发明创造名称：薄膜晶体管及阵列基板的制作方法
外观设计名称：
决定号：194007
决定日：2019-11-05
委内编号：1F283918
优先权日：
申请（专利）号：201510718317.3
申请日：2015-10-29
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王鹏
合议组组长：徐颖
参审员：白若鸽
国际分类号：H01L29/786；H01L21/77；H01L27/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，而其余的区别技术特征属于本领域的公知常识，并且现有技术中已经给出将上述多个区别技术特征结合到最接近的现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，从而使得本领域技术人员在以上现有技术的基础上得到该权利要求的技术方案是显而易见的，那么该权利要求所请求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510718317.3，名称为“薄膜晶体管及阵列基板的制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司。本申请的申请日为2015年10月29日，公开日为2015年12月30日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月11日发出驳回决定，以权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN101047145A，公开日为2007年10月03日；
对比文件2：CN104319293A，公开日为2015年01月28日；
对比文件3：CN101689510A，公开日为2010年03月31日。
驳回理由具体为：独立权利要求1请求保护一种薄膜晶体管的制作方法，对比文件1公开了一种薄膜晶体管的制作方法，权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征在于：1）通过构图工艺来形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层；2）有源层是氧化物有源层；3）所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：在所述氧化物有源层上形成溶解层，使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定；对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。 基于上述区别技术特征可以确定权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：提供可选的形成栅极、栅绝缘层和氧化物有源层的方法；优化选择合适的有源层材料；使光刻胶中的溶剂挥发出来，增加光刻胶的粘附性；提供可选的形成倒梯形的溶解层的方法。而上述区别技术特征1）和2）均属于本领域的公知常识，对于区别技术特征3），对比文件2公开了形成倒梯形溶解层的具体方法，而对于具体的工艺参数是本领域技术人员通过有限的试验可以得到的。因此，权利要求1相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的公知常识不具备创造性。从属权利要求2-6的附加技术特征或者被对比文件1、对比文件2公开，或者属于本领域的公知常识，其同样不具备创造性。独立权利要求7请求保护一种阵列基板的制作方法，独立权利要求8请求保护一种显示面板，独立权利要求9请求保护一种显示装置，上述权利要求7-9相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的公知常识不具备创造性。驳回决定的第四部分其他说明中继续指出权利要求10-18相对于对比文件3结合对比文件2和本领域的公知常识不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2015年10月29日提交的说明书第1-236段、说明书附图图1-30、说明书摘要、摘要附图，2018年11月15日提交的权利要求第1-18项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；
在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；
在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度；
使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极和漏极；
其中，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述氧化物有源层上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，沉积在所述倒梯形的溶解层之上的所述源漏层与沉积在所述倒梯形的溶解层之外的所述源漏层断开。
3. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在所述掩膜曝光的过程中，
所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分产 生的酸性物质越多。
4. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，包括：
对所述薄膜晶体管进行反转烘干，在反转烘干过程中所述溶解层内的溶解材料发生交联反应，且所述第一区域内的溶解层在所述酸性物质的作用下发生所述交联反应的强度强于所述其他区域内的溶解层且在反转烘干后所述第一区域内的溶解层的溶解材料的分子密度和硬度都高于所述其他区域的溶解层；
对反转烘干后的所述薄膜晶体管进行泛曝光，在泛曝光的过程中所述其它区域内的溶解层的溶解材料的分子链断开；
对泛曝光后的所述溶解层进行显影处理，使所述其他区域的溶解层溶于显影液内以及使所述第一区域内的溶解层变成倒梯形的溶解层。
5. 根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
在所述反转烘干过程中，在所述第一区域内的溶解层中的酸性物质作用下，所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分发生的交联反应的强度越强，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的部分的溶解材料的分子密度和硬度越高；
在所述泛曝光的过程中，所述第一区域内的分子密度和硬度越低的溶解材料中的分子越容易发生分子链断开，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料发生分子链断开的分子越少；
在所述显影的过程中，所述第一区域内的发生分子链断开越少的溶解材料越难溶解于显影液，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料越难溶于所述显影液。
6. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光之前还包括：
对所述溶解层进行前烘，所述前烘去除所述溶解层中的溶剂。
7. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极及栅线、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；
在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；
在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度，使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极及数据线和漏极；
在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极。
其中，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述氧化物有源层上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。
8. 一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求7所述的方法形成的阵列基板。
9. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的显示面板。
10. 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、源极和漏极，所述源极和所述漏极位于同一层，所述栅绝缘层位于所述源极、所述漏极和所述栅极之间；
在所述源极和所述漏极上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；
在所述源极、所述漏极、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积金属氧化物有源层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述金属氧化物有源层的厚度；
使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述金属氧化物有源层，形成氧化物有源层；
其中，所述在所述源极和所述漏极上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述源极和所述漏极上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第二区域和第三区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第二区域和第三区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第二区域位于所述源极上，所述第三区域位于所述漏极上；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第二区域和所述第三区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第二区域和所述第三区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。
11. 根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，沉积在所述倒梯形的溶解层之上的所述金属氧化物有源层与沉积在所述倒梯形的溶解层之外的所述金属氧化物有源层断开。
12. 根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
在所述掩膜曝光的过程中，所述第二区域内的溶解层离所述源极越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得所述第二区域内的溶解层离所述源极越远的部分产生的酸性物质越多；
所述第三区域内的溶解层离所述漏极越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得所述第三区域内的溶解层离所述漏极越远的部分产生的酸性物质越多。
13. 根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第二区域和所述第三区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第二区域和所述第三区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，包括：
对所述薄膜晶体管进行反转烘干，在反转烘干过程中所述溶解层内的溶解材料发生交联反应，且所述第二区域和所述第三区域内的溶解层在所述酸性物质的作用下发生交联反应的强度强于所述其他区域内的溶解层，且在反转烘干后所述第二区域和所述第三区域内的溶解层的溶解材料的分子密度和硬度都高于所述其他区域的溶解层；
对反转烘干后的所述薄膜晶体管进行泛曝光，在泛曝光的过程中所述其它区域内的溶解层的溶解材料的分子链断开；
对泛曝光后的所述溶解层进行显影处理，使所述其他区域的溶解层溶于显影液内以及使所述第二区域和所述第三区域内的溶解层变成倒梯形的溶解层。
14. 根据权利要求13所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，
在所述反转烘干过程中，在所述第二区域内和所述第三区域内的溶解层中的酸性物质作用下，所述第二区域内的溶解层离所述源极越远的部分发生的交联反应的强度越强，使所述第二区域内的溶解层离所述源极越远的部分的溶解材料的分子密度和硬度越高，所述第三区域内的溶解层离所述漏极越远的部分发生的交联反应的强度越强，使所述第三区域内的溶解层离所述漏极越远的部分的溶解材料的分子密度和硬度越高；
在所述泛曝光的过程中，所述第二区域内和所述第三区域内的分子密度和硬度越低的溶解材料中的分子越容易发生分子链断开，使所述第二区域内的溶解层离所述源极越远的和所述第三区域内的溶解层离所述漏极越远的溶解材料发生分子链断开的分子越少；
在所述显影的过程中，所述第二区域内和所述第三区域内的发生分子链断开越少的溶解材料越难溶于显影液，使所述第二区域内的溶解层离所述源极越远的和所述第三区域内的溶解层离所述漏极越远的溶解材料越难溶于所述显影液。
15. 根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述溶解层上的第二区域和第三区域内的溶解层进行掩膜曝光之前还包括：
对所述溶解层进行前烘，所述前烘去除所述溶解层中的溶剂。
16. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极及栅线、栅绝缘层、源极及数据线和漏极，所述源极和所述漏极位于同一层，所述栅绝缘层位于所述源极、所述漏极和所述栅极之间；
在所述源极和所述漏极上形成截面为倒梯形的倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂；
在所述源极、所述漏极、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积金属氧化物层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述金属氧化物层的厚度；
使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述金属氧化物有源层，形成氧化物有源层；
在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极；
其中，在所述源极和所述漏极上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述源极和所述漏极上沉积溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第二区域和第三区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第二区域和第三区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第二区域位于所述源极上，所述第三区域位于所述漏极上；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第二区域和所述第三区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第二区域和所述第三区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。
17. 一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求16所述的方法形成的阵列基板。
18. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求17所述的显示面板。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月23日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，其中在独立权利要求1和7中增加了新的技术特征，并删除了权利要求10-18。复审请求人认为：权利要求1的技术方案中，仅在有源层上形成一个溶解层，其两端不会形成溶解层，其后形成的源漏层不仅与有源层的顶部接触，还与有源层的侧部和栅绝缘层接触连接，这样使得源极和漏极与导电沟道直接连接，可以减小源漏极和沟道之间的电阻，增加导电沟道上的开态电流，减小薄膜晶体管的功耗。而对比文件1和2均没有公开上述结构，权利要求1相对于现有技术具备突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。同理，权利要求2-9也具备创造性。复审请求时新修改的独立权利要求1和7如下：
“1. 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；
在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂，所述氧化物有源层除所述倒梯形的溶解层覆盖的区域外不覆盖任何其他层；
在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度；
使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极和漏极，所述源极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触，所述漏极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触；
其中，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述氧化物有源层上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。”
“7. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极及栅线、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；
在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂，所述氧化物有源层除所述倒梯形的溶解层覆盖的区域外不覆盖任何其他层；
在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度，使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极及数据线和漏极，所述源极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触，所述漏极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触；
在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极。
其中，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述氧化物有源层上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：设置源漏极与有源层的顶部和侧壁直接接触是本领域的常规技术手段。在对比文件1的基础上，当选择以上述常规方式设置源漏极时，选择仅仅在有源层上形成一个倒梯形溶解层，有源层两端不形成溶解层是显而易见的，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月31日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-9相对于对比文件1结合对比文件2和本领域的公知常识不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组指出：权利要求1中进一步限定的薄膜晶体管的结构，尤其是源漏电极的结构是本领域公知的薄膜晶体管的结构，具体可参见公知常识证据1-3的相关文字和附图。因此，将对比文件1的薄膜晶体管，尤其是源漏电极的部分设置为本领域公知的结构是本领域技术人员根据需要容易想到的，在此基础上，为了得到该公知的薄膜晶体管，尤其是源漏电极的结构，仅在对比文件1的有源层沟道区域之上保留倒梯形的光刻胶，接着沉积源漏金属层，从而使金属层不但覆盖倒梯形的光刻胶、有源层，还覆盖栅绝缘层，进而在去掉该倒梯形光刻胶后形成的源漏金属电极，具有同时覆盖接触有源层顶部、侧部和栅绝缘层的结构，这对于本领域技术人员来说是显而易见的，而基于该结构可以实现减小源漏极和沟道之间的电阻，增加导电沟道上的开态电流，减小薄膜晶体管的功耗的技术效果对本领域技术人员来说也是显而易见的。因此，复审请求人的意见陈述缺乏说服力，合议组不予接受。
复审请求人于2019年09月10日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，其中在独立权利要求1和7中增加了新的技术特征“所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差大于或等于2微米”。复审请求人认为：通过上述新增加的技术特征，位于倒梯形上的源漏层（此处复审请求人在意见陈述中误写为溶解层），与倒梯形溶解层两侧且位于氧化物有源层上的源漏层断开，这样有机溶剂可以从断开的开口处溶解倒梯形溶解层，从而提高了形成源漏极的成功率。上述新增加的技术特征没有被对比文件1、对比文件2和现有的惯用技术手段公开，因此，权利要求1-9具备创造性。新修改的独立权利要求1和7如下：
“1. 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
通过构图工艺形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；
在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂，所述氧化物有源层除所述倒梯形的溶解层覆盖的区域外不覆盖任何其他层；
在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度，所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差大于或等于2微米；
使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极和漏极，所述源极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触，所述漏极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触；
其中，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述氧化物有源层上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。”
“7. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成栅极及栅线、栅绝缘层和氧化物有源层，所述栅绝缘层位于所述栅极和所述氧化物有源层之间；
在所述氧化物有源层上形成截面为倒梯形的溶解层，所述倒梯形的溶解层能溶于有机溶剂，所述氧化物有源层除所述倒梯形的溶解层覆盖的区域外不覆盖任何其他层；
在所述氧化物有源层、所述栅绝缘层和所述倒梯形的溶解层上沉积源漏层，所述倒梯形的溶解层的厚度大于所述源漏层的厚度，所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差大于或等于2微米，使用有机溶剂溶解去除所述倒梯形的溶解层并去除位于所述倒梯形的溶解层上的所述源漏层，形成源极及数据线和漏极，所述源极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触，所述漏极与所述氧化物有源层的顶部、侧部和所述栅绝缘层接触；
在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成像素电极。
其中，所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：
在所述氧化物有源层上形成溶解层，所述溶解层为光刻胶；
使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定，对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；
对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年09月10日答复复审通知书时提交了权利要求书的修改页，经审查，该修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审决定针对的审查文本为：复审请求人于2019年09月10日提交的权利要求第1-9项，申请日2015年10月29日提交的说明书第1-236段、说明书附图图1-30、说明书摘要、摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，而其余的区别技术特征属于本领域的公知常识，并且现有技术中已经给出将上述多个区别技术特征结合到最接近的现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，从而使得本领域技术人员在以上现有技术的基础上得到该权利要求的技术方案是显而易见的，那么该权利要求所请求保护的技术方案不具备创造性。
本复审决定引用如下对比文件1-2作为现有技术：
对比文件1：CN101047145A，公开日为2007年10月03日；
对比文件2：CN104319293A，公开日为2015年01月28日。
同时，引用如下教科书、工具书作为公知常识的证据文件：
公知常识证据1：《新型显示技术（上册）》，高鸿锦 等 编著，北京邮电大学出版社，2014年08月出版，ISBN号：978-7-5635-4045-7，正文第226页；
公知常识证据2：《OLED显示基础及产业化》，于军胜 等 编著，电子科技大学出版社，2015年02月出版，ISBN号：978-7-5647-2814-4，正文第62-63页；
公知常识证据3：《薄膜晶体管 TFT 阵列制造技术》，谷至华 编著，复旦大学出版社，2007年09月出版，ISBN号 ：978-7-309-05655-6，正文第30-35页。
权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种薄膜晶体管的制作方法，对比文件1公开了一种制备有源驱动TFT矩阵中金属连线的方法（参见说明书第4页第4段-第5页第2段，图3.1-3.3），包括：在基板11上形成栅极12、13，栅绝缘层16和有源层17，该栅绝缘层位于所述栅极和有源层之间。之后，在以上结构之上均匀涂敷一层负性光刻胶15（即在有源层上形成溶解层，溶解层为光刻胶），通过合理的调整负性光刻胶的厚度、成分和曝光时的曝光量、烘焙温度和显影时间等，使保留下来的负性光刻胶有倒梯形的截面（即溶解层），上述负性光刻胶能被IPA等化学溶液去除（即所述倒梯形溶解层能溶于有机溶剂）。如图3.1所示，上述保留下来负性光刻胶除了具有位于该有源层之上的倒梯形部分外，在栅极绝缘层的至少部分上也覆盖有负性光刻胶。然后，在有源层和负性光刻胶上连续沉积金属层（即源漏层），该倒梯形负性光刻胶的厚度大于该金属层的厚度，采用IPA等化学溶液将有源层上的倒梯形的负性光刻胶去除，在其之上的金属层也同时被去除掉，保留下来的金属层构成源极和漏极电极18。如图3.3所示，该源极与有源层的顶部接触，该漏极与有源层的顶部接触。
权利要求1相对于对比文件1的区别在于：（1）通过构图工艺来形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层；（2）有源层是氧化物有源层；（3）氧化物有源层除所述倒梯形的溶解层覆盖的区域外不覆盖任何其他层，在栅绝缘层上也沉积源漏层，源极还与氧化物有源层的侧部和栅绝缘层接触，漏极还与氧化物有源层的侧部和栅绝缘层接触；（4）所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定；对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；（5）所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差大于或等于2微米。
基于以上区别可以确定权利要求1实际解决的技术问题是：如何得到具有特定结构的薄膜晶体管；如何根据具体需要优化有源层的材料；如何根据具体需要设置源漏电极的结构；如何优化倒梯形溶解层的形成；以及如何更好的去除倒梯形溶解层得到源漏极。
针对区别技术特征（1），为了得到具有特定结构的薄膜晶体管，采用构图工艺来形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层和氧化物有源层是本领域的惯用手段。
针对区别技术特征（2），为了适应大尺寸面板对工艺复杂程度和成本的要求，选择氧化物作为薄膜晶体管的有源层是本领域的惯用手段。
针对区别技术特征（3），通过该区别技术特征的实施，从而得到如本申请图5所示的薄膜晶体管结构，即源漏电极分别连续的覆盖有源层的源漏区域的顶面、侧面以及一部分栅绝缘层。但是具有上述结构的薄膜晶体管是本领域公知的薄膜晶体管结构，具体可参见公知常识证据1-3的相关文字和附图。因此，将对比文件1的薄膜晶体管，尤其是源漏电极的部分设置为本领域公知的结构是本领域技术人员根据需要容易想到的，在此基础上，为了得到该公知的薄膜晶体管，尤其是源漏电极的结构，仅在对比文件1的有源层沟道区域之上保留倒梯形的光刻胶，接着沉积源漏金属层，从而使金属层不但覆盖倒梯形的光刻胶、有源层，还覆盖栅绝缘层，进而在去掉该倒梯形光刻胶后形成的源漏金属电极，具有同时覆盖接触有源层顶部、侧部和栅绝缘层的结构，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
针对区别技术特征（4），对比文件2公开了一种薄膜晶体管的制作方法，并具体公开了（参见说明书第80-92段，图2）一种在基板上形成倒台面结构的光刻胶2（相当于倒梯形的溶解层）的方法，包括：在基板上形成光刻胶2；对光刻胶2的第一次掩膜曝光区域（相当于第一区域）内的光刻胶2进行第一次掩膜曝光，使第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2的光敏成分产生羧酸（酸性物质的下位概念），羧酸用于增强交联反应；对光刻胶2进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将第一次掩膜曝光未曝光部分（相当于除第一区域以外的其他区域）的光刻胶2去除以及将第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2转变成倒台面的光刻胶2，对比文件2还公开了（参见说明书第83段）对光刻胶2上的掩膜曝光区域内的光刻胶2进行掩膜曝光之前还包括：对光刻胶2进行烘干（相当于前烘）。上述内容在对比文件2中的作用与其在该权利要求中的作用相同，都是使光刻胶中的溶剂挥发出来，增加光刻胶的粘附性，即使光刻胶的特性固定；提供可选的形成倒梯形的溶解层的方法，因此对比文件2给出了将其公开的技术内容应用到对比文件1中的技术启示。此外，在对比文件1公开了可以通过合理的调整负性光刻胶15的厚度、成分和曝光时的曝光量、烘焙温度和显影时间等，使保留下来的负性光刻胶有倒梯形的截面的基础上，本领域技术人员有动机合理地控制掩膜曝光和泛曝光的光强度，以使负性光刻胶得到适当曝光，通过有限的试验可以获得该权利要求要求保护的掩膜曝光和泛曝光的光强度的具体合理的数值范围，该过程不需要创造性的劳动。
针对区别技术特征（5），参见对比文件1的图3.1-3.3可知，该倒梯形负性光刻胶的厚度大于该金属层的厚度，且实现了该金属层在该倒梯形负性光刻胶两侧的断开，并且形成了两个断开的开口，进而后续可以采用IPA等化学溶液通过上述断开的开口将有源层上的倒梯形的负性光刻胶去除，在其之上的金属层也同时被去除掉，保留下来的金属层构成源极和漏极电极18。可见，对比文件1已经公开了通过设置倒梯形负性光刻胶与金属层具有厚度差，实现了金属层的断开，并且通过断开的开口利用化学溶液将倒梯形的负性光刻胶去除，最终形成源漏电极图形。在此基础上，本领域技术人员显然知晓该厚度差的大小程度决定了金属层断开的程度以及形成的开口的程度，而这进一步影响了后续化学溶液对倒梯形负性光刻胶的去除效率和效果。因此，本领域技术人员完全有动机对该厚度差进行试验来进行具体设置。而具体将该厚度差（即：所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差）设置为大于或等于2微米，是本领域技术人员在可能的、有限的范围内通过有限的试验可以得到的，而且能够预期其更好的去除倒梯形溶解层得到源漏极的技术效果。
综上，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，其不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.2、权利要求2-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见图3.2）沉积在倒梯形的负性光刻胶15之上的金属层与沉积在倒梯形的负性光刻胶15之外的金属层断开。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
从属权利要求3引用权利要求1，对比文件2还公开了（参见说明书第83-85段）经过掩膜曝光后，掩膜曝光区域的光敏成分转变成羧酸，而掩膜曝光后产生的羧酸对交联反应有促进作用，在曝光的区域发生的交联反应比未曝光的区域中多得多，第一次掩膜曝光未曝光部分的光刻胶在第二次泛曝光后反而不溶于显影液，而第一次掩膜曝光部分的光刻胶由于发生了交联反应在第二次泛曝光后反而不溶于显影液，由此经过两次曝光后，形成的光刻胶2的图形的横截面为倒梯形，由此可以确定对比文件2公开了第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2离基板越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2离基板越远的部分产生的羧酸越多。上述内容在对比文件2中的作用与其在该权利要求中的作用相同，都是制备倒梯形溶解层。当将对比文件2应用于对比文件1时，由于对比文件2中有源层在光刻胶层形成前形成，因此第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2离有源层越远的部分受到的掩膜曝光的强度越强，使得第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2离有源层越远的部分产生的羧酸越多对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
从属权利要求4引用权利要求1，对比文件2还公开了（参见说明书第84-85段）对光刻胶2进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将第一次掩膜曝光未曝光部分（相当于除第一区域以外的其他区域）的光刻胶2去除以及将第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2转变成倒台面的光刻胶2，包括：对薄膜晶体管进行反转烘干，反转烘干过程中使光刻胶2内的树脂部分发生交联反应，且第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2在羧酸作用下发生交联反应的强度强于未曝光区域内的光刻胶2，由此可以使得在反转烘干后的第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2的溶解材料的分子密度和硬度都高于未曝光区域内的光刻胶2；对反转烘干后的薄膜晶体管进行泛曝光；对泛曝光后的光刻胶2进行显影处理，使第一次掩膜曝光未曝光部分的光刻胶2溶于显影液内以及使第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2变成倒梯形的光刻胶2。上述内容在对比文件2中的作用与其在该权利要求中的作用相同，都是制备倒梯形溶解层。此外，在泛曝光的过程中所述其它区域内的溶解层的溶解材料的分子链断开对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
从属权利要求5引用权利要求4，对比文件2还公开了（参见说明书第83-85段）经过掩膜曝光后，掩膜曝光区域的光敏成分转变成羧酸，反转烘干过程中使光刻胶2内的树脂部分发生交联反应，而掩膜曝光后产生的羧酸对交联反应有促进作用，在曝光的区域发生的交联反应比未曝光的区域中多得多，第一次掩膜曝光未曝光部分的光刻胶在第二次泛曝光后反而不溶于显影液，而第一次掩膜曝光部分的光刻胶由于发生了交联反应在第二次泛曝光后反而不溶于显影液，由此经过两次曝光后，形成的光刻胶2的图形的横截面为倒梯形，由此可以确定对比文件2公开了在所述反转烘干过程中，在所述第一区域内的溶解层中的酸性物质作用下，所述第一区域内的溶解层离所述基板越远的部分发生的交联反应的强度越强，使得所述第一区域内的溶解层离所述基板越远的部分的溶解材料的分子密度和硬度越高。而在所述泛曝光的过程中，所述第一区域内的分子密度和硬度越低的溶解材料中的分子越容易发生分子链断开，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料发生分子链断开的分子越少；在所述显影的过程中，所述第一区域内的发生分子链断开越少的溶解材料越难溶解于显影液，使所述第一区域内的溶解层离所述氧化物有源层越远的溶解材料越难溶于所述显影液这些对本领域技术人员而言都是显而易见的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
从属权利要求6引用权利要求1，对比文件2还公开了（参见说明书第83段）对光刻胶2上的掩膜曝光区域内的光刻胶2进行掩膜曝光之前还包括：对光刻胶2进行烘干（相当于前烘）。而前烘可以去除光刻胶2中的溶剂对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
2.3、权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7请求保护一种阵列基板的制作方法，对比文件1公开了一种制备有源驱动TFT矩阵（即阵列基板）中金属连线的方法（参见说明书第4页第4段-第5页第2段，图3.1-3.3），包括：在基板11上形成栅极12、13，栅绝缘层16和有源层17，该栅绝缘层位于所述栅极和有源层之间。之后，在以上结构之上均匀涂敷一层负性光刻胶15（即在有源层上形成溶解层，溶解层为光刻胶），通过合理的调整负性光刻胶的厚度、成分和曝光时的曝光量、烘焙温度和显影时间等，使保留下来的负性光刻胶有倒梯形的截面（即溶解层），上述负性光刻胶能被IPA等化学溶液去除（即所述倒梯形溶解层能溶于有机溶剂）。如图3.1所示，上述保留下来负性光刻胶除了具有位于该有源层之上的倒梯形部分外，在栅极绝缘层的至少部分上也覆盖有负性光刻胶。然后，在有源层和负性光刻胶上连续沉积金属层（即源漏层），该倒梯形负性光刻胶的厚度大于该金属层的厚度，采用IPA等化学溶液将有源层上的倒梯形的负性光刻胶去除，在其之上的金属层也同时被去除掉，保留下来的金属层构成数据线和源漏极电极18。如图3.3所示，该源极与有源层的顶部接触，该漏极与有源层的顶部接触。
权利要求7相对于对比文件1的区别在于：（1）在衬底基板上还形成栅线，在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层，在所述钝化层上形成像素电极；（2）有源层是氧化物有源层；（3）氧化物有源层除所述倒梯形的溶解层覆盖的区域外不覆盖任何其他层，在栅绝缘层上也沉积源漏层，源极还与氧化物有源层的侧部和栅绝缘层接触，漏极还与氧化物有源层的侧部和栅绝缘层接触；（4）所述在所述氧化物有源层上形成倒梯形的溶解层包括：使所述溶解层里的溶剂挥发出来，使所述溶解层的特性固定；对所述溶解层上的第一区域内的溶解层进行掩膜曝光，使所述第一区域内的溶解层的溶解材料产生酸性物质，所述酸性物质用于增强交联反应，所述第一区域位于所述氧化物有源层上，且掩膜曝光的光强度大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；对所述溶解层进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将除所述第一区域以外的其他区域的溶解层去除以及将所述第一区域内的溶解层变换成倒梯形的溶解层，泛曝光的光强大于或等于30mJ/cm2且小于或等于60mJ/cm2；（5）所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差大于或等于2微米。
基于以上区别可以确定权利要求7实际解决的技术问题是：如何得到具有特定结构的薄膜晶体管阵列基板结构；如何根据具体需要优化有源层的材料；如何根据具体需要设置源漏电极的结构；如何优化倒梯形溶解层的形成；以及如何更好的去除倒梯形溶解层得到源漏极。
针对区别技术特征（1），为了得到具有特定结构的薄膜晶体管阵列基板结构，在衬底基板上形成栅线以及在所述源极、所述氧化物有源层和所述漏极上形成钝化层，在所述钝化层上形成像素电极是本领域的惯用手段。
针对区别技术特征（2），为了适应大尺寸面板对工艺复杂程度和成本的要求，选择氧化物作为薄膜晶体管的有源层是本领域的惯用手段。
针对区别技术特征（3），通过该区别技术特征的实施，从而得到如本申请图5所示的薄膜晶体管结构，即源漏电极分别连续的覆盖有源层的源漏区域的顶面、侧面以及一部分栅绝缘层。但是具有上述结构的薄膜晶体管是本领域公知的薄膜晶体管结构，具体可参见公知常识证据1-3的相关文字和附图。因此，将对比文件1的薄膜晶体管，尤其是源漏电极的部分设置为本领域公知的结构是本领域技术人员根据需要容易想到的，在此基础上，为了得到该公知的薄膜晶体管，尤其是源漏电极的结构，仅在对比文件1的有源层沟道区域之上保留倒梯形的光刻胶，接着沉积源漏金属层，从而使金属层不但覆盖倒梯形的光刻胶、有源层，还覆盖栅绝缘层，进而在去掉该倒梯形光刻胶后形成的源漏金属电极，具有同时覆盖接触有源层顶部、侧部和栅绝缘层的结构，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。
针对区别技术特征（4），对比文件2公开了一种薄膜晶体管的制作方法，并具体公开了（参见说明书第80-92段，图2）一种在基板上形成倒台面结构的光刻胶2（相当于倒梯形的溶解层）的方法，包括：在基板上形成光刻胶2；对光刻胶2的第一次掩膜曝光区域（相当于第一区域）内的光刻胶2进行第一次掩膜曝光，使第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2的光敏成分产生羧酸（酸性物质的下位概念），羧酸用于增强交联反应；对光刻胶2进行反转烘干、泛曝光和显影处理，以将第一次掩膜曝光未曝光部分（相当于除第一区域以外的其他区域）的光刻胶2去除以及将第一次掩膜曝光区域内的光刻胶2转变成倒台面的光刻胶2，对比文件2还公开了（参见说明书第83段）对光刻胶2上的掩膜曝光区域内的光刻胶2进行掩膜曝光之前还包括：对光刻胶2进行烘干（相当于前烘）。上述内容在对比文件2中的作用与其在该权利要求中的作用相同，都是使光刻胶中的溶剂挥发出来，增加光刻胶的粘附性，即使光刻胶的特性固定；提供可选的形成倒梯形的溶解层的方法，因此对比文件2给出了将其公开的技术内容应用到对比文件1中的技术启示。此外，在对比文件1公开了可以通过合理的调整负性光刻胶15的厚度、成分和曝光时的曝光量、烘焙温度和显影时间等，使保留下来的负性光刻胶有倒梯形的截面的基础上，本领域技术人员有动机合理地控制掩膜曝光和泛曝光的光强度，以使负性光刻胶得到适当曝光，通过有限的试验可以获得该权利要求要求保护的掩膜曝光和泛曝光的光强度的具体合理的数值范围，该过程不需要创造性的劳动。
针对区别技术特征（5），参见对比文件1的图3.1-3.3可知，该倒梯形负性光刻胶的厚度大于该金属层的厚度，且实现了该金属层在该倒梯形负性光刻胶两侧的断开，并且形成了两个断开的开口，进而后续可以采用IPA等化学溶液通过上述断开的开口将有源层上的倒梯形的负性光刻胶去除，在其之上的金属层也同时被去除掉，保留下来的金属层构成源极和漏极电极18。可见，对比文件1已经公开了通过设置倒梯形负性光刻胶与金属层具有厚度差，实现了金属层的断开，并且通过断开的开口利用化学溶液将倒梯形的负性光刻胶去除，最终形成源漏电极图形。在此基础上，本领域技术人员显然知晓该厚度差的大小程度决定了金属层断开的程度以及形成的开口的程度，而这进一步影响了后续化学溶液对倒梯形负性光刻胶的去除效率和效果。因此，本领域技术人员完全有动机对该厚度差进行试验来进行具体设置。而具体将该厚度差（即：所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差）设置为大于或等于2微米，是本领域技术人员在可能的、有限的范围内通过有限的试验可以得到的，而且能够预期其更好的去除倒梯形溶解层得到源漏极的技术效果。
综上，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，其不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2.4、权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8请求保护一种显示面板，包括权利要求7所述的方法形成的阵列基板。参见上述对权利要求7的评述意见可知，权利要求7所述的方法相对于对比文件1-2和本领域的公知常识不具备创造性。而将阵列基板运用于显示面板对本领域技术人员而言是惯用手段。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9请求保护一种显示装置，包括权利要求8所述的显示面板。参见上述对权利要求8的评述可知，权利要求8所述的显示面板相对于对比文件1-2和本领域的公知常识不具备创造性。而将显示面板运用于显示装置对本领域技术人员而言是惯用技术手段。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：参见对比文件1的图3.1-3.3可知，该倒梯形负性光刻胶的厚度大于该金属层的厚度，且实现了该金属层在该倒梯形负性光刻胶两侧的断开，并且形成了两个断开的开口，进而后续可以采用IPA等化学溶液通过上述断开的开口将有源层上的倒梯形的负性光刻胶去除，在其之上的金属层也同时被去除掉，保留下来的金属层构成源极和漏极电极18。可见，对比文件1已经公开了通过设置倒梯形负性光刻胶与金属层具有厚度差，实现了金属层的断开，并且通过断开的开口利用化学溶液将倒梯形的负性光刻胶去除，最终形成源漏电极图形。在此基础上，本领域技术人员根据本领域的普通技术知识就知晓该厚度差的大小程度决定了金属层断开的程度以及形成的开口的大小程度，而这进一步影响了后续化学溶液对倒梯形负性光刻胶的去除效率和效果。因此，本领域技术人员完全有动机对该厚度差进行试验来进行具体设置。而具体将该厚度差（即：所述倒梯形的溶解层的厚度与所述源漏层的厚度差）设置为大于或等于2微米，是本领域技术人员在可能的、有限的范围内通过有限的试验可以得到的，而且能够预期其更好的去除倒梯形溶解层得到源漏极的技术效果。因此，复审请求人的意见陈述缺乏说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月11日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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