理表22b，其中累计改写次数管理表22b用于对擦除块的擦除操作次数进行计数，并保存该计数，同时存储模型名字参数表22a用于保存最大擦除操作次数（即公开了该权利要求中的“半导体非易失性存储器，其配置为包括多个块并存储第4信息，上述第4信息表示在上述半导体非易失性存储器执行过的擦除操作的次数”）；
所述存储装置2中所包括的控制电路21（相当于该权利要求中的“控制器”），其被连接为从信息处理装置1接收并解释读写请求，将数据从闪存22中读出或者写入，并根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22中的最大擦除操作次数a和存储于累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期（即公开了该权利要求中的“控制器其配置为接收来自上述管理单元的要求与上述半导体非易失性存储器的状态相关的信息的第1命令”）；信息处理装置1与存储装置2连接，基于从存储装置2中获得的累计擦除次数等数据，负责对存储装置2生命周期的监控，该信息处理装置1包括主存储器、计算单元、显示单元及输入/输出单元，计算单元包括一计算机，例如，计算单元读取存储在主存储器中的执行程序，执行程序以进行各种处理（即公开了该权利要求中的“管理单元，其安装于连接到上述存储器系统的主机，该存储器管理单元配置为决定上述存储器系统的状态”）；监控单元提供一预警显示信息至显示电路，显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期（即公开了该权利要求中的“显示装置显示”）；
当信息处理装置1关闭时，累计改写次数管理表22b更新，但如果信息处理装置1持续使用，表22b更将长期未得到更新，因此，记录单元102e将不仅在信息处理装置1关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新。
该权利要求与对比文件1相比，区别在于：1）对比文件1中用于监控存储器的生命周期的参数包括累计擦除次数和最大擦除操作次数，而在该权利要求中是基于第1信息、第2信息、第3信息，即上述半导体非易失性存储器可写入的数据的总量、已写入的数据总量及从上述半导体非易失性存储器中读取的数据的总量；控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并让显示装置显示该计算出的剩余寿命。2）在半导体非易失性存储器执行损耗均衡及刷新；管理单元定期地发出用于计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命的第1命令。基于上述区别，该权利要求实际所要解决的技术问题是：1）如何通过多种参数实现对存储器生命周期的监控。2）如何高效使用存储器、如何防止读取扰动以及何时计算存储器的剩余寿命。
对于区别1），对比文件1中公开了通过擦除操作次数和最大擦除操作次数这两个因子来判断存储器的生命周期，在本领域中，存储器的擦除操作次数、最大擦除操作次数、可写入量、已写入量、读取量及容量均是判断存储器的使用情况的常见因子，在对比文件1已经公开的内容的基础上，所属领域技术人员根据掌握的技术常识很容易想到将擦除操作次数和最大擦除操作次数替换为可写入数据总量、已写入数据总量及读取数据总量，并将其纳入监控存储器生命周期的考虑参数内，这是本领域技术人员在解决此类问题时所经常采用的技术手段。在此基础上，本领域技术人员也很自然地容易想到使得控制器将从上述半导体非易失性存储器读取的第1信息、第2信息、第3信息输出到上述管理单元以回应上述第1命令；并且在对比文件1已经公开了显示电路响应于预警显示信号控制显示单元显示预警信息以指示存储装置由于数据重复擦写导致的逝去的生命周期的基础上，本领域技术人员也很容易想到使得上述管理单元配置为使用上述第1信息和上述第2信息来计算上述半导体非易失性存储器的剩余寿命，并使得显示装置显示该计算出的剩余寿命。
对于区别2），对比文件1公开了：记录单元102e将不仅在信息处理装置1关闭时，还将周期性地或在预定时间对表22b进行更新；且对比文件1还公开了根据来自信息处理装置1中的命令基于存储在存储模型名字参数表22a中的最大擦除操作次数和存储在累计改写次数管理表22b中的累计擦除次数来监控存储器的生命周期。由上可知，对比文件1公开了基于累计擦除次数和最大擦除操作次数监控存储器的生命周期，且对比文件1公开了定期更新表22b，即定期获取累计擦除次数，而在定期获取累计擦除次数的基础上，还同时定期执行生命周期监控是本领域技术人员可根据需要自行选择的；另外，为了使得存储器可更高效地使用，在半导体非易失性存储器执行损耗均衡是本领域的公知常识，并且，执行刷新操作以防止读取扰动所带来的影响，这也是本领域惯用技术手段。由此可见，对比文件1给出了技术教导，并结合本领域中的常用技术手段，使得本领域技术人员在对比文件1公开的存储器系统的基础上有动机进行改进从而得到该权利要求所要保护的技术方案，其是显而易见的，并不需要付出创造性的劳动，因此该权利要求不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
3、针对复审请求人的意见：
复审请求人在复审无效宣告程序意见陈述书中陈述到，对比文件1中信息管理装置并不能把握由刷新导致的改写次数，因此无法精确计算存储器的寿命。
对此，合议组审查意见如下：
对比文件1中是基于由信息管理装置管理的改写次数计算存储器的寿命，具体地，其主要是通过信息管理装置得到已擦除的次数，并基于已擦除次数和最大可擦除次数，来计算得到消耗度，并在显示器上显示预警信息。因此，对比文件1中的技术方案是否能够准确计算存储器的寿命，关键便取决于在存储器内部执行的刷新操作是否会反映在擦除次数上，如果在存储器中刷新一次，对比文件1中的信息管理装置便可记录一次擦除操作，那么对比文件1中的技术方案便必然能够准确计算得到存储器的寿命。而对于本申请和对比文件1，其存储器均是快闪存储器，即闪存flash，而对于flash的刷新，本领域技术人员皆知，其必然是包括先进行擦除操作，再进行写入操作，这是因为，flash的编程原理均是只能将1写为0，而不能将0写为1，所以在执行刷新中的写操作之前，必然会先执行刷新中的擦除操作，通过擦除，可以使得所有位均变为1，这样之后便可根据需要将其中的部分1变为0，从而完成写操作，进而完成整个刷新过程。由此可见，对flash进行刷新，其写入和擦除是相伴存在的，因此，在对比文件1中，执行一次刷新操作，必然将带来一次擦除操作，即，对比文件1中信息管理装置能够把握由刷新导致的改写次数，因此，对比文件1中的技术方案完全可以基于擦除次数，准确地计算存储器寿命，故复审请求人的意见陈述并不成立，合议组对此不能接受。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月22日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内可以向北京知识产权法院起诉。
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