发明创造名称：在OLB区绑定引脚的方法
外观设计名称：
决定号：194197
决定日：2019-10-30
委内编号：1F271399
优先权日：
申请（专利）号：201610250792.7
申请日：2016-04-20
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘燕梅
合议组组长：刘章鹏
参审员：朱艳艳
国际分类号：G02F1/1345
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征属于本领域中常用的技术手段，且没有带来预料不到的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610250792.7，名称为“在OLB区绑定引脚的方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为深圳市华星光电技术有限公司。本申请的申请日为2016年04月20日，公开日为2016年07月06日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月01日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求第1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请日2016年04月20日提交的权利要求1-10、说明书第1-53段、说明书附图1-8、说明书摘要和摘要附图。驳回决定中引用了如下2篇对比文件：
对比文件1：CN101442060A，公开日期为2009年05月27日,
对比文件2：CN104142588A，公开日期为2014年11月12日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括显示区、及OLB区；
所述OLB区包括衬底基板(11)、形成于衬底基板(11)上的数个并列排布的第一引脚(12)、形成于所述衬底基板(11)及数个第一引脚(12)上的栅极绝缘层(13)、形成于所述栅极绝缘层(13)上的与数个第一引脚(12)相对设置的数个第二引脚(14)、及形成于所述栅极绝缘层(13)及数个第二引脚(14)上的钝化层(15)；
步骤2、在所述TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层(16)；
步骤3、在所述平坦化层(16)、钝化层(15)、及栅极绝缘层(13)上对应每一第一引脚(12)的上方形成至少一个第一过孔(51)，在所述平坦化层(16)及钝化层(15)上对应每一第二引脚(14)的上方形成至少一个第二过孔(52)；
步骤4、在所述平坦化层(16)上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理，得到对应数个第一引脚(12)及数个第二引脚(14)的数个连接导线(17)，每一连接导线(17)通过第一过孔(51)与对应的第一引脚(12)相连接，通过第二过孔(52)与对应的第二引脚(14)相连接，从而将相对应的第一引脚(12)与第二引脚(14)相连接。
2. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤2中形成的有机膜为光阻材料。
3. 如权利要求2所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5μm。
4. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3中对应每一第一引脚(12)的上方形成一个第一过孔(51)，对应每一第二引脚(14)的上方形成一个第二过孔(52)。
5. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3中对应每一第一引脚(12)的上方形成两个第一过孔(51)，对应每一第二引脚(14)的上方形成两个第二过孔(52)。
6. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(13)及钝化层(15)的材料均为氮化硅。
7. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3具体包括以下实施步骤：
步骤31、提供一光罩，所述光罩包括分别对应数个第一过孔(51)及数个第二过孔(52)的第一图案及第二图案，利用该光罩对所述平坦化层(16)进行曝光、显影，对应所述第一图案及第二图案在所述平坦化层(16)上形成数个有机膜过孔；
步骤32、以平坦化层(16)为遮蔽层，对所述栅极绝缘层(13)及钝化层(15)进行蚀刻，得到第一过孔(51)及第二过孔(52)。
8. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤4中形成的导电层的材料为ITO。
9. 如权利要求8所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤4对所述导电层进行图案化处理包括采用湿法蚀刻制程对所述导电层进行蚀刻。
10. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述连接导线(17)用于连接覆晶薄膜芯片。”
驳回决定中指出：独立权利要求1与对比文件1公开的内容相比，区别在于：连接导线通过对导电层进行图案化处理得到。上述区别技术特征属于本领域的常用技术手段，因此权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或是本领域的常规技术手段，因此权利要求2-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人深圳市华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月16日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，其中将原从属权利要求2、3、8、9的附加技术特征加入权利要求1中形成新的独立权利要求1，并适应修改了权利要求的编号。
复审请求人认为：（1）本申请是在TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层，并且给出了形成平坦化层的方式，限定了有机膜为光阻材料。在平坦化层上形成材料为ITO的导电层，再对导电层进行湿法蚀刻图案化处理，得到数个连接导线，而对比文件1中未公开采用涂布有机膜得到平坦化层，也不是在TFT基板上，而是形成在绝缘层上，并且也未公开平坦化层采用何种材料，对比文件1中只是给出了在平坦化层上形成多个第一接垫电极，并未公开先形成导电层，再图案化处理。（2）对比文件1与本申请在绑定引脚的方法及细节上有很大不同，技术效果也不一样。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括显示区、及OLB区；
所述OLB区包括衬底基板(11)、形成于衬底基板(11)上的数个并列排布的第一引脚(12)、形成于所述衬底基板(11)及数个第一引脚(12)上的栅极绝缘层(13)、形成于所述栅极绝缘层(13)上的与数个第一引脚(12)相对设置的数个第二引脚(14)、及形成于所述栅极绝缘层(13)及数个第二引脚(14)上的钝化层(15)；
步骤2、在所述TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层(16)；
步骤3、在所述平坦化层(16)、钝化层(15)、及栅极绝缘层(13)上对应每一第一引脚(12)的上方形成至少一个第一过孔(51)，在所述平坦化层(16)及钝化层(15)上对应每一第二引脚(14)的上方形成至少一个第二过孔(52)；
步骤4、在所述平坦化层(16)上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理，得到对应数个第一引脚(12)及数个第二引脚(14)的数个连接导线(17)，每一连接导线(17)通过第一过孔(51)与对应的第一引脚(12)相连接，通过第二过孔(52)与对应的第二引脚(14)相连接，从而将相对应的第一引脚(12)与第二引脚(14)相连接；
所述步骤2中形成的有机膜为光阻材料；
所述步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5μm；
所述步骤4中形成的导电层的材料为ITO；
所述步骤4对所述导电层进行图案化处理包括采用湿法蚀刻制程对所述导电层进行蚀刻。
2. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3中对应每一第一引脚(12)的上方形成一个第一过孔(51)，对应每一第二引脚(14)的上方形成一个第二过孔(52)。
3. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3中对应每一第一引脚(12)的上方形成两个第一过孔(51)，对应每一第二引脚(14)的上方形成两个第二过孔(52)。
4. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述栅极绝缘层(13)及钝化层(15)的材料均为氮化硅。
5. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3具体包括以下实施步骤：
步骤31、提供一光罩，所述光罩包括分别对应数个第一过孔(51)及数个第二过孔(52)的第一图案及第二图案，利用该光罩对所述平坦化层(16)进行曝光、显影，对应所述第一图案及第二图案在所述平坦化层(16)上形成数个有机膜过孔；
步骤32、以平坦化层(16)为遮蔽层，对所述栅极绝缘层(13)及钝化层(15)进行蚀刻，得到第一过孔(51)及第二过孔(52)。
6. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述连接导线(17)用于连接覆晶薄膜芯片。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月06日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1相对于对比文件1的区别为：（1）步骤2中涂布形成的有机膜为光阻材料；所述步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5微米；步骤4中形成的导电层的材料为ITO；（2）在所述平坦化层上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理；步骤4对所述导电层进行图案化处理包括采用湿法蚀刻制程对所述导电层进行蚀刻。上述区别技术特征均属于本领域的公知常识，因此独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-6的附加技术特征或被对比文件1所公开，或是本领域常用的技术手段，因此权利要求2-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年08月19日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，其中将原从属权利要求4-6的附加技术特征加入权利要求1中形成新的独立权利要求1，并删除权利要求4-6。修改后的权利要求书共3项权利要求。
修改后的权利要求书如下：
“1. 一种在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括显示区、及OLB区；
所述OLB区包括衬底基板(11)、形成于衬底基板(11)上的数个并列排布的第一引脚(12)、形成于所述衬底基板(11)及数个第一引脚(12)上的栅极绝缘层(13)、形成于所述栅极绝缘层(13)上的与数个第一引脚(12)相对设置的数个第二引脚(14)、及形成于所述栅极绝缘层(13)及数个第二引脚(14)上的钝化层(15)；
步骤2、在所述TFT基板上涂布形成一层有机膜，得到平坦化层(16)；
步骤3、在所述平坦化层(16)、钝化层(15)、及栅极绝缘层(13)上对应每一第一引脚(12)的上方形成至少一个第一过孔(51)，在所述平坦化层(16)及钝化层(15)上对应每一第二引脚(14)的上方形成至少一个第二过孔(52)；
步骤4、在所述平坦化层(16)上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理，得到对应数个第一引脚(12)及数个第二引脚(14)的数个连接导线(17)，每一连接导线(17)通过第一过孔(51)与对应的第一引脚(12)相连接，通过第二过孔(52)与对应的第二引脚(14)相连接，从而将相对应的第一引脚(12)与第二引脚(14)相连接；
所述步骤2中形成的有机膜为光阻材料；
所述步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5μm；
所述步骤4中形成的导电层的材料为ITO；
所述步骤4对所述导电层进行图案化处理包括采用湿法蚀刻制程对所述导电层进行蚀刻；
所述栅极绝缘层(13)及钝化层(15)的材料均为氮化硅；
所述步骤3具体包括以下实施步骤：
步骤31、提供一光罩，所述光罩包括分别对应数个第一过孔(51)及数个第二过孔(52)的第一图案及第二图案，利用该光罩对所述平坦化层 (16)进行曝光、显影，对应所述第一图案及第二图案在所述平坦化层(16)上形成数个有机膜过孔；
步骤32、以平坦化层(16)为遮蔽层，对所述栅极绝缘层(13)及钝化层(15)进行蚀刻，得到第一过孔(51)及第二过孔(52)；
所述连接导线(17)用于连接覆晶薄膜芯片。
2. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3中对应每一第一引脚(12)的上方形成一个第一过孔(51)，对应每一第二引脚(14)的上方形成一个第二过孔(52)。
3. 如权利要求1所述的在OLB区绑定引脚的方法，其特征在于，所述步骤3中对应每一第一引脚(12)的上方形成两个第一过孔(51)，对应每一第二引脚(14)的上方形成两个第二过孔(52)。”
复审请求人在意见陈述中认为：（1）对比文件1中仅公开了半调掩膜技术图案化有机平坦层，没有公开其具体的详细步骤；而本申请中通过提供一光罩，光罩包括第一、第二图案，并以平坦化层为遮蔽层，对栅极绝缘层及钝化层进行蚀刻，得到第一过孔和第二过孔；对比文件1中没有公开栅绝缘层GI和绝缘层的材料以及形成有机平坦层的材料及方式，仅给出了平坦化层上形成多个第一接垫电极，并未公开关于导电层的材料及图案化处理的具体方法，而本申请中详细具体的给出了形成平坦化层的方式，并限定了平坦化层的有机膜为光阻材料；详细说明了导电层的材料以及处理方法。（2）对比文件1中公开了第一接垫130a与第二接垫130b于基板110的非显示区114中彼此交错配置并属于不同膜层，且第一接垫130a与第二接垫130b可直接与芯片C相连，而第一接垫电极170a电连接至第一接垫130a，那么第一接垫170a没有必要再用用连接芯片C，附图2D中只能看出，芯片C设置在非显示区114中的第一接垫电极170a和第二接垫电极170b上方，无法确定第一接垫电极170a与芯片C连接。因此无法从对比文件1中得到“连接导线用于连接覆晶薄膜芯片”的启示。并且对比文件1与本申请的解决的技术问题和技术效果不同，从而在绑定引脚的方法及细节上不同，效果也不同。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人先后于2019年08月19日、2019年01月16日提交了权利要求书全文修改替换页，经审查，其中所作的修改均符合专利法第33条的规定和专利法实施细则第61条的规定。因此，本复审决定是以申请日2016年04月20日提交的说明书第1-53段、说明书附图1-8、说明书摘要和摘要附图；复审请求人于2019年08月19日提交的权利要求第1-3项为基础作出的。
（二）关于专利法第22条第3款
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而这些区别技术特征属于本领域中常用的技术手段，且没有带来预料不到的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案：
1.独立权利要求1请求保护一种在OLB区绑定引脚的方法，对比文件1（参见说明书第8页第6行至第14页第18行，附图2A-3H）公开了一种像素阵列及其制造方法，像素阵列100的制造方法，包括提供一基板110。基板110具有一显示区112以及一非显示区114（参见说明书第11页最后一段）。同时在基板110的显示区112中形成多条扫描线SL与多个栅极G，并且在基板110的非显示区114中形成多条第一配线140a以及与第一配线140a连接的多个第一接垫130a（说明书第12页第2段）；接着，形成一栅绝缘层GI以覆盖显示区112的栅极G以及非显示区114的第一接垫130a与第一配线140a（说明书第12页第3段）；在基板110的非显示区114中形成多条第一接线190a，第一接线190a与第一接垫130a因属于不同的膜层，因此目前尚未有电连接的关系（说明书第12页第3段）。接着，在基板110上形成一绝缘层150，其中绝缘层150显示区112的覆盖数据线DL、扫描线SL、主动元件120以及非显示区114的第一接垫130a、第二接垫130b、第一配线140a以及第二配线140b（说明书第13页第3段）；接着，在绝缘层150上形成一有机平坦层160。请参考图 3F，接着，图案化有机平坦层160，以于有机平坦层160中形成多个第一开口162、多个第二开口164、多个第三开口166以及多个第四开口168，图案化有机平坦层160的方法例如是通过半调掩膜技术(half-tone mask)来达成（说明书第13页第4段）。接着，以有机平坦层160作为刻蚀掩膜刻蚀绝缘层150，以形成多个第一接触开口162a、多个第二接触开口164a、多个第三接触开口166a以及多个第四接触开口168a。详细而言，第一接触开口162a暴露出第一接垫130a，第四接触开口168a暴露出第一接线190a（说明书第14页第2段）。在非显示区114的有机平坦层160上形成多个第一接垫电极170a以及多个第二接垫电极170b，第一接垫电极170a通过第一接触开口162a而与第一接垫130a电连接，第一接垫电极170a更通过第四接触开口168a 而与第一接线190a电连接，第一接垫130a可通过第四接触开口168a的转线使其与位于不同膜层的第一接线190a电连接（说明书第14页第3段）。第一接垫130a与第二接垫130b于基板110的非显示区114中彼此交错配置并且属于不同膜层，且第一接垫130a与第二接垫130b可直接与芯片C相连。因此当芯片进行重工接合时即使接垫电极发生断线问题，也不会影响接垫与芯片之间的电连接（参见说明书第15页第2-3段）。
经过分析对比可知，对比文件1中基板110具有一显示区112以及一非显示区114，其中非显示区对应于权利要求1中的OBL区；在基板110的非显示区114中形成多条第一配线140a以及与第一配线140a连接的多个第一接垫130a，附图2B中可以看出，多个第一接垫130a并列排布，因此第一接垫130a对应于权利要求1中的第一引脚，即对应公开了权利要求1中特征“形成于衬底基板上的数个并列排布的第一引脚”；形成一栅绝缘层GI以覆盖显示区112的栅极G以及非显示区114的第一接垫130a，对应公开了权利要求1中的特征“形成于所述衬底基板及数个第一引脚上的栅极绝缘层”；在基板110的非显示区114中形成多条第一接线190a，第一接线190a与第一接垫130a属于不同的膜层，且附图3C中可以看出，第一接线190a设置于栅绝缘层GI上并且与第一接垫130a相对应，因此对应公开了权利要求1的特征“形成栅极绝缘层上的数个第一引脚相对设置的数个第二引脚”；在基板110上形成一绝缘层150，其中绝缘层150显示区112的覆盖数据线DL、扫描线SL、主动元件120以及非显示区114的第一接垫130a、第二接垫130b、第一配线140a以及第二配线140b，且附图3D可以看出，绝缘层150形成在第一接线190a上，因此对应公开了权利要求1中的特征“形成于所述栅极绝缘层及数个引脚上的钝化层”；在绝缘层150上形成一有机平坦层160，对应于“在TFT基板上形成一层有机膜，得到平坦化层”；图案化有机平坦层160，以于有机平坦层160中形成多个第一开口162、多个第四开口168，图案化有机平坦层160的方法例如是通过半调掩膜技术(half-tone mask)来达成，也就是说，通过半调掩膜在平坦化层上形成第一开口162和第四开口168，因此半调掩膜上必然在对应于第一开口和第四开口的位置处设置有第一图案和第二图案；以有机平坦层160作为刻蚀掩膜刻蚀绝缘层150，以形成多个第一接触开口162a、多个第四接触开口168a，第一接触开口162a暴露出第一接垫130a，第四接触开口168a暴露出第一接线190a，因此对应公开了权利要求1中的特征“在所述平坦化层、钝化层、栅极绝缘层上对应每一第一引脚的上方形成至少一个第一过孔，在所述平坦化层及钝化层上对应每一第二引脚的上方形成至少一个第二过孔；提供一光罩，所述光罩包括分别对应数个第一过孔及数个第二过孔的第一图案及第二图案，利用该光罩对所述平坦化层进行曝光、显影，对应所述第一图案及第二图案在所述平坦化层上形成数个有机膜过孔；以平坦化层为遮蔽层，对栅极绝缘层及钝化层进行蚀刻，得到第一过孔及第二过孔”；在非显示区114的有机平坦层160上形成多个第一接垫电极170a，第一接垫电极170a通过第一接触开口162a而与第一接垫130a电连接，第一接垫电极170a更通过第四接触开口168a而与第一接线190a电连接，第一接垫130a可通过第四接触开口168a的转线使其与位于不同膜层的第一接线190a电连接，其中第一接垫电极170a相当于权利要求1中的连接导线，即对应公开了权利要求1中的特征“每一连接导线通过第一过孔与对应的第一引脚相连接，通过第二过孔与对应的第二引脚相连接，从而将相对应的第一引脚与第二引脚相连接”。对比文件1中的第一接垫130a与第二接垫130b于基板110的非显示区114中彼此交错配置并且属于不同膜层，且第一接垫130a与第二接垫130b可直接与芯片C相连。因此当芯片进行重工接合时即使接垫电极（第一接垫电极170a）发生断线问题，也不会影响接垫（第一接垫130a）与芯片之间的电连接。也就是说，接垫电极是电连接至芯片的，即对应公开了权利要求1中的特征“连接导线用于连接芯片”。
因此，权利要求1与对比文件1的区别为：（1）步骤2中涂布形成的有机膜为光阻材料；所述步骤2中形成的有机膜的厚度为1.5-3.5微米；步骤4中形成的导电层的材料为ITO；（2）在所述平坦化层上形成导电层，对所述导电层进行图案化处理；步骤4对所述导电层进行图案化处理包括采用湿法蚀刻制程对所述导电层进行蚀刻；（3）栅极绝缘层及钝化层的材料均为氮化硅；（4）芯片为覆晶薄膜芯片。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1相对于对比文件1实际解决的技术问题是：如何对导电层图案化、采用何种材料制成有机膜、导电层和绝缘层。
对于上述区别技术特征（1），在该技术领域中，有机光阻材料是形成一种常见的材料，在制作钝化层或平坦化层时通常选择使用有机光阻材料，并通过涂布的方式形成，将有机膜的厚度设置为1.5-3.5微米是本领域技术人员根据实际需要进行的常规选择；ITO也是一种常用制成面板中电极或导电层的材料，因此上述特征属于本领域的公知常识。
对于上述区别技术特征（2），在该技术领域中，在基板的制作过程中为了使导电层具有特定的形状或图案而对其进行图案化处理是常用的方式，而湿法蚀刻也是蚀刻方式中常见的一种，因此选择湿法蚀刻对ITO膜进行蚀刻来形成导电层的图案，对本领域的技术人员来说是容易想到的。
对于上述区别技术特征（3），对本领域的技术人员来说，氮化硅是本领域中常用的用于制作绝缘层和钝化层的材料，因此该区别技术特征属于本领域的公知常识。
对于上述区别技术特征（4），覆晶薄膜芯片是该领域中常用的一种芯片，在液晶显示装置选择使用覆晶薄膜芯片是常规的设置。
因此权利要求1请求保护的技术方案相对于对比文件1和本领域常用的技术手段的结合，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3条规定的创造性。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件1中已经公开了图案化有机平坦层160，以于有机平坦层160中形成多个第一开口162、多个第四开口168，图案化有机平坦层160的方法例如是通过半调掩膜技术(half-tone mask)来达成（参见说明书第13页第4段），也就是说，通过半调掩膜在平坦化层上形成第一开口162和第四开口168，因此半调掩膜上必然在对应于第一开口和第四开口的位置处设置有第一图案和第二图案；对比文件1中还公开了以有机平坦层160作为刻蚀掩膜刻蚀绝缘层150，以形成多个第一接触开口162a、多个第四接触开口168a，第一接触开口162a暴露出第一接垫130a，第四接触开口168a暴露出第一接线190a（参见说明书第14页第2段）。在液晶显示面板的制造领域中，通过涂布形成平坦化层是常用的方式，而光阻材料属于比较公知的有机材料，使用光阻材料制作平坦化层以及氮化硅制作绝缘层也是该技术领域常用的技术手段。对比文件1中虽然未明确记载使用ITO先形成导电层，再图案化后形成第一接垫电极，但ITO是一种常见的用于制作电极的导电材料，并且在电极的制作过程中，常用的方式是在表面形成电极层，再根据具体所需要的电极形状对其进行图案化处理，而湿法蚀刻与干法蚀刻等也都是本领域典型常用的蚀刻方式，因此先使用ITO材料形成导电层再选择采用湿法蚀刻来形成具体的电极或导线形状对本领域的技术人员来说是显而易见的。
（2）对比文件1中的第一接垫130a与第二接垫130b于基板110的非显示区114中彼此交错配置并且属于不同膜层，且第一接垫130a与第二接垫130b可直接与芯片C相连。因此当芯片进行重工接合时即使接垫电极（第一接垫电极170a）发生断线问题，也不会影响接垫（第一接垫130a）与芯片之间的电连接。也就是说，接垫电极是电连接至芯片的。对比文件1中是通过将第一接垫130a和第二接垫130b连接至芯片，来增强芯片的接合良率。对比文件1公开了第一接垫电极将位于不同层的相对应的第一接垫和第一接线通过过孔电连接的绑定方式，其对应于每一第一接垫和每一第一接线处都形成有过孔，而非整个区域形成大面积的开口，并且第一接垫电极覆盖了连接过孔，因此能够解决与本申请同样的技术问题，并达到相同的技术效果。因此，对于复审请求人的意见不予支持。
2.权利要求2引用权利要求1，其附加技术特征已被对比文件1所公开（参见说明书第8页第6行至第14页第18行，附图2A-3H），因此当引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.权利要求3引用权利要求1，对比文件2公开了一种液晶显示面板（参见说明书第19、36-45段，附图6-9），其中显示单元20的栅极引线50包括第一金属层50a和第二金属层50b，第一金属层50a和第二金属层5b之间由第二绝缘图案层70b隔离。设置于第一绝缘图案层70a中的过孔结构80包括第一过孔区域81和第二过孔区域82；金属引线90通过第一过孔区域81与第一金属层50a连接，金属引线90通过第二过孔区域82与第二金属层50b连接。附图7示出，第一过孔区域81具有多个子过孔83a，第二过孔区域82具有与第一过孔区域81相同数量的子过孔83b。对比文件2中通过设置过孔结构的接触面积，调整COF封装单元的输出引线与显示单元的栅极引线的连接部分的电阻值，在对比文件2给出的技术启示下，为了减小电阻而将对比文件1中设置多个过孔对本领域的技术人员来说是显而易见的。因此权利要求3相对于对比文件1、2以及本领域常规手段的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-3均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月01日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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