发明创造名称：双读取器结构
外观设计名称：
决定号：195329
决定日：2019-10-28
委内编号：1F281601
优先权日：2013-08-28
申请（专利）号：201410427922.0
申请日：2014-08-27
复审请求人：希捷科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：金曦
合议组组长：卢静
参审员：卢鹏
国际分类号：G11B5/39
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：权利要求请求保护的技术方案与一篇对比文件相比存在区别特征，该区别特征部分属于本领域的公知常识，部分被其他对比文件公开，并且现有技术中给出了将上述区别特征应用到该对比文件以解决其存在的技术问题的启示，那么该权利要求请求保护的技术方案相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201410427922.0，名称为“双读取器结构”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为希捷科技有限公司。本申请的申请日为2014年08月27日，优先权日为2013年08月28日，公开日为2015年03月18日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2019年01月22日发出驳回决定，以权利要求1-17不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2017年08月18日提交的权利要求第1-17项，申请日2014年08月27日提交的说明书第1-30段（第1-6页）、说明书附图第1-3页、说明书摘要、摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种装置，包括：
双读取器，包括：
第一传感器叠层和第二传感器叠层，其配置在下磁道方向中，由中屏蔽件彼此隔开；以及
下屏蔽件，其附接到邻近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件。
2. 如权利要求1所述的装置，其中所述下屏蔽件是合成反向铁磁(SAF)下屏蔽件。
3. 如权利要求1所述的装置，其中所述中屏蔽件不具有反向铁磁(AFM)层。
4. 如权利要求3所述的装置，其中所述侧屏蔽件不与所述中屏蔽件接触。
5. 如权利要求3所述的装置，其中所述中屏蔽件不包括SAF层。
6. 如权利要求3所述的装置，其中所述中屏蔽在下磁道方向上的厚度大致小于所述下屏蔽件在所述下磁道方向上的厚度。
7. 如权利要求1所述的装置，其中所述侧屏蔽件包括在所述双读取器的气浮表面(ABS)附近的侧屏蔽件头和远离所述ABS延伸超过所述侧屏蔽件头的侧屏蔽件尾。
8. 如权利要求7所述的装置，其中所述侧屏蔽件尾与所述下屏蔽件直接耦合。
9. 双读取器，包括：
第一传感器叠层，其沿交叉磁道方向位于第一对侧屏蔽件之间，其中所述第一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件；以及
第二传感器叠层，其沿交叉磁道方向位于第二对侧屏蔽件之间；以及
中屏蔽件，其沿下磁道方向位于所述第一传感器叠层与所述第二传感器叠层之间。
10. 如权利要求9所述的双读取器，其中所述中屏蔽件不包括AFM 层。
11. 如权利要求9所述的双读取器，其中所述中屏蔽件不包括SAF层。
12. 如权利要求9所述的双读取器，其中所述第一对侧屏蔽件不附接到所述中屏蔽件。
13. 如权利要求9所述的双读取器，其中所述中屏蔽件的下磁道厚度近似为10nm。
14. 存储设备，包括：
磁介质；以及
双读取器，其包括第一传感器叠层和第二传感器叠层，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层中的每一个构造为从所述磁介质读取数据，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层沿交叉磁道方向位于一对侧屏蔽件之间，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层沿下磁道方向通过不具有AFM层的中屏蔽件隔开，以及其中位于邻近所述第一传感器叠层的所述侧屏蔽件附接到下屏蔽件。
15. 如权利要求14所述的存储设备，还包括在所述第一传感器叠层的沿交叉磁道方向的两侧上的侧屏蔽件，所述侧屏蔽件具有与SAF下屏蔽件直接耦合的侧屏蔽件尾。
16. 如权利要求14所述的存储设备，其中所述中屏蔽件沿下磁道方向的厚度大致小于所述下屏蔽件沿所述下磁道方向的厚度。
17. 如权利要求14所述的存储设备，其中所述中屏蔽件由大致实心材料制成。”
驳回决定引用的对比文件为：
对比文件1：US4179720A，公开日为1979年12月18日；
对比文件3：US2012087046A1，公开日为2012年04月12日。
驳回决定中主要指出：（1）权利要求1的技术方案与对比文件1的区别在于：①下屏蔽件附接到邻近传感器叠层的侧屏蔽件；②第一传感器叠层和第二传感器叠层，配置在下磁道方向中。其中，区别①被对比文件3公开，区别②是本领域的惯用手段，因此权利要求1不具备专利法第22条第3款的创造性。（2）权利要求2、4、7的附加技术特征被对比文件3公开，权利要求3、5的附加技术特征被对比文件1公开，权利要求6的附加技术特征属于本领域的惯用手段，权利要求8的附加技术特征部分被对比文件3公开、部分属于本领域的惯用手段，因此权利要求2-8不具备专利法第22条第3款的创造性。（3）基于相似的理由，权利要求9-17不具备专利法第22条第3款的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月05日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，其中，主要修改为在权利要求1中加入特征“所述第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层”、“所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间并且与所述下屏蔽件直接接触”，权利要求9和14做对应修改。复审请求人认为：（1）对比文件1-3均未公开修改后的独立权利要求1的技术特征“所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间并且与所述下屏蔽件直接接触”；（2）本申请至少解决了关于“如何减小两个传感器之间的距离”以及“如何减小中屏蔽件的厚度”的技术问题之一。此外，由于对比文件1未提及“侧屏蔽件”，因此技术问题不应被直接确定为如何设置“侧屏蔽件”的位置。（3）对比文件3公开的方案解决的技术问题不同并且产生不同的技术效果，也难以提供关于上述区别技术特征的教导或启示。
复审请求时提交的权利要求1、9、14的内容如下：
“1. 一种装置，包括：
双读取器，包括：
第一传感器叠层和第二传感器叠层，其配置在下磁道方向中，由中屏蔽件彼此隔开，所述第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层；以及
下屏蔽件，其附接到邻近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间并且与所述下屏蔽件直接接触。”
“9. 双读取器，包括：
第一传感器叠层，其沿交叉磁道方向位于第一对侧屏蔽件之间，所述第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层，其中所述第一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件，所述下屏蔽件进一步附接到所述AFM层，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间；以及
第二传感器叠层，其沿交叉磁道方向位于第二对侧屏蔽件之间；以及
中屏蔽件，其沿下磁道方向位于所述第一传感器叠层与所述第二传感器叠层之间。”
“14. 存储设备，包括：
磁介质；以及
双读取器，其包括第一传感器叠层和第二传感器叠层，所述第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层中的每一个构造为从所述磁介质读取数据，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层沿交叉磁道方向位于一对侧屏蔽件之间，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层沿下磁道方向通过不具有AFM层的中屏蔽件隔开，以及其中位于邻近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件，所述下屏蔽件进一步附接到所述AFM层，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月14日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年08 月30日向复审请求人发出复审通知书，本复审通知书所针对的审查文本为：申请日2014年08月27日提交的说明书第1-6页，说明书附图第1-3页，说明书摘要，摘要附图；2019年05月05日提交的权利要求第1-17项。本次复审通知书所引用的对比文件与驳回决定所引用的对比文件相同，即：对比文件1和对比文件3。其中指出：（1）权利要求1的技术方案与对比文件1的区别在于：传感器具有叠层，第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层；下屏蔽件附接到邻近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间并且与所述下屏蔽件直接接触。其中，区别“AFM层与所述下屏蔽件直接接触”属于本领域的惯用手段，其余特征被对比文件3公开，因此权利要求1不具备专利法第22条第3款的创造性。（2）权利要求2、7、8的附加技术特征被对比文件3公开，权利要求3-6附加技术特征属于本领域的惯用手段，因此权利要求2-8不具备专利法第22条第3款的创造性。（3）基于相似的理由，权利要求9-17不具备专利法第22条第3款的创造性。
复审请求人于2019 年10 月14 日提交了复审无效宣告程序意见陈述书，同时提交了权利要求书全文修改替换页，对权利要求1和14进行了修改，主要修改为在权利要求1中加入特征“中屏蔽件”等，权利要求14做对应修改。复审请求人认为：（1）对比文件3仅公开了具有上屏蔽件、下屏蔽件以及MR薄膜的磁头，而从未描述如本申请中记载的双读取器或中屏蔽件。因此，本领域普通技术人员难以想到将对比文件1的双读取器与对比文件3结合以解决中屏蔽件的厚度或两个传感器之间的距离的技术问题。（2）“所述AFM层与所述下屏蔽件直接接触”不属于本领域惯用技术手段。参考对比文件3附图3，其明确公开了上屏蔽件50与保护层26直接接触，而不是与本申请权利要求1限定的AFM层直接接触。因此，对比文件3的教导背离本申请权利要求1的技术方案。
复审请求人提交复审无效宣告程序意见陈述书时提交的权利要求1和14内容如下：
“1．一种装置，包括：
双读取器，包括：中屏蔽件；
第一传感器叠层和第二传感器叠层，其配置在下磁道方向中， 由所述中屏蔽件彼此隔开，所述第一传感器叠层包括反向铁磁（AFM）层；以及下屏蔽件，其附接到部近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件，所述灯M层在交又磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间并且与所述下屏蔽件直接接触。”
“14．存储设备，包括：
磁介质；以及双读取器，其包括第一传感器叠层和第二传感器叠层以及不具有AFM层的中屏蔽件，所述第一传感器叠层包括反向铁磁（AFM）层，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层中的每一个构造为从所述磁介质读取数据，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层沿交又磁道方向位于一对侧屏蔽件之间，其中所述第一传感器叠层和所述第二传感器叠层沿下磁道方向通过所述中屏蔽件隔开，以及其中位于部近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件，所述下屏蔽件进一步附接到所述AFM层，所述AFM层在交又磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年10月14日在提交复审无效宣告程序意见陈述书时提交了权利要求书全文修改替换页，经审查，上述修改文本的修改之处符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：申请日2014年08月27日提交的说明书第1-6页，说明书附图第1-3页，说明书摘要，摘要附图；2019年10月14日提交的权利要求第1-17项。
2、专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与驳回决定，以及复审通知书所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US4179720A，公开日为1979年12月18日；
对比文件3：US2012087046A1，公开日为2012年04月12日。
1. 权利要求1请求保护一种装置，对比文件1公开了一种磁记录信息重现装置（参见说明书第3栏第45行-第4栏第31行，说明书附图4A、4B）：包括两个磁阻元件11、12（相当于权利要求1的双读取器，磁阻元件11相当于第一传感器，磁阻元件12相当于第二传感器）配置在下磁道方向中，屏蔽件14、15和16，其中屏蔽件15（相当于中屏蔽件）位于两个磁阻元件11、12之间，将其隔开。
权利要求1的技术方案与对比文件1的区别在于：传感器具有叠层，第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层；下屏蔽件附接到邻近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间并且与所述下屏蔽件直接接触。基于上述区别特征所能达到的技术效果，可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何减小中屏蔽件厚度。
对于上述区别，对比文件3公开了一种薄膜磁头（参见说明书第0041-0049段，附图3-4）：上屏蔽件50（相当于下屏蔽件）与磁阻20的侧屏蔽60附接（相当于下屏蔽件附接到邻近所述第一传感器叠层的第一对侧屏蔽件），磁阻20设置在下屏蔽件40上，具有叠层，其中包括缓冲层21、反磁层22等（相当于第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层，在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间）,上屏蔽件50包括反磁层52和磁耦合层54（相当于合成反向铁磁(SAF)下屏蔽件）。设置侧屏蔽件以减小中屏蔽件的厚度或减小两个传感器之间的距离是本领域的惯用手段，上述特征在对比文件3中所起的作用与在该权利要求中所起的作用相同，都是用于减小中屏蔽件厚度，因此对比文件3给出了将该特征应用到对比文件1以解决上述技术问题的启示。
对于其余的区别“AFM层与所述下屏蔽件直接接触”，本领域技术人员可以根据实际情况的需要，选择AFM层的合适的位置，将其设置为与屏蔽件直接接触，其带来的技术效果是可以预料的，属于本领域的惯用手段。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的惯用手段，得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2. 对于权利要求2，对比文件3公开了（参见说明书第0048-0049段，附图4）：上屏蔽件50包括反磁层52和磁耦合层54（相当于合成反向铁磁(SAF)下屏蔽件）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3. 对于权利要求3，将中屏蔽件设置为不具有反向磁铁层以减小其厚度的是本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4. 对于权利要求4，本领域技术人员可以根据实际情况的需要设置侧屏蔽件和中屏蔽件的位置关系，其带来的技术效果是可以预料的，属于本领域的惯用手段。因此，当其直接引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5. 对于权利要求5，将中屏蔽件设置为不具有合成反向磁铁层以减小其厚度的是本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6. 对于权利要求6，本领域技术人员可以根据实际情况的需要，通过有限次的试验，选择合适的厚度参数，以减小磁头的尺寸。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7. 对于权利要求7，对比文件3公开了（参见说明书附图1）：侧屏蔽件包括靠近ABS附近的部分和远离ABS的部分（相当于侧屏蔽件包括在所述双读取器的气浮表面(ABS)附近的侧屏蔽件头和远离所述ABS延伸超过所述侧屏蔽件头的侧屏蔽件尾）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8.对于权利要求8，对比文件3公开了（参见说明书第0034段，说明书附图1、4）：上屏蔽50（相当于下屏蔽件）与侧屏蔽60的远离所述ABS侧屏蔽件尾附接。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9.权利要求9请求保护一种双读取器，对比文件1公开了一种磁记录信息重现装置（参见说明书第3栏第45行-第4栏第31行，说明书附图4A、4B）：包括两个磁阻元件11、12（相当于第一和第二传感器）配置在下磁道方向中，屏蔽件14、15和16，其中屏蔽件15（相当于中屏蔽件）位于两个磁阻元件12、11之间，将其隔开。
权利要求9的技术方案与对比文件1的区别在于：传感器具有叠层，其沿交叉磁道方向位于一对侧屏蔽件之间，所述第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层，其中所述第一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件，所述下屏蔽件进一步附接到所述AFM层，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间。基于上述区别特征达到的效果，可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何减小中屏蔽件厚度。
对于上述区别，对比文件3公开了一种薄膜磁头（参见说明书第0041-0049段，附图3-4）：上屏蔽件50（相当于下屏蔽件）与磁阻20两侧的侧屏蔽60附接（相当于第一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件），磁阻20设置在下屏蔽件40上，具有叠层，其中包括缓冲层21、反磁层22等（相当于第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层，在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间）。设置侧屏蔽件以减小中屏蔽件的厚度或减小两个传感器之间的距离是本领域的惯用手段，上述特征在对比文件3中所起的作用与在该权利要求中所起的作用相同，都是用于减小中屏蔽件厚度，因此对比文件3给出了将该特征应用到对比文件1以解决上述技术问题的启示。
对于其余的区别“下屏蔽件进一步附接到所述AFM层”，本领域技术人员可以根据实际情况的需要，选择AFM层的合适的放置位置，将其设置为与屏蔽件直接接触，其带来的技术效果是可以预料的，属于本领域的惯用手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的惯用手段，得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10. 权利要求10、11的附加技术特征与权利要求3、5一一对应，因此，基于权利要求3、5不具备创造性的评述，权利要求10、11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
11.对于权利要求12，本领域技术人员可以根据实际情况的需要设置侧屏蔽件和中屏蔽件的位置关系，其带来的技术效果是可以预料的，属于本领域的惯用手段。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
12. 对于权利要求13，本领域技术人员能够根据实际情况的需要，通过有限的试验，选择合适的厚度参数，以减小磁头的尺寸。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
13. 权利要求14请求保护一种存储设备，对比文件1公开了一种磁记录信息重现装置（参见说明书第3栏第45行-第4栏第31行，说明书附图4A、4B）：包括磁记录介质，两个磁阻元件11、12（相当于的双读取器，磁阻元件11相当于第一传感器，磁阻元件12相当于第二传感器）配置在下磁道方向中，屏蔽件14、15和16，其中屏蔽件15（相当于中屏蔽件）位于两个磁阻元件11、12之间将其隔开。
权利要求14的技术方案与对比文件1的区别在于：传感器具有叠层，第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层；传感器叠层沿交叉磁道方向位于一对侧屏蔽件之间，位于邻近所述传感器叠层的一对侧屏蔽件附接到下屏蔽件，所述下屏蔽件进一步附接到所述AFM层，所述AFM层在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间，中屏蔽件不具有AFM层。基于上述区别特征达到的效果，可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何减小中屏蔽件厚度。
对于上述区别，对比文件3公开了一种薄膜磁头（参见说明书第0041-0049段，附图3-4）：上屏蔽件50（相当于下屏蔽件）与磁阻20的侧屏蔽60附接（相当于侧屏蔽件附接到下屏蔽件），磁阻20设置在下屏蔽件40上，具有叠层，其中包括缓冲层21、反磁层22等（相当于第一传感器叠层包括反向铁磁(AFM)层，在交叉磁道方向中位于所述第一对侧屏蔽件之间）。设置侧屏蔽件以减小中屏蔽件的厚度或减小两个传感器之间的距离是本领域的惯用手段，上述特征在对比文件3中所起的作用与在该权利要求中所起的作用相同，都是用于减小中屏蔽件厚度，因此对比文件3给出了将该特征应用到对比文件1以解决上述技术问题的启示。
对于其余的区别“下屏蔽件进一步附接到所述AFM层、中屏蔽件不具有AFM层”，本领域技术人员可以根据实际情况的需要，选择AFM层的合适的放置位置，将其设置为与屏蔽件直接接触，其带来的技术效果是可以预料的，属于本领域的惯用手段；将中屏蔽件设置为不具有反向磁铁层以减小其厚度的是本领域的惯用手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件3以及本领域的惯用手段，得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14.对于权利要求15，对比文件3公开了（参见说明书第0034段、第0048-0049段，附图4）：上屏蔽件50包括反磁层52和磁耦合层54（相当于SAF下屏蔽件），上屏蔽件50与侧屏蔽60的远离所述ABS侧屏蔽件尾附接。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
15.对于权利要求16，本领域技术人员可以根据实际情况的需要，通过有限次的试验，选择合适的厚度参数，以减小磁头的尺寸。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
16.对于权利要求17，本领域技术人员可以根据需要设置中屏蔽件的材料，其技术效果是可以预料的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、针对复审请求人意见陈述的答复
合议组对上述陈述意见持不同观点，理由如下：
1.设置侧屏蔽件以减小中屏蔽件的厚度或减小两个传感器之间的距离是本领域的公知常识，对比文件3公开的侧屏蔽件同样能达到上述技术效果，本领域技术人员在面对对比文件3时，有动机将对比文件3公开的内容结合到对比文件1中，并对对比文件1的技术方案进行改进，设置侧屏蔽件，以达到减小中屏蔽件的厚度或减小两个传感器之间的距离的目的，从而解决本申请要解决的技术问题。
2.对比文件3的磁阻20设置在下屏蔽件40上，具有叠层，其中包括保护层26、自由层25、衬垫24、固定层23、反磁层22、缓冲层21，其中起主要作用的是反磁层，其余都是起到保护作用的，本领域技术人员可以根据实际情况的需要，选择AFM层的合适的位置，将其设置为与屏蔽件直接接触，其带来的技术效果是可以预料的，属于本领域的惯用手段。综上，对于复审请求人在复审无效宣告程序意见陈述书中的上述意见，合议组不予接受。
三、决定
维持国家知识产权局于2019 年01 月22 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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