发明创造名称：X射线平板探测器及其制备方法
外观设计名称：
决定号：193721
决定日：2019-10-30
委内编号：1F270839
优先权日：
申请（专利）号：201710099045.2
申请日：2017-02-23
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：孙重清
合议组组长：王鹏
参审员：杨万里
国际分类号：H01L31/08;H01L31/18
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，而其余的区别技术特征属于本领域的常规技术手段，且现有技术中已经给出将上述多个区别技术特征结合到最接近的现有技术的对比文件中以解决相应技术问题的技术启示，则该权利要求相对于上述现有技术的结合是显而易见的，其不具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201710099045.2，名称为“X射线平板探测器及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司。本申请的申请日为2017年02月23日，公开日为2017年06月13日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月25日发出驳回决定，以本申请不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定中引用了两篇对比文件：
对比文件1：CN101494256A，公开日为2009年07月29日；
对比文件2：CN105405857A，公开日为2016年03月16日。
驳回理由具体为：
权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为：（1）通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；（2）驱动电极与感测电极设在同一层。对于区别技术特征（1），对比文件2公开了图像传感器中通过量子点薄膜吸收入射光并将入射光转换成电荷，另外本领域技术人员将量子点薄膜应用于入射光为可见光的情况属于常规技术手段；区别技术特征（2）是常规技术手段。因此，权利要求1相对于对比文件1和对比文件2、本领域的公知常识的结合对于本领域技术人员来说是显而易见的，其不具备创造性。从属权利要求2、3的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分属于常规技术手段；从属权利要求4-7的附加技术特征属于常规技术手段或常规设定。因此，从属权利要求2-7不具备创造性。
权利要求8要求保护一种X射线成像系统，包括如权利要求1-7任一所述X射线平板探测器。对比文件1公开了一种X射线成像系统。因此，权利要求8相对于对比文件1和对比文件2、本领域的公知常识的结合对于本领域技术人员来说是显而易见的，其不具备创造性。
另外，在驳回决定中的其他说明部分：
权利要求9相对于对比文件1的区别技术特征为：（1）通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；（2）驱动电极与感测电极设在同一层。对于区别技术特征（1），对比文件2公开了图像传感器中通过量子点薄膜吸收入射光并将入射光转换成电荷，另外本领域技术人员将量子点薄膜应用于入射光为可见光的情况属于常规技术手段；区别技术特征（2）是常规技术手段。因此，权利要求9相对于对比文件1和对比文件2、本领域的公知常识的结合对于本领域技术人员来说是显而易见的，其不具备创造性。
从属权利要求10的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分属于常规技术手段；从属权利要求11的附加技术特征属于常规技术手段。因此，从属权利要求10-11不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2017年02月23日提交的说明书第1-67段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图，2018年08月20日提交的权利要求书第1-11项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底上，用于输出感测信号；
绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；
感光器件，设置在所述绝缘层上，与所述薄膜晶体管竖行设置，用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；所述感光器件包括感测电极和驱动电极，所述驱动电极与所述感测电极设置在同一层；
闪烁层，设置在所述感光器件上，用于将X射线转换为可见光。
2. 根据权利要求1所述的X射线平板探测器，其特征在于，
所述感测电极，设置在所述绝缘层上，与所述薄膜晶体管的漏电极连接，用于感测电荷载流子并生成感测信号；
所述感光器件还包括：
复合绝缘层，覆盖所述感测电极；
量子点薄膜，设置在所述复合绝缘层上，用于吸收可见光并转换成电荷载流子。
3. 根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述感光器件还包括金属引线。
4. 根据权利要求3所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述金属引线与所述感测电极设置在同一层。
5. 根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述量子点薄膜为碲化镉薄膜或碲化镉/硫化镉薄膜，厚度为100～300nm。
6. 根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述闪烁层为碘化铯闪烁层，采用柱状排列的晶体阵列，厚度为400～600um。
7. 根据权利要求2所述的X射线平板探测器，其特征在于，所述复合 绝缘层为有机无机复合绝缘层，厚度为100～300nm。
8. 一种X射线成像系统，其特征在于，包括如权利要求1～7任一所述的X射线平板探测器。
9. 一种X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上制备薄膜晶体管及绝缘层；
在所述绝缘层上制备感光器件，所述感光器件与所述薄膜晶体管竖行设置，用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；所述感光器件包括感测电极和驱动电极，所述驱动电极与所述感测电极设置在同一层；
在所述感光器件上制备闪烁层。
10. 根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上制备感光器件包括：
通过构图工艺在绝缘层上制备感测电极和驱动电极，感测电极与薄膜晶体管的漏电极连接；
制备复合绝缘层和量子点薄膜。
11. 根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述复合绝缘层为有机无机复合绝缘层，厚度为100～300nm；所述量子点薄膜为碲化镉薄膜或碲化镉/硫化镉薄膜，厚度为100～300nm；所述闪烁层为碘化铯闪烁层，采用柱状排列的晶体阵列，厚度为400～600um。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月10日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，其中将原权利要求2的附加技术特征增加到原权利要求1，将原权利要求9的附加技术特征增加到原权利要求8，并同时修改了引用关系及权利要求顺序编号。复审请求人认为：与对比文件1相比，本申请权利要求1至少包括三个区别技术特征：（1）感光器件的驱动电极与感测电极设置在同一层；（2）感光器件用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；（3）感光器件还包括复合绝缘层，复合绝缘层覆盖感测电极，量子点薄膜设置在复合绝缘层上，用于吸收可见光并转换成电荷载流子。对比文件2也没有公开上述区别技术特征，并且上述区别技术特征也不是本领域的常规技术手段。
复审请求时新修改的权利要求1、8如下：
“1. 一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底上，用于输出感测信号；
绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；
感光器件，设置在所述绝缘层上，与所述薄膜晶体管竖行设置，用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；所述感光器件包括感测电极、驱动电极、复合绝缘层和量子点薄膜，所述感测电极设置在所述绝缘层上，与所述薄膜晶体管的漏电极连接，用于感测电荷载流子并生成感测信号；所述驱动电极与所述感测电极设置在同一层；所述复合绝缘层覆盖所述感测电极；所述量子点薄膜设置在所述复合绝缘层上，用于吸收可见光并转换成电荷载流子；
闪烁层，设置在所述感光器件上，用于将X射线转换为可见光。
8. 一种X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上制备薄膜晶体管及绝缘层；
在所述绝缘层上制备感光器件，所述感光器件与所述薄膜晶体管竖行设置，用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；所述感光器件包括感测电极和驱动电极，所述驱动电极与所述感测电极设置在同一层；所述在所述绝缘层上制备感光器件包括：通过构图工艺在绝缘层上制备感测电极和驱动电极，感测电极与薄膜晶体管的漏电极连接；制备复合绝缘层和量子点薄膜；
在所述感光器件上制备闪烁层。 ”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：
虽然对比文件1的确是提出了“利用富硅介电材料当作感光材料”的技术手段，以节省工艺步骤及时间，但对比文件1亦公开了（参见说明书第3页第22行至第10页第15行、附图1-13）“感光元件26（相当于本发明的感光器件）与薄膜晶体管24竖行设置”，即公开了感光器件与薄膜晶体管竖行设置的技术手段，同样可以起到了使得感光面积的增大不受薄膜晶体管的限制，可以使感光面积与闪烁层及像素区域的面积相同，从而可以最大限度地提高探测效率与分辨率，这是与本申请要解决的技术问题及技术思路以及达到的技术效果是相同的。 此外，对于量子点薄膜作为光敏层，对比文件1的确没有公开这一点，但是对比文件2明确公开了“可以对可见光成像和检测的图像传感器（可以对光进行检测，相当于探测，亦可以相当于探测器一类）通过量子点薄膜吸收入射光并将入射光转换成电荷（相当于本发明的感测信号），量子点像素单元用于探测红外光（见说明书第27、34、38、60段）”，对比文件2中亦是采用量子点薄膜来吸收入射光如红外光并将其转换成感测信号的技术手段，以达到亦可以提高探测效率和分辨率以便于提高光线探测器的性能的技术效果，即，对比文件2已明确给出了可以采用通过量子点薄膜吸收入射光并将入射光转换成感测信号的内容和技术启示；对比文件2虽然是图像传感器领域，但其中内容亦涉及到光线探测，且的确已给出了上述技术启示；对比文件2与本申请的区别在于其没有明确公开量子点薄膜是用于吸收可见光的，而本申请是用于吸收可见光，然而，对于本领域技术人员来说，在对比文件2已公开（见说明书第27、33-34、38、60段）“可以选择合适量子点材料和尺寸以形成红外高灵敏度的量子点薄膜以吸收红外光；若同时集成可见光和红外，感应可见光要求对红绿蓝三种入光敏感，而需同时实现四种尺寸的量子点薄膜，其制造难度极大，若只使用对红外敏感的量子点，则工艺较简单”的基础上，对于入射光仅为可见光的情况，根据实际情况需要是很容易想到使量子点薄膜亦适用于可见光的情况的，如当入射光仅为可见光的时候，兼顾制造难度及提高探测效率的需求，亦可以根据实际情况需要而选择合适量子点材料和尺寸以形成可见光高灵敏度的量子点薄膜，且对比文件1已公开所吸收或探测的入射光为可见光，存在该需求，这属本领域的常规技术手段，并不需要付出创造性劳动； 此外，对于驱动电极与感测电极是否设在同一层，对于本领域技术人员来说，仅需考虑两电极能实现相应功能，如便于电流导出，而对于其位置设置是可以根据实际情况需要而调整的，即可以根据实际情况需要而使感光器件的感测电极与驱动电极设在同一层也可以处于不同层，如本申请说明书第[0048]段所记载的“驱动电极与感测电极可以处于同一层，也可以处于不同层”，且对比文件1中感应上电极延伸接触的过孔60内的接触元件70亦可以作为感应上电极的一部分，该部分与感应下电极是属同一层的（附图2）；
再者，对于量子点薄膜与感测电极之间的复合绝缘层，对于本领域技术人员来说，对比文件2已公开了量子点薄膜，考虑到与具有量子点薄膜的感光器件相关的电极如感测电极、驱动电极的位置设置，如电极都需要最终与相应功能层相电连接以便于导出或传输信号，并需要最终与其它引导信号如电信号的其它引线或结构相电连接，如采用直接接触或采用过孔连接等方式来实现，考虑到感测电极、驱动电极根据实际情况需要而设同一层的情况时，且量子点薄膜又位于该电极上方时，为了便于量子点薄膜不受其它影响可能会影响其性能时如为了降低其漏电流，又在不影响电极如感测电极的功能实现的基础上，根据实际情况需要而在量子点薄膜与感测电极间设一层复合绝缘层，这属本领域的常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。 综上所述，申请人在意见陈述书中的理由不成立，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月23日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-9相对于对比文件1和对比文件2、本领域的常规技术手段的结合对于本领域技术人员来说是显而易见的，其不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：
1、对于区别技术特征（2），对比文件1公开了利用感光元件26与薄膜晶体管24竖行设置，即公开了感光器件与薄膜晶体管竖行设置的技术手段，同样可以起到使得感光面积增大不受薄膜晶体管的限制，可以使感光面积与闪烁层及像素区域的面积相同，从而可以提高探测效率和分辨率，这与本申请要解决的技术问题及技术思路以及达到的技术效果是相同的。而对比文件2公开了在光电探测器中量子点薄膜可以被用来吸收入射光并将入射光转换成电荷，只是在实施例中给出了量子点薄膜用来吸收红外入射光的情况，但是对比文件2的背景技术部分（参见说明书第0004段）明确指出了量子点膜对可见光具有高灵敏度，量子点制备的光电探测器具有灵敏度高、波段易调制、工艺简单成本低等优势。虽然对比文件2属于图像传感器领域，但是图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，属于光电探测领域。虽然本申请属于X射线平板探测器领域，但是其也属于光电探测领域，而且本申请利用量子点薄膜的作用就在于将可见光的光信号转换为电信号，正好与对比文件2背景技术部分所指出的量子点薄膜的作用相同。因此，在对比文件2的启示下，将量子点薄膜取代对比文件1的感侧单元76是不需要付出创造性劳动的。
2、对于区别技术特征（1），对于本领域技术人员来说，基于器件制备的工艺考虑，对于驱动电极和感测电极的位置设置是可以根据实际情况需要而调整的，这属于本领域常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。而且可以根据实际情况需要而使感光器件的感测电极与驱动电极设在同一层或不同层，并且设在同一层或不同层的效果对于本领域技术人来说是可期的。
3、对于区别技术特征（3），对于本领域技术人员来说，对比文件2已经公开了量子点薄膜用于吸收可见光并将其转换为电信号，考虑到与具有量子点薄膜的感光器件相关的电极如感测电极、驱动电极的位置设置，例如电极都需要最终与相应的功能层相电连接以便于导出或传输信号，并需要最终与其他引线或结构相电连接，例如采用直接接触或采用过孔连接等方式来实现。而电极与功能层直接接触的方式会带来漏电流的技术问题是本领域中的公知常识，而在电极与功能层之间制备复合绝缘层则是解决该技术问题的常规技术手段。
复审请求人于2019年07月05日提交了意见陈述书，修改了权利要求书，其中在权利要求1和7中加入了技术特征“所述复合绝缘层包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜，厚度为100～300nm”和“所述闪烁层的面积与所述量子点薄膜的面积相同”，删除了原权利要求6，删除了原权利要求9中的特征“所述复合绝缘层为有机无机复合绝缘层，厚度为100～300nm”，并同时修改了引用关系及权利要求顺序编号。复审请求人认为：复审请求人认为：1、复审请求人认为与对比文件1相比，修改后的权利要求1至少包括5个区别技术特征，并逐一详细阐述；2、本领域技术人员无法得知量子点薄膜的漏电流是降低X射线探测器性能的原因之一，也就没有动机通过在量子点薄膜和感测电极之间设置复合绝缘层来提升X射线探测器的性能；3、本申请通过驱动电极和感测电极设置在同一层，实现了更简化的排布结构。
新修改的权利要求1、7、8如下：
“1. 一种X射线平板探测器，其特征在于，包括：
基底；
薄膜晶体管，设置在所述基底上，用于输出感测信号；
绝缘层，覆盖所述薄膜晶体管；
感光器件，设置在所述绝缘层上，与所述薄膜晶体管竖行设置，用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；所述感光器件包括感测电极、驱动电极、复合绝缘层和量子点薄膜，所述感测电极设置在所述绝缘层上，与所述薄膜晶体管的漏电极连接，用于感测电荷载流子并生成感测信号；所述驱动电极与所述感测电极设置在同一层；所述复合绝缘层覆盖所述感测电极；所述量子点薄膜设置在所述复合绝缘层上，用于吸收可见光并转换成电荷载流子；所述复合绝缘层用于降低所述量子点薄膜的漏电流，使所述量子点薄膜具有低噪声和高信噪比，所述复合绝缘层包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜，厚度为100～300nm；
闪烁层，设置在所述感光器件上，用于将X射线转换为可见光，所述闪烁层的面积与所述量子点薄膜的面积相同。
7. 一种X射线平板探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上制备薄膜晶体管及绝缘层；
在所述绝缘层上制备感光器件，所述感光器件与所述薄膜晶体管竖行设置，用于通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号；所述感光器件包括感测电极和驱动电极，所述驱动电极与所述感测电极设置在同一层；所述在所述绝缘层上制备感光器件包括：通过构图工艺在绝缘层上制备感测电极和驱动电极，感测电极与薄膜晶体管的漏电极连接；制备复合绝缘层和量子点薄膜；所述复合绝缘层用于降低所述量子点薄膜的漏电流，使所述量子点薄膜具有低噪声和高信噪比，所述复合绝缘层包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜，厚度为100～300nm；
在所述感光器件上制备闪烁层，所述闪烁层的面积与所述量子点薄膜的面积相同。
8. 根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述量子点薄膜为碲化镉薄膜或碲化镉/硫化镉薄膜，厚度为100～300nm；所述闪烁层为碘化铯闪烁层，采用柱状排列的晶体阵列，厚度为400～600um。 ”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人针对复审通知书于2019年07月05日提交了权利要求书的修改替换页，经审查，该修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审决定依据的审查文本为：复审请求人于2019年07月05日提交的权利要求第1-8项，申请日2017年02月23日提交的说明书第1-67段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比具有多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，而其余的区别技术特征属于本领域的常规技术手段，且现有技术中已经给出将上述多个区别技术特征结合到最接近的现有技术的对比文件中以解决相应技术问题的技术启示，则该权利要求相对于上述现有技术的结合是显而易见的，其不具有创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定以及复审通知书的相同，即：
对比文件1：CN101494256A，公开日为2009年07月29日；
对比文件2：CN105405857A，公开日为2016年03月16日。
2.1、权利要求1要求保护一种X射线平板探测器。对比文件1公开了一种X射线平板探测器，包括基板12（相当于权利要求中的基底）；薄膜晶体管24，设置在基板12上，用于输出感测信号；图案化介电层56（相当于权利要求中的绝缘层），覆盖薄膜晶体管24；感光元件26（相当于权利要求中的感光器件），设置在图案化介电层56上，与薄膜晶体管24竖行设置，用于通过感测单元76吸收可见光并将可见光转换成感测信号；感光元件26包括感应下电极68（相当于权利要求中的感测电极）和感应上电极84（相当于权利要求中的驱动电极），感应下电极68设置为图案化介电层56上，与薄膜晶体管24的漏电极52连接，用于感测电荷载流子并生成感测信号；感测单元76（本申请为量子点薄膜），设置在感应下电极68上，用于吸收可见光并转换成电荷载流子；闪烁发光层92（相当于权利要求中的闪烁层），设置在感光元件26上，用于将X射线转换为可见光（见说明书第4-8页、附图2、8、12-13）。权利要求1与对比文件1的区别技术特征是（1）感光器件包括复合绝缘层和量子点薄膜，复合绝缘层覆盖感测电极，量子点薄膜设置在复合绝缘层上，用于吸收可见光并转换成电荷载流子，通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号，复合绝缘层用于降低量子点薄膜的漏电流，使量子点薄膜具有低噪声和高信噪比，复合绝缘层包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜，厚度为100-300nm；（2）驱动电极与感测电极设置在同一层；（3）、闪烁层的面积与量子点薄膜的面积相同。基于该区别技术特征的权利要求1要求保护的技术方案所要解决的技术问题是提高探测效率和分辨率，并且减小量子点薄膜的漏电流。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种图像传感器，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0027]-[0060]段、附图1-10）：图像传感器（可以对光进行检测，相当于探测，亦可以相当于探测器一类）通过量子点薄膜吸收红外入射光并将入射光转换成电荷（相当于权利要求中的感测信号）（见说明书第[0027]段）。另外，对比文件2还公开了（参见说明书第[0004]段）：量子点膜对可见光具有高灵敏度，量子点制备的光电探测器具有灵敏度高、波段易调制、工艺简单成本低等优势。因此，对比文件2给出了使用量子点膜作为感测单元而取代对比文件1中的感测单元76以通过量子点薄膜吸收可见光并转换成电荷载流子以将可见光转换成感测信号的启示。而对于本领域技术人员来说，根据降低量子点薄膜漏电流的需要在量子点薄膜与感测电极间设一层覆盖感测电极、包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜且厚度为100-300nm的复合绝缘层以使量子点薄膜具有低噪声和高信噪比属于本领域的常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征（2），对于本领域技术人员来说，对于感光器件的感测电极与驱动电极，仅需考虑两电极能实现相应功能，如仅需便于电流导出，而对于其位置设置是可以根据实际情况需要而调整的，即可以根据实际情况需要而使感光器件的感测电极与驱动电极设在同一层也可以处于不同层，这属于本领域常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征（3），对于本领域技术人员来说，光敏层的面积与闪烁层的面积设置为相同，从而闪烁层转换的可见光全部被光敏层吸收，实现高探测效率和高分辨率是本领域的常规技术手段。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2引用权利要求1，权利要求3引用权利要求2。对比文件1还公开了（参见说明书第3页第22行至第10页第15行、附图1-13）：感光元件26还包括上电极导线28（相当于权利要求中的引线）。此外，对于本领域技术人员来说，根据实际情况需要而使引线采用金属材质，属本领域常规技术手段，且只需便于电流导出，根据实际情况需要而使驱动电极和金属引线与感测电极设置在同一层或不同层，这属本领域的常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。因此，当其引用的在前权利要求不具备创造性时，该权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求4引用权利要求1。对于本领域技术人员来说，碲化镉薄膜或碲化镉/硫化镉薄膜为本领域常见的量子点薄膜，且其厚度亦属本领域的常规技术手段，这并不需要付出创造性劳动。因此，当其引用的在前权利要求不具备创造性时，该权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求5引用权利要求1。对于本领域技术人员来说，碘化铯为本领域常用的闪烁层材质，且其根据实际情况需要而采用柱状排列的晶体阵列形式并设定其厚度，亦属本领域的常规技术手段。因此，当其引用的在前权利要求不具备创造性时，该权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求6要求保护一种X射线成像系统，包括如权利要求1-5任一所述的X射线平板探测器。对比文件1还公开了一种X射线成像系统包括X射线平板探测器（参见说明书第3页第22行至第10页第15行、附图1-13）。由此可见，当其引用的权利要求1-5不具备创造性时，权利要求6不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求7要求保护一种X射线平板探测器的制备方法。对比文件1还公开了一种X射线平板探测器的制备方法（参见说明书第3页第22行至第10页第15行、附图1-13），包括在基板12（相当于权利要求中的基底）上制备薄膜晶体管24及图案化介电层56（相当于权利要求中的绝缘层）；在图案化介电层56上制备感光元件26（相当于权利要求中的感光器件）；在感光元件26上制备闪烁发光层92（相当于权利要求中的闪烁层）；其中，感光元件26包括感应下电极68（相当于权利要求中的感测电极）和感应上电极84（相当于权利要求中的驱动电极），感应下电极68和感应上电极84设置在不同的层；感光元件26与薄膜晶体管24竖行设置，用于通过感测单元76吸收可见光并将可见光转换成感测信号；在图案化介电层56上制备感光元件26包括：通过构图工艺在图案化介电层56上制备感应下电极68（相当于权利要求中的感测电极）和感应上电极84（相当于权利要求中的驱动电极），感应下电极68与薄膜晶体管24的漏电极52连接；制备感测单元76（本申请为量子点薄膜）。
权利要求7与对比文件1的区别技术特征是（1）制备复合绝缘层和量子点薄膜，通过量子点薄膜吸收可见光并将可见光转换成感测信号，复合绝缘层用于降低量子点薄膜的漏电流，使量子点薄膜具有低噪声和高信噪比，复合绝缘层包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜，厚度为100-300nm；（2）驱动电极与感测电极设在同一层；（3）闪烁层的面积与量子点薄膜的面积相同。基于该区别技术特征的权利要求7要求保护的技术方案所要解决的技术问题是提高探测效率和分辨率，并且减小量子点薄膜的漏电流。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种图像传感器，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0027]-[0060]段、附图1-10）：图像传感器（可以对光进行检测，相当于探测，亦可以相当于探测器一类）通过量子点薄膜吸收红外入射光并将入射光转换成电荷（相当于权利要求中的感测信号）（见说明书第[0027]段）。另外，对比文件2还公开了（参见说明书第[0004]段）：量子点膜对可见光具有高灵敏度，量子点制备的光电探测器具有灵敏度高、波段易调制、工艺简单成本低等优势。因此，对比文件2给出了使用量子点膜作为感测单元而取代对比文件1中的感测单元76以通过量子点薄膜吸收可见光并转换成电荷载流子以将可见光转换成感测信号的启示。而对于本领域技术人员来说，根据降低量子点薄膜漏电流的需要在量子点薄膜与感测电极间设一层覆盖感测电极、包括聚酰亚胺PI/氮化硅SiNx复合薄膜或聚酰亚胺PI/氧化硅SiO2薄膜且厚度为100-300nm的复合绝缘层以使量子点薄膜具有低噪声和高信噪比属于本领域的常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征（2），对于本领域技术人员来说，对于感光器件的感测电极与驱动电极，仅需考虑两电极能实现相应功能，如仅需便于电流导出，而对于其位置设置是可以根据实际情况需要而调整的，即可以根据实际情况需要而使感光器件的感测电极与驱动电极设在同一层也可以处于不同层，这属于本领域常规技术手段，并不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征（3），对于本领域技术人员来说，光敏层的面积与闪烁层的面积设置为相同，从而闪烁层转换的可见光全部被光敏层吸收，实现高探测效率和高分辨率是本领域的常规技术手段。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规技术手段得到权利要求7所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求8引用权利要求7。对于本领域技术人员来说，碲化镉薄膜或碲化镉/硫化镉薄膜为本领域常见的量子点薄膜，且其厚度亦属本领域的常规技术手段，这并不需要付出创造性劳动；碘化铯为本领域常用的闪烁层材质，且其根据实际情况需要而采用柱状排列的晶体阵列形式并设定其厚度，亦属本领域的常规技术手段。因此，当其引用的在前权利要求不具备创造性时，该权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
1、虽然对比文件1未公开复审请求人在2019年07月05日提交的复审无效宣告程序意见陈述书中列出的5个区别技术特征，但是这5个特征或被对比文件2公开或属于本领域的常规技术手段，因此，权利要求1相对于对比文件1和对比文件2、常规技术手段的结合不具备创造性。
对比文件2公开了在光电探测器中量子点薄膜可以被用来吸收入射光并将入射光转换成电荷，只是在实施例中给出了量子点薄膜用来吸收红外入射光的情况，但是对比文件2的背景技术部分（参见说明书第0004段）明确指出了量子点膜对可见光具有高灵敏度，量子点制备的光电探测器具有灵敏度高、波段易调制、工艺简单成本低等优势，所以对比文件2给出了使用量子点膜作为感测单元而取代对比文件1中的感测单元76以通过量子点薄膜吸收可见光并转换成电荷载流子以将可见光转换成感测信号的启示。虽然对比文件2属于图像传感器领域，但是图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，属于光电探测领域。虽然本申请属于X射线平板探测器领域，但是其也属于光电探测领域，而且本申请利用量子点薄膜的作用就在于将可见光的光信号转换为电信号，正好与对比文件2背景技术部分所指出的量子点薄膜的作用相同。对比文件2说明书第[0033]段中的记载“由于感应可见光要求对红绿蓝三种入射光敏感，因此共需要四种尺寸的量子点，但是不同尺寸的量子点形成的条件不同，同时实现四种尺寸的量子点薄膜的制造难度极大”并未排除采用量子点薄膜吸收可见光的方案，只是认为实现四种尺寸的量子点薄膜的制造难度极大，并不妨碍对比文件2给出使用量子点膜作为感测单元而取代对比文件1中的感测单元76以通过量子点薄膜吸收可见光并转换成电荷载流子以将可见光转换成感测信号的启示。
2、在X射线探测器中，电极与功能层之间可能会存在漏电流的技术问题是本领域中的公知的技术问题，而在电极与功能层之间制备复合绝缘层则是解决该技术问题的常规技术手段。
3、对于感光器件的感测电极与驱动电极，仅需考虑两电极能实现相应功能，如仅需便于电流导出，而对于其位置设置是可以根据布图和工艺的需要而调整的，即可以根据布图和工艺的需要而使感光器件的感测电极与驱动电极设在同一层也可以处于不同层。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月25日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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