发明创造名称：电致变色显示面板及其制作方法
外观设计名称：
决定号：194684
决定日：2019-11-08
委内编号：1F272425
优先权日：
申请（专利）号：201510790801.7
申请日：2015-11-17
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：朱宇澄
合议组组长：崔双魁
参审员：王睿爽
国际分类号：G02F1/153
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与一篇最接近的现有技术公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而该区别技术特征为本领域公知常识，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510790801.7，名称为“电致变色显示面板及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2015年11月17日，公开日为2016年01月27日。申请人为深圳市华星光电技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月26日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-8不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定引用如下一篇对比文件：
对比文件1：CN102967979A，公开日期为2013年03月13日。
驳回决定所依据的文本为：申请日提交的说明书摘要、说明书第1-59段、摘要附图、说明书附图；2018年07月05日提交的权利要求第1-8项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种电致变色显示面板，其特征在于，包括：阵列基板(11)、设于所述阵列基板(11)上的彩膜层(12)、设于所述彩膜层(12)上的像素电极层(13)、设于所述像素电极层(13)上的电致变色层(14)、设于所述电致变色层(14)上的公共电极层(15)、及设于所述公共电极层(15)上的薄膜封装层(16)；
所述电致变色层(14)采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；
所述阵列基板(11)包括：衬底基板(110)、设于所述衬底基板(110)上的TFT层(111)、及设于所述TFT层(111)上的绝缘保护层(112)；
所述衬底基板(110)具有呈阵列式排布的数个子像素区域(1101)，所述TFT层(111)包括对应数个子像素区域(1101)的数个TFT，所述TFT包括：设于所述衬底基板(110)上的栅极(1110)、设于所述栅极(1110)及衬底基板(110)上的栅极绝缘层(1111)、设于所述栅极绝缘层(1111)上的半导体层(1114)、设于所述栅极绝缘层(1111)上分别接触所述半导体层(1114)两侧的源极(1112)与漏极(1113)、及设于半导体层(1114)上位于源极(1112)与漏极(1113)之间的刻蚀阻挡层(1115)。
2. 如权利要求1所述的电致变色显示面板，其特征在于，所述彩膜层(12)包括对应数个子像素区域(1101)依次设置的红色滤光层(121)、绿色滤光层(122)、及蓝色滤光层(123)。
3. 如权利要求1所述的电致变色显示面板，其特征在于，所述像素电极层(13)通过贯穿所述彩膜层(12)与绝缘保护层(112)的过孔(131)与漏极(1113)相接触。
4. 如权利要求1所述的电致变色显示面板，其特征在于，对应于不同子像素区域(1101)的电致变色层(14)之间设有像素分割层(141)。
5. 一种电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板(11)，在所述阵列基板(11)上制作彩膜层(12)；
步骤2、在所述彩膜层(12)上制作像素电极层(13)；
步骤3、在所述像素电极层(13)上制作电致变色层(14)，所述电致变色层(14)采用黑色电致变色材料制作，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；
步骤4、在所述电致变色层(14)上覆盖公共电极层(15)，在所述公共电极层(15)上制作薄膜封装层(16)进行封装，形成电致变色显示面板(1)；
所述阵列基板(11)包括：衬底基板(110)、设于所述衬底基板(110)上的TFT层(111)、及设于所述TFT层(111)上的绝缘保护层(112)；
所述衬底基板(110)具有呈阵列式排布的数个子像素区域(1101)，所述TFT层(111)包括对应数个子像素区域(1101)的数个TFT，所述TFT包括：设于所述衬底基板(110)上的栅极(1110)、设于所述栅极(1110)及衬底基板(110)上的栅极绝缘层(1111)、设于所述栅极绝缘层(1111)上的半导体层(1114)、设于所述栅极绝缘层(1111)上分别接触所述半导体层(1114)两侧的源极(1112)与漏极(1113)、及设于半导体层(1114)上位于源极(1112)与漏极(1113)之间的刻蚀阻挡层(1115)。
6. 如权利要求5所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述彩膜层(12)包括对应数个子像素区域(1101)依次设置的红色滤光层(121)、绿色滤光层(122)、及蓝色滤光层(123)。
7. 如权利要求5所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述像素电极层(13)通过贯穿所述彩膜层(12)与绝缘保护层(112)的过孔(131)与漏极(1113)相接触。
8. 如权利要求5所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：
步骤31、在对应数个不同子像素区域(1101)的彩膜层(12)及像素电极层(13)上蒸镀形成图案化的像素分割层(141)；
步骤32、向所述像素分割层(141)的空隙内蒸镀填充电致变色层(14)。”
驳回决定认为：1）权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：彩膜层设置在阵列基板上；电致变色层采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；TFT包括：设于所述衬底基板（110）上的栅极（1110）、设于所述栅极（1110）及衬底基板（110）上的栅极绝缘层（1111）、设于所述栅极绝缘层（1111）上的半导体层（1114）、设于所述栅极绝缘层（1111）上分别接触所述半导体层（1114）两侧的源极（1112）与漏极（1113）、及设于半导体层（1114）上位于源极（1112）与漏极（1113）之间的刻蚀阻挡层（1115）。该区别技术特征为本领域常用技术手段，因此，权利要求1不具备创造性。2）权利要求5与对比文件1的区别技术特征在于：步骤1，在阵列基板上设置彩膜层；步骤2，在彩膜层上设置像素电极层；步骤3中电致变色层采用黑色电致变色材料制作，电致变色层采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；TFT包括：设于所述衬底基板（110）上的栅极（1110）、设于所述栅极（1110）及衬底基板（110）上的栅极绝缘层（1111）、设于所述栅极绝缘层（1111）上的半导体层（1114）、设于所述栅极绝缘层（1111）上分别接触所述半导体层（1114）两侧的源极（1112）与漏极（1113）、及设于半导体层（1114）上位于源极（1112）与漏极（1113）之间的刻蚀阻挡层（1115）。该区别技术特征为本领域常用技术手段，因此，权利要求5不具备创造性。3）权利要求2-4、6-8的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者为本领域常用技术手段，因此，权利要求2-4、6-8不具备创造性。
申请人深圳市华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月28日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书全文的修改替换页，其中，将从属权利要求4、8的附加技术特征分别补入独立权利要求1、5中，并对其他从属权利要求的引用关系和序号进行了调整。
复审请求人认为：a、对比文件1背光模块发出的白光是先通过电致变色器件进行灰化，继而灰化后的白光再通过彩色滤光片转化为红光、绿光和蓝光，色彩饱和度较低。本申请背光源发出的白光先经过彩膜层转化为红光、绿光和蓝光，继而分别通过电致变色层形成灰化的红光、绿光和蓝光，能够提高各子像素的色域度，提高色彩饱和度，同时彩膜层设在阵列基板上能够提高对位精度，简化制程。对比文件1未给出上述特征，也无法给出技术启示，也并非本领域常规设置。本申请电致变色显示面板只采用黑色电致变色材料，驱动较简单。对比文件1未公开主动显示器件能实现黑色显示，也无法给出相应的技术启示，也并非本领域常规设置。b、对比文件1未公开TFT具体结构，也无法给出相应的技术启示，也并非本领域常规设置。c、结合附图2可知，对比文件1的电致变色模块3在水平方向上仅包含绝缘和平坦化层204与电致变色器件，也就是说，对比文件1只有一个完整的电致变色器件区域，不会存在类似像素分割层的结构起到分割作用，未公开像素分割层，也无法给出相应的技术启示。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月11日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月13日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-6不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。复审通知书认为：1）权利要求1与对比文件1的区别在于：a、彩膜层设置于阵列基板上，彩膜层上设置有像素电极层，像素电极层上设有电致变色层，设置于电致变色层上的公共电极层；电致变色层采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；b、TFT包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极及衬底基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上分别接触半导体层两侧的源极和漏极、及设于半导体层上位于源极与漏极之间的刻蚀阻挡层；c、对应于不同子像素区域的电致变色层之间设有像素分隔层。区别特征a、b、c均为本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求1不具备创造性。2）权利要求4与对比文件1的区别在于：a、阵列基板上制作彩膜层，在彩膜层上制作像素电极层，像素电极层上制作电致变色层，在电致变色层上覆盖公共电极；电致变色层采用黑色电致变色材料制作，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；b、TFT包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极及衬底基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上分别接触半导体层两侧的源极和漏极、及设于半导体层上位于源极与漏极之间的刻蚀阻挡层；c、在对应数个不同子像素区域的彩膜层及像素电极层上蒸镀形成图案化的像素分割层，向像素分割层的空隙内蒸镀填充电致变色层。区别特征a、b、c均为本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求4不具备创造性。3）从属权利要求2-3、5-6的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者为本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求2-3、5-6不具备创造性。4）针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：a、对比文件1明确给出了通过电致变色材料调节灰度，像素颜色由传统的全彩滤光片调节，电致变色材料仅需调节灰度，无需调节颜色。为呈现更加丰富的灰度，采用黑色电致变色材料实现灰度调节为本领域技术人员的常规选择。将电致变色层设置在阵列基板与彩膜层之间，或者将彩膜层设置在阵列基板与电致变色层之间，最终所获得的光的成分并没有本质区别，在色彩饱和度上也没有区别，采用任何一种方式均为本领域技术人员的常规选择。此外，对比文件1以及本申请的显示器件均为由衬底基板自下而上依次制备各层而形成，均不存在上、下基板对位的工序。b、区别技术特征b限定的TFT结构为本领域常用的TFT结构，尽管对比文件1图2、3、5所示显示器件的结构示意图中没有对TFT结构的各层结构进行附图标记的标注，说明书文字部分也没有明确描述该TFT结构的各层结构，但是，其线条所表示出来的结构特征能够使本领域技术人员意识到其为本领域中所常见的TFT结构形式，在该图示的TFT结构的基础上获得区别技术特征b所限定的具体TFT结构是显而易见的。c、尽管对比文件1的黑矩阵402形成在像素区域之间，但是，在像素区域内各子像素区域之间，也存在漏光的问题，为避免各子像素区域之间产生漏光，在各子像素区域之间设置黑矩阵为本领域技术人员的常规选择。因此，复审请求人的意见不能被接受。
复审请求人于2019年08月15日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书全文的修改替换页，其中，将从属权利要求2、5的附加技术特征分别并入独立权利要求1、4中，修改后的权利要求书如下：
“1. 一种电致变色显示面板，其特征在于，包括：阵列基板(11)、设于所述阵列基板(11)上的彩膜层(12)、设于所述彩膜层(12)上的像素电极层(13)、设于所述像素电极层(13)上的电致变色层(14)、设于所述电致变色层(14)上的公共电极层(15)、及设于所述公共电极层(15)上的薄膜封装层(16)；
所述电致变色层(14)采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；
所述阵列基板(11)包括：衬底基板(110)、设于所述衬底基板(110)上的TFT层(111)、及设于所述TFT层(111)上的绝缘保护层(112)；
所述衬底基板(110)具有呈阵列式排布的数个子像素区域(1101)，所述TFT层(111)包括对应数个子像素区域(1101)的数个TFT，所述TFT包括：设于所述衬底基板(110)上的栅极(1110)、设于所述栅极(1110)及衬底基板(110)上的栅极绝缘层(1111)、设于所述栅极绝缘层(1111)上的半导体层(1114)、设于所述栅极绝缘层(1111)上分别接触所述半导体层(1114)两侧的源极(1112)与漏极(1113)、及设于半导体层(1114)上位于源极(1112)与漏极(1113)之间的刻蚀阻挡层(1115)；
对应于不同子像素区域(1101)的电致变色层(14)之间设有像素分割层(141)；
所述彩膜层(12)包括对应数个子像素区域(1101)依次设置的红色滤光层(121)、绿色滤光层(122)、及蓝色滤光层(123)。
2. 如权利要求1所述的电致变色显示面板，其特征在于，所述像素电极层(13)通过贯穿所述彩膜层(12)与绝缘保护层(112)的过孔(131)与漏极(1113)相接触。
3. 一种电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板(11)，在所述阵列基板(11)上制作彩膜层(12)；
步骤2、在所述彩膜层(12)上制作像素电极层(13)；
步骤3、在所述像素电极层(13)上制作电致变色层(14)，所述电致变色 层(14)采用黑色电致变色材料制作，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；
步骤4、在所述电致变色层(14)上覆盖公共电极层(15)，在所述公共电极层(15)上制作薄膜封装层(16)进行封装，形成电致变色显示面板(1)；
所述阵列基板(11)包括：衬底基板(110)、设于所述衬底基板(110)上的TFT层(111)、及设于所述TFT层(111)上的绝缘保护层(112)；
所述衬底基板(110)具有呈阵列式排布的数个子像素区域(1101)，所述TFT层(111)包括对应数个子像素区域(1101)的数个TFT，所述TFT包括：设于所述衬底基板(110)上的栅极(1110)、设于所述栅极(1110)及衬底基板(110)上的栅极绝缘层(1111)、设于所述栅极绝缘层(1111)上的半导体层(1114)、设于所述栅极绝缘层(1111)上分别接触所述半导体层(1114)两侧的源极(1112)与漏极(1113)、及设于半导体层(1114)上位于源极(1112)与漏极(1113)之间的刻蚀阻挡层(1115)；
所述步骤3具体包括：
步骤31、在对应数个不同子像素区域(1101)的彩膜层(12)及像素电极层(13)上蒸镀形成图案化的像素分割层(141)；
步骤32、向所述像素分割层(141)的空隙内蒸镀填充电致变色层(14)；
所述彩膜层(12)包括对应数个子像素区域(1101)依次设置的红色滤光层(121)、绿色滤光层(122)、及蓝色滤光层(123)。
4. 如权利要求3所述的电致变色显示面板的制作方法，其特征在于，所述像素电极层(13)通过贯穿所述彩膜层(12)与绝缘保护层(112)的过孔(131)与漏极(1113)相接触。”
复审请求人认为：1）对比文件1的背光模块发出的白光是先通过电致变色器件进行灰化，灰化会降低白光的透过率，灰化后的白光再通过彩色滤光片转化为红光、绿光和蓝光，白光经过彩色滤光片时透过率进一步降低。由于电致变色器件可以调节灰度，彩色滤光片是由其材料本身决定的透过率，那么白光先经过电致变色器件再经过彩色滤光片，不利于光线的透过率调节。2）对比文件1未公开彩膜层中红色滤光片、绿色滤光片、及蓝色滤光片对应数个子像素区域依次设置。3）对比文件1未公开电致变色器件采用黑色电致变色材料，也未公开电致变色器件可以实现黑色显示。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人先后于2019年01月28日、2019年08月15日提交了权利要求书全文的修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定，因此，本决定以申请日提交的说明书摘要、说明书第1-59段、摘要附图、说明书附图；2019年08月15日提交的权利要求第1-4项为基础作出。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与一篇最接近的现有技术公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而该区别技术特征为本领域公知常识，则该权利要求不具备创造性。
权利要求1请求保护一种电致变色显示面板，对比文件1公开了一种主动矩阵显示器件（参见说明书第42-63段，附图2），包括背光模块1、TFT模块2、电致变色模块3和彩色滤光片4。TFT模块2是制备于玻璃或透明柔性基板上的薄膜晶体管，该显示器为主动矩阵显示器件，故TFT模块的基板上的像素单元呈矩阵式排布，即具有多个呈阵列式排布的子像素区域，每个子像素区域对应有一个TFT。电致变色模块3设置于TFT模块2上，由阳极203、阴极304以及它们之间的阳极性显色聚合物层301、阴极性显色聚合物层302和固态电解质层303构成，当电压变化时，其颜色和/或透过率变化，实现各种颜色和灰度的显示。TFT的漏极通过接触孔202与电致变色器件的阳极203相连，TFT背板上除电致变色器件阳极203外的其他区域制备一层绝缘和平坦化层204，覆盖除电致变色器件的阳极203外的其他区域，用以定义电致变色像素单元，每个像素区域由对应的TFT所施加的电压控制该子像素区域中的电致变色器件。电致变色模块3的阴极304上覆盖钝化层305和平坦化层306，再施加封装层307。在封装层307上贴合彩色滤光片4，使RGB区域401对准电致变色器件定义的像素单元区域，黑矩阵402遮住其他区域。器件工作时，薄膜晶体管控制电致变色器件阴阳极间电压，使其在0-2V 间变化，电致变色器件的透射率会随着电压的增大而下降，带来灰阶的变化，不同灰阶亮度的白光透过彩色滤光片即会产生不同亮度的红色、绿色和蓝色，三种不同颜色混合后可得到一个彩色的色点投影到显示器面板上（参见说明书第56段），即彩色滤光片的RGB区域对应于子像素区域依次设置的红色、绿色和蓝色滤光层。
经分析对比可知，对比文件1中，TFT模块2对应于本申请中的阵列基板，TFT模块2的玻璃或透明柔性基板对应于本申请中的衬底基板，薄膜晶体管层对应于本申请中的TFT层，其上设有绝缘保护层；电致变色模块3的阳极性显色聚合物层301、阴极性显色聚合物层302和固态电解质层303的组合能够在其两端施加的电压变化时，实现颜色和/或透过率的变化，对应于本申请中的电致变色层，阳极203对应于本申请中的像素电极层、阴极304对应于本申请中的公共电极层。彩色滤光片4对应彩膜层，封装层307对应于薄膜封装层。
权利要求1与对比文件1的区别在于：1）彩膜层设置于阵列基板上，彩膜层上设置有像素电极层，像素电极层上设有电致变色层，设置于电致变色层上的公共电极层；电致变色层采用黑色电致变色材料，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；2）TFT包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极及衬底基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上分别接触半导体层两侧的源极和漏极、及设于半导体层上位于源极与漏极之间的刻蚀阻挡层；3）对应于不同子像素区域的电致变色层之间设有像素分隔层。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何设置电致变色层和彩膜层；提供一种TFT具体结构；如何避免不同子像素区域之间的漏光。
对于区别技术特征1），对比文件1已经给出了通过电致变色材料调节灰度，像素颜色仍由传统的全彩滤光片调节的技术方案（参见说明书第45段，第49-63段，附图2），而对于仅用于灰度调节的电致变色材料，为呈现更加丰富的灰度，采用不加电时为透明态，加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态的黑色电致变色材料为本领域技术人员的常规选择。至于电致变色层与彩膜层设置的位置，由于电致变色层仅提供灰度调节，彩膜层仅提供颜色调节，并且灰度调节与颜色调节之间没有相互关联，根据光学基本知识可知，先进行灰度调节、再进行颜色调节，与先进行颜色调节、再进行灰度调节，这两种调节方式最终所获得的光的成分并没有本质区别，可见，将电致变色层设置在阵列基板与彩膜层之间，或者将彩膜层设置在阵列基板与电致变色层之间，采用任何一种方式均为本领域技术人员的常规选择。在采用上述第二种方式的情况下，在阵列基板上依次设置彩膜层、像素电极层、电致变色层、公共电极层为本领域人员的常规选择，并没有获得预料不到的技术效果。
对于区别技术特征2），在衬底基板上依次设置栅极、栅极绝缘层，并且在栅极绝缘层上设置半导体层、分别与半导体层两侧接触的源极和漏极、以及位于源极和漏极之间的刻蚀阻挡层，从而形成TFT结构，该结构为本领域常用的TFT结构，采用该结构形成TFT为本领域技术人员的常规选择。
对于区别技术特征3），对比文件1的实施例2中还公开了在TFT背板上除电致变色器件阳极203外的其他区域，制备一层透射率极低的平坦化树脂作为黑矩阵402，用以定义电致变色像素单元，每个像素区域由对应的TFT所施加的电压控制该子像素区域中的电致变色器件（参见说明书第59段，附图3）。在此基础上，为防止各子像素区域之间产生漏光，从而导致显示质量下降，在各子像素区域之间也设置黑矩阵为本领域技术人员的常规选择，此时，黑矩阵成为对应不同子像素区域的电致变色层之间的像素分割层。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合本领域公知常识，得到权利要求1的技术方案是显而易见的，因此，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
对于复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：1）尽管电致变色器件可以调节灰度，彩色滤光片由其材料本身决定透过率，但是，如前所述，电致变色器件仅提供灰度调节、彩色滤光片仅提供颜色调节，并且灰度调节和颜色调节之间并没有相互关联，那么，无论背光模块发出的光是先经过电致变色器件、再经过彩色滤光片，还是先经过彩色滤光片、再经过电致变色器件，对于电致变色器件的调节都是独立的，并且都能够实现对最终获得的光的有效调节。2）如前所述，对比文件1公开了不同灰阶亮度的白光透过彩色滤光片即会产生不同亮度的红色、绿色和蓝色，三种不同颜色混合后可得到一个彩色的色点投影到显示器面板上（参见说明书第56段），即彩色滤光片的RGB区域对应于子像素区域依次设置的红色、绿色和蓝色滤光层。3）尽管对比文件1未公开使用黑色电致变色材料，但是，由于电致变色材料仅需调节灰度，无需调节颜色，而对于本领域技术人员而言，灰度调节通常为0-100%之间的调节，0%对应于透明态，100%对应于黑色，为呈现更加丰富的灰度，采用黑色电致变色材料实现灰度调节为本领域技术人员的常规选择，此时，可以提供透明态至黑态不同灰度的调节。
权利要求3请求保护一种电致变色显示面板的制作方法，如前所述，对比文件1公开了一种主动矩阵显示器件（参见说明书第42-63段，附图2）。对比文件1还公开了主动矩阵显示器件的制备方法，包括以下步骤：TFT模块2是制备于玻璃或透明柔性基板上的薄膜晶体管，TFT的漏极通过接触孔202与电致变色器件的阳极203相连；制作电致变色器件的阳极203，在TFT背板上除电致变色器件的阳极203外的其他区域制备一层绝缘和平坦化层204，覆盖除电致变色器件的阳极203外的其他区域；交替沉积阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302，制作固态电解质层303后，顺序交替沉积阳极性显色聚合物层301和阴极性显色聚合物层302，制备电致变色器件的阴极304；电致变色模块3的阴极304上覆盖钝化层305和平坦化层306，再施加封装层307；封装层307上贴合彩色滤光片4。
权利要求3与对比文件1的区别在于：1）阵列基板上制作彩膜层，在彩膜层上制作像素电极层，像素电极层上制作电致变色层，在电致变色层上覆盖公共电极；电致变色层采用黑色电致变色材料制作，该黑色电致变色材料在不加电时为透明态，在加电时随着电压的加大由透明态逐渐转变为黑态；2）TFT包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极及衬底基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、设于栅极绝缘层上分别接触半导体层两侧的源极和漏极、及设于半导体层上位于源极与漏极之间的刻蚀阻挡层；3）在对应数个不同子像素区域的彩膜层及像素电极层上蒸镀形成图案化的像素分割层，向像素分割层的空隙内蒸镀填充电致变色层。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何设置电致变色层和彩膜层；提供一种TFT具体结构；如何避免不同子像素区域之间的漏光。
区别技术特征1）、2）分别与权利要求1与对比文件1的区别技术特征1）、2）相对应，基于与权利要求1同样的理由，区别技术特征1）、2）为在对比文件1公开内容的基础上结合本领域公知常识可以得到的。
对于区别技术特征3），如前所述，在对比文件1公开了定义电致变色像素单元的黑矩阵的基础上，为防止各子像素区域之间产生漏光，从而导致显示质量下降，在各子像素区域之间也设置黑矩阵为本领域技术人员的常规选择，此时，黑矩阵成为对应不同子像素区域的电致变色层之间的像素分割层。采用蒸镀的方式形成图案化材料层、提供电致变色材料均为本领域常用技术手段，采用蒸镀的方式在彩膜层以及像素电极层上形成图案化的像素分割层、向像素分割层的空隙内填充电致变色材料均为本领域技术人员的常规选择。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合本领域公知常识，得到权利要求3的技术方案是显而易见的，因此，权利要求3不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
权利要求2、4进一步限定了像素电极层与漏极的连接方式。对比文件1公开了TFT的漏极通过接触孔202与电致变色器件的阳极203相连（参见说明书第52段，附图3），TFT模块2用于为电致变色模块3提供电压驱动（参见说明书第42页）。那么，当彩膜层设置于阵列基板上的情况下，TFT的漏极通过贯穿彩膜层和绝缘保护层的接触孔与像素电极层接触为本领域技术人员的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
综上所述，本申请权利要求1-4不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月26日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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