发明创造名称：在ICP等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计
外观设计名称：
决定号：194928
决定日：2019-11-14
委内编号：1F275749
优先权日：2013-06-26
申请（专利）号：201480018535.X
申请日：2014-04-30
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵凤瑷
合议组组长：陈冬冰
参审员：颜庙青
国际分类号：H01L21/02,H01L21/3065,H01L21/205
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案相对于一篇作为最接近的现有技术的对比文件具有区别技术特征，该区别技术特征的一部分被其它对比文件公开且作用相同，该区别技术特征的另一部分属于本领域技术人员在该其它对比文件公开的内容的基础上容易获得的，该区别技术特征的其余部分属于本领域的公知常识，则该项权利要求的技术方案相对于所述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480018535.X，发明名称为“在ICP等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为应用材料公司，申请日为2014年04月30日，优先权日为2013年06月26日，进入中国国家阶段日为2015年09月25日，公开日为2015年11月18日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年11月23日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为进入中国国家阶段日2015年09月25日提交的原始国际申请文件的中文译文的说明书附图第1-4页、说明书摘要、摘要附图；2016年05月26日提交的说明书第1-12页；2018年09月30日提交的权利要求第1-13项。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种单环，所述单环包括：
圆环状主体，所述圆环状主体包括；
内部表面，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；
相对于所述内部表面的外部表面；
底表面，具有凹槽形成于所述底表面中；
具有外部端及内部端的顶表面，所述外部端相邻于所述外部表面，且所述内部端相邻于斜坡，所述斜坡朝向所述中心线向下延伸至所述内部表面上的台阶，其中所述顶表面是实质上水平的；及
设置于所述内部表面上的唇部，所述内部表面从所述台阶下的垂直面向外延伸朝向所述环的所述中心线，所述唇部经配置以支撑所述唇部上的衬底，其中所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的0.9mm的缝隙，所述唇部位于所述衬底与所述台阶的所述垂直面之间，
其中所述斜坡被选择为通过改变导向所述衬底的等离子体离子的浓度来增加所述衬底的表面上的处理均匀性。
2. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述唇部及所述内部表面经配置以支撑300mm直径的衬底。
3. 如权利要求2所述的单环，其特征在于，所述外部表面具有大约15.12英寸的直径。
4. 如权利要求2所述的单环，其特征在于，所述垂直面形成了具有大约11.884英寸至大约11.889英寸的直径的圆柱。
5. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述唇部及所述内部表面经配置以支撑200mm直径衬底或450mm直径衬底。
6. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述斜坡大约为80度。
7. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述凹槽为圆形沟槽，所述圆形沟槽将所述底表面分割为内部底表面及外部底表面，且其中所述内部底表面及所述外部底表面并非共面。
8. 如权利要求2所述的单环，其特征在于，所述垂直面的高度大约为0.054英寸。
9. 如权利要求8所述的单环，其特征在于，所述唇部具有大约11.736英寸至大约11.741英寸的内部直径。
10. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述主体是由陶瓷材料所制成。
11. 如权利要求10所述的单环，其特征在于，所述陶瓷材料为Y2O3。
12. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，从所述唇部至所述顶表面的距离大约为0.14英寸。
13. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述主体是由Y2O3所制成，所述缝隙大约为0.9mm，所述外部表面具有大约为15.12英寸的直径，所述垂直面形成了具有大约11.884英寸至大约11.889英寸的直径的圆柱，所述斜坡大约为80度，所述凹槽为将所述底表面分割为内部底表面及外部底表面的圆形沟槽，所述内部底表面及所述外部底表面并非平面，所述垂直面的所述高度大约为0.054英寸且所述唇部具有大约为11.736英寸至大约11.741英寸的内部直径，且从所述唇部至所述顶表面的距离大约为0.14英寸。”
驳回决定中引用了以下对比文件：
对比文件1：US2010/0059181A1，公开日为2010年03月11日；
对比文件2：US2005/0005859A1，公开日为2005年01月13日。
驳回决定指出，独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：（1）顶表面是实质水平的；（2）主体的尺寸被调节成定义唇部上的0.9mm的缝隙。对比文件2公开了区别技术特征（1），区别技术特征（2）是本领域技术人员在对比文件2公开的“唇部上的1mm的缝隙”的基础上容易获得的。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-13的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域的公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月08日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为： （1）对比文件1没有公开以下区别技术特征：1）顶表面是实质水平的，以及2）所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的小于大约2mm的缝隙。（2）对比文件2并没有公开将基板W和内部端部50之间的间隙距离设置为1mm的理由。本领域技术人员没有理由修改对比文件1和/或对比文件2来实现所述衬底与所述台阶的所述垂直面之间的0.9mm的间隙。对比文件2采用了完全不同的手段来解决自由基的问题，即内环25的突出部49应当高于外环26的顶部表面46，以阻止氧自由基穿越突出部49并到达基板W（参见对比文件2说明书第0082、0101段以及附图8和9A）。在对比文件2的教导下，本领域技术人员能够想到的是将对比文件1的主顶表面300（对比文件1的图3）修改为包括突出部（类似于对比文件2的突出部49）。（3）对比文件2中，基板W被支撑在导电电极板43上，而不是在环25的内部端部50下的水平表面上（参见对比文件2的附图7以及说明书多处（例如第0078段）），这表明在对比文件2中，内环25仅是用于容纳基板50和静电托盘24的中空外壳，因此环25的内部端部50下的水平表面不支撑基板43，其并不等同于本申请的“支撑衬底”的“唇部”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月18日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年08 月09 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体为：独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：（1）斜坡，所述斜坡相邻于顶表面内端部，朝向所述中心线向下延伸至所述内部表面上的台阶，其中所述斜坡被选择为通过改变导向所述衬底的等离子体离子的浓度来增加所述衬底的表面上的处理均匀性；（2）所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的0.9mm的缝隙。对比文件2公开了区别特征（1），还公开了唇部上的1mm的缝隙。在此基础上，为了进一步优化单环结构以进一步减少等离子体刻蚀过程中对衬底边缘的损伤，进一步设置缝隙尺寸为0.9mm是本领域技术人员容易想到的。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2-13的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组答复如下：I、合议组采用对比文件1的附图3的实施例作为最接近的现有技术。对比文件1的附图3公开了“顶表面是实质水平的”，因此，权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）斜坡，所述斜坡相邻于顶表面内端部，朝向所述中心线向下延伸至所述内部表面上的台阶，其中所述斜坡被选择为通过改变导向所述衬底的等离子体离子的浓度来增加所述衬底的表面上的处理均匀性；（2）所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的0.9mm的缝隙。对于区别技术特征（1），对比文件2 公开了连接台阶48和顶表面49的斜坡51，且对比文件2公开了斜坡为通过改变导向衬底的等离子体离子浓度来增加所述衬底表面处理的均匀性（说明书第[0103]-[0106]段，图10），即对比文件2给出了相应的技术启示。II、对于区别技术特征（2），对比文件2虽然解决的是自由基的攻击问题，但是对比文件2公开了内环内边缘与衬底边缘之间的缝隙为1mm，这相对于本申请背景技术中提及的2mm而言，已经大幅缩小，且与权利要求1所限定的“0.9mm”较为接近。事实上，本领域公知，衬底边缘与环结构之间的缝隙，使得等离子体能够进入该缝隙以对衬底边缘和背侧造成损伤。在对比文件2所公开的1mm缝隙的基础上结合本领域的公知常识，进一步减小该缝隙至0.9mm以进一步减小蚀刻离子进入缝隙是本领域技术人员容易想到也易于实现的。III、对比文件1的附图3公开了唇部支撑基板，对比文件1与权利要求1的区别仅在于斜坡和0.9mm的缝隙的结构，而对比文件2公开了内环具有斜坡结构。至于唇部是否支撑基板，是本领域技术人员可以根据处理腔室的实际情况设置的，例如，对比文件2附图20的现有技术公开了内环的唇部支撑基板。
复审请求人于2019 年09 月 30日提交了意见陈述书，并提交了经过修改的权利要求书，共12项权利要求。所做的修改为：在复审通知书所针对的权利要求书的基础上，将独立权利要求1中的技术特征“且所述内部端相邻于斜坡，所述斜坡朝向所述中心线向下延伸至所述内部表面上的台阶，其中所述顶表面是实质上水平的”、“其中所述斜坡被选择为通过改变导向所述衬底的等离子体离子的浓度来增加所述衬底的表面上的处理均匀性”删除；向独立权利要求1中补入技术特征“内部表面具有大约295.91mm的直径”、“其中所述隔离键的内部表面平行于所述顶表面的水平部分；相邻于所述内部端的倾斜壁，所述倾斜壁以大约80度朝所述中心线倾斜且具有大约2.18mm的垂直升起；从所述倾斜壁向第二垂直壁延伸大约6mm的长度的第一唇部，所述第一唇部实质上平行于所述顶表面，其中所述第一唇部具有大约301.85mm至大约301.98mm的内部直径”；将权利要求1的技术特征“设置于所述内部表面上的唇部，所述内部表面从所述台阶下的垂直面向外延伸朝向所述环的所述中心线，所述唇部经配置以支撑所述唇部上的衬底，其中所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的0.9mm的缝隙”修改为“实质上平行于所述第一唇部且设置于所述内部表面上的第二唇部，所述内部表面从所述第二垂直壁下的垂直面向外延伸朝向所述环的所述中心线，所述第二唇部经配置以支撑所述第二唇部上的衬底，其中所述唇部的底部具有大约5.89mm的长度且其中所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的小于大约0.9mm的缝隙”。将权利要求2、9、12中的“唇部”以及权利要求13中第二次出现的“唇部”修改为“第二唇部”；将权利要求6中的“斜坡”修改为“倾斜壁”；将权利要求7、13中的“凹槽”修改为“隔离键”；将权利要求8、13中的“垂直面”修改为“垂直壁”。删除权利要求5，并适应性地修改了权利要求的编号和引用关系。
复审请求人认为：各对比文件均没有公开新增加到权利要求1的技术特征，尤其没有公开技术特征：“所述倾斜壁以大约80度朝所述中心线倾斜”。相反，在对比文件1特别限定，“所述内部倾斜面与垂直于主题的中心线限定小于大约70度的角度”，即在对比文件1中明确限定该角度小于70度。对比文件1公开了盖环102的形状显著增加了在要求移除盖环102以在腔室100外进行异位清洁之前所处理的基板的数量。与传统环相比，改进的盖环102，具有更少的蚀刻副产品，降低了颗粒缺陷，提升了基板刻蚀结果。即对比文件1明确教导了形状的关键性。本领域技术人员在阅读对比文件1之后，完全没有动机将小于70度的角度改变为大约80度，也没有动机去寻找与该更大角度有关的其它现有技术。因此，权利要求1-12具备创造性。
复审请求人于2019年09月30日提交的权利要求书中权利要求1-2、5-8、11-12内容如下：
“1. 一种单环，所述单环包括：
圆环状主体，所述圆环状主体包括；
内部表面，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近，所述内部表面具有大约295.91mm的直径；
相对于所述内部表面的外部表面；
底表面，具有凹槽形成于所述底表面中；
具有外部端及内部端的顶表面，所述外部端相邻于所述外部表面，其中所述隔离键的内部表面平行于所述顶表面的水平部分；
相邻于所述内部端的倾斜壁，所述倾斜壁以大约80度朝所述中心线倾斜且具有大约2.18mm的垂直升起；
从所述倾斜壁向第二垂直壁延伸大约6mm的长度的第一唇部，所述第一唇部实质上平行于所述顶表面，其中所述第一唇部具有大约301.85mm至大约301.98mm的内部直径；以及
实质上平行于所述第一唇部且设置于所述内部表面上的第二唇部，所述内部表面从所述第二垂直壁下的垂直面向外延伸朝向所述环的所述中心线，所述第二唇部经配置以支撑所述第二唇部上的衬底，其中所述唇部的底部具有大约5.89mm的长度且其中所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的小于大约0.9mm的缝隙，所述唇部位于所述衬底与所述台阶的所述垂直面之间。
2. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述第二唇部及所述内部表面经配置以支撑300mm直径的衬底。”
“5. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述倾斜壁大约为80度。
6. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述隔离键为圆形沟槽，所述圆形沟槽将所述底表面分割为内部底表面及外部底表面，且其中所述内部底表面及所述外部底表面并非共面。
7. 如权利要求2所述的单环，其特征在于，所述垂直壁的高度大约为0.054英寸。
8. 如权利要求7所述的单环，其特征在于，所述第二唇部具有大约11.736英寸至大约11.741英寸的内部直径。”
“11. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，从所述第二唇部至所述顶表面的距离大约为0.14英寸。
12. 如权利要求1所述的单环，其特征在于，所述主体是由Y2O3所制成，所述缝隙大约为0.9mm，所述外部表面具有大约为15.12英寸的直径，所述垂直面形成了具有大约11.884英寸至大约11.889英寸的直径的圆柱，所述斜坡大约为80度，所述隔离键为将所述底表面分割为内部底表面及外部底表面的圆形沟槽，所述内部底表面及所述外部底表面并非平面，所述垂直壁的所述高度大约为0.054英寸且所述唇部具有大约为11.736英寸至大约11.741英寸的内部直径，且从所述第二唇部至所述顶表面的距离大约为0.14英寸。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年09月30日提交了经过修改的权利要求书，经审查，所做的修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本是：2019年09月30日提交的权利要求第1-12项；进入中国国家阶段日2015年09月25日提交的原始国际申请文件的中文译文的说明书附图第1-4页、说明书摘要、摘要附图；2016年05月26日提交的说明书第1-12页。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案相对于一篇作为最接近的现有技术的对比文件具有区别技术特征，该区别技术特征的一部分被其它对比文件公开且作用相同，该区别技术特征的另一部分属于本领域技术人员在该其它对比文件公开的内容的基础上容易获得的，该区别技术特征的其余部分属于本领域的公知常识，则该项权利要求的技术方案相对于所述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审决定在评价权利要求的创造性时引用驳回决定和复审通知书所引用的如下对比文件：
对比文件1：US2010/0059181A1，公开日为2010年03月11日；
对比文件2：US2005/0005859A1，公开日为2005年01月13日。
2.1关于权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种单环，对比文件1公开了一种单环（参见说明书第[0037]-[0047]段，图3），包括：盖环300（即单环），具有圆环形主体302，所述圆环状主体包括；主要壁308（即内部表面），所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；相对于所述内部表面的外壁330（即外部表面）；底部320和底部328（二者构成底表面），具有凹槽342形成于所述底表面中；具有外部端及内部端的主顶表面332，所述外部端相邻于所述外壁（即外部表面），由附图3可以确定：所述凹槽342（即隔离键）的内部表面平行于主顶表面332的水平部分；相邻于内部端部的壁336，从壁336向次要壁310（即第二垂直壁）延伸的内顶表面334（即第一唇部），内顶表面334实质上平行于主顶表面332；实质上平行于内顶表面334，且设置于主要壁308（即内部表面）上的水平岸部314（即第二唇部）；所述主要壁308（即内部表面）从次要壁310（即第二垂直壁）下的垂直面向外延伸朝向所述环的中心线，所述水平岸部314（即第二唇部）经配置以支撑衬底，所述水平岸部位于所述衬底与所述内顶表面334的所述垂直面之间。
由此可见，权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）相邻于内部端的倾斜壁，所述倾斜壁以大约80度朝向中心线倾斜且具有大约2.18mm的垂直升起；（2）唇部的底部具有大约5.89mm的长度且其中所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的0.9mm的缝隙；（3）内部表面具有大约295.91mm的直径；第一唇部的延伸长度大约6mm，第一唇部具有大约301.85mm至大约301.98mm的内部直径。
基于上述区别技术特征，权利要求1相对于对比文件1实际解决的问题是：（1）如何连接单环内顶表面和主顶表面，以增加衬底表面处理的均匀性；（2）如何防止等离子刻蚀中自由基与衬底边缘及背侧相互作用产生缺陷；（3）如何设置单环各部分的尺寸以容纳晶片。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种等离子刻蚀工艺中应用的环（参见说明书第[0082]-[0107]段，图7、10），包括：内环25，具有圆环状主体；具有接近主体中心线附近的内部表面和相对于上述内部表面的外部表面；并且具有外部端及内部端的突出部49（即顶表面），其中外部端相邻于所述外部表面，内部端相邻于斜坡51（即倾斜壁），所述斜坡51朝向所述中心线向下延伸至内平面48（即第一唇部）上，所述突出部49为实质上水平的。对比文件2的附图10例举了内环25顶表面形貌的三种情况。图10A显示，内环25的内平面48与晶圆W 顶表面平齐，内平面48的长度大于或等于10mm（即斜坡51与晶圆W的边缘距离大于10mm）时，处于晶圆W和内环25内边缘的电场垂直于与晶圆W接近的内环25的内平面48；此时，刻蚀离子沿电场方向移动；由于电场在晶圆边缘也是垂直的，因此等离子刻蚀具有较高的面内均匀性（参见说明书第[0104]段）。图10B显示，内环25的突出部49与晶圆W接近时（即斜坡51与晶圆W的边缘距离较近），内环25导电，因而处于晶圆W边缘的电场倾斜，刻蚀离子以倾斜角度进入于晶圆W的周边区域，造成位于晶圆W外周边的孔的蚀刻倾斜（参见说明书第[0105]段）。如果按照常规方式，不存在斜坡的情况，图10C显示，如果内环整体厚度增加，电场向晶圆W周缘区域倾斜，刻蚀离子沿电场方向倾斜进入晶圆外周边区域，造成晶圆W外周边的孔的蚀刻倾斜，同时也导致该区域的刻蚀速率相较于刻蚀离子垂直入射的区域快速下降（参见说明书第[0106]段）。由上述对比文件2公开的内容可以得出，斜坡51的位置和斜坡存在与否均影响导向衬底的刻蚀等离子体的浓度，进而影响刻蚀的均匀性，并且，内环的厚度产生变化之处，没有斜坡的情况（即图10C）相对于具有斜坡的情况（即图10B），其电场方向的锐变导致离子偏离晶片，从而加剧晶片中心与晶片边缘等离子体浓度的差距，使得晶片的表面处理不均匀性增加。因此，本领域技术人员可以从中获得技术启示，即在单环内顶表面和主主顶表面之间设置斜坡，以通过改变导向衬底的等离子体离子浓度来增加所述衬底表面处理的均匀性。在此基础上，调整斜坡（即倾斜壁）朝向中心线倾斜的角度，例如：为80度，且具有大约2.18mm的垂直升起，以适应所处理的晶圆的尺寸和等离子体的实际使用浓度，是本领域技术人员容易想到也易于实现的。
对于区别技术特征（2），对比文件2还公开了：环25具有用于容纳基板W的唇部，且上述环25的尺寸调节成定义基板W与环25的内部端部50之间的缝隙距离为lmm（参见说明书第[0087]段），即环25的尺寸被调节成定义上述唇部上的缝隙为lmm。虽然对比文件2所公开的缝隙比权利要求1所限定的小于大约0.9mm大，然而，本领域公知，衬底边缘与环结构之间的缝隙，能够使得等离子体进入缝隙对衬底边缘和背侧造成损伤。由此，在对比文件2所公开的1mm缝隙的基础上，本领域技术人员容易想到进一步减小缝隙，例如小于0.9mm以进一步减小蚀刻离子进入缝隙的量，并调整唇部底部的长度以适应所处理的晶圆的尺寸，其技术效果是可以合理预期的。
对于区别技术特征（3），调整内部表面的直径，第一唇部的延伸长度，第一唇部的内部直径以适应容纳晶圆的需求是本领域技术人员的常规设计。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2关于权利要求2的创造性
权利要求2引用权利要求1。对比文件1（说明书第[0037]段）公开了第二唇部及内表面经配置支撑衬底。300mm衬底是本领域的常规衬底，本领域技术人员可以配置唇部及内部表面的尺寸，以容纳上述衬底。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3关于权利要求3、4的创造性
权利要求3、4均引用权利要求2。为了保证支撑的衬底与盖环之间具有所需的缝隙，本领域技术人员可以根据支撑衬底的尺寸设置外部表面和垂直面的直径。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4关于权利要求5的创造性
权利要求5引用权利要求1。如前所述，对比文件2公开了斜坡结构（即倾斜壁）（参见说明书第[0104]-[0107]段，图7、10），本领域技术人员可以从中获得斜坡可以改变导向衬底的等离子的浓度来增加衬底表面处理的均匀性的技术启示。在此基础上，本领域技术人员可以通过有限试验选择斜坡的角度，例如80度，以更好地实现衬底的均匀处理。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5关于权利要求6的创造性
权利要求6引用权利要求1。对比文件1（参见说明书第[0041]段，图3）公开了凹槽342（即隔离键）为圆形沟槽，所述圆形沟槽将底表面分割为内部底表面320和外部底表面328，所述内部底表面和外部底表面不共面。由此可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件1公开，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6关于权利要求7、8的创造性
权利要求7引用权利要求2，权利要求8引用权利要求7。为了保证支撑的衬底与盖环之间具有所需的缝隙，本领域技术人员可以根据支撑衬底的尺寸设置垂直壁的高度和第二唇部的内部直径。即垂直壁的高度为大约0.054英寸以及第二唇部的内部直径大约为11.736英寸至大约11.741英寸是本领域技术人员的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7关于权利要求9、10的创造性
权利要求9引用权利要求1，权利要求10引用权利要求9。对比文件1（说明书第[0029]段）公开了主体由陶瓷材料Y2O3形成。由此可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件1公开，在其引用的权利要求不具备创造性的时，该些权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8关于权利要求11的创造性
权利要求11引用权利要求1。然而，为保证衬底到盖环具有所需的缝隙，本领域技术人员可以根据处理衬底的尺寸设置第二唇部至顶表面的距离，大约0.14英寸的距离时本领域技术人员的常规选择。在其引用的权利要求不具备创造性的时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9关于权利要求12的创造性
权利要求12引用权利要求1。对比文件1公开了主体由陶瓷材料Y2O3形成（说明书第[0029]段），凹槽342（即隔离键）为圆形沟槽（参见说明书第[0041]段，图3），所述圆形沟槽将底表面分割为内部底表面320和外部底表面328，所述内部底表面和外部底表面不共面（图3）。对于附加技术特征“缝隙大约为0.9mm”，对比文件2（参见说明书第[0087]段）公开了现有技术中已经具有距离衬底边缘的缝隙为1mm的环结构，而减小衬底边缘与环结构之间的缝隙，可以减少蚀刻离子进入缝隙是本领域技术人员的公知常识，在此基础上，通过减小缝隙到0.9mm以进一步减小蚀刻离子进入缝隙是本领域技术人员容易想到的。对于附加技术特征“斜坡大约为80度”，如前所述，对比文件2公开了斜坡结构（参见说明书第[0104]-[0107]段，图7、10），本领域技术人员可以从中获得斜坡可以改变导向衬底的等离子的浓度来增加衬底表面处理的均匀性。在此基础上，本领域技术人员可以调整斜坡的角度，更好地实现衬底的均匀处理。其余的附加技术特征：外部表面的直径、垂直面直径、垂直壁高度、唇部直径、第二唇部至顶表面距离均是本领域技术人员可以根据处理衬底的尺寸进行的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人答复复审通知书所提出的意见，合议组认为：本申请涉及的角度是倾斜壁308与中心线的夹角，对比文件1的70度角涉及的是内倾斜顶表面236与垂直于中线而界定的线（如外定位环224底部228所界定的线）之间的夹角。可见，对比文件1中公开的“小于70度角”与本申请所述的“大约80度角”并不是同一个角，且上述“小于70度角”出现在对比文件1附图2所对应的实施例中。而合议组采用对比文件1的附图3所对应的实施例作为本申请最接近的现有技术。因此，权利要求1与对比文件1的区别之一在于：相邻于内部端的倾斜壁，所述倾斜壁以大约80度朝向中心线倾斜。对于上述区别，对比文件2公开了斜坡（图7）（即倾斜壁），且通过图10A、图10B、图10C的示例对比，本领域技术人员能够从中获得利用斜坡连接内顶表面和主顶表面以增加衬底表面处理的均匀性的技术启示。在此基础上，本领域技术人员可以调整斜坡的角度，例如为80度，以更好地实现对衬底的均匀处理。权利要求1中新增加的其他技术特征，包括：内表面的直径，倾斜壁垂直升起高度，第一唇部的延伸长度，第一唇部的内部直径，第二唇部的底部长度，均是本领域可以根据处理衬底的尺寸进行设置的。
综上所述，权利要求1-12相对于现有证据不具备创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组现作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年11 月23 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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