发明创造名称：制造半导体器件的方法
外观设计名称：
决定号：195016
决定日：2019-11-13
委内编号：1F275192
优先权日：2014-05-30
申请（专利）号：201410393518.6
申请日：2014-08-12
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：闫东
合议组组长：宋霖
参审员：智月
国际分类号：H01L21/336，H01L21/28
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征中的部分特征被其它对比文件公开，其它部分区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员有动机将上述区别技术特征应用于最接近的现有技术中，进而获得该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410393518.6，名称为“制造半导体器件的方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为台湾积体电路制造股份有限公司。本申请的申请日为2014年08月12日，优先权日为2014年05月30日，公开日为2016年02月03日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性，并在其他说明部分指出权利要求15-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：CN103779413A，公开日为2014年05月07日；
对比文件2：US2013/0049142A1，公开日为2013年02月28日；
对比文件3：US2004/0209468A1，公开日为2004年10月21日。
驳回决定认为：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：介电层除衬垫凹槽的第一部分外还具有衬垫工件顶面的第二部分；在介电层凹进之前，导电结构部分地填充所述凹槽，并在形成导电结构之后，使所述介电层凹进以去除介电层的第二部分和介电层的第一部分的暴露区域。其部分被对比文件2所公开，部分由对比文件2所公开的内容给出技术启示，因而权利要求1相对于对比文件1、2的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求9与对比文件1的区别技术特征为：1）衬底中形成有源极区和漏极区；2）凹槽通过如下方式形成：在衬底上方形成第一绝缘层；去除设置在源极区和漏极区之间的第一绝缘层，以暴露衬底的一部分，相应的介电层则衬垫在第一绝缘层的侧壁，栅电极位于第一绝缘层的相对侧壁之间，凹进后的介电层衬垫第一绝缘层的侧壁下部；另外介电层还衬垫在第一绝缘层的顶面；3）在使介电层凹进之前，所述栅电极的顶面设置在低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处，并且形成栅电极留下所述介电层的衬垫第一绝缘层的顶面的部分暴露；以及在形成栅电极之后，使介电层凹进去除介电层衬垫第一绝缘层的顶面的部分以及介电层衬垫第一绝缘层侧壁的暴露部分。其部分被对比文件2所公开，部分为本领域公知常识，因而权利要求9相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求2-8、10-14的附加技术特征或被对比文件1-3所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。在其他说明中提到：1、权利要求15与对比文件2的区别技术特征为：提供射频偏置功率；蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质，导电结构和第一绝缘层不受所述蚀刻工艺干扰，第一绝缘层由单一材料构成。其部分被对比文件3所公开，部分为本领域公知常识，因而权利要求15相对于对比文件2、3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求16-19的附加技术特征或被对比文件1-3所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2014年08月12日提交的说明书第1-184段、说明书附图图1A-7I、说明书摘要、摘要附图；2018年07月27日提交的权利要求第1-19项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有凹槽和衬垫所述凹槽的介电层的工件，所述介电层具有衬垫所述凹槽的第一部分和衬垫所述工件的顶面的第二部分； 在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，其中，所述导电结构部分地填充所述凹槽，并且形成所述导电结构留下所述介电层的第二部分暴露；以及 在形成所述导电结构之后，使所述介电层凹进以去除所述介电层的第二部分和所述介电层的第一部分的暴露区域，其中，在所述凹进之后，凹进的所述介电层的顶面设置在所述凹槽内部；用绝缘层填充所述凹槽。
2. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述绝缘层覆盖凹进的所述介电层的顶面和在所述凹槽内形成的所述导电结构的顶面。
3. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，凹进的所述介电层的顶面与在所述凹槽内形成的所述导电结构的顶面共面。
4. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层包括介电常数大于或等于5的介电材料。
5. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层还设置在所述工件的顶面上方，并且使所述介电层凹进包括去除设置在所述工件的顶面上方的所述介电层。
6. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述工件包括绝缘材料。
7. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，使所述介电层凹进包括蚀刻工艺，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质。
8. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述半导体器件包括FinFET。
9. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有在其中形成的源极区和漏极区的衬底；
在所述衬底上方形成第一绝缘层；
去除设置在所述源极区和所述漏极区之间的所述第一绝缘层，以暴露所述衬底的一部分；
形成衬垫所述第一绝缘层的顶面和侧壁并且衬垫所述衬底的暴露部分的介电层；
在所述第一绝缘层的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成栅电极，其中，所述栅电极的顶面设置在低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处，并且形成所述栅电极留下所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分暴露；
在形成所述栅电极之后，使所述介电层凹进以去除所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分以及所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的侧壁的暴露部分，其中，在所述凹进之后，凹进的所述介电层衬垫所述第一绝缘层的侧壁的下部和所述衬底的暴露部分；以及
在所述栅电极上方并且在凹进的所述介电层上方形成第二绝缘层。
10. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，凹进的所述介电层的顶面与所述栅电极的顶面共面。
11. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二绝缘层覆盖凹进的所述介电层的顶面和所述栅电极的顶面。
12. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述栅电极包括导电衬垫层和导电层，并且在所述第一绝缘层的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成所述栅电极包括：
在所述介电层上方形成所述导电衬垫层；
在所述导电衬垫层上方形成所述导电层；
平坦化所述导电层和所述导电衬垫层，其中，平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层的顶面共面；以及
使平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面凹进至低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处。
13. 根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法，其中，使平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面凹进包括：
在使平坦化的所述导电衬垫的顶面凹进之后，使平坦化的所述导电层的顶面凹进，或者反之亦然。
14. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述衬底包括第一鳍和邻近所述第一鳍的第二鳍，并且所述源极区形成在所述第一鳍中，而所述漏极区形成在所述第二鳍中。
15. 一种去除高k介电材料的方法，所述方法包括：
提供包括所述高k介电材料的工件；
提供射频偏置功率；以及
通过蚀刻工艺去除所述高k介电材料的衬垫第一绝缘层的顶面和侧壁且通过所述高k介电材料上方的导电结构暴露的部分，从而使所述高k介电材料仅保留在所述第一绝缘层的凹槽内，导电结构和第一绝缘层不受所述蚀刻工艺干扰，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质，其中，所述第一绝缘层由单一材料构成。
16. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述氯的流率介于10标准立方厘米每分钟至50标准立方厘米每分钟的范围内。
17. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述三氯化硼的流率介于100标准立方厘米每分钟至800标准立方厘米每分钟的范围内。
18. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述氧的流率介于1标准立方厘米每分钟至10标准立方厘米每分钟的范围内。
19. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，还包括：
提供介于2毫托至10毫托的范围内的压力。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月28日向国家知识产权局提出了复审请求，将权利要求1中特征“所述导电结构部分地填充所述凹槽”修改为“所述导电结构部分地填充所述凹槽同时完全填充所述凹槽的下部且在所述介电层的相对侧壁之间连续延伸”，将权利要求1中特征“使所述介电层凹进以去除所述介电层的第二部分和所述介电层的第一部分的暴露区域”修改为“使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的第二部分和所述介电层的第一部分的暴露区域而不干扰所述导电结构”；将权利要求6中特征“所述工件包括绝缘材料”修改为“所述导电结构包括导电衬垫层和导电层，并且在所述凹槽内形成部分地填充所述凹槽的导电结构包括：在所述凹槽内形成与所述介电层的顶面共面的导电衬垫层和导电层；使所述导电衬垫层凹进；以及使所述导电层凹进以使所述导电衬垫层的顶面与所述导电层的顶面共面”；在权利要求9中增加特征“所述栅电极完全填充位于所述介电层的相对侧壁之间的凹槽的下部且在所述介电层的相对侧壁之间连续延伸”，将权利要求9中特征“使所述介电层凹进以去除所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分以及所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的侧壁的暴露部分”修改为“使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分以及所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的侧壁的暴露部分而不干扰所述栅电极”；在权利要求15中增加特征“在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，所述导电结构完全填充所述凹槽的下部且在所述高k介电材料之间连续延伸”，将权利要求15中特征“提供包括所述高k介电材料的工件”修改为“提供包括凹槽和衬垫所述凹槽的所述高k介电材料的工件”，将权利要求15中特征“通过蚀刻工艺去除所述高k介电材料的衬垫第一绝缘层的顶面和侧壁且通过所述高k介电材料上方的导电结构暴露的部分”修改为“通过对所述高k介电材料具有选择性的蚀刻工艺去除所述高k介电材料的衬垫第一绝缘层的顶面和侧壁且通过所述高k介电材料上方的导电结构暴露的部分”。复审请求人认为：对比文件2中的金属氮化物层205为U形结构，无法等同于本申请中作为栅电极的导电结构，同时对比文件2所解决的降低寄生电容的技术问题也不同于本申请中防止介电层的去除残留的技术问题。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有凹槽和衬垫所述凹槽的介电层的工件，所述介电层具有衬垫所述凹槽的第一部分和衬垫所述工件的顶面的第二部分；
在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，其中，所述导电结构部分地填充所述凹槽同时完全填充所述凹槽的下部且在所述介电层的相对侧壁之间连续延伸，并且形成所述导电结构留下所述介电层的第二部分暴露；以及
在形成所述导电结构之后，使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的第二部分和所述介电层的第一部分的暴露区域而不干扰所述导电结构，其中，在所述凹进之后，凹进的所述介电层的顶面设置在所述凹槽内部；
用绝缘层填充所述凹槽。
2. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述绝缘层覆盖凹进的所述介电层的顶面和在所述凹槽内形成的所述导电结构的顶面。
3. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，凹进的所述介电层的顶面与在所述凹槽内形成的所述导电结构的顶面共面。
4. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层包括介电常数大于或等于5的介电材料。
5. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层还设置在所述工件的顶面上方，并且使所述介电层凹进包括去除设置在所述工件的顶面上方的所述介电层。
6. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述导电结构包括导电衬垫层和导电层，并且在所述凹槽内形成部分地填充所述凹槽的导电结构包括：
在所述凹槽内形成与所述介电层的顶面共面的导电衬垫层和导电层；
使所述导电衬垫层凹进；以及
使所述导电层凹进以使所述导电衬垫层的顶面与所述导电层的顶面共 面。
7. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，使所述介电层凹进包括蚀刻工艺，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质。
8. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述半导体器件包括FinFET。
9. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有在其中形成的源极区和漏极区的衬底；
在所述衬底上方形成第一绝缘层；
去除设置在所述源极区和所述漏极区之间的所述第一绝缘层，以暴露所述衬底的一部分；
形成衬垫所述第一绝缘层的顶面和侧壁并且衬垫所述衬底的暴露部分的介电层；
在所述第一绝缘层的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成栅电极，其中，所述栅电极完全填充位于所述介电层的相对侧壁之间的凹槽的下部且在所述介电层的相对侧壁之间连续延伸，所述栅电极的顶面设置在低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处，并且形成所述栅电极留下所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分暴露；
在形成所述栅电极之后，使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分以及所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的侧壁的暴露部分而不干扰所述栅电极，其中，在所述凹进之后，凹进的所述介电层衬垫所述第一绝缘层的侧壁的下部和所述衬底的暴露部分；以及
在所述栅电极上方并且在凹进的所述介电层上方形成第二绝缘层。
10. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，凹进的所述介电层的顶面与所述栅电极的顶面共面。
11. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二绝缘层覆盖凹进的所述介电层的顶面和所述栅电极的顶面。
12. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述栅电 极包括导电衬垫层和导电层，并且在所述第一绝缘层的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成所述栅电极包括：
在所述介电层上方形成所述导电衬垫层；
在所述导电衬垫层上方形成所述导电层；
平坦化所述导电层和所述导电衬垫层，其中，平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层的顶面共面；以及
使平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面凹进至低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处。
13. 根据权利要求12所述的制造半导体器件的方法，其中，使平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面凹进包括：
在使平坦化的所述导电衬垫的顶面凹进之后，使平坦化的所述导电层的顶面凹进，或者反之亦然。
14. 根据权利要求9所述的制造半导体器件的方法，其中，所述衬底包括第一鳍和邻近所述第一鳍的第二鳍，并且所述源极区形成在所述第一鳍中，而所述漏极区形成在所述第二鳍中。
15. 一种去除高k介电材料的方法，所述方法包括：
提供包括凹槽和衬垫所述凹槽的所述高k介电材料的工件；
在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，所述导电结构完全填充所述凹槽的下部且在所述高k介电材料之间连续延伸；
提供射频偏置功率；以及
通过对所述高k介电材料具有选择性的蚀刻工艺去除所述高k介电材料的衬垫第一绝缘层的顶面和侧壁且通过所述高k介电材料上方的导电结构暴露的部分，从而使所述高k介电材料仅保留在所述第一绝缘层的凹槽内，导电结构和第一绝缘层不受所述蚀刻工艺干扰，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质，其中，所述第一绝缘层由单一材料构成。
16. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述氯的流率介于10标准立方厘米每分钟至50标准立方厘米每分钟的范围内。
17. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述三 氯化硼的流率介于100标准立方厘米每分钟至800标准立方厘米每分钟的范围内。
18. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述氧的流率介于1标准立方厘米每分钟至10标准立方厘米每分钟的范围内。
19. 根据权利要求15所述的去除高k介电材料的方法，还包括：
提供介于2毫托至10毫托的范围内的压力。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月06日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1）对比文件2公开了一种先凹进导电层205再采用氢氟酸溶液凹进介电层204从而获得表面低于凹槽的介质层与导电层的技术手段，也即采用先对导电层205进行凹进，而后对介电层204采用选择性的蚀刻工艺进行凹进而不干扰导电层的技术手段。出于不干扰导电层的目的，本领域技术人员能够将对比文件2的上述特征结合至对比文件1中，即先将对比文件1中的导电结构102a、102b、105、106凹进使其完全填充凹槽下部且在介电层的相对侧壁之间连续延伸，而后再采用选择性蚀刻来凹进介电层101。2）对比文件1已经公开了导电结构位于凹槽下部，且在介电层相对侧壁之间连续延伸，那么只要对比文件2公开通过先后凹进的顺序得到表面均位于凹槽内部的导电结构和介电层结构即可，不需要公开导电结构必须完全填充凹槽下部且在介电层相对侧壁之间延伸的技术特征。3）在对比文件1公开了本申请发明点，对比文件2又给出先凹进导电层再采用高蚀刻选择比方式来凹进介电层的工艺顺序的基础上，不需要对比文件3再公开特定的工艺顺序，对比文件3公开了权利要求15限定的蚀刻栅介质层的一种高蚀刻选择比的蚀刻溶液，且在对比文件3中的作用与其在本申请中的作用相同，均是提高对栅绝缘层的蚀刻选择比而不影响栅极导电材料，即对比文件3给出了将其公开的蚀刻剂应用于对比文件1中解决其技术问题的技术启示。在对比文件1的基础上结合对比文件2、3与本领域公知常识可知权利要求15-19同样不具备创造性，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月14日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：介电层除衬垫凹槽的第一部分外还具备衬垫工件顶面的第二部分并且形成所述导电结构后留下所述介电层的第二部分暴露和暴露部分介电层的第一部分；以及在形成所述导电结构之后，使用对所述介电层具备选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的第二部分和所述介电层的第一部分的暴露区域而不干扰所述导电结构。其被对比文件2所公开，且在对比文件2中的作用与其在权利要求1中的作用相同，因而权利要求1相对于对比文件1、2的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求9与对比文件1的区别技术特征为：1）衬底中形成有源极区和漏极区，在衬底上方形成第一绝缘层；去除设置在源极区和漏极区之间的第一绝缘层，以暴露衬底的一部分；2）介电层衬垫在第一绝缘层的顶面，形成所述栅电极留下所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分暴露；在形成所述栅电极之后，使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分以及所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的侧壁的暴露部分而不干扰所述栅电极。对于区别技术特征1），其是本领域公知常识。对于区别技术特征2），其被对比文件2所公开，且在对比文件2中的作用与其在权利要求9中的作用相同，因而权利要求9相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求15与对比文件1的区别技术特征为：1）以及通过对所述高k介电材料具有选择性的蚀刻工艺去除所述高k介电材料的衬垫第一绝缘层的顶面和侧壁且通过所述高k介电材料上方的导电结构暴露的部分，从而使所述高k介电材料仅保留在所述第一绝缘层的凹槽内，导电结构和第一绝缘层不受所述蚀刻工艺干扰，所述第一绝缘层由单一材料构成；2）提供射频偏置功率，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质。对于区别技术特征1），其部分被对比文件2公开，部分是本领域公知常识。对于区别技术特征2），其被对比文件3所公开，且在对比文件3中的作用与其在权利要求15中的作用相同，因而权利要求15相对于对比文件1、2、3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求2-8、10-14、16-19的附加技术特征或被对比文件1-3所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年07月26日提交了意见陈述书，将原权利要求5删除，在新修改的权利要求1中增加特征“所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分”，在新修改的权利要求1中删除“并且形成所述导电结构留下所述介电层的第二部分暴露”，将新修改的权利要求8中特征“在所述第一绝缘层的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成栅电极”修改为“在所述第一绝缘层的相对侧壁之间、所述第一绝缘层的顶面上方并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成栅电极”，在新修改的权利要求8中增加特征“对所述栅电极执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述栅电极的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层共面以暴露衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层；使平坦化的所述栅电极凹进以暴露衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层”，在新修改的权利要求8中删除“并且形成所述栅电极留下所述介电层的衬垫所述第一绝缘层的顶面的部分暴露”，在新修改的权利要求14中增加特征“所述高k介电材料具有衬垫所述凹槽的第一部分和衬垫所述工件的顶面的第二部分；其中，所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分”，并对权利要求书进行适应性的修改。复审请求人认为：权利要求1与对比文件1存在区别技术特征：所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分。该区别技术特征在对比文件2、3中没有公开，其作为一个整体，提供了一种避免介电层残余物的介电层去除方法，不是本领域公知常识。
此次修改的权利要求书为：
“1. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有凹槽和衬垫所述凹槽的介电层的工件，所述介电层具有衬垫所述凹槽的第一部分和衬垫所述工件的顶面的第二部分；
在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，其中，所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；
对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；
使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分，其中，凹进的所述导电结构部分地填充所述凹槽同时完全填充所述凹槽的下部且在所述介电层的相对侧壁之间连续延伸；以及
在凹进所述导电结构之后，使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除所述介电层的所述第二部分和暴露的所述介电层的所述第一部分而不干扰所述导电结构，其中，在凹进所述介电层之后，凹进的所述介电层的顶面设置在所述凹槽内部；
用绝缘层填充所述凹槽。
2. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述绝缘层覆盖凹进的所述介电层的顶面和在所述凹槽内形成的所述导电结构的顶面。
3. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，凹进的所述介电层的顶面与在所述凹槽内形成的凹进的所述导电结构的顶面共面。
4. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述介电层包括介电常数大于或等于5的介电材料。
5. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述导电结构包括导电衬垫层和导电层，使平坦化的所述导电结构凹进：
使所述导电衬垫层凹进；以及
使所述导电层凹进以使所述导电衬垫层的顶面与所述导电层的顶面共面。
6. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述蚀刻工 艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质。
7. 根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中，所述半导体器件包括FinFET。
8. 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
提供具有在其中形成的源极区和漏极区的衬底；
在所述衬底上方形成第一绝缘层；
去除设置在所述源极区和所述漏极区之间的所述第一绝缘层，以暴露所述衬底的一部分；
形成衬垫所述第一绝缘层的顶面和侧壁并且衬垫所述衬底的暴露部分的介电层；
在所述第一绝缘层的相对侧壁之间、所述第一绝缘层的顶面上方并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成栅电极；
对所述栅电极执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述栅电极的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层共面以暴露衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层；
使平坦化的所述栅电极凹进以暴露衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层，其中，凹进的所述栅电极完全填充位于所述介电层的相对侧壁之间的凹槽的下部且在所述介电层的相对侧壁之间连续延伸，凹进的所述栅电极的顶面设置在低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处；
在凹进所述栅电极之后，使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层以及暴露的衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层而不干扰所述栅电极，其中，在所述凹进所述介电层之后，凹进的所述介电层衬垫所述第一绝缘层的侧壁下部和所述衬底的暴露部分；以及
在凹进的所述栅电极上方并且在凹进的所述介电层上方形成第二绝缘层。
9. 根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，凹进的所述介电层的顶面与凹进的所述栅电极的顶面共面。
10. 根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述第二 绝缘层覆盖凹进的所述介电层的顶面和凹进的所述栅电极的顶面。
11. 根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述栅电极包括导电衬垫层和导电层，并且在所述第一绝缘层的相对侧壁之间、所述第一绝缘层的顶面上方并且在衬垫所述衬底的暴露部分的所述介电层上方形成所述栅电极包括：
在所述介电层上方形成所述导电衬垫层；
在所述导电衬垫层上方形成所述导电层；
平坦化所述导电层和所述导电衬垫层，其中，平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层的顶面共面；以及
使平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面凹进至低于所述第一绝缘层的顶面的水平面处。
12. 根据权利要求11所述的制造半导体器件的方法，其中，使平坦化的所述导电层的顶面和平坦化的所述导电衬垫层的顶面凹进包括：
在使平坦化的所述导电衬垫的顶面凹进之后，使平坦化的所述导电层的顶面凹进，或者反之亦然。
13. 根据权利要求8所述的制造半导体器件的方法，其中，所述衬底包括第一鳍和邻近所述第一鳍的第二鳍，并且所述源极区形成在所述第一鳍中，而所述漏极区形成在所述第二鳍中。
14. 一种去除高k介电材料的方法，所述方法包括：
提供包括凹槽和衬垫所述凹槽的所述高k介电材料的工件，所述高k介电材料具有衬垫所述凹槽的第一部分和衬垫所述工件的顶面的第二部分；
在所述凹槽内形成作为栅电极的导电结构，其中，所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；
对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；
使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分，其中，凹进的所述导电结构完全填充所述凹槽的下部且在所述高k介电材料之间连续延伸；
提供射频偏置功率；以及
通过对所述高k介电材料具有选择性的蚀刻工艺去除所述高k介电材料的所述第二部分和通过所述高k介电材料上方的导电结构暴露的所述第一部分，从而使所述高k介电材料仅保留在所述第一绝缘层的凹槽内，导电结构和第一绝缘层不受所述蚀刻工艺干扰，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质，其中，所述第一绝缘层由单一材料构成。
15. 根据权利要求14所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述氯的流率介于10标准立方厘米每分钟至50标准立方厘米每分钟的范围内。
16. 根据权利要求14所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述三氯化硼的流率介于100标准立方厘米每分钟至800标准立方厘米每分钟的范围内。
17. 根据权利要求14所述的去除高k介电材料的方法，其中，所述氧的流率介于1标准立方厘米每分钟至10标准立方厘米每分钟的范围内。
18. 根据权利要求14所述的去除高k介电材料的方法，还包括：
提供介于2毫托至10毫托的范围内的压力。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年07月26日答复复审通知书时提交了修改后的权利要求书替换页，包括权利要求第1-18项。经审查，复审请求人对权利要求书的修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定，因而本复审决定所针对的审查文本为：申请日2014年08月12日提交的说明书第1-184段、说明书附图图1A-7I、说明书摘要、摘要附图；2019年07月26日提交的权利要求第1-18项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征中的部分特征被其它对比文件公开，其它部分区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员有动机将上述区别技术特征应用于最接近的现有技术中，进而获得该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定中所引用的对比文件为：
对比文件1：CN103779413A，公开日为2014年05月07日；
对比文件2：US2013/0049142A1，公开日为2013年02月28日；
对比文件3：US2004/0209468A1，公开日为2004年10月21日。
2.1权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求8请求保护一种制造半导体器件的方法，对比文件1公开了一种制造半导体器件的方法，并具体公开了如下内容（参见说明书第[0039]-[0091]段，附图4A-4L）：提供衬底100；在衬底100中形成凹槽104；形成衬垫所述凹槽104的侧壁并且衬垫凹槽底部暴露的衬底100的栅极绝缘层101；在所述凹槽104的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底100的暴露部分的所述栅极绝缘层101上方形成功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106（相当于栅电极）；功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106完全填充位于所述栅极绝缘层101的相对侧壁之间的凹槽的下部且在所述栅极绝缘层101的相对侧壁之间连续延伸，功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106的顶面设置在低于所述凹槽104的顶面的水平面处。使所述栅极绝缘层101凹进，在凹进之后，凹进的栅极绝缘层101衬垫所述凹槽104侧壁的下部和衬底100在凹槽中暴露的部分；在所述功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106上方并且在凹进的栅极绝缘层101上方形成绝缘材料108（相当于第二绝缘层）。
权利要求8与对比文件1的区别技术特征为：1）衬底中形成有源极区和漏极区，在衬底上方形成第一绝缘层；去除设置在源极区和漏极区之间的第一绝缘层，以暴露衬底的一部分；2）介电层衬垫在第一绝缘层的顶面，在第一绝缘层的顶面上方的介电层上方形成栅电极；对所述栅电极执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述栅电极的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层共面以暴露衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层，使平坦化的所述栅电极凹进以暴露衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层；在凹进所述栅电极之后，使用对所述介电层具有选择性的蚀刻工艺使所述介电层凹进以去除衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层以及暴露的衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层而不干扰所述栅电极。基于上述区别技术特征可以确定权利要求8相对于对比文件1实际解决的技术问题是：1）提供形成凹槽和源漏区的方式；2）防止介电层的去除部分残留。
对于区别技术特征1），其是本领域常用的衬底、绝缘层、源极区和漏极区的形成方式以及凹槽形成方式，属于本领域公知常识，不需要付出创造性的劳动。
对于区别技术特征2），对比文件2公开了一种制造半导体器件的方法，并具体公开了如下内容（参见说明书第[0022]-[0025]段，附图2A-2E）：高K层204衬垫在绝缘层201、202的顶面，在绝缘层201、202的顶面上方的高K层204上方形成金属氮化物层205和有机平坦层；在凹进金属氮化物层205和有机平坦层之后，使用对高K层204具有选择性的蚀刻工艺使高K层204凹进以去除高K层204的衬垫绝缘层201、202的顶面的部分以及高K层204的衬垫绝缘层201、202的侧壁上部的暴露部分而不干扰凹进的金属氮化物层205和有机平坦层。上述内容在对比文件2中的作用与其在权利要求8中的作用相同，都是防止介电层的去除部分残留，即给出了将对比文件2公开的内容应用于对比文件1中解决其技术问题的技术启示。对于“对所述栅电极执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述栅电极的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层共面以暴露衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层，使平坦化的所述栅电极凹进以暴露衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层”， 平坦化工艺和使平坦化的结构凹进均是本领域惯用技术手段，因而使用“平坦化工艺”和“使平坦化的结构凹进”分步进行去除是本领域的常规技术选择，其技术效果与对比文件2中技术效果相同均是使两部分介电层暴露，而且不影响介电层通过选择性的蚀刻工艺进行去除，因而属于本领域公知常识。
因而在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域公知常识以得出权利要求8的技术方案对于本领域的技术人员而言是显而易见的，权利要求8不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求9是权利要求8的从属权利要求，对比文件1（参见附图4J）还公开了：凹进的栅极绝缘层101的顶面与功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106的顶面共面。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求10是权利要求8的从属权利要求，对比文件1（参见附图4L）还公开了：绝缘材料108覆盖凹进的所述栅极绝缘层101的顶面和在所述凹槽104内形成的功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106以及另一第二金属层107的顶面。对比文件1（参见第[0077]段）还提到：形成第二金属层107是一个可选的步骤，即对比文件1还公开了功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106上方不形成第二金属层107的技术方案，此时，绝缘材料108覆盖栅极绝缘层101的顶面和功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106的顶面。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求11是权利要求8的从属权利要求，对比文件1（参见第[0068]-[0077]段，附图4B-4J）还公开了：功函数材料层102、阻挡层105、栅金属106包括功函数层102b（相当于导电衬垫层）和阻挡层105、栅金属106（相当于导电层），并且在凹槽的相对侧壁之间并且在衬垫所述衬底的暴露部分的栅极绝缘层101上形成功函数材料层102b、阻挡层105、栅金属106包括：在所述栅极绝缘层101上方形成所述功函数材料层102b；在所述功函数材料层102b上方形成阻挡层105和栅金属层106（上述两者相当于导电层）；平坦化阻挡层105和栅金属层106和功函数材料层102b，其中，平坦化的阻挡层105和栅金属层106的顶面和平坦化的功函数材料层102b的顶面与栅极绝缘层101的顶面共面；使平坦化的阻挡层105和栅金属层106的顶面和平坦化的功函数材料层102b的顶面凹进至低于凹槽的顶面的水平面处。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求12是权利要求11的从属权利要求，先凹进导电衬垫层后凹进导电层，或者先凹进导电层后凹进导电衬垫层，均能够避免残留并获得凹进的导电结构，其先后顺序是本领域技术人员的常规技术选择，不需要付出创造性的劳动，属于本领域公知常识。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求13是权利要求8的从属权利要求，对比文件1（参见第[0091]段）还公开了：虽然附图示出了平面结构的场效应晶体管，但是示例的方案适用于FinFET中（相当于公开了半导体器件可以包括FinFET）。对于FinFET来说，衬底包括第一鳍和邻近第一鳍的第二鳍，并且源极形成在第一鳍中，漏极形成在第二鳍中，是FinFET的常规设置，属于本领域公知常识。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7权利要求14不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求14请求保护一种去除高K介电材料的方法，对比文件1公开了一种半导体器件的制造方法，并具体公开了如下内容（参见说明书第[0039]-[0091]段，附图4A-4L）：提供具备凹槽104和衬垫所述凹槽104的栅极绝缘层101（相当于介电材料）的工件；在所述凹槽104内形成功函数材料层102a、102b、阻挡层105、栅极金属层106（上述几层相当于作为栅电极的导电结构，参见附图4J），功函数材料层102a、102b、阻挡层105、栅极金属层106完全填充所述凹槽104的下部且在所述栅极绝缘层101的相对侧壁之间连续延伸。
权利要求14与对比文件1的区别技术特征为：1、介电材料具有衬垫工件顶面的第二部分，导电结构还设置在第二部分上方；对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分，使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分；通过对所述高k介电材料具有选择性的蚀刻工艺去除所述高k介电材料的第一和第二部分，从而使所述高k介电材料仅保留在所述第一绝缘层的凹槽内，导电结构和第一绝缘层不受所述蚀刻工艺干扰。2、提供射频偏置功率，所述蚀刻工艺包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质，所述第一绝缘层由单一材料构成。基于上述区别技术特征可以确定权利要求14相对于对比文件1实际所解决的技术问题是：防止介电材料的去除部分残留。
对于区别技术特征1，对比文件2公开了一种制造半导体器件的方法，并具体公开了如下内容（参见说明书第[0022]-[0025]段，附图2A-2E）：高K层204衬垫在绝缘层201、202的顶面，在绝缘层201、202的顶面上方的高K层204上方形成金属氮化物层205和有机平坦层；在凹进金属氮化物层205和有机平坦层之后，使用对高K层204具有选择性的蚀刻工艺使高K层204凹进以去除高K层204的衬垫绝缘层201、202的顶面的部分以及高K层204的衬垫绝缘层201、202的侧壁上部的暴露部分而不干扰凹进的金属氮化物层205和有机平坦层以及绝缘层201、202。上述内容在对比文件2中的作用与其在权利要求14中的作用相同，都是防止介电层的去除部分残留，即给出了将对比文件2公开的内容应用于对比文件1中解决其技术问题的技术启示。对于“对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分，使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分”， 平坦化工艺和使平坦化的结构凹进均是本领域惯用技术手段，因而使用“平坦化工艺”和“使平坦化的结构凹进”分步进行去除是本领域的常规技术选择，其技术效果与对比文件2中技术效果相同均是使两部分介电层暴露，而且不影响介电层通过选择性的蚀刻工艺进行去除，因而属于本领域公知常识。
对于区别技术特征2，对比文件3公开了一种去除高K介电材料的方法，具体公开了（参见说明书第[0039]-[0040]段，附图2E）：采用干法蚀刻，提供射频偏置功率，包括卤素气体，例如氯、溴化氯、三氯化硼或其他类似气体，伴随着如一氧化碳、氧气或其他类似气体，对高K栅介电层204进行蚀刻，以提供选择性刻蚀。上述内容在对比文件3中的作用与其在权利要求14中的作用相同，都能够提供选择性刻蚀。即对比文件3给出了将上述内容应用于对比文件1中以解决其技术问题的技术启示。对于所述第一绝缘层由单一材料构成，是本领域技术人员根据实际需要设置为相同或不同的，属于本领域公知常识。
因而在对比文件1的基础上结合对比文件2、3以及本领域公知常识以得出权利要求14的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的。因而权利要求14不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8权利要求15-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求15-18是权利要求14的从属权利要求，其附加技术特征均涉及到刻蚀的具体参数，而氯、三氯化硼、氧的流量以及压力等具体参数，是本领域技术人员根据常规实验手段和方法进行有限试验就能够得出的，不需要付出创造性的劳动。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：
1、权利要求1与对比文件1存在区别技术特征：所述导电结构填充所述凹槽并且设置在所述第二部分上方；对所述导电结构执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述导电结构的顶面与所述第二部分的顶面共面以暴露所述第二部分；使平坦化的所述导电结构凹进以暴露位于所述凹槽上部的所述第一部分。该区别技术特征在对比文件2、3中没有公开，其作为一个整体，提供了一种避免介电层残余物的介电层去除方法，不是本领域公知常识。
2、权利要求8、14基于与权利要求1同样的理由，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对比文件3没有公开使用包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质对衬垫凹槽上部的高k介电材料进行蚀刻，对比文件3没有给出结合到对比文件1中的技术启示。
对此，合议组认为：
1、对比文件2公开了一种制造半导体器件的方法，并具体公开了如下内容（参见说明书第[0022]-[0025]段，附图2A-2E）：高K层204衬垫在绝缘层201、202的顶面，在绝缘层201、202的顶面上方的高K层204上方形成金属氮化物层205和有机平坦层；在凹进金属氮化物层205和有机平坦层之后，使用对高K层204具有选择性的蚀刻工艺使高K层204凹进以去除高K层204的衬垫绝缘层201、202的顶面的部分以及高K层204的衬垫绝缘层201、202的侧壁上部的暴露部分而不干扰凹进的金属氮化物层205和有机平坦层。上述内容在对比文件2中的作用与其在权利要求8中的作用相同，都是防止介电层的去除部分残留，即给出了将对比文件2公开的内容应用于对比文件1中解决其技术问题的技术启示。对于“对所述栅电极执行平坦化工艺，其中，平坦化的所述栅电极的顶面与衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层共面以暴露衬垫所述第一绝缘层的顶面的所述介电层，使平坦化的所述栅电极凹进以暴露衬垫所述第一绝缘层的侧壁上部的所述介电层”， 平坦化工艺和使平坦化的结构凹进均是本领域惯用技术手段，因而使用“平坦化工艺”和“使平坦化的结构凹进”分步进行去除是本领域的常规技术选择，其技术效果与对比文件2中技术效果相同均是使两部分介电层暴露，而且不影响介电层通过选择性的蚀刻工艺进行去除，因而属于本领域公知常识。
2、权利要求1意见陈述的理由不成立，权利要求8、14不能因此具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对比文件3公开了使用包括氯、三氯化硼以及氧的蚀刻化学物质对高k介电材料进行蚀刻，其对高k介电材料具有良好的刻蚀性，与本申请的作用相同，因而对比文件3给出了将其应用到对比文件1的技术启示。
综上，复审请求人意见陈述的理由不成立，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月16 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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