发明创造名称：半导体结构及其制造方法
外观设计名称：
决定号：194609
决定日：2019-11-07
委内编号：1F271802
优先权日：2014-03-27
申请（专利）号：201510136422.6
申请日：2015-03-26
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：闫东
合议组组长：宋霖
参审员：杨丽丽
国际分类号：H01L23/538，H01L21/768
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征中的部分特征被其它对比文件公开且可以由该其它对比文件得到技术启示，其它部分区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员有动机将上述区别技术特征应用于最接近的现有技术中，进而获得该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510136422.6，名称为“半导体结构及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为台湾积体电路制造股份有限公司。本申请的申请日为2015年03月26日，优先权日为2014年03月27日，公开日为2015年09月30日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月24日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定中引用如下对比文件：
对比文件1：CN102842537A，公开日为2012年12月26日；
对比文件2：US2006/0223313A1，公开日为2006年10月05日；
对比文件3：CN102386158A，公开日为2012年03月21日。
驳回决定认为：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述UBM焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度基本上小于所述第一倾斜度。在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线。（2）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导体。对于区别技术特征(1)，其部分被对比文件2公开,部分为本领域公知常识；对于区别技术特征(2)，其为本领域公知常识。因此权利要求1相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求7与对比文件1的区别技术特征为：（1）导电基部，设置在所述UBM焊盘上并且包括第一顶面和从所述UBM 焊盘延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，其中，所述导电基部和所述UBM焊盘之间的界面的长度基本上大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和所述UBM焊盘之间的第一角度基本上小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度。在截面图中，整个所述第一外表面是第一直线，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的第二直线。（2）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部。对于区别技术特征(1)，其部分被对比文件3公开，部分为本领域公知常识；对于区别技术特征(2)，其为本领域公知常识。因此权利要求7相对于对比文件1、3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求17与对比文件3的区别技术特征为：（1）图案化钝化件。（2）所述钝化件在所述导电互件之上提供凹槽，所述UBM焊盘共形于所述钝化件的顶面、所述凹槽的侧壁和所述导电互连件的暴露部分。在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线。（3）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述UBM焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分，所述UBM焊盘的第二部分暴露于所述导体。对于区别技术特征(1)、（3），其为本领域公知常识；对于区别技术特征(2)，其是本领域技术人员在对比文件3所公开内容的技术启示下能够得出的。因此权利要求17相对于对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求2-6、8-16、18-19的附加技术特征或被对比文件1-3所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于2015年03月26日提交的说明书第1-164段、说明书附图图1-8H、说明书摘要、摘要附图；2018年06月13日提交的权利要求第1-20项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体结构，包括：衬底； 导电互连件，从所述衬底暴露；钝化件，覆盖所述衬底和所述导电互连件的部分，所述钝化件在所述导电互连件之上提供凹槽，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；凸块下金属焊盘，设置在所述钝化件上方并且与所述导电互连件的暴露部分接触，所述凸块下金属焊盘共形于所述钝化件的顶面、所述凹槽的侧壁和所述导电互连件的暴露部分，其中，所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；以及导体，设置在所述凸块下金属焊盘上方，其中，所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述凸块下金属焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度小于所述第一倾斜度，在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线并且其中，所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导体。
2. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二倾斜外表面从所述第一倾斜外表面突出大于或等于1μm。
3. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一倾斜度或所述第二倾斜度小于90°。
4. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体包括铜。
5. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体的高度大于15μm。
6. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体的所述顶面配 置为用于接收焊料材料。
7. 一种半导体结构，包括：
衬底；
导电互连件，从所述衬底暴露；
钝化件，覆盖所述衬底和所述导电互连件的部分，所述钝化件在所述导电互连件之上提供凹槽，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
凸块下金属焊盘，设置在所述钝化件上方并且与所述导电互连件的暴露部分接触，所述凸块下金属焊盘共形于所述钝化件的顶面、所述凹槽的侧壁和所述导电互连件的暴露部分，其中，所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；
导电基部，设置在所述凸块下金属焊盘上并且包括第一顶面和从所述凸块下金属焊盘延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及
导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，
其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和所述凸块下金属焊盘之间的第一角度小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度，在截面图中，整个所述第一外表面是第一直线，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的第二直线并且其中，所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部。
8. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部与所述导电基部是一个整体。
9. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部和所述导电基部包括相同的导电材料。
10. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部和所述导电基部包括铜。
11. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度比平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度大2μm。
12. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部是圆锥形状。
13. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的所述第一角度或所述导电顶部的所述第二角度小于90°。
14. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的高度与所述导电顶部的高度的比率为1:5。
15. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的高度大于或等于1μm。
16. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度与平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最短长度之间的差值大于3μm。
17. 一种制造半导体结构的方法，包括：
形成从衬底暴露的导电互连件；
在所述导电互连件和所述衬底上方设置图案化的钝化件，所述钝化件在所述导电互连件之上提供凹槽，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
在所述钝化件上方和所述导电互连件上设置UBM焊盘，所述UBM焊盘共形于所述钝化件的顶面、所述凹槽的侧壁和所述导电互连件的暴露部分，其中，所述UBM焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；
在所述UBM焊盘上方设置光刻胶；
形成穿过所述光刻胶的开口；以及
在所述开口内沉积导电材料以形成导体，
其中，所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述UBM焊盘并且 包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度小于所述第一倾斜度，在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线并且其中，所述UBM焊盘的第二部分暴露于所述导体。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一倾斜外表面共形于所述开口的第一侧壁并且所述第二倾斜外表面共形于所述开口的第二侧壁。
19. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述光刻胶的开口包括第一开口和从所述UBM焊盘延伸至所述第一开口的第二开口，并且所述第二开口的长度大于所述第一开口的长度。
20. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述光刻胶的开口包括以所述第一倾斜度倾斜的第一侧壁和以所述第二倾斜度倾斜的第二侧壁。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月22日向国家知识产权局提出了复审请求，将权利要求1、7、17中特征“所述钝化件在所述导电互连件之上提供凹槽”、“所述凸块下金属焊盘共形于所述钝化件的顶面、所述凹槽的侧壁和所述导电互连件的暴露部分”删除，在权利要求1中增加特征“所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°，所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角”，在权利要求7中增加特征“所述导电基部的所述第一角度和所述导电顶部的所述第二角度不等于90°，并且所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角”，在权利要求17中增加特征“所述光刻胶包括具有25％的高交联密度的交联剂”、“所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°；其中，形成穿过所述光刻胶的开口包括：形成以所述第一倾斜度倾斜的第一侧壁，然后形成以所述第二倾斜度倾斜的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁相交以形成尖角”，并将权利要求20删除。 复审请求人认为：1、根据对比文件1-3的教导，将一条平滑过渡的曲线设置成两条直线，需要从众多不同斜率中选择两个不同的斜率，需要付出一定的创造性劳动，因而不具备设置成两条斜率不同的直线的动机。2、本申请中两条斜率不同的直线与具有25%的交联密度的交联剂的光刻胶具有直接关系，对比文件1-3没有公开该光刻胶，因而不具备设置成两条斜率不同的直线的条件。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种半导体结构，包括：
衬底；
导电互连件，从所述衬底暴露；
钝化件，覆盖所述衬底和所述导电互连件的部分，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
凸块下金属焊盘，设置在所述钝化件上方并且与所述导电互连件的暴露部分接触，其中，所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；以及
导体，设置在所述凸块下金属焊盘上方，
其中，所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述凸块下金属焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度小于所述第一倾斜度，在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线并且其中，所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导体，所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°，所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。
2. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二倾斜外表面从所述第一倾斜外表面突出大于或等于1μm。
3. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一倾斜度或所述第二倾斜度小于90°。
4. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体包括铜。
5. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体的高度大于15μm。
6. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体的所述顶面配置为用于接收焊料材料。
7. 一种半导体结构，包括：
衬底；
导电互连件，从所述衬底暴露；
钝化件，覆盖所述衬底和所述导电互连件的部分，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
凸块下金属焊盘，设置在所述钝化件上方并且与所述导电互连件的暴露部分接触，其中，所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；
导电基部，设置在所述凸块下金属焊盘上并且包括第一顶面和从所述凸块下金属焊盘延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及
导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，
其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和所述凸块下金属焊盘之间的第一角度小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度，在截面图中，整个所述第一外表面是第一直线，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的第二直线并且其中，所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部，所述导电基部的所述第一角度和所述导电顶部的所述第二角度不等于90°，并且所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。
8. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部与所述导电基部是一个整体。
9. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部和所述导电基部包括相同的导电材料。
10. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部和所述导电基部包括铜。
11. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部和所述 凸块下金属焊盘之间的界面的长度比平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度大2μm。
12. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部是圆锥形状。
13. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的所述第一角度或所述导电顶部的所述第二角度小于90°。
14. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的高度与所述导电顶部的高度的比率为1:5。
15. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的高度大于或等于1μm。
16. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度与平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最短长度之间的差值大于3μm。
17. 一种制造半导体结构的方法，包括：
形成从衬底暴露的导电互连件；
在所述导电互连件和所述衬底上方设置图案化的钝化件，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
在所述钝化件上方和所述导电互连件上设置UBM焊盘，其中，所述UBM焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；
在所述UBM焊盘上方设置光刻胶，所述光刻胶包括具有25％的高交联密度的交联剂；
形成穿过所述光刻胶的开口；以及
在所述开口内沉积导电材料以形成导体，
其中，所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述UBM焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度小于所述第一倾斜度， 在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线并且其中，所述UBM焊盘的第二部分暴露于所述导体，所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°；
其中，形成穿过所述光刻胶的开口包括：形成以所述第一倾斜度倾斜的第一侧壁，然后形成以所述第二倾斜度倾斜的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁相交以形成尖角。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一倾斜外表面共形于所述开口的第一侧壁并且所述第二倾斜外表面共形于所述开口的第二侧壁。
19. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述光刻胶的开口包括第一开口和从所述UBM焊盘延伸至所述第一开口的第二开口，并且所述第二开口的长度大于所述第一开口的长度。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：在对比文件2中铜互连柱5由倾斜直线和连接曲线构成，连接曲线作为过渡直线与焊盘连接，同时能够实现增大连接的临界尺寸，其作用与效果与本申请中的倾斜直线连接一样，在对比文件2给出启示下，将过渡连接的方式选为曲线或倾斜直线是可以依据实际需要而进行常规选择，不需要付出创造性劳动，且不会带来意料不到的技术效果，同时对比文件3中的附图5给出的连接结构与对比文件2中相同，复审请求人对权利要求的修改都是对结构关系的进一步限定，对技术方案本身并未带来意料不到的技术效果，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月11日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：（1）所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述凸块下金属焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度基本上小于所述第一倾斜度。在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线, 所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°，所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。（2）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导体。对于区别技术特征(1)，其部分被对比文件2公开，部分为本领域公知常识；对于区别技术特征(2)，其为本领域公知常识。因此权利要求1相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、权利要求7与对比文件1的区别技术特征为：（1）导电基部，设置在所述凸块下金属焊盘上并且包括第一顶面和从所述凸块下金属焊盘延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和所述凸块下金属焊盘之间的第一角度小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度。在截面图中，整个所述第一外表面是第一直线，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的第二直线，所述导电基部的所述第一角度和所述导电顶部的所述第二角度不等于90°，并且所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。（2）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部。对于区别技术特征(1)，其部分被对比文件2公开，部分为本领域公知常识；对于区别技术特征(2)，其为本领域公知常识。因此权利要求7相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、权利要求17与对比文件3的区别技术特征为：（1）整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线；所述第一倾斜度不等于90°；光刻胶的所述第一侧壁和所述第二侧壁相交以形成尖角。（2）光刻胶包括具有25％的高交联密度的交联剂，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述UBM焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分，所述UBM焊盘的第二部分暴露于所述导体。对于区别技术特征(1)，其是本领域技术人员在对比文件3所公开内容的技术启示下能够得出的。对于区别技术特征(2)，其为本领域公知常识。因此权利要求17相对于对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、权利要求2-6、8-16、18-19的附加技术特征或被对比文件1-3所公开，或为本领域公知常识，因而同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年07月25日提交了意见陈述书，在权利要求1中增加特征“所述凸块下金属焊盘上方提供凹槽，并且所述凹槽的开口的宽度大于所述导体的所述顶面的宽度”，在权利要求7中增加特征“所述凸块下金属焊盘上方提供凹槽，并且所述凹槽的开口的宽度大于所述导电顶部的所述第二顶面的宽度”，在权利要求17中增加特征“对所述第一开口执行操作形成第二开口，并且所述第二开口位于所述光刻胶的顶表面处的长度小于所述第一开口位于所述光刻胶的顶表面处的长度”，并对权利要求17-19作出适应性修改。复审请求人认为：对比文件1-3没有公开上述新增加的技术特征，同时其也不是本领域公知常识，因而本申请具备专利法第22条第3款规定的创造性。
此次修改的权利要求书为：
“1. 一种半导体结构，包括：
衬底；
导电互连件，从所述衬底暴露；
钝化件，覆盖所述衬底和所述导电互连件的部分，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
凸块下金属焊盘，设置在所述钝化件上方并且与所述导电互连件的暴露部分接触，其中，所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；以及
导体，设置在所述凸块下金属焊盘上方，
其中，所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述凸块下金属焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度小于所述第一倾斜度，在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线并且其中，所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导体，所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°，所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角；
其中，所述凸块下金属焊盘上方提供凹槽，并且所述凹槽的开口的宽度大于所述导体的所述顶面的宽度。
2. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二倾斜外表面从所述第一倾斜外表面突出大于或等于1μm。
3. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一倾斜度或所述第二倾斜度小于90°。
4. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体包括铜。
5. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体的高度大于15μm。
6. 根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导体的所述顶面配置为用于接收焊料材料。
7. 一种半导体结构，包括：
衬底；
导电互连件，从所述衬底暴露；
钝化件，覆盖所述衬底和所述导电互连件的部分，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
凸块下金属焊盘，设置在所述钝化件上方并且与所述导电互连件的暴露部分接触，其中，所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；
导电基部，设置在所述凸块下金属焊盘上并且包括第一顶面和从所述凸块下金属焊盘延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及
导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，
其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和所述凸块下金属焊盘之间的第一角度小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度，在截面图中，整个所述第一外表面是第一直线，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的第二直线并且其中，所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部，所述导电基部的所述第一角度和所述导电顶部的所述第二角度不等于90°，并且所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角；
其中，所述凸块下金属焊盘上方提供凹槽，并且所述凹槽的开口的宽度大于所述导电顶部的所述第二顶面的宽度。
8. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部与所述导电基部是一个整体。
9. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部和所述导 电基部包括相同的导电材料。
10. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部和所述导电基部包括铜。
11. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度比平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度大2μm。
12. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电顶部是圆锥形状。
13. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的所述第一角度或所述导电顶部的所述第二角度小于90°。
14. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的高度与所述导电顶部的高度的比率为1:5。
15. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，所述导电基部的高度大于或等于1μm。
16. 根据权利要求7所述的半导体结构，其中，平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度与平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最短长度之间的差值大于3μm。
17. 一种制造半导体结构的方法，包括：
形成从衬底暴露的导电互连件；
在所述导电互连件和所述衬底上方设置图案化的钝化件，其中，所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；
在所述钝化件上方和所述导电互连件上设置UBM焊盘，其中，所述UBM焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分；
在所述UBM焊盘上方设置光刻胶，所述光刻胶包括具有25％的高交联密度的交联剂；
形成穿过所述光刻胶的第一开口；
对所述第一开口执行操作形成第二开口，并且所述第二开口位于所述光刻胶的顶表面处的长度小于所述第一开口位于所述光刻胶的顶表面处的长度；以及
在所述开口内沉积导电材料以形成导体，
其中，所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述UBM焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度小于所述第一倾斜度，在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线并且其中，所述UBM焊盘的第二部分暴露于所述导体，所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°；
其中，对所述第一开口执行操作形成第二开口包括：形成以所述第一倾斜度倾斜的第一侧壁，然后形成以所述第二倾斜度倾斜的第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁相交以形成尖角。
18. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一倾斜外表面共形于所述第二开口的第一侧壁并且所述第二倾斜外表面共形于所述第二开口的第二侧壁。
19. 根据权利要求17所述的方法，其中，所述光刻胶的第二开口包括第三开口和从所述UBM焊盘延伸至所述第三开口的第四开口，并且所述第四开口的长度大于所述第三开口的长度。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年07月25日答复复审通知书时提交了修改后的权利要求书替换页，包括权利要求第1-19项。经审查，复审请求人对权利要求书的修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定，因而本复审通知书所针对的审查文本为：2015年03月26日提交的说明书第1-164段、说明书附图图1-8H、说明书摘要、摘要附图；2019年07月25日提交的权利要求第1-19项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征中的部分特征被其它对比文件公开且可以由该其它对比文件得到技术启示，其它部分区别技术特征是本领域的公知常识，本领域技术人员有动机将上述区别技术特征应用于最接近的现有技术中，进而获得该权利要求所要求保护的技术方案，则该权利要求所要求保护的技术方案对于本领域技术人员而言是显而易见的，不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审请求审查决定中所引用的对比文件为：
对比文件1：CN102842537A，公开日为2012年12月26日；
对比文件2：US2006/0223313A1，公开日为2006年10月05日。
2.1权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种半导体结构，对比文件1公开了一种具有位于后钝化部上方的势垒层的凸块结构，并公开了以下内容（参见说明书31-48段，附图1-6）：衬底10具有形成在其上的电路12，电路12包括：形成在衬底10上的电气器件；层间介电(ILD)层14包括多个介电层，可以形成穿过ILD层14的触点，从而提供与电路12的电接触；在ILD层14的上方形成一个或多个金属间介电(IMD)层16和相关金属化层18，将一个或多个IMD层16和相关金属化层用于彼此互连电路12，并且提供外部电连接；金属化层包括：在最上IMD层16T中或上方形成和图案化的顶部金属层20，最上IMD层16T可以由介电材料形成，从附图1中可以确定金属化层从衬底10暴露；形成和图案化导电焊盘22，从而与顶部金属层20接触，在导电焊盘22的上方形成和图案化诸如钝化层24的一个或多个钝化层，钝化层24覆盖导电焊盘22的外围部分，并且通过在钝化层24中的开口25露出导电焊盘22的中心部分，在钝化层24上形成和图案化的第一保护层26，在衬底10的上方形成第二保护层30，从而覆盖PPI线28(相当于导电互连件)和第一保护层26的露出部分，将第二保护层30（相当于钝化件）图案化，从而形成开口32，露出PPI线28的连接焊盘区域28P（相当于导电互连件从所述衬底暴露），在开口32内的连接焊盘区域28P上形成势垒层34，在势垒层34（相当于凸块下金属焊盘）上形成焊料凸块36（相当于导体）。
权利要求1所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）所述导体包括顶面、从所述顶面延伸并且包括第一倾斜度的第一倾斜外表面和从所述第一倾斜外表面的端部延伸至所述凸块下金属焊盘并且包括第二倾斜度的第二倾斜外表面，所述第二倾斜度基本上小于所述第一倾斜度。在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，整个所述第二倾斜外表面是与所述第一直线直接连接的第二直线, 所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°，所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。（2）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分,在凸块下金属焊盘上方提供凹槽；所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导体；凹槽的开口的宽度大于所述导体的所述顶面的宽度。
基于该区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是：（1）降低衬底上的介电层的应力和防止介电层分层，提高器件的可靠性；（2）设置钝化件、凸块下金属焊盘和导体。
对于区别技术特征(1)，对比文件2公开了一种用于半导体装置的连接结构，并公开了以下内容（参见说明书57-83段，附图2-5）：芯片1为一片半导体晶圆11，接触区域包括金属接触焊垫3和设置在其上的种子层4（相当于凸块下金属焊盘），在种子层4上设置有铜互连柱5，其中互连柱5（相当于导体）具有片层9位于种子层4上，镍层6分布在铜互连柱5的顶面与焊锡层7接触，从附图2I可以确定互连柱5具有从顶面延伸并且包括第一倾斜度β1的第一倾斜外表面和从第一倾斜外表面的端部延伸至种子层4并且包括第二倾斜度β2的第二倾斜外表面，β2小于β1。在截面图中，整个所述第一倾斜外表面是第一直线，所述第一倾斜度和所述第二倾斜度不等于90°。可见，对比文件2公开了上述部分区别技术特征，而且该部分区别技术特征在对比文件2中所起的作用与其在权利要求1中为解决其技术问题所起的作用相同，因而对比文件2给出了将该部分区别技术特征用于对比文件1以解决其技术问题的技术启示。
对比文件2公开了互连柱5具有从顶面延伸并且包括第一倾斜度β1的倾斜直线和从倾斜直线的端点延伸至种子层4并且包括第二倾斜度β2的曲线，β2小于β1，其通过β1、β2的倾斜使互连柱5的下表面大于互连柱5的上表面，并且通过β2小于β1进一步增大了下表面的面积，从而增大了其焊接面积和有效临界尺寸，从而可以降低衬底上的介电层的应力和防止介电层分层，提高器件的可靠性。对于进一步增大下表面面积而使用小于β1的β2的倾斜度，在倾斜直线的端点和种子层4之间选择使用曲线还是直线，是本领域技术人员的常规技术选择，不需要进行创造性的劳动，因而本领域技术人员有动机使整个所述第二倾斜外表面在截面图中是与所述第一直线直接连接的第二直线,并且所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。
对于区别技术特征（2），在半导体结构的设置过程中钝化件和凸块下金属焊盘的设置可以依据器件凹凸的结构进行调节，因而将钝化件设置为包括第一部分和第二部分，第一部分比第二部分更靠近导电互连件，第一部分相对于衬底的高度大于第二部分相对于衬底的高度，凸块下金属焊盘包括设置在钝化件的第一部分上的第一部分和设置在钝化件的第二部分上的第二部分，在凸块下金属焊盘上方提供凹槽，凸块下金属焊盘的第二部分暴露于导体是本领域技术人员依据实际需要而进行的常规技术选择，属于本领域公知常识。对于凹槽的开口的宽度大于所述导体的所述顶面的宽度，是本领域技术人员根据实际需要所进行的尺寸选择，是本领域的常规技术选择，属于本领域公知常识。
因而，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域公知常识以得出权利要求1所要求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1所要求保护的技术方案不具备突出的实质性
特点和显著的进步，不具备创造性。
2.2权利要求2、5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
导体的尺寸是在封装结构中依据器件间受力和间距等进行调节的，将第二倾斜外表面从第一倾斜外表面突出大于或等于1μm，导体的高度大于15μm，是本领域技术人员通过常规试验手段进行有限试验就能够获得的，不需要付出创造性劳动。因而在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识以得出权利要求2、5所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求2、5所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.3权利要求3-4、6不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件2进一步公开了（参见说明书57-83段，附图2-5）：从附图2I中可以确定β1、β2小于90°，互连柱5为铜，镍层6分布在铜互连柱5的顶面与焊锡层7接触。可见，该权利要求的附加技术特征已经被对比文件2公开。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求3-4、6不具备创造性。
2.4权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求7请求保护一种半导体结构，对比文件1公开了一种具有位于后钝化部上方的势垒层的凸块结构，并公开了以下内容（参见说明书31-48段，附图1-6）：衬底10具有形成在其上的电路12，电路12包括：形成在衬底10上的电气器件；层间介电(ILD)层14包括多个介电层，可以形成穿过ILD层14的触点，从而提供与电路12的电接触；在ILD层14的上方形成一个或多个金属间介电(IMD)层16和相关金属化层18，将一个或多个IMD层16和相关金属化层用于彼此互连电路12，并且提供外部电连接；金属化层包括：在最上IMD层16T中或上方形成和图案化的顶部金属层20，最上IMD层16T可以由介电材料形成，从附图1中可以确定金属化层从衬底10暴露；形成和图案化导电焊盘22，从而与顶部金属层20接触，在导电焊盘22的上方形成和图案化诸如钝化层24的一个或多个钝化层，钝化层24覆盖导电焊盘22的外围部分，并且通过在钝化层24中的开口25露出导电焊盘22的中心部分，在钝化层24上形成和图案化的第一保护层26，在衬底10的上方形成第二保护层30，从而覆盖PPI线28(相当于导电互连件)和第一保护层26的露出部分，将第二保护层30（相当于钝化件）图案化，从而形成开口32，露出PPI线28的连接焊盘区域28P（相当于导电互连件从所述衬底暴露），在开口32内的连接焊盘区域28P上形成势垒层34，在势垒层34（相当于凸块下金属焊盘）上形成焊料凸块36。
权利要求7所要保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）导电基部，设置在所述凸块下金属焊盘上并且包括第一顶面和从所述凸块下金属焊盘延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，其中，所述导电基部和所述凸块下金属焊盘之间的界面的长度大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和所述凸块下金属焊盘之间的第一角度小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度。在截面图中，整个所述第一外表面是第一直线，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的第二直线，所述导电基部的所述第一角度和所述导电顶部的所述第二角度不等于90°，并且所述第一直线和所述第二直线相交以形成尖角。（2）所述钝化件包括第一部分和第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述导电互连件，并且所述第一部分相对于所述衬底的高度大于所述第二部分相对于所述衬底的高度；所述凸块下金属焊盘包括设置在所述钝化件的第一部分上的第一部分和设置在所述钝化件的第二部分上的第二部分，凸块下金属焊盘上方提供凹槽；所述凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部；凹槽的开口的宽度大于所述导电顶部的所述第二顶面的宽度。
基于该区别技术特征，权利要求7实际要解决的技术问题是：（1）降低衬底上的介电层的应力和防止介电层分层，提高器件的可靠性；（2）设置钝化件、凸块下金属焊盘和导体。
对于区别技术特征(1)，对比文件2公开了一种用于半导体装置的连接结构，并公开了以下内容（参见说明书57-83段，附图2-5）：芯片1为一片半导体晶圆11，接触区域包括金属接触焊垫3和设置在其上的种子层4（相当于凸块下金属焊盘），在种子层4上设置有铜互连柱5，其中互连柱5具有片层9位于种子层4上，镍层6分布在铜互连柱5的顶面与焊锡层7接触，从附图2I可以确定互连柱5包括导电基部，设置在所述种子层4上并且包括第一顶面和从所述种子层4延伸至所述第一顶面的第一外表面；以及导电顶部，设置在所述导电基部的所述第一顶面上并且包括第二顶面和从所述第一顶面延伸至所述第二顶面的第二外表面，其中，所述导电基部和所述种子层4之间的界面的长度大于平行于所述第二顶面的所述导电顶部的最长长度，并且所述第一外表面和种子层4之间的第一角度β2小于所述第二外表面和所述导电基部之间的第二角度β1。在截面图中，整个所述第二外表面是与所述第一外表面直接连接的直线，所述导电基部的所述第一角度和所述导电顶部的所述第二角度不等于90°。可见，对比文件2公开了上述部分区别技术特征，而且该部分区别技术特征在对比文件2中所起的作用与其在权利要求7中为解决其技术问题所起的作用相同，因而对比文件2给出了将该部分区别技术特征用于对比文件1以解决其技术问题的技术启示。
对比文件2公开了互连柱5具有包括第二角度β1的倾斜直线和从倾斜直线的端点延伸至种子层4并且包括第一角度β2的曲线，β2小于β1，其通过β1、β2的倾斜使互连柱5的下表面大于互连柱5的上表面，并且通过β2小于β1进一步增大了下表面的面积，从而增大了其焊接面积和有效临界尺寸，从而可以降低衬底上的介电层的应力和防止介电层分层，提高器件的可靠性。对于进一步增大下表面面积而使用小于β1的β2的倾斜度，在倾斜直线的端点和种子层4之间选择使用曲线还是直线，是本领域技术人员的常规技术选择，不需要进行创造性的劳动，因而本领域技术人员有动机使整个所述第一外表面在截面图中是与所述第二外表面直接连接的直线,并且两条直线相交以形成尖角。
对于区别技术特征（2），在半导体结构的设置过程中钝化件和凸块下金属焊盘的设置可以依据器件凹凸的结构进行调节，因而将钝化件设置为包括第一部分和第二部分，第一部分比第二部分更靠近导电互连件，第一部分相对于衬底的高度大于第二部分相对于衬底的高度，凸块下金属焊盘包括设置在钝化件的第一部分上的第一部分和设置在钝化件的第二部分上的第二部分，凸块下金属焊盘上方提供凹槽，凸块下金属焊盘的第二部分暴露于所述导电基部和所述导电顶部是本领域技术人员依据实际需要而进行的常规技术选择，属于本领域公知常识。对于凹槽的开口的宽度大于所述导电顶部的所述第二顶面的宽度，是本领域技术人员根据实际需要所进行的尺寸选择，是本领域的常规技术选择，属于本领域公知常识。
因而，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域公知常识以得出权利要求7所要求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求7所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.5权利要求8-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件2公开了（参见说明书57-83段，附图2-5）：导电基部和导电顶部为铜组成的整体。可见，该权利要求的附加技术特征已经被对比文件2公开。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求8-10不具备创造性。
2.6权利要求11、14-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性
导电基部和凸块下金属焊盘之间的界面的长度比平行于第二顶面的导电顶部的最长长度大2μm，导电基部的高度与导电顶部的高度的比率为约1:5，所述导电基部的高度大于或等于1μm，平行于第二顶面的所述导电顶部的最长长度与平行于第二顶面的导电顶部的最短长度之间的差值大于约3μm是本领域技术人员通过常规试验手段进行有限试验就能够获得的，不需要付出创造性劳动。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识以得出权利要求11、14-16所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.7权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性
导电顶部采用圆锥形状是本领域技术人员依据实际需要而进行的常规技术选择，属于本领域公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
2.8权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性
对比文件2公开了（参见说明书57-83段，附图2-5）：所述导电基部的所述第一角度或所述导电顶部的所述第二角度小于90°。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求13不具备创造性。
2.9对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在提出复审请求时认为:
对比文件1-3没有公开技术特征“所述凸块下金属焊盘上方提供凹槽，并且所述凹槽的开口的宽度大于所述导体的所述顶面的宽度”和“所述凸块下金属焊盘上方提供凹槽，并且所述凹槽的开口的宽度大于所述导电顶部的所述第二顶面的宽度”，同时其也不是本领域公知常识，因而本申请具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对此，合议组认为：
凸块下金属焊盘与设置在其下的钝化件存在台阶是本领域的常用结构，因而对比文件1中势垒层34延伸到第二保护层30上从而提供凹槽，并且第二保护层30和延伸在其上的势垒层34又同时存在另外的台阶均是本领域常用结构。而凹槽的开口宽度大于导体顶面宽度和大于导电顶部的第二顶面的宽度，是本领域技术人员根据实际需要所进行的尺寸选择，是本领域的常规技术选择，不需要进行创造性的劳动，因而本申请不具备创造性。
综上，复审请求人意见陈述的理由不成立，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月24日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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