发明创造名称：用于后排序体系结构的紧凑深度平面表示
外观设计名称：
决定号：194573
决定日：2019-11-09
委内编号：1F273517
优先权日：2014-03-18
申请（专利）号：201510083780.5
申请日：2015-02-16
复审请求人：英特尔公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：尹剑峰
合议组组长：赵小宁
参审员：孟田革
国际分类号：G06T15/00，G06T15/40
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，并且现有技术中没有给出将上述区别技术特征应用到该对比文件以解决其存在的技术问题的启示，同时没有证据证明该区别技术特征属于本领域的公知常识，且该区别技术特征的引入使该权利要求的整体技术方案相对于现有技术而言具有有益的技术效果，那么该权利要求所要保护的技术方案相对于现有技术具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510083780.5，名称为“用于后排序体系结构的紧凑深度平面表示”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为英特尔公司。本申请的申请日为2015年02月16日，优先权日为2014年03月18日，公开日为2015年09月23日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门审查员于2018年11月02日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-20不具备专利法第22条第3款所规定的创造性，其中所引用的对比文件为：对比文件1：US7382368B1，公开日为2008年06月03日；对比文件2：US7659893B1，公开日为2010年02月09日。驳回决定主要认为：（1）独立权利要求1相对于对比文件1所存在的区别技术特征在于：本申请中，存储针对完全或部分覆盖瓦片的深度平面表示，并且以比用较高精度存储的完全覆盖瓦片低的精度来存储部分覆盖瓦片的深度平面表示，使用所述深度平面表示来渲染图像；对比文件1中，通过减少瓦片特殊系数的精度来优化压缩，使用z平面表示来渲染图像。但是对于上述区别技术特征，将深度平面表示进行存储，是本领域的惯用手段；对比文件1公开了完全或部分覆盖瓦片，并且公开了可通过减少瓦片特殊系数的精度来优化压缩，因此为了解决如何利用瓦片进行平面表示以满足要求的技术问题，选择低精度来存储部分覆盖瓦片的深度平面表示，是本领域技术人员能够想到的。其中可仅选择针对部分覆盖瓦片的深度平面表示进行低精度存储，而选择原先的高精度存储完全覆盖瓦片，不对完全覆盖瓦片的存储精度做要求；采用z平面表示或深度平面表示来渲染图像，是本领域技术人员的常规选择。因此，权利要求1相对于对比文件1以及惯用手段的结合不具备创造性。权利要求2-8的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域技术人员容易想到的，从而权利要求2-8不具备创造性。（2）权利要求9相对于对比文件1所存在的区别技术特征是：本申请中，存储针对完全或部分覆盖瓦片的深度平面表示，并且以比用较高精度存储的完全覆盖瓦片低的精度来存储部分覆盖瓦片的深度平面表示，使用所述深度平面表示来渲染图像；对比文件1中，通过减少瓦片特殊系数的精度来优化压缩，使用z平面表示来渲染图像。但对于上述区别技术特征，将深度平面表示进行存储，是本领域的惯用手段，本领域技术人员能够想到，将完全覆盖瓦片的深度平面表示进行存储；对比文件1已经公开了完全或部分覆盖瓦片，并且公开了可通过减少瓦片特殊系数的精度来优化压缩，因此为了解决如何利用瓦片进行平面表示以满足要求的技术问题，选择低精度来存储部分覆盖瓦片的深度平面表示，是本领域技术人员能够想到的；其中可仅选择针对部分覆盖瓦片的深度平面表示进行低精度存储，而选择原先的高精度存储完全覆盖瓦片，不对完全覆盖瓦片的存储精度做要求；对比文件1公开使用z平面表示来渲染图像，采用z平面表示或深度平面表示来渲染图像，是本领域技术人员的常规选择。权利要求10-17、19和20的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者属于公知常识，权利要求18的附加技术特征被对比文件1和2公开，从而，权利要求10-20不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于2015年02月16日提交的说明书第1-68段、说明书附图图1-7、说明书摘要、摘要附图，2018年03月19日提交的权利要求第1-20项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种方法，包括：
存储针对完全覆盖瓦片的深度平面表示；
以比用较高精度存储的完全覆盖瓦片低的精度来存储针对部分覆盖瓦片的深度平面表示；以及
使用所述深度平面表示来渲染图像，用于在包括中央处理单元的计算机上进行显示。
2. 如权利要求1所述的方法，包括：判定针对部分覆盖瓦片的重构深度值是否与在舍入后以较高精度获得的相同。
3. 如权利要求2所述的方法，包括：使用通过较低精度表示所节约的位来存储压缩覆盖掩码。
4. 如权利要求3所述的方法，包括：使用通过较低精度表示所节约的位来对重叠单个瓦片的两个平面进行编码。
5. 如权利要求3所述的方法，包括：存储符号、指数和压缩的每样本覆盖掩码。
6. 如权利要求5所述的方法，包括：对深度平面等式的较低精度尾数位进行编码。
7. 如权利要求6所述的方法，包括：修改较低精度平面表示以使样本的深度值与对应的较高精度平面表示相同。
8. 如权利要求1所述的方法，包括：使用图形处理器来存储深度平面表示。
9. 一种装置，包括：
处理器，其存储针对完全覆盖瓦片的深度平面表示，以比用较高精度存储的完全覆盖瓦片低的精度来存储针对部分覆盖瓦片的深度平面表示，且使用所述深度平面表示来渲染图像，用于在包括中央处理单元的计算机上进行显示；以及
存储器，其与所述处理器耦合。
10. 如权利要求9所述的装置，所述处理器判定针对部分覆盖瓦片的重构深度值是否与在舍入后以较高精度获得的相同。
11. 如权利要求10所述的装置，所述处理器使用通过较低精度表示所节约的位来存储压缩覆盖掩码。
12. 如权利要求11所述的装置，所述处理器使用通过较低精度表示所节约的位来对重叠单个瓦片的两个平面进行编码。
13. 如权利要求11所述的装置，所述处理器存储符号、指数和压缩的每样本覆盖掩码。
14. 如权利要求13所述的装置，所述处理器对深度平面等式的较低精度尾数位进行编码。
15. 如权利要求14所述的装置，所述处理器修改较低精度平面表示以使样本的深度值与对应的较高精度平面表示相同。
16. 如权利要求9所述的装置，其中所述处理器是图形处理器。
17. 如权利要求16所述的装置，包括光栅器。
18. 如权利要求9所述的装置，包括与所述处理器通信耦合的显示器。
19. 如权利要求9所述的装置，包括与所述处理器耦合的电池。
20. 如权利要求9所述的装置，包括固件和用来更新所述固件的模块。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年02月14日向国家知识产权局提出了复审请求。复审请求人认为：对比文件1中并没有考虑降低精度除了实现进一步压缩之外，对于完全覆盖的Z平面和部分覆盖的Z平面可能会有什么其他影响。例如，降低精度会产生一些数据丢失，即，所谓的有损Z平面优化。对比文件1给出了为了实现压缩而对Z深度进行压缩（没有针对完全覆盖瓦片和部分覆盖瓦片进行区分），其无论如何也没有公开针对不同的情形使用不同的精度这一概念，即，对比文件1没有公开对于完全覆盖瓦片使用较高精度进行存储而对于部分覆盖瓦片使用较低精度进行存储的技术特征，这样的技术特征也并非本领域的公知常识。本申请对于部分覆盖瓦片使用降低的精度来存取深度平面值，而对于全部覆盖的瓦片则使用全精度。从而能够在保证高精度的同时释放位用于存储如覆盖掩码的附加信息或附加的深度平面，能够获得显著的技术效果：使用具有极少位的深度平面表示，从而释放位用于存储如覆盖掩码的附加信息或附加的深度平面，并且允许在深度剔除单元中表示更多的瓦片，从而减小深度缓冲带宽，并最终在计算机上显示图像。因此，本申请具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月22日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，对比文件1作为最接近的现有技术，已经公开了完全或部分覆盖瓦片，并且公开了通过减少瓦片特殊系数的精度来优化压缩，本领域技术人员站位本领域，能够想到，针对何种情形来减少精度写入。而针对部分覆盖瓦片的情形使用更低精度进行存取，是本领域的常规选择。对比文件1给出了一定的技术启示，运用较低精度进行存取，因此，为了解决如何利用瓦片进行平面表示以满足要求的技术问题，选择低精度来存储部分覆盖瓦片的深度平面表示，是本领域技术人员能够想到的，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在复审程序中未修改申请文件，本决定所依据的文本是：2018年03月19日提交的权利要求第1-20项，申请日2015年02月16日提交的说明书第1-68段、说明书附图图1-7、说明书摘要和摘要附图。
专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，并且现有技术中没有给出将上述区别技术特征应用到该对比文件以解决其存在的技术问题的启示，同时没有证据证明该区别技术特征属于本领域的公知常识，且该区别技术特征的引入使该权利要求的整体技术方案相对于现有技术而言具有有益的技术效果，那么该权利要求所要保护的技术方案相对于现有技术具备创造性。
本决定引用的对比文件与驳回决定所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US7382368B1，公开日期为：2008年06月03日，并作为最接近的现有技术；
对比文件2：US7659893B1，公开日期为：2010年02月09日。
（2-1）权利要求1具备专利法第22条第3款所规定的创造性
权利要求1要求保护一种方法，对比文件1公开了一种Z平面压缩方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第6页第53-65行）：当代表背景的单独z平面完全覆盖瓦片（相当于完全覆盖瓦片的深度平面表示）；当代表物体边缘的单独z平面部分覆盖物体（相当于部分覆盖瓦片的深度平面）；源z值部分覆盖瓦片，然后Z写单元560代表一个在z缓冲器中写Z值的写请求；用一个有损耗的Z平面最优化减少瓦片特殊系数的精度，很多更高精度瓦片特殊系数被更低精度瓦片精度系数表示，更低精度的瓦片特殊系数确定是与目标瓦片特殊系数相同的（相当于比用较高精度的完全覆盖瓦片低的精度）；采用压缩Z数据减少带宽需要在图像渲染期间使用Z缓冲器；显示装置（对图像进行渲染和显示，隐含公开了用于在包括中央处理单元的计算机上进行显示）。
权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：（1）存储针对完全或部分覆盖瓦片的深度平面表示；（2）以比用较高精度存储的完全覆盖瓦片低的精度存储部分覆盖瓦片的深度平面表示。
对于区别技术特征（1），在3D图像处理中通常需要存储瓦片的深度平面表示，并且，对于图像中的瓦片，通常存在完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片，因此，区别技术特征（1）属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征（2），其给出了对于完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片采用不同的精度来对其深度平面表示进行存储的方案，对于本领域技术人员来说，3D图像中客观存在完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片，由于不完全覆盖瓦片在图像中位置的特殊性，造成此类瓦片在计算瓦片深度时与完全覆盖瓦片的计算方式不同，即，在瓦片深度计算上，完全覆盖瓦片和部分覆盖瓦片的计算方法通常是不同的。但是，在深度平面表示的存储中，无论完全覆盖瓦片或者部分覆盖瓦片的情形，通常均采用全精度存储。这是因为，当采用降低精度的方式来存储深度平面表示时，会造成图像损失，因而，降低精度存储深度平面表示并非本领域的常规技术手段。同时，瓦片深度的计算方法与深度平面表示的存储精度之间没有必然关联，因而，本领域技术人员不容易想到对于不同情况下的瓦片采用不同精度来存储其深度平面表示。因此，上述区别特征（2）不属于本领域的公知常识。
由此可见，在对比文件1公开的使用有损的Z平面最优化减少瓦片特殊系数的精度基础上，并不能使本领域技术人员显而易见地想到将图像中的瓦片加以区分，对处于图像不同位置的瓦片采用不同的精度进行深度平面表示。本申请权利要求1通过采用上述区别特征（2）的处理方式，在大多数情况下允许使用具有较少位的深度平面表示，能够达到释放位用于存储如覆盖掩码的附加信息或附加的深度平面，允许在深度剔除单元中表示更多瓦片，使得本申请能够解决如何减小深度缓冲带宽的技术问题。
对比文件2公开了图形处理器中至少两个不同的处理部分计算压缩的Z表达中相同位置的Z坐标。对比文件2也没有公开上述区别技术特征（2），因而权利要求1所要求保护的技术方案相对于对比文件1、对比文件2以及公知常识的结合是非显而易见的。
因此，权利要求1具备突出的实质性特点和显著进步，符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
（2-2）从属权利要求2-8直接或间接引用权利要求1，当引用的权利要求1具备创造性时，从属权利要求2-8相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合也具备创造性，符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
（2-3）权利要求9具备专利法第22条第3款所规定的创造性
权利要求9要求保护一种装置，对比文件1是最接近的现有技术，其公开了一种Z压缩装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第6页第53-65行）：当代表背景的单独z平面完全覆盖瓦片（相当于完全覆盖瓦片的深度平面表示）；当代表物体边缘的单独z平面部分覆盖物体（相当于部分覆盖瓦片的深度平面）；源z值部分覆盖瓦片，然后Z写单元560代表一个在z缓冲器中写z值的写请求；用一个有损耗的z平面最优化减少瓦片特殊系数的精度，很多更高精度瓦片特殊系数被更低精度瓦片精度系数表示，更低精度的瓦片特殊系数确定是与目标瓦片特殊系数相同的（相当于比用较高精度的完全覆盖瓦片低的精度）；采用压缩z数据减少带宽需要在图像渲染期间使用z缓冲器；显示装置（对图像进行渲染和显示，隐含公开了用于在包括中央处理单元的计算机上进行显示）。
权利要求9与对比文件1相比，其区别特征为：（1）本申请中，存储针对完全或部分覆盖瓦片的深度平面表示；（2）以比用较高精度存储的完全覆盖瓦片低的精度来存储部分覆盖瓦片的深度平面表示，使用所述深度平面表示来渲染图像。
对于区别技术特征（1），在3D图像处理中通常需要存储瓦片的深度平面表示，并且，对于图像中的瓦片，通常存在完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片，因此，区别技术特征（1）属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征（2），其给出了对于完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片采用不同的精度来对其深度平面表示进行存储的方案，对于本领域技术人员来说，3D图像中客观存在完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片，由于不完全覆盖瓦片在图像中位置的特殊性，造成此类瓦片在计算瓦片深度时与完全覆盖瓦片的计算方式不同，即，在瓦片深度计算上，完全覆盖瓦片和部分覆盖瓦片的计算方法通常是不同的。但是，在深度平面表示的存储中，无论完全覆盖瓦片或者部分覆盖瓦片的情形，通常均采用全精度存储。这是因为，当采用降低精度存储深度平面表示时，会造成图像损失，因而，降低精度存储深度平面并非本领域的常规技术手段。同时，瓦片深度的计算方法与深度平面表示的存储精度之间没有必然关联，因而，本领域技术人员不容易想到对于不同情况下的瓦片采用不同精度来存储其深度平面表示。因此，上述区别特征（2）不属于本领域的公知常识。
由此可见，在对比文件1公开的使用有损的Z平面最优化减少瓦片特殊系数的精度基础上，并不能使本领域技术人员显而易见地想到将图像中的瓦片加以区分，对处于图像不同位置的瓦片采用不同的精度进行深度平面表示。本申请权利要求9通过采用上述区别特征（2）的处理方式，在大多数情况下允许使用具有较少位的深度平面表示，能够达到释放位用于存储如覆盖掩码的附加信息或附加的深度平面，允许在深度剔除单元中表示更多瓦片，使得本申请能够解决如何减小深度缓冲带宽技术问题。
对比文件2公开了图形处理器中至少两个不同的处理部分计算压缩的Z表达中相同位置的Z坐标。对比文件2也没有公开上述区别技术特征（2），因而权利要求1所要求保护的技术方案相对于对比文件1、对比文件2以及公知常识的结合是非显而易见的。
因此，权利要求9具备突出的实质性特点和显著进步，符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
（2-4）从属权利要求10-20直接或间接引用权利要求9，当引用的权利要求9具备创造性时，从属权利要求10-20相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合也具备创造性，符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
对驳回决定的相关意见和前置审查意见的评述
原审查部门认为：对比文件1公开了完全或部分覆盖瓦片，并且公开了通过减少瓦片特殊系数的精度来优化压缩，本领域技术人员站位本领域，能够想到，针对何种情形来减少精度写入。而针对部分覆盖瓦片的情形使用更低精度进行存取，是本领域的常规选择。
对此，合议组认为：对比文件1中公开的完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片属于3D图像处理中客观存在的两种瓦片类型，对比文件1中记载这两种瓦片类型意在说明这两种瓦片条件下的Z值如何进行计算，而当对比文件1试图通过降低瓦片的Z平面表示特殊系数的精度来达到进一步压缩Z平面表示时，并未对两种覆盖情况下的瓦片加以区分，并且也没有给出需要在降低精度时进行分情况处理的技术启示，因而本领域技术人员无法从对比文件1出发，想到在降低存储深度平面表示的精度时对于图像中不同区域采用不同精度的处理方式。对比文件1通过指定一个或多个掩码补偿由降低精度引起的错误，可见，在存储深度平面表示时使用的精度影响瓦片深度的计算，单纯地降低深度平面表示的精度已非本领域的常规选择，进而，对于深度平面表示存储采用不同的精度同样不是本领域的常规选择。综上所述，对比文件1没有给出采用不同精度的存储深度平面表示，因此缺乏对本领域的技术人员的明确指引，致使本领域技术人员无法想到在降低存储深度平面表示的精度时对于完全覆盖的瓦片和部分覆盖的瓦片采用不同的处理方式，从而也就不能从对比文件1中获得修改现有技术从而得到本申请所要保护的技术方案的启示。
综上所述，本申请的权利要求1-20相对于对比文件1、对比文件2以及公知常识的结合具备专利法第22条第3款规定的创造性。
至于本申请是否还存在其他缺陷，均留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11 月02 日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在复审请求人于2018年03月19日提交的权利要求第1-20项，2015年02月16日提交的说明书第1-68段、说明书附图图1-7、说明书摘要和摘要附图的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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