发明创造名称：集成电路封装件及其制造方法
外观设计名称：
决定号：193990
决定日：2019-11-01
委内编号：1F282374
优先权日：
申请（专利）号：201610049032.X
申请日：2016-01-25
复审请求人：苏州日月新半导体有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张健
合议组组长：王鹏
参审员：孙重清
国际分类号：H01L23/31，H01L23/538，H01L21/56，H01L21/768
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，且该区别技术特征没有被其它现有技术公开，其也不是本领域的公知常识，并且该区别技术特征的引入使得要求保护的技术方案能够产生有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610049032.X，名称为“集成电路封装件及其制造方法”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为苏州日月新半导体有限公司。本申请的申请日为2016年01月25日，公开日为2016年06月29日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月02日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-13不符合专利法第22条第3款的规定。其中，权利要求1要求保护一种制造集成电路封装件，其与最接近现有技术对比文件3（CN102709260A）的区别在于：包括第一注塑壳体，设置承载元件的第一承载面且塑封第一集成电路元件。该区别技术特征属于本领域的常规技术手段，因此该权利要求1不具有创造性。从属权利要求2，4-6的附加技术特征属于本领域的常规技术手段或容易得到的，从属权利要求3的附加技术特征被对比文件2（CN105070710A）公开了，因此，权利要求2-6也不具有创造性。权利要求7要求保护一种制造集成电路封装件的方法，其与最接近现有技术对比文件3的区别在于：1）在形成第二注塑壳体之前设置导通柱，最后研磨第二注塑壳体的底面以暴露导电柱的底面；2）承载元件选自导线框架；3）注塑形成塑封第一集成电路元件的第一注塑壳体；4）对暴露的导通柱的底部作抗氧化处理。对比文件4（CN104779220A）公开了上述区别技术特征1）和2），区别技术特征3）和4）属于本领域的公知常识，因此权利要求7不具有创造性。从属权利要求8,10,11的附加技术特征属于本领域的常规技术手段或容易得到的，从属权利要求9的附加技术特征被对比文件2（CN105070710A）公开了，从属权利要求12,13的附加技术特征被对比文件5（CN1300845C）公开了，因此，权利要求8-13也不具有创造性。
驳回决定所依据的文本为申请日2016年01月25日提交的权利要求第1-13项、说明书第1-31段、说明书摘要、说明书附图图2a至图3e；2016年03月14日提交的说明书附图图1、摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种集成电路封装件，其包含：
承载元件，其选自封装基板与导线框架中一者，所述承载元件具有相对的第一承载面及第二承载面；
至少一第一集成电路元件，设置于所述承载元件的第一承载面；
第一注塑壳体，设置于所述承载元件的第一承载面且塑封所述第一集成电路元件；
至少一第二集成电路元件，设置于所述承载元件的第二承载面；
若干导通柱，设置于所述承载元件的第二承载面且经配置以与所述第一集成电路元件及所述第二集成电路元件电连接；及
第二注塑壳体，设置于所述承载元件的第二承载面且塑封所述第二集成电路元件与所述若干导通柱，其中所述导通柱远离所述第二承载面的底部暴露于所述第二注塑壳体外。
2. 如权利要求1所述的集成电路封装件，其中所暴露的所述导通柱的底部是经电镀或化学镀金处理。
3. 如权利要求1所述的集成电路封装件，其进一步包含溅镀于所述集成电路封装件外表面的信号屏蔽层。
4. 如权利要求1所述的集成电路封装件，其中所述导通柱的最小平面尺寸为250um*250um，最低高度为170um。
5. 如权利要求1所述的集成电路封装件，其厚度小于1mm。
6. 如权利要求5所述的集成电路封装件，其厚度小于等于0.8mm。
7. 一种制造集成电路封装件的方法，其包含：
提供一承载元件，其选自封装基板与导线框架中一者，所述承载元件具有相对的第一承载面及第二承载面，且所述第二承载面上设有若干导通柱；
将多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面，其包含注塑形成塑封所述第二集成电路元件与所述导通柱的第二注塑壳体；
将多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面，其包含注塑形成塑封所述第一集成电路元件的第一注塑壳体；
研磨所述第二注塑壳体的底面以暴露所述导通柱远离所述第二承载面的底部；以及
对所暴露的所述导通柱的底部作抗氧化处理。
8. 如权利要求7所述的制造集成电路封装件的方法，其中对所暴露的所述导通柱的底部作抗氧化处理是电镀或化学镀金所暴露的所述导通柱的底部。
9. 如权利要求7所述的制造集成电路封装件的方法，其进一步包含于所述第一注塑壳体与所述第二注塑壳体外与所述承载元件的侧面溅镀信号屏蔽层。
10. 如权利要求7所述的制造集成电路封装件的方法，其中所述导通柱的最小平面尺寸为250um*250um，最小高度为170um。
11. 如权利要求7所述的制造集成电路封装件的方法，其中所述提供一承载元件进一步包含藉由光蚀刻方式在所述第二承载面上生成所述导通柱。
12. 如权利要求7所述的制造集成电路封装件的方法，其进一步包含：
在将所述多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面后将所封装的中间品分为多个区块，所述多个区块中每一者包含多个封装单元；
将所述多个区块放置并固持于承载基板框架的相应承载位置；及
在将所述多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面后将所述多个区块自所述承载基板框架释放。
13. 如权利要求12所述的制造集成电路封装件的方法，其中将所述多个区块固持于承载所述基板框架的相应承载位置包含在所述第二注塑壳体所在侧使用黏胶带将所述多个区块与所述承载基板框架固定为一体。”
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2019年05月10日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，其中将原从属权利要求4的附加技术特征加入原权利要求1中，将原从属权利要求12的附加技术特征加入原权利要求7中，并做了适应性修改。复审请求人认为：（1）对比文件4中的导电柱02的底部最后并没有在塑封体05的底部暴漏出来，不可能公开本申请独立权利要求7中的技术特征“最后研磨第二注塑壳体的底部以暴露出导通柱的底部”，对比文件4仍然是单面封装形式。（2）对比文件3的导电柱尺寸比本申请公开的导电柱尺寸大很多，本申请所限定的技术方案预先形成了导通柱，这样使得导通柱的尺寸更易控制，进而在实现功能多样化的复杂集成电路封装件时亦可以有效的控制产品的尺寸，满足电子产品日趋功能强大而尺寸缩小的需求。对比文件3中的导电柱30的尺寸不能有效的控制。
复审请求时新修改的独立权利要求1和6如下：
“1. 一种集成电路封装件，其包含：
承载元件，其选自封装基板与导线框架中一者，所述承载元件具有相对的第一承载面及第二承载面；
至少一第一集成电路元件，设置于所述承载元件的第一承载面；
第一注塑壳体，设置于所述承载元件的第一承载面且塑封所述第一集成电路元件；
至少一第二集成电路元件，设置于所述承载元件的第二承载面；
若干导通柱，设置于所述承载元件的第二承载面且经配置以与所述第一集成电路元件及所述第二集成电路元件电连接；及
第二注塑壳体，设置于所述承载元件的第二承载面且塑封所述第二集成电路元件与所述若干导通柱，其中所述导通柱远离所述第二承载面的底部暴露于所述第二注塑壳体外；
其中所述导通柱的最小平面尺寸为250um*250um，最低高度为170um。
6. 一种制造集成电路封装件的方法，其包含：
提供一承载元件，其选自封装基板与导线框架中一者，所述承载元件具有相对的第一承载面及第二承载面，且所述第二承载面上设有若干导通柱；
将多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面，其包含注塑形成 塑封所述第二集成电路元件与所述导通柱的第二注塑壳体；
将多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面，其包含注塑形成塑封所述第一集成电路元件的第一注塑壳体；
研磨所述第二注塑壳体的底面以暴露所述导通柱远离所述第二承载面的底部；以及
对所暴露的所述导通柱的底部作抗氧化处理；
其中在将所述多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面后将所封装的中间品分为多个区块，所述多个区块中每一者包含多个封装单元；
将所述多个区块放置并固持于承载基板框架的相应承载位置；及
在将所述多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面后将所述多个区块自所述承载基板框架释放。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，（1）申请人将权利要求4的附加技术特征增加到了权利要求1，将权利要求12的附加技术特征增加到了权利要求7中。（2）申请人认为对比文件3中的金属柱30的高度在500-100um之间，而本申请的导通柱18的高度为170um，申请人认为本申请是预先形成导通柱，使得导通柱的尺寸容易控制。审查员认为，金属柱的高度是根据封装的需要具体设定，例如，芯片的高度，只要保证导通柱可以露出到封装外即可，至于申请人认为的预先形成导通柱，该方法已经被对比文件4公开。（3）申请人认为对比文件4中，导电柱02的底部最后并没有在塑封体05的底面露出来。审查员认为，首先，在对比文件4中，参见说明书第[0077]段及附图3d，研磨塑封体05以露出导电柱02，可见，该技术特征已经被对比文件4公开，其次，申请人认为对比文件4中的导电柱最后未露出塑封体，由于在对比文件3中，导电柱最后是需要露出塑封体，引用对比文件4的目的是为了解决如何形成导电柱的问题，其是否需要露出塑封体的问题在对比文件3中已经解决。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月02日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-5不具有专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年08月19日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，其中删除了权利要求1-5项，并进行了重新编号，复审请求人认为：对比文件1-3没有公开独立权利要求6中所公开的“在形成第二注塑壳体之前设置导通柱，最后研磨第二注塑壳体的底面以暴露出导通柱的底部”，以及“其中在将所述多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面后将所封装的中间品分为多个区块，所述多个区块中每一者包含多个封装单元；将所述多个区块放置并固持于承载基板框架的相应承载位置；及在将所述多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面后将所述多个区块自所述承载基板框架释放”，上述区别技术特征也不是公知常识。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年08月19日提交复审无效宣告程序意见陈述书时修改了权利要求书。经审查，该修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本次复审决定所依据的审查文本是：复审请求人于2019年08月19日提交的权利要求第1-6项，2016年01月25日提交的说明书第1-31段、说明书摘要；2016年03月14日提交的说明书附图图1-3e、摘要附图。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别技术特征，且该区别技术特征没有被其它现有技术公开，其也不是本领域的公知常识，并且该区别技术特征的引入使得要求保护的技术方案能够产生有益的技术效果，则该权利要求具备创造性。
在本复审决定中引用原审查部门在驳回决定中所引用的对比文件1-5作为现有技术，即：
对比文件1：CN104051407A，公开日为2014年09月17日；
对比文件2：CN105070710A，公开日为2015年11月18日；
对比文件3：CN102709260A，公开日为2012年10月03日。
对比文件4：CN104779220A，公开日为2015年07月15日；
对比文件5：CN1300845C，公开日为2007年02月14日。
权利要求1要求保护一种制造集成电路封装件的方法，对比文件3公开了一种半导体封装构造及相应的制造方法，其中包括基板10（即“封装基板”，也即“承载元件”），基板10具有一第一表面11(即第二承载面)及一第二表面12(即第一承载面)，芯片20、50（即“多个第二集成电路元件”）固设于所述第一表面11上，导电柱30电性连接于所述第一表面11，且设置于所述基板10的四周而环绕所述芯片20，导电柱30作为数个电性输出端子，必然与集成电路元件电连接。半导体封装构造100还包含芯片60、无源组件90（即多个第一集成电路元件）设置在第二表面12。封胶层40披覆于所述第一表面11上，用以完全包覆芯片20、覆盖裸露出的所述第一表面11，并包覆所述导电柱30，导电柱30是略高于所述封胶层40，以使所述导电柱30的端部能突出于所述封胶层40的表面。
该权利要求1与对比文件3的区别在于：（1）注塑形成塑封所述第一集成电路元件的第一注塑壳体；（2）研磨所述第二注塑壳体的底面以暴露所述导通柱远离所述第二承载面的底部；以及对所暴露的所述导通柱的底部作抗氧化处理；承载元件还可以是导线框架；（3）其中在将所述多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面后将所封装的中间品分为多个区块，所述多个区块中每一者包含多个封装单元；将所述多个区块放置并固持于承载基板框架的相应承载位置；及在将所述多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面后将所述多个区块自所述承载基板框架释放。基于上述区别技术特征，该权利要求1实际要解决的技术问题是如何形成并保护电连接装置和电路元件，以及如何形成封装体。
对于区别技术特征（1），注塑形成壳体塑封集成电路元件是元器件领域的惯用手段，属于公知常识。对于区别技术特征（2），对比文件4公开了一种集成电路封装结构（参见说明书第[0057]-[0087]段，附图3a-3f），其中制备方法包括在引线框架（即是承载元件）的引脚上形成导电柱02，注塑形成塑封第一芯片03和导电柱02的注塑壳体05，研磨塑封壳体05的表面以裸露出导电柱02。另外，为了保护导电柱，对其进行抗氧化处理也是本领域的惯用手段，是公知常识。
对于区别技术特征（3），对比文件5公开了一种集成电路封装件，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第12页最后一段至第15页第一段，附图1-6）：将引线框架120放置并固持在基材111上，将多个半导体元件130封装于引线框架120的上面后，将粘合薄片110剥离，得到配置了多个QFN150的QFN单元。
可见，对比文件5没有公开“在将所述多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面后将所封装的中间品分为多个区块”，以及“在将所述多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面后将所述多个区块自所述承载基板框架释放”。同样，对比文件1-4都没有公开上述区别技术特征，这样的方式也不是本领域的公知常识。基于此方式，可以起到“避免第一次注塑处理可能造成的承载元件框架条翘曲对第二次注塑处理的影响”的有益效果。因此权利要求1相对于对比文件3、对比文件4和对比文件5以及公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而权利要求1具有专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-6从属于权利要求1，在权利要求1具有创造性的情况下，权利要求2-6相对于对比文件3、对比文件4和对比文件5以及公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而权利要求2-6具有专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于驳回决定和前置审查意见
由于对比文件5没有公开“在将所述多个第二集成电路元件封装于所述承载元件的第二承载面后将所封装的中间品分为多个区块”，以及“在将所述多个第一集成电路元件封装于所述承载元件的第一承载面后将所述多个区块自所述承载基板框架释放”的技术特征，也即无法给出在完成第一次注塑处理后对封装的中间品进行分区作业，最后再封装的启示。本领域技术人员没有动机将上述对比文件给予结合。
至于本申请是否存在其他不符合专利法及其实施细则的缺陷，留待原审查部门做进一步审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年02月02日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础上对本申请继续进行审查：2019年08月19日提交的权利要求第1-6项，2016年01月25日提交的说明书第1-31段、说明书摘要；2016年03月14日提交的说明书附图图1-3e、摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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