发明创造名称：液晶显示面板及其制作方法
外观设计名称：
决定号：194392
决定日：2019-11-06
委内编号：1F272148
优先权日：
申请（专利）号：201610261510.3
申请日：2016-04-25
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：卢萍
合议组组长：崔双魁
参审员：刘燕梅
国际分类号：G02F1/1362，G02F1/1368，G02F1/1333
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征或在其他对比文件中公开，或为本领域公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610261510.3、名称为“液晶显示面板及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2016年04月25日，公开日为2016年06月15日，申请人为武汉华星光电技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月02日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求4、10不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。并在驳回决定的其他说明里指出权利要求1-3、5-9不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。在驳回决定中引用了如下3篇对比文件：
对比文件1：KR20080062901A，公开日为 2018年07月03日；
对比文件2：CN101311803A，公开日为2008年11月26日；
对比文件3：CN105355632A，公开日为2016年02月24日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2016年04月25日提交的说明书1-76段、说明书附图图1-7、说明书摘要和摘要附图，以及于2018年09月10日提交的权利要求第1-10项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)，及夹设于所述TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)之间的液晶层(300)；
所述TFT阵列基板(100)包括：第一衬底基板(110)、设置于所述第一衬底基板(110)上的遮光层(120)、以及设于所述遮光层(120)上方的TFT阵列；
所述彩色滤光片基板(200)包括：第二衬底基板(210)、以及设置于所述第二衬底基板(210)靠近第一衬底基板(110)一侧的彩色滤光层(220)；所述彩色滤光层(220)包括：数个呈矩阵式排列的色阻块(221)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
所述TFT阵列包括：设置于所述第一衬底基板(110)和遮光层(120)上的绝缘缓冲层(130)、于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上设置的数个呈阵列式排布的TFT(150)、设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)。
2. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
3. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)的材料为金属钼。
4. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极 (153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；
所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触。
5. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述彩色滤光片基板(200)还包括：设置于所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间的黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应所述数个遮光带(121)的位置设置。
6. 一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一第二衬底基板(210)，在所述第二衬底基板(210)上形成数个呈矩阵式排列的色阻块(221)，形成彩色滤光层(220)，制成彩色滤光片基板(200)；
步骤2、提供一第一衬底基板(110)，在所述第一衬底基板(110)上沉积遮光层材料，形成遮光薄膜，图案化所述遮光薄膜形成遮光层(120)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
步骤3、在所述遮光层(120)上形成TFT阵列，制成TFT阵列基板(100)；
步骤4、将所述彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)对组成盒，并在彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)之间形成液晶层(300)，完成液晶显示面板的制作；
所述步骤3中TFT阵列的制作包括：在所述遮光层(120)上形成绝缘缓冲层(130)，于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上形成数个呈阵列式排布的TFT(150)，于所述TFT(150)上依次形成层叠设置的平坦化层(160)、底层电极(170)、钝化层(180)、及顶层电极(190)。
7. 如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1还包括：在所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间形成黑 色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置。
8. 如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
9. 如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)的材料为金属钼。
10. 如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触。”
驳回决定认为：1.权利要求4与对比文件1的区别在于：TFT上方的结构包括设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)。上述区别技术特征已被对比文件3公开并给出了将其应用至对比文件1以解决其技术问题的启示，因此权利要求4不具备创造性。权利要求4与对比文件2的区别在于：TFT上方的结构包括设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)；TFT(150)包括设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极 (153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触。上述区别技术特征已被对比文件3公开并给出了将其应用至对比文件2以解决其技术问题的启示，因此权利要求4不具备创造性。2.权利要求10与对比文件1的区别技术特征在于：（1）该权利要求先形成彩色滤光片基板再形成TFT阵列基板；（2）TFT上方的结构制作包括于所述TFT(150)上依次形成层叠设置的平坦化层(160)、底层电极(170)、钝化层(180)、及顶层电极(190)。其中区别技术特征（1）是本领域的常规选择，区别技术特征（2）已被对比文件3公开并给出了将其应用至对比文件1以解决其技术问题的启示，因此权利要求10不具备创造性。
驳回决定的其他说明中指出：1.独立权利要求1与对比文件1的区别在于：TFT上方的结构包括设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)；该区别技术特征已被对比文件3公开，因此，独立权利要求1不具备创造性。独立权利要求1与对比文件2的区别在于：TFT上方的结构包括设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)；该区别技术特征已被对比文件3公开，因此，独立权利要求1不具备创造性。2.独立权利要求6与对比文件1的区别在于：（1）该权利要求先形成彩色滤光片基板再形成TFT阵列基板；（2）TFT上方的结构制作包括于所述TFT(150)上依次形成层叠设置的平坦化层(160)、底层电极(170)、钝化层(180)、及顶层电极(190)；区别（1）是本领域的常规选择，区别（2）已被对比文件3公开，因此，独立权利要求6不具备创造性。3.从属权利要求2、3、5、7-9的附加技术特征或被对比文件1-3公开，或是本领域技的常规手段，因此权利要求2、3、5、7-9不具备创造性。
武汉华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月24日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页，其中将原权利要求4、5并入原权利要求1形成新的独立权利要求1，将原权利要求7并入原权利要求6形成新的独立权利要求4，并对其他权利要求的编号和引用关系进行了调整。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)，及夹设于所述TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)之间的液晶层(300)；
所述TFT阵列基板(100)包括：第一衬底基板(110)、设置于所述第一衬底基板(110)上的遮光层(120)、以及设于所述遮光层(120)上方的TFT阵列；
所述彩色滤光片基板(200)包括：第二衬底基板(210)、以及设置于所述第二衬底基板(210)靠近第一衬底基板(110)一侧的彩色滤光层(220)；所述彩色滤光层(220)包括：数个呈矩阵式排列的色阻块(221)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
所述TFT阵列包括：设置于所述第一衬底基板(110)和遮光层(120)上的绝缘缓冲层(130)、于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上设置的数个呈阵列式排布的TFT(150)、设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)；
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；
所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触；
所述彩色滤光片基板(200)还包括：设置于所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间的黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应所述数个遮光带(121)的位置设置。
2. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
3. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)的材料为金属钼。
4. 一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一第二衬底基板(210)，在所述第二衬底基板(210)上形成数个呈矩阵式排列的色阻块(221)，形成彩色滤光层(220)，制成彩色滤光片基板(200)；
步骤2、提供一第一衬底基板(110)，在所述第一衬底基板(110)上沉积遮光层材料，形成遮光薄膜，图案化所述遮光薄膜形成遮光层(120)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
步骤3、在所述遮光层(120)上形成TFT阵列，制成TFT阵列基板(100)；
步骤4、将所述彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)对组成盒，并在彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)之间形成液晶层(300)，完成液晶显示面板的制作；
所述步骤3中TFT阵列的制作包括：在所述遮光层(120)上形成绝缘缓冲层(130)，于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上形成数个呈阵列式排布的TFT(150)，于所述TFT(150)上依次形成层叠设置的平坦化层(160)、底层电极(170)、钝化层(180)、及顶层电极(190)；
所述步骤1还包括：在所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间形成黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的 黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置。
5. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
6. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)的材料为金属钼。
7. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触。”
复审请求人认为：对比文件2中薄膜晶体管为底栅结构，其栅极位于最下方，能够对半导体进行遮挡，因而并不需要设置对半导体进行遮光的遮光结构。对比文件2中的反射层417并不具有对半导体层进行遮光的功能，其功能仅在于将非显示区的光线反射回背光模组而重新利用，从而增加背光利用率。本申请的TFT为顶栅型TFT，本申请中的遮光层不仅能够对像素交界处进行遮挡，还具有对TFT的半导体层进行遮光的功能。对比文件2中的反射层与本申请中的遮光层技术效果大相径庭，对比文件2中的反射层与本申请中的遮光层为不同的技术特征，对比文件2和对比文件3不具有结合启示。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月11日依法受理了该复审请求，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为权利要求仍然不具有创造性，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月25日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。合议组认为，权利要求1与对比文件2的区别在于：TFT包括设于绝缘缓冲层上的半导体层、设置于半导体层上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的栅极、设置于栅极绝缘层及栅极上的层间介电层、及设置于层间介电层上的源极与漏极，源极与漏极分别通过贯穿层间介电层和栅极绝缘层的两过孔与半导体层的两端相接触； TFT阵列还包括设置于TFT上的平坦化层、设置于平坦化层的底层电极、设置于底层电极上的钝化层、以及设置于钝化层上的顶层电极。上述区别技术特征已被对比文件3公开，因此权利要求1不具备创造性。权利要求4与对比文件2的区别在于：（1）TFT阵列的制作还包括于TFT上依次形成层叠设置的平坦化层、底层电极、钝化层、及顶层电极；（2）首先提供第二衬底基板，然后提供第一衬底基板。其中区别技术特征（1）已被对比文件3公开，区别技术特征（2）是本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求4不具备创造性。从属权利要求2、3、5-7的附加技术特征被对比文件1、3公开，因此权利要求2、3、5-7也不具备创造性。
针对复审请求人在复审请求中的意见陈述，合议组认为：
根据本申请说明书第55-56段的记载可知，遮光层的作用为遮挡半导体层的同时还遮挡数据线、栅极线等位置的漏光，并且利用遮光层的全反射性可以将被遮挡的光线反射从而提高背光源的利用率。而对比文件2中的反射层417也是设置于多条扫描线412、多条数据线413和多个薄膜晶体管418所在的非显示区域，其将照射到非显示区的光线反射回背光模组以提高背光利用率。反射层417在实现反射作用的同时，也必然会对扫描线、数据线、薄膜晶体管所在的非显示区实现遮光的作用。由此可见，对比文件2中的反射层417与本申请中遮光层的作用相同。此外，对比文件2中的遮光层已覆盖薄膜晶体管的全部区域，无论是薄膜晶体管采用顶栅型还是底栅型，为了避免光线照射到半导体层产生光电流，遮光层必然会覆盖薄膜晶体管的半导体层。对于本领域技术人员而言，根据栅极的位置不同，TFT晶体管通常分为顶栅型和底栅型，本领域技术人员根据结构设计的需要可以选择将TFT晶体管设置为顶栅或底栅形式，在对比文件3给出了同样的采用遮光层对顶栅型TFT晶体管进行遮光的基础上，本领域技术人员容易想到对比文件3中的顶栅型TFT也可以应用到对比文件2中，从而将对比文件2的底栅型TFT设置为顶栅型TFT，此时反射层417也必然全部遮挡顶栅型TFT，必然亦会遮挡顶栅型TFT的半导体层。
复审请求人于2019年08月16日针对上述复审意见提交了意见陈述书，以及权利要求书的全文修改替换页，其中将“所述遮光层(120)能够将背光源向TFT(150)的沟道区域发射的光线进行遮挡”的技术特征加入原权利要求1、4，并将原权利要求7并入权利要求4，形成新的独立权利要求1和4，同时删除权利要求7。修改后的权利要求书内容如下：
“1. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括：相对设置的TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)，及夹设于所述TFT阵列基板(100)与彩色滤光片基板(200)之间的液晶层(300)；
所述TFT阵列基板(100)包括：第一衬底基板(110)、设置于所述第一衬底基板(110)上的遮光层(120)、以及设于所述遮光层(120)上方的TFT阵列；
所述彩色滤光片基板(200)包括：第二衬底基板(210)、以及设置于所述第二衬底基板(210)靠近第一衬底基板(110)一侧的彩色滤光层(220)；所述彩色滤光层(220)包括：数个呈矩阵式排列的色阻块(221)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
所述TFT阵列包括：设置于所述第一衬底基板(110)和遮光层(120)上的绝缘缓冲层(130)、于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上设置的数个呈阵列式排布的TFT(150)、设置于所述TFT(150)上的平坦化层(160)、设置于所述平坦化层(160)上的底层电极(170)、设置于所述底层电极(170)上的钝化层(180)、以及设置于所述钝化层(180)上的顶层电极(190)；
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；
所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触；
所述彩色滤光片基板(200)还包括：设置于所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间的黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应所述数个遮光带(121)的位置设置；
所述遮光层(120)能够将背光源向TFT(150)的沟道区域发射的光线进行遮挡。
2. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
3. 如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述遮光层(120)的材料为金属钼。
4. 一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供一第二衬底基板(210)，在所述第二衬底基板(210)上形成数个呈矩阵式排列的色阻块(221)，形成彩色滤光层(220)，制成彩色滤光片基板(200)；
步骤2、提供一第一衬底基板(110)，在所述第一衬底基板(110)上沉积遮光层材料，形成遮光薄膜，图案化所述遮光薄膜形成遮光层(120)；
所述遮光层(120)包括：数条横向与纵向排列的遮光带(121)，所述数条遮光带(121)交叉形成数个呈矩阵式排布的开口(122)，每一开口(122)对应所述彩色滤光层(220)中的一个色阻块(221)，所述数条遮光带(121)对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
步骤3、在所述遮光层(120)上形成TFT阵列，制成TFT阵列基板(100)；
步骤4、将所述彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)对组成盒，并在彩色滤光片基板(200)与TFT阵列基板(100)之间形成液晶层(300)，完成液晶显示面板的制作；
所述步骤3中TFT阵列的制作包括：在所述遮光层(120)上形成绝缘缓冲层(130)，于所述遮光层(120)上方的绝缘缓冲层(130)上形成数个呈阵列式排布的TFT(150)，于所述TFT(150)上依次形成层叠设置的平坦化层(160)、底层电极(170)、钝化层(180)、及顶层电极(190)；
所述步骤1还包括：在所述第二衬底基板(210)与彩色滤光层(220)之间形成黑色矩阵(230)，所述黑色矩阵(230)包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，所述数个黑色矩阵带对应各个相邻的色阻块(121)之间的区域设置；
所述TFT(150)包括：设于所述绝缘缓冲层(130)上的半导体层(151)、设置于所述半导体层(151)上的栅极绝缘层(152)、设置于所述栅极绝缘层(152)上的栅极(153)、设置于所述栅极绝缘层(152)及栅极(153)上的层间介电层(154)、及设置于所述层间介电层(154)上的源极(156)与漏极(157)；所述源极(156)与漏极(157)分别通过贯穿层间介电层(154)和栅极绝缘层(130)的两过孔与所述半导体层(151)的两端相接触；
所述遮光层(120)能够将背光源向TFT(150)的沟道区域发射的光线进行遮挡。
5. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)与液晶显示面板的接地端电性连接。
6. 如权利要求4所述的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中遮光层(120)的材料为金属钼。”
复审请求人认为：对比文件2中薄膜晶体管为底栅结构，其栅极位于最下方，能够对半导体进行遮挡，因而并不需要设置对半导体进行遮光的遮光结构，即使栅极下方具有不透光结构，由于栅极存在，该结构也不会具有对半导体层进行遮光的功能。因此，对比文件2中的反射层417的功能主要是将非显示区域的光线反射回背光模组重新利用，对比文件2中实质上对薄膜晶体管的沟道区域进行遮光作用的结构是栅极。本申请的TFT为顶栅型TFT，本申请中的遮光层能够对沟道区域发射的光线进行遮挡。对比文件2中的反射层与本申请中的遮光层技术效果大相径庭，对比文件2中的反射层417所具有的结构对于本申请中的遮光层的结构并不能提供技术启示，因此本领域技术人员很难有动机将对比文件2与对比文件3结合以得到本申请的技术方案。本申请通过对TFT下方的遮光层结构进行改进，使得遮光层同时具备防止背光照射在TFT上产生漏电流和遮挡遮光区域的作用。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审程序中，复审请求人于2019年01月24日和2019年08月16日先后提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以申请日提交的说明书1-76段、说明书附图图1-7、说明书摘要和摘要附图，2019年08月16日提交的权利要求1-6项为基础作出。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征或在其他对比文件中公开，或为本领域公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域公知常识的结合不具备创造性。
具体到本案，权利要求1要求保护一种液晶显示面板，对比文件2（参见说明书第4页第1行到第5页第4行，附图4-7）公开了以下内容：液晶显示面板401包括一薄膜晶体管基板410、一与该薄膜晶体管基板410相对设置的彩色滤光片基板430和一夹在该两个基板410、430之间的液晶层420（参见说明书第4页第1段）。该薄膜晶体管基板410包括一第一玻璃基板411、一设置在该第一玻璃基板411的邻近该液晶层420的一面的部分区域的反射层417和一覆盖该反射层417与该玻璃基板411的透明的钝化层419（参见说明书第4页第2段）。该薄膜晶体管基板410还包括设置在该钝化层419的邻近该液晶层420的一面的多条相互平行的扫描线412、多条相互平行并且与该扫描线412垂直绝缘相交设置的数据线413、多个设置在该扫描线412与该数据线413相交处的薄膜晶体管418和多个设置在该数据线413与该扫描线412相交所界定的像素单元内的像素电极416（参见说明书第4页第3段）。该彩色滤光片基板430包括一第二玻璃基板431、朝向该液晶层 420方向依序设置在该第二玻璃基板431的邻近该液晶层420一面的一彩色滤光片432和一透明的公共电极433（参见说明书第4页第4段）。该彩色滤光片432包括多个周期排列的红色滤光单元R、绿色滤光单元G、蓝色滤光单元B和一黑色矩阵434。该黑色矩阵434设置在该三色滤光单元R、G、B之间，用来遮挡穿过该三色滤光单元R、G、B之间的光线。该黑色矩阵434同时对应该多条扫描线412、该多条数据线413和该多个薄膜晶体管418所在的区域。该黑色矩阵434所对应的区域不透光，该液晶显示面板401对应该黑色矩阵434的区域定义为非显示区域，该液晶显示面板401的其它区域定义为显示区域（参见说明书第4页第5段）。该反射层417覆盖该第二玻璃基板411的非显示区域。该反射层417对应该黑色矩阵434所在的区域，也对应该多条扫描线412、该多条数据线413和该多个薄膜晶体管418所在的区域（参见说明书第4页第6段）。由附图4可以看出黑色矩阵434设置在第二玻璃基板431和彩色滤光片432之间。
经分析对比可知，其中，对比文件2的薄膜晶体管基板410对应于本申请中的TFT阵列基板，第一玻璃基板411对应于本申请中的第一衬底基板，反射层417可起遮光作用对应于本申请中的遮光层，多个设置在该扫描线412与该数据线413相交处的薄膜晶体管418对应于本申请中的TFT阵列，第二玻璃基板431对应于本申请中的第二衬底基板，彩色滤光片432对应于本申请中的彩色滤光层，多个周期排列的红色滤光单元R、绿色滤光单元G、蓝色滤光单元B对应于本申请中的呈矩阵式排列的色阻块，钝化层419对应于本申请中的绝缘缓冲层。由对比文件2的附图6、7及说明书公开的黑色矩阵434同时对应多条扫描线412、多条数据线413和多个薄膜晶体管418所在的区域，反射层417对应黑色矩阵434所在的区域，也对应多条扫描线412、多条数据线413和多个薄膜晶体管418所在的区域，可以确定黑色矩阵434包括数个横向与纵向排列的黑色矩阵带，反射层417为数条横向与纵向排列的反射带，数条反射带交叉形成数个呈矩阵式排布的开口，每一开口对应彩色滤光片432中的一个滤光单元，数条反射带对应于各个相邻的滤光单元之间的区域设置。其中，反射层417的反射带对应于本申请中的遮光带。由对比文件2的附图4及说明书公开的黑色矩阵434同时对应多条扫描线412、多条数据线413和多个薄膜晶体管418所在的区域，反射层417对应黑色矩阵434所在的区域，也对应多条扫描线412、多条数据线413和多个薄膜晶体管418所在的区域，可以确定反射层417能够将背光源向薄膜晶体管418的沟道区域发射的光线进行遮挡。
因此，该权利要求1要求保护的技术方案与对比文件2公开的技术方案相比，其区别技术特征是： TFT包括设于绝缘缓冲层上的半导体层、设置于半导体层上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的栅极、设置于栅极绝缘层及栅极上的层间介电层、及设置于层间介电层上的源极与漏极，源极与漏极分别通过贯穿层间介电层和栅极绝缘层的两过孔与半导体层的两端相接触； TFT阵列还包括设置于TFT上的平坦化层、设置于平坦化层的底层电极、设置于底层电极上的钝化层、以及设置于钝化层上的顶层电极。基于上述区别技术特征，该权利要求实际解决的技术问题是：如何设置TFT的具体结构以及如何设置电极结构以对液晶层进行驱动。
对于上述区别技术特征，对比文件3（参见说明书第0054-0058段，附图1）公开了以下内容：一种阵列基板及TFT开关，在阵列基板101的TFT开关处，遮光层302形成在透光基板301上，第二绝缘层303形成在遮光层302以及透光基板301上并覆盖遮光层302和透光基板301。主动层（即多晶硅层）304形成在第二绝缘层303上并处于遮光层302的正上方。第三绝缘层305形成在主动层304和第二绝缘层303上并覆盖主动层304和第二绝缘层303。栅极层306形成在第三绝缘层305上并处于多晶硅层304正上方，这样第三绝缘层305便实现了栅极层306与多晶硅层304之间的电隔离。第四绝缘层307形成在栅极层306和第三绝缘层305上，而源漏层（即SD层）308则形成在第四绝缘层307上。其中，第三绝缘层305和第四绝缘层307中形成有两个第二过孔，源漏层308通过第二过孔分别与多晶硅层304的两端实现电连接。平坦层309形成在第四绝缘层307以及源漏层308上，公共电极层310形成在平坦层309上。从图1中可以看出，对于相邻的两个子像素来说，公共电极层 310中的公共电极分别对应于这两个子像素，并且这两个公共电极之间存在一定间隔。钝化层311形成在公共电极层310上。由于在阵列基板101的TFT开关位置处，公共电极层310并未完全覆盖平坦层309，因此如图1所示，钝化层311同样覆盖了部分平坦层309。像素电极层312形成在钝化层311上，像素电极层312通过形成在钝化层 311以及平坦层309中的第三过孔与源漏层308电连接。
其中，对比文件3的第二绝缘层303对应于本申请中的绝缘缓冲层，多晶硅层304对应于本申请中的半导体层，第三绝缘层305对应于本申请中的栅极绝缘层，栅极层306对应于本申请中的栅极，第四绝缘层307对应于本申请中的层间介电质，源漏层308对应于本申请中的源极和漏极，平坦层309对应于本申请中的平坦化层，公共电极层310对应于本申请中的底层电极，像素电极层312对应于本申请中的顶层电极。
由此可见，对比文件3公开了上述区别技术特征，且上述区别技术特征在对比文件3中的作用与在本申请中的作用相同，均是TFT采用顶栅结构，且公共电极和像素电极均设置在TFT基板上以实现对液晶层的控制。因此，本领域技术人员容易想到将对比文件3中的TFT及电极设置方式应用到对比文件2以进一步解决其技术问题。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3得到该权利要求1要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：虽然对比文件2中薄膜晶体管为底栅结构，栅极能够对半导体进行遮挡，但是对比文件2中的反射层417设置于多条扫描线412、多条数据线413和多个薄膜晶体管418所在的非显示区域，其将照射到非显示区的光线反射回背光模组以提高背光利用率，反射层417在实现反射作用的同时，也必然具有对扫描线、数据线、薄膜晶体管所在的非显示区进行遮光的作用。当背光源由下向上照射向薄膜晶体管时，必然首先由反射层417将背光源射向薄膜晶体管的沟道发射区域的光线进行反射同时实现遮挡作用，而并非仅由栅极对薄膜晶体管的沟道区域进行遮挡。对比文件2中的遮光层已覆盖薄膜晶体管的全部区域，无论是薄膜晶体管采用顶栅型还是底栅型，为了避免光线照射到半导体层产生光电流，遮光层必然会覆盖薄膜晶体管的半导体层。对于本领域技术人员而言，根据栅极的位置不同，TFT通常分为顶栅型和底栅型，本领域技术人员根据结构设计的需要可以选择将TFT设置为顶栅或底栅形式，在对比文件3给出了同样的采用遮光层对顶栅型TFT进行遮光的基础上，本领域技术人员容易想到对比文件3中的顶栅型TFT也可以应用到对比文件2中，从而将对比文件2的底栅型TFT设置为顶栅型TFT，此时反射层417也必然全部遮挡顶栅型TFT，必然亦会遮挡顶栅型TFT的半导体层。因此，对比文件2和对比文件3具备结合启示。
因此，对于复审请求人的意见，合议组不予支持。
权利要求2、3引用权利要求1，对比文件1公开了一种液晶显示装置（参见说明书第31-35段，附图4），具体公开了以下内容：黑矩阵109形成在第一基板103的非图像显示区，并且黑矩阵109形成矩阵形状。接地连接部分106形成在第一基板103的外部区域，用于使黑矩阵109接地，黑矩阵109可以为例如Mo的金属层。其中黑矩阵对应于本申请中的遮光层。由此可见，对比文件1公开了权利要求2、3的附加技术特征，且上述特征在该对比文件中的作用与在本申请中的作用相同，均是去除感应电压以保持TFT性能，以及使用金属钼作为遮光层材料。因此，权利要求2、3不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4要求保护一种液晶显示面板的制作方法，对比文件2公开了一种液晶显示面板401，其具体公开内容参见前述第1点，根据前述液晶显示面板的结构特征可以确定相应的制作方法，从对比文件2公开的内容可以看出，制作液晶面板401，必然需要首先提供了一彩色滤光片基板430和一薄膜晶体管基板410；制作彩色滤光片基板430必然需要在第二玻璃基板431上依次设置所述黑色矩阵434、彩色滤光片432和透明的公共电极433；制作薄膜晶体管基板410必然需要在第一玻璃基板411上依次形成所述反射层417、钝化层419和薄膜晶体管418；制作完成滤光片基板430和薄膜晶体管基板410后必然需要将两者对组成盒，并在之间形成液晶层420，才能形成液晶显示面板401。
该权利要求要求保护的技术方案与对比文件2公开的技术方案相比，其区别技术特征是：（1）TFT阵列的制作还包括于TFT上依次形成层叠设置的平坦化层、底层电极、钝化层、及顶层电极；TFT包括设于绝缘缓冲层上的半导体层、设置于半导体层上的栅极绝缘层、设置于栅极绝缘层上的栅极、设置于栅极绝缘层及栅极上的层间介电层、及设置于层间介电层上的源极与漏极，源极与漏极分别通过贯穿层间介电层和栅极绝缘层的两过孔与半导体层的两端相接触；（2）首先提供第二衬底基板，然后提供第一衬底基板。基于上述区别技术特征，该权利要求实际解决的技术问题是如何设置电极结构以对液晶层进行驱动以及选择基板的设置顺序。
对于区别技特征（1），对比文件3公开了一种阵列基板及TFT开关，其具体公开内容参见参照前面的评述，从对比文件3公开的内容可以看出，对比文件3公开了TFT的具体结构，并且制作阵列基板101必然需要在TFT开关上依次形成层叠设置的平坦层309、公共电极310、钝化层311、及像素电极312。由此可见，对比文件3公开了区别技术特征（1）且该特征在对比文件3中的作用与在本申请中的作用相同，均是将TFT开关设为顶栅型且两个电极均设置在阵列基板上以控制液晶层。
对于区别技术特征（2），在制作液晶面板的过程中，首先提供阵列基板还是首先提供彩色滤光片基板仅是本领域技术人员的常规选择，本领域技术人员可以根据具体需求任意选择首先提供哪种基板，其不会带来预料不到的技术效果。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3和公知常识得到该权利要求要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5、6引用权利要求4，权利要求5的附加技术特征与权利要求2的附加技术特征相同；权利要求6的附加技术特征与权利要求3的附加技术特征相同。参考前面的评述，基于同样的理由，权利要求5、6也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
综上所述，本申请的权利要求1-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
根据以上事实和理由，本案合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月02日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
