发明创造名称：彩膜基板的制作方法及制得的彩膜基板
外观设计名称：
决定号：194695
决定日：2019-11-08
委内编号：1F272745
优先权日：
申请（专利）号：201610128001.3
申请日：2016-03-07
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：朱艳艳
合议组组长：崔双魁
参审员：张帆
国际分类号：G02F1/1335
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在某些区别技术特征，而这些区别技术特征或者是本领域技术人员的常规选择，或者是本领域技术人员常用的技术手段，本领域技术人员将对比文件与公知常识相结合以获得权利要求的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610128001.3，名称为“彩膜基板的制作方法及制得的彩膜基板”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2016年03月07日，公开日为2016年06月08日，申请人为武汉华星光电技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月02日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-6不具备专利法第22第3款规定的创造性。驳回决定引用如下两篇对比文件：
对比文件2：CN102628973A，公开日期为2012年08月08日；
对比文件3：CN102681068A，公开日期为2012年09月19日。
驳回决定所依据的文本为：申请日提交的说明书摘要、说明书第1-70段、摘要附图、说明书附图；2018年09月25日提交的权利要求第1-6项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
1. 一种彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上设置黑色矩阵的位置，对应黑色矩阵的位置形成数个第一、第二与第三光阻块的位置；
步骤2、采用第一光阻层(21)，分别对应黑色矩阵的位置与第一光阻块的位置在基板(10)上形成第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)；
步骤3、采用第二光阻层(22)，分别对应黑色矩阵的位置与第二光阻块的位置在基板(10)上形成第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)；
步骤4、采用第三光阻层(23)，分别对应黑色矩阵的位置与第三光阻块的位置在基板(10)上形成第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)；
经过步骤2至步骤4后，对应黑色矩阵的位置堆叠设置的第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的色彩混合后显示为黑色，从而形成黑色矩阵(30)，被黑色矩阵(30)间隔开的数个第一光阻块(41)、数个第二光阻块(42)、及数个第三光阻块(43)构成彩色光阻层(40)；
所述步骤2中，所述第一光阻矩阵(31)的厚度为所述第一光阻层(21)的厚度的30～35％，所述第一光阻块(41)的厚度为所述第一光阻层(21)的厚度的100％；
所述步骤3中，所述第二光阻矩阵(32)的厚度为所述第二光阻层(22)的厚度的30～35％，所述第二光阻块(42)的厚度为所述第二光阻层(22)的厚度的100％；
所述步骤4中，所述第三光阻矩阵(33)的厚度为所述第三光阻层(23)的厚度的30～35％，所述第三光阻块(43)的厚度为所述第三光阻层(23)的厚度的100％；
所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；
所述步骤2具体为：在所述基板(10)上涂布第一光阻层(21)，采用一道半色调光罩对所述第一光阻层(21)进行曝光、显影，分别对应黑色矩阵的位置与第一光阻块的位置在基板(10)上形成第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)；
所述步骤3具体为：在所述基板(10)、第一光阻矩阵(31)、及数个第一光阻块(41)上涂布第二光阻层(22)，采用一道半色调光罩对所述第二光阻层(22)进行曝光、显影，分别对应黑色矩阵的位置与第二光阻块的位置在基板(10)上形成第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)；
所述步骤4具体为：在所述基板(10)、第二光阻矩阵(32)、数个第一光阻块(41)、及数个第二光阻块(42)上涂布第三光阻层(23)，采用一道半色调光罩对所述第三光阻层(23)进行曝光、显影，分别对应黑色矩阵的位置与第三光阻块的位置在基板(10)上形成第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)。
2. 如权利要求1所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的厚度相同。
3. 如权利要求1所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻、第二光阻、第三光阻为品红色、青色、黄色光阻的任意排列组合。
4. 一种彩膜基板，其特征在于，包括：基板(10)、以及设于所述基板(10)上的黑色矩阵(30)与彩色光阻层(40)；所述黑色矩阵(30)包括堆叠设置的第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)，所述第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的色彩混合后显示为黑色；所述彩色光阻层(40)包括被黑色矩阵(30)间隔开的数个第一光阻块(41)、数个第二光阻块(42)、及数个第三光阻块(43)；
所述第一光阻矩阵(31)的厚度为所述第一光阻块(41)的厚度的30～35％，所述第二光阻矩阵(32)的厚度为所述第二光阻块(42)的厚度的30～35％，所述第三光阻矩阵(33)的厚度为所述第三光阻块(43)的厚度的30～35％；
所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；
所述第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)的制作过程具体为：在所述基板(10)上涂布第一光阻层(21)，采用一道半色调光罩对所述第一光阻层(21)进行曝光、显影，在基板(10)上形成第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)；
所述第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)的制作过程具体为：在所述基板(10)、第一光阻矩阵(31)、及数个第一光阻块(41)上涂布第二光阻层(22)，采用一道半色调光罩对所述第二光阻层(22)进行曝光、显影， 在基板(10)上形成第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)；
所述第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)的制作过程具体为：在所述基板(10)、第二光阻矩阵(32)、数个第一光阻块(41)、及数个第二光阻块(42)上涂布第三光阻层(23)，采用一道半色调光罩对所述第三光阻层(23)进行曝光、显影，在基板(10)上形成第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)。
5. 如权利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一光阻、第二光阻、第三光阻为品红色、青色、黄色光阻的任意排列组合。
6. 如权利要求4所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的厚度相同。
驳回决定认为：权利要求1与对比文件3相比，区别技术特征为：（1）第一光阻矩阵(31)的厚度为所述第一光阻层(21)的厚度的30～35％，所述第二光阻矩阵(32)的厚度为所述第二光阻层(22)的厚度的30～35％，所述第三光阻矩阵(33)的厚度为所述第三光阻层(23)的厚度的30～35％；所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；（2）采用一道半色调光罩对第一、第二、第三光阻层进行曝光、显影。而区别技术特征（1）是本领域技术人员根基于黑矩阵以及彩色光阻的透光需求、彩色光阻的颜色对比度等所容易做到的常规设计，区别技术特征（2）是本领域技术人员的常规选择。在对比文件3的基础上结合本领域公知常识，得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的；权利要求2、3的附加技术特征是本领域技术人员的常规设计或常规选择；权利要求4与对比文件3相比，区别技术特征为：第一光阻矩阵(31)的厚度为所述第一光阻层(21)的厚度的30～35％，所述第二光阻矩阵(32)的厚度为所述第二光阻层(22)的厚度的30～35％，所述第三光阻矩阵(33)的厚度为所述第三光阻层(23)的厚度的30～35％；所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；采用一道半色调光罩对第一、第二、第三光阻层进行曝光、显影。而这些区别技术特征部分是本领域技术人员根基于黑矩阵以及彩色光阻的透光需求、彩色光阻的颜色对比度等所容易做到的常规设计，部分是本领域技术人员的常规选择。在对比文件3的基础上结合本领域公知常识，得到权利要求4的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的；权利要求5、6的附加技术特征是本领域技术人员的常规设计或常规选择；因此，权利要求1-6不具有创造性。
驳回决定在其他说明中还指出：权利要求1、4与对比文件2相比，区别技术特征为：（1）权利要求1中所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；（2）采用半色调光罩对第一、第二、第三光阻层进行曝光显影。而区别技术特征（1）是本领域技术人员根基于黑矩阵以及彩色光阻的透光需求、彩色光阻的颜色对比度等所容易做到的常规设计。区别技术特征（2）是本领域技术人员的常规选择。在对比文件2的基础上结合本领域公知常识，得到权利要求1、4的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1、4不具备创造性。权利要求2、3、5、6的附加技术特征均已被对比文件2公开。
申请人武汉华星光电技术有限公司（下称复审请求人）不服上述驳回决定，于2019年01月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。其中对权利要求书的修改为：将从属权利要求3并入权利要求1中，将权利要求5并入权利要求4中，对应修改权利要求的编号及引用关系。修改后的权利要求书内容如下：
1. 一种彩膜基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上设置黑色矩阵的位置，对应黑色矩阵的位置形成数个第一、第二与第三光阻块的位置；
步骤2、采用第一光阻层(21)，分别对应黑色矩阵的位置与第一光阻块的位置在基板(10)上形成第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)；
步骤3、采用第二光阻层(22)，分别对应黑色矩阵的位置与第二光阻块的位置在基板(10)上形成第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)；
步骤4、采用第三光阻层(23)，分别对应黑色矩阵的位置与第三光阻块的位置在基板(10)上形成第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)；
经过步骤2至步骤4后，对应黑色矩阵的位置堆叠设置的第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的色彩混合后显示为黑色，从而形成黑色矩阵(30)，被黑色矩阵(30)间隔开的数个第一光阻块(41)、数个第二光阻块(42)、及数个第三光阻块(43)构成彩色光阻层(40)；
所述步骤2中，所述第一光阻矩阵(31)的厚度为所述第一光阻层(21)的厚度的30～35％，所述第一光阻块(41)的厚度为所述第一光阻层(21)的厚度的100％；
所述步骤3中，所述第二光阻矩阵(32)的厚度为所述第二光阻层(22)的厚度的30～35％，所述第二光阻块(42)的厚度为所述第二光阻层(22)的厚度的100％；
所述步骤4中，所述第三光阻矩阵(33)的厚度为所述第三光阻层(23)的厚度的30～35％，所述第三光阻块(43)的厚度为所述第三光阻层(23)的厚度的100％；
所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；
所述步骤2具体为：在所述基板(10)上涂布第一光阻层(21)，采用一道半色调光罩对所述第一光阻层(21)进行曝光、显影，分别对应黑色矩阵的位置与第一光阻块的位置在基板(10)上形成第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)；
所述步骤3具体为：在所述基板(10)、第一光阻矩阵(31)、及数个第一光阻块(41)上涂布第二光阻层(22)，采用一道半色调光罩对所述第二光阻层(22)进行曝光、显影，分别对应黑色矩阵的位置与第二光阻块的位置在基板(10)上形成第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)；
所述步骤4具体为：在所述基板(10)、第二光阻矩阵(32)、数个第一光阻块(41)、及数个第二光阻块(42)上涂布第三光阻层(23)，采用一道半色调光罩对所述第三光阻层(23)进行曝光、显影，分别对应黑色矩阵的位置与第三光阻块的位置在基板(10)上形成第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)；
所述第一光阻、第二光阻、第三光阻为品红色、青色、黄色光阻的任意排列组合。
2. 如权利要求1所述的彩膜基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的厚度相同。
3. 一种彩膜基板，其特征在于，包括：基板(10)、以及设于所述基板(10)上的黑色矩阵(30)与彩色光阻层(40)；所述黑色矩阵(30)包括堆叠设置的第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)，所述第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的色彩混合后显示为黑色；所述彩色光阻层(40)包括被黑色矩阵(30)间隔开的数个第一光阻块(41)、数个第二光阻块(42)、及数个第三光阻块(43)；
所述第一光阻矩阵(31)的厚度为所述第一光阻块(41)的厚度的30～35％，所述第二光阻矩阵(32)的厚度为所述第二光阻块(42)的厚度的30～35％，所述第三光阻矩阵(33)的厚度为所述第三光阻块(43)的厚度的30～35％；
所述第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；
所述第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)的制作过程具体为：在所述基板(10)上涂布第一光阻层(21)，采用一道半色调光罩对所述第一光阻层(21)进行曝光、显影，在基板(10)上形成第一光阻矩阵(31)、以及数个第一光阻块(41)；
所述第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)的制作过程具体为：在所述基板(10)、第一光阻矩阵(31)、及数个第一光阻块(41)上涂布第二光阻层(22)，采用一道半色调光罩对所述第二光阻层(22)进行曝光、显影， 在基板(10)上形成第二光阻矩阵(32)、以及数个第二光阻块(42)；
所述第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)的制作过程具体为：在所述基板(10)、第二光阻矩阵(32)、数个第一光阻块(41)、及数个第二光阻块(42)上涂布第三光阻层(23)，采用一道半色调光罩对所述第三光阻层(23)进行曝光、显影，在基板(10)上形成第三光阻矩阵(33)、以及数个第三光阻块(43)；
所述第一光阻、第二光阻、第三光阻为品红色、青色、黄色光阻的任意排列组合。
4. 如权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，所述第一光阻矩阵(31)、第二光阻矩阵(32)、及第三光阻矩阵(33)的厚度相同。
复审请求人认为：（1）对比文件3中并没有任何关于第一滤光部22与第一色阻21的厚度之间呈何种关系、第二滤光部32与第二色阻31的厚度之间呈何种关系、第三滤光部42与第三色阻41的厚度之间呈何种关系的公开，也并没有任何关于第一材料、第二材料及第三材料的OD值的取值范围的公开。本申请明确公开了第一光阻矩阵的厚度为第一光阻块的厚度的30~35%，第二光阻矩阵的厚度为第二光阻块的厚度的30~35%，第三光阻矩阵的厚度为第三光阻块的厚度的30~35%，本发明还公开了第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0~4之间，此种光阻块与光阻矩阵的厚度关系选取及光阻OD值的选取是为了保证在由第一光阻块、第二光阻块及第三光阻块组成的彩色滤光层具有满足标准的透过率的前提下，由第一光阻矩阵、第二光阻矩阵及第三光阻矩阵叠加形成的黑色矩阵具有最佳的遮光效果。（2）对比文件3具有黑色矩阵功能的结构实际上是由红色色阻、绿色色阻及蓝色色阻叠加而成，而本申请中，黑色矩阵是由品红色光阻、青色光阻及黄色光阻叠加形成，这与对比文件3存在明显的区别，对比文件3对此并没有任何公开，也并不能提供任何的技术启示，同时该技术特征也并非本领域的常规选择。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月11日依法受理了该复审请求，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月08日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1、3与对比文件2相比，区别技术特征为：（1）第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；（2）采用一道半色调光罩对第一、第二、第三光阻层进行曝光、显影。而区别技术特征（1）是本领域技术人员所作出的常规选择，并未带来意料不到的技术效果；区别技术特征（2）是本领域技术人员常用的技术手段。在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识，得到权利要求1、3所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1、3不具备创造性。权利要求2、4的附加技术特征已被对比文件2公开。因此，权利要求2、4也不具备创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件2已经公开了对应黑矩阵区域的红色树脂层的厚度为红色树脂层厚的1/3，黑矩阵区域的绿色树脂层的厚度为绿色树脂层厚的1/3，黑矩阵区域的蓝色树脂层的厚度为蓝色树脂层厚的1/3，均位于本申请所保护的“30～35％”的数值范围内。对于OD值，如前面所评述的，彩色光阻的透光率和黑矩阵的遮光性是本领域技术人员必然需要考虑的技术问题，综合考虑两者而降OD值设置在合适的范围内，对本领域技术人员来说是常规设计。（2）对于彩色色阻颜色的选择，对比文件2公开了“特定颜色的膜层可以是三基色树脂层，也可以是其它多种不同颜色的、且按一定比例叠加后能形成黑色的膜层，如三基色膜层与黄色膜层或青色膜层，黄色膜层、青色膜层与品红膜层等”，也即公开了本申请中的“第一光阻、第二光阻、第三光阻为品红色、青色、黄色光阻的任意排列组合”。
复审请求人于2019年08月28日针对复审通知书提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人的意见概述如下：
（1）对比文件2中并没有关于三基色树脂具有何种OD值也即光密度值的记载，由于三基色树脂各自实际上还需要具有滤过特定颜色的光的功能，在对比文件2没有公开三基色树脂各自的OD值的情况下，存在第一光阻块、第二光阻块和第三光阻块的各自的OD值能够使第一光阻块、第二光阻块和第三光阻块的透光率达到标准但使得三基色树脂叠加而成的黑矩阵的遮光效果较差的技术问题，也存在第一光阻块、第二光阻块和第三光阻块的各自的OD值能够使三基色树脂叠加的黑矩阵的遮光效果达到标准但使得第一色阻块、第二色阻块和第三色阻块的透光率过低的问题，影响产品的品质。本申请将第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间，能够使堆叠的黑矩阵具有较高的遮光性能，同时使得第一光阻、第二光阻、第三光阻均具有较好的透过率。
（2）灰色调掩模进行曝光显影时，由于部分透光区域内具有完全透光区及不透光区，导致最终曝光显影形成的光阻图案表面对应部分透光区域中完全透光区的区域与对应部分透光区中不透光的区域并不位于同一水平面，导致光阻图案表面不平整；导致最终形成的黑色矩阵的表面不平整。本申请采用半色调光罩，使得第一光阻矩阵、第二光阻矩阵、第三光阻矩阵表面的平坦性较高， 由第一光阻矩阵、第二光阻矩阵、第三光阻矩阵堆叠而成的黑色矩阵的表面平坦性较高，遮光性能容易控制，产品品质较高。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年01月30日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以2019年01月30日提交的权利要求第1-4项，申请日2016年03月07日提交的说明书摘要、说明书第1-70段、摘要附图、说明书附图1-12为基础作出。
（二）有关专利法第22条第3款的问题
专利法第22条第3款：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在某些区别技术特征，而这些区别技术特征或者是本领域技术人员的常规选择，或者是本领域技术人员常用的技术手段，本领域技术人员将对比文件与公知常识相结合以获得权利要求的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
具体到本案而言：
1、权利要求1要求保护一种彩膜基板的制作方法，对比文件2公开了一种彩膜基板的制作方法（说明书第[0048]-[0114]段，附图2-9）， 包括：
步骤C1、在基板31上涂布红色树脂层32。
步骤C2、采用具有遮光部341、透光部342和灰色调部343的灰色调掩模版34进行掩模、曝光和显影，使得红色树脂层32与红色子像素区对应的部分被完全保留以形成红色子像素41，与其它颜色的子像素区对应的部分被完全去除，与黑矩阵区对应的部分被部分保留形成标号42所指部位（说明书第[79]-[80]段，图3-4）。
步骤C3、在基板上涂布绿色树脂层(厚度与红色树脂层的厚度相同)。
步骤C4、采用具有遮光部、透光部和灰色调部的灰色调掩模版进行掩模、 曝光和显影，使得绿色树脂层与绿色子像素区对应的部分被完全保留以形成绿色子像素，与其它颜色的子像素区对应的部分被完全去除，与黑矩阵区对应的部分被部分保留（说明书第[83]-[84]段）。
步骤C5、在基板上涂布蓝色树脂层(厚度与红色树脂层的厚度相同)。
步骤C6、采用具有遮光部、透光部和灰色调部的灰色调掩模版进行掩模、 曝光和显影，使得蓝色树脂层与蓝色子像素区对应的部分被完全保留以形成蓝色子像素，与其它颜色的子像素区对应的部分被完全去除，与黑矩阵区对应的部分被部分保留（说明书第[86]-[87]段，图3-5）。
当透光率为100％的透光部342对应基板31上的红色子像素区、透光率为 33.3％的灰色调部343对应基板31上的黑矩阵区、遮光部341对应其它颜色的子像素区时，采用适当的方法成像显影后，红色树脂层32与红色子像素区对应的部分就会被完全保留以形成红色子像素41；红色树脂层32与黑矩阵区对应的部分就会有2/3的红色树脂层被去掉，剩下1/3的红色树脂层被保留形成标号42所指部位；而红色树脂层32与其它颜色的子像素区对应的部分就会被完全去掉，露出基板31（说明书第[82]段）。
在基板31上形成了红色子像素41、绿色子像素43 和蓝色子像素44这三基色子像素，而且等厚度的三基色树脂层叠加在黑矩阵区上，由于等量的三基色叠加会形成黑色，因此，等厚度的三基色树脂层叠加便形成了不透光的黑矩阵45（说明书第[89]段，图5）。
特定颜色的膜层可以是三基色树脂层，也可以是其它多种不同颜色的、且按一定比例叠加后能形成黑色的膜层，如三基色膜层与黄色膜层或青色膜层，黄色膜层、青色膜层与品红膜层等（说明书第[0055]段）。
经分析对比可知，对比文件2中的步骤C1和C2即相当于本申请中的步骤2，“在基板31上涂布红色树脂层32”相当于本申请中的“在基板上涂布第一光阻层”，“采用具有遮光部341、透光部342和灰色调部343的灰色调掩模版34进行掩模、曝光和显影”相当于本申请中的“对第一光阻层进行曝光、显影”；对比文件2中“使得红色树脂层32与红色子像素区对应的部分被完全保留以形成红色子像素41，与黑矩阵区对应的部分被部分保留形成标号42所指部位”相当于本申请中的“对应黑色矩阵的位置与第一光阻块的位置在基板上形成第一光阻矩阵、以及数个第一光阻块”；
对比文件2中的步骤C3和C4即相当于本申请中的步骤3，“在基板上涂布绿色树脂层”相当于本申请中的“在基板、第一光阻矩阵、及数个第一光阻块上涂布第二光阻层”，“采用具有遮光部、透光部和灰色调部的灰色调掩模版进行掩模、曝光和显影”相当于本申请中的“对第二光阻层进行曝光、显影”；对比文件2中“使得绿色树脂层与绿色子像素区对应的部分被完全保留以形成绿色子像素，与黑矩阵区对应的部分被部分保留”相当于本申请中的“对应黑色矩阵的位置与第二光阻块的位置在基板上形成第二光阻矩阵、以及数个第二光阻块”；
对比文件2中的步骤C5和C6即相当于本申请中的步骤4，“在基板上涂布蓝色树脂层”相当于本申请中的“在基板、第二光阻矩阵、数个第一光阻块、及数个第二光阻块上涂布第三光阻层”，“采用具有遮光部、透光部和灰色调部的灰色调掩模版进行掩模、曝光和显影”相当于本申请中的“对第三光阻层进行曝光、显影”；对比文件2中“使得蓝色树脂层与蓝色子像素区对应的部分被完全保留以形成蓝色子像素，与黑矩阵区对应的部分被部分保留”相当于本申请中的“对应黑色矩阵的位置与第三光阻块的位置在基板上形成第三光阻矩阵、以及数个第三光阻块”；
对比文件2必然包括提供基板31以及设置黑矩阵的位置以及对应黑矩阵的位置形成数个红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素的位置，即对比文件2隐含公开了本申请的步骤1。
对比文件2在步骤C1-C6后，等厚度的三基色树脂层叠加在黑矩阵区上，由于等量的三基色叠加会形成黑色，因此，等厚度的三基色树脂层叠加便形成了不透光的黑矩阵45。即相当于本申请中的“对应黑色矩阵的位置堆叠设置的第一光阻矩阵、第二光阻矩阵、及第三光阻矩阵的色彩混合后显示为黑色，从而形成黑色矩阵”；对比文件2在基板31上形成了红色子像素41、绿色子像素43 和蓝色子像素44这三基色子像素，即相当于本申请中的“被黑色矩阵间隔开的数个第一光阻块、数个第二光阻块、及数个第三光阻块构成彩色光阻层”。
对比文件2中“红色树脂层与红色子像素区对应的部分被完全保留以形成红色子像素；绿色树脂层与绿色子像素区对应的部分被完全保留以形成绿色子像素，蓝色树脂层与蓝色子像素区对应的部分被完全保留以形成蓝色子像素；即公开了红色子像素的厚度为红色树脂层的厚度的100%；绿色子像素的厚度为绿色树脂层的厚度的100%；蓝色子像素的厚度为蓝色树脂层的厚度的100%。
对比文件2中“红色树脂层与黑矩阵区对应的部分就会有2/3的红色树脂层被去掉，剩下1/3的红色树脂层被保留形成标号42所指部位；等厚度的三基色树脂层叠加在黑矩阵区上”，即公开了对应黑矩阵区域的红色树脂层的厚度为红色树脂层厚的1/3，黑矩阵区域的绿色树脂层的厚度为绿色树脂层厚的1/3，黑矩阵区域的蓝色树脂层的厚度为蓝色树脂层厚的1/3，均位于本申请所保护的“30～35％”的数值范围内。
对比文件2中“特定颜色的膜层可以是三基色树脂层，也可以是其它多种不同颜色的、且按一定比例叠加后能形成黑色的膜层，如三基色膜层与黄色膜层或青色膜层，黄色膜层、青色膜层与品红膜层等”，也即公开了本申请中的“第一光阻、第二光阻、第三光阻为品红色、青色、黄色光阻的任意排列组合”。
因此，权利要求1与对比文件2相比，区别技术特征为：（1）第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；（2）采用一道半色调光罩对第一、第二、第三光阻层进行曝光、显影。
基于该区别技术特征，权利要求1所要解决的技术问题是：（1）如何保证黑矩阵的遮光性和彩色光阻层的透光性；（2）如何选择曝光、显影的掩模类型。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了在制作子像素彩膜层的同时，彩膜层在黑矩阵区域叠加从而形成黑矩阵，因此，如何保证彩膜层的透光率以及黑矩阵的遮光性是本领域技术人员必然需要考虑的技术问题，而彩膜层的颜色、厚度和OD值均会影响透光性，本领域技术人员在综合考虑彩膜层的透光率以及黑矩阵的遮光性，合理的选择各个彩膜层的厚度和OD值，使第一光阻、第二光阻和第三光阻的OD值在0-4之间是本领域技术人员所作出的常规选择，并未带来意料不到的技术效果。
对于区别技术特征（2），对比文件2采用了一道灰色调掩膜板对光阻层进行曝光、显影。而灰色调掩膜板和半色调掩膜板都可以在一次曝光中同时实现完全曝光、半曝光、未曝光三个曝光等级，选择一道半色调掩膜板对光阻层进行曝光显影也是本领域技术人员常用的技术手段。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识，得到权利要求1所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：
（1）对比文件2公开了在制作子像素彩膜层的同时，在黑矩阵区域彩膜层被部分保留的部分叠加从而形成黑矩阵，因此，如何保证彩膜层的透光率以及黑矩阵的遮光性是本领域技术人员必然需要考虑的技术问题，而彩膜层的颜色、厚度和OD值均会影响透光性，本领域技术人员综合考虑彩膜层的透光率以及黑矩阵的遮光性，合理的选择各个彩膜层的厚度和OD值，以使得彩膜层的透光率达到标准，黑矩阵的遮光效果也达到标准是容易想到的。复审请求人在意见陈述中指出的“光阻块的透光率达到标准但是黑矩阵遮光效果较差”以及“黑矩阵遮光效果达到标准但是光阻块的透光率过低”这两种情况显然不是本领域的常规选择。因此，本领域技术人员会在兼顾“彩膜层的透光率达到标准，黑矩阵的遮光效果也达到标准”的条件下选择各个彩膜层的厚度以及OD值。使第一光阻、第二光阻和第三光阻的OD值在0-4之间是本领域技术人员根据产品合格的需求通过有限次试验所作出的常规选择，并未带来意料不到的技术效果。
（2）灰色调掩膜板和半色调掩膜板都可以在一次曝光中同时实现完全曝光、半曝光、未曝光三个曝光等级，在彩膜基板的制作工艺中均广泛应用。灰色调掩模技术和半色调掩模技术的技术原理和技术效果都是公知的，采用半色调掩模技术使得光阻矩阵表面的平坦性高以及堆叠起来的黑色矩阵的表面平坦性高，这些技术效果也是可预料的。
因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
2、权利要求2是权利要求1的从属权利要求，对比文件2公开了等厚度的三基色树脂层叠加在黑矩阵区上（说明书第[89]-[90]段），因此，在其引用的权利要求1不具有创造性的基础上，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求3要求保护一种彩膜基板，对比文件2公开了一种彩膜基板（说明书第[0048]-[0114]段，附图2-9），包括：基板31；不同颜色的子像素41、43、44，形成于基板上；由不同颜色的子像素的材料叠加而成的黑矩阵45，形成于基板31上（说明书第[105]-[0107]段）。其中，基板31相当于本申请中的基板，由不同颜色的子像素的材料叠加而成的黑矩阵45相当于本申请中的黑色矩阵包括堆叠设置的第一光阻矩阵、第二光阻矩阵及第三光阻矩阵，第一光阻矩阵、第二光阻矩阵及第三光阻矩阵的色彩混合后显示为黑色；不同颜色的子像素41、43、44相当于本申请中的彩色光阻层包括被黑色矩阵间隔开的数个第一光阻块、数个第二光阻块和数个第三光阻块。
对比文件2还公开了黑矩阵区域的各个彩色树脂层的厚度以及彩膜基板具体的制作方法，具体请参见以上对权利要求1的评述。
权利要求3所要保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征为：（1）第一光阻、第二光阻、第三光阻的OD值均在0～4之间；（2）采用一道半色调光罩对第一、第二、第三光阻层进行曝光、显影。
上述区别技术特征与权利要求1与对比文件2的区别技术特征相同，基于与评述权利要求1相同的理由，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识，得到权利要求3所要保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求3不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求4是权利要求3的从属权利要求，对比文件2公开了等厚度的三基色树脂层叠加在黑矩阵区上（说明书第[89]-[90]段），因此，在其引用的权利要求3不具有创造性的基础上，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上，本申请的权利要求1-4均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月02日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
