发明创造名称：具有背侧散热的绝缘体上半导体
外观设计名称：
决定号：193427
决定日：2019-10-24
委内编号：1F270157
优先权日：2009-07-15
申请（专利）号：201510430892.3
申请日：2010-07-14
复审请求人：高通股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张莉
合议组组长：张弘
参审员：刘国梁
国际分类号：H01L21/84,H01L27/12,H01L21/336,H01L29/786
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术方案相比，存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求所要求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510430892.3，名称为“具有背侧散热的绝缘体上半导体”的发明专利申请（下称本申请）。申请人于2016年08月11日由斯兰纳半导体美国股份有限公司变更为高通股份有限公司。本申请的申请日为2010年07月14日，优先权日为2009年07月15日，分案申请递交日为2015年07月21日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月18日发出驳回决定，驳回决定所依据的文本为：分案申请递交日2015年07月21日提交的说明书第1-71段、说明书附图图1A-12、说明书摘要、摘要附图以及2017年12月04日提交的权利要求第1-19项。
驳回决定认为，权利要求1-19不符合专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由为：（1）对比文件1（JP特开2008-4577A，公开日为2007年01月10日）公开了独立权利要求1和13的大部分技术特征，区别技术特征在于“多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管”。对于该区别技术特征，虽然对比文件1仅记载了CMOS晶体管作为有源器件的实施例，但在半导体领域中依据器件类型令多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管是本领域的常规技术手段，此时仅在主要n或p器件上形成单层应力层技术方案是对在n和p型器件分别形成应力层方案的要素省略，其在省略于少数n或p器件上形成相应应力层的同时，也失去了其对应的技术效果。因此独立权利要1和13相对于对比文件1和公知常识不具备创造性，进而分别请求保护根据权利要求1所述方法制造的集成电路产品的独立权利要求12和根据权利要求13所述的方法制造的半导体器件的权利要求19也不具备创造性。此外，还在关于意见陈述的答复部分引用了“《数字电路与逻辑设计》李建勋（S.C.Lee）著；罗银芳，刘启业译，SBN号 ：15031?333，第415-417页”作为上述区别技术特征属于公知常识的证据；（2）从属权利要求2-11和14-18的附加技术特征或者在对比文件1中公开，或者为本领域的公知常识，因此从属权利要求2-11、14-18相对于对比文件1和公知常识不具备创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种制造集成电路的方法，包括步骤：
在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道；
其中所述多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管；
从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料；以及
形成应变引入材料的单层，使其接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的一部分中。
2. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：选取所述应变引入材料的材质和布置方式中的一者，以提高n沟道晶体管或p沟道晶体管中的载流子的迁移率。
3. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：在形成所述应变引入材料之前，从所述绝缘体上半导体晶圆的所述背侧去除绝缘材料。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤在所述绝缘体上半导体晶圆的背侧形成不同的构造。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤选择性地形成机械拉伸应变引入材料和压缩应变引入材料中的至少一种。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中形成所述应变引入材料的材质选自氮化硅、氮化铝和类金刚石碳。
7. 根据权利要求6所述的方法，进一步包括步骤：改变沉积材料的条件以在所述应变引入材料中产生压缩应变或拉伸应变。
8. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：以不同的图案布置所述应变引入材料，以在平行于或垂直于电荷载流子流的方向上产生双轴或单轴应变。
9. 根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：以选自以下的图案布置所述应变引入材料：围绕所述有源器件的栅极的图案、具有大的宽/长比的围绕所述有源器件的栅极的图案、横向的条状图案、以及沿着栅极的边形成的条状图案。
10. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：在所述有源层中为一部分所述有源器件布置所述应变引入材料。
11. 根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：所述应变引入材料使用热传导率高于50W/m*K的材料。
12. 根据权利要求1所述方法制造的集成电路产品。
13. 一种制造半导体器件的方法，包括步骤：
在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道和栅极；
其中所述多个有源器件主要为n沟槽晶体管或主要为p沟槽晶体管；以及
在形成所述有源器件后形成应变引入材料的单层，所述应变引入材料接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道中，并且位于所述沟道的与所述栅极相反的一侧。
14. 根据权利要求13所述的方法，进一步包括步骤：从所述绝缘体上半导体晶圆的背侧去除绝缘材料。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中去除所述绝缘材料的步骤在形成所述应变引入材料之前从所述绝缘体上半导体晶圆的所述背侧去除所述绝缘材料。
16. 根据权利要求13所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤在所述绝缘体上半导体晶圆的背侧形成不同的构造。
17. 根据权利要求13所述的方法，其中形成所述应变引入材料的步骤选择性地形成机械拉伸应变引入材料和压缩应变引入材料的至少之一。
18. 根据权利要求13所述的方法，其中形成所述应变引入材料的材质选自氮化硅、氮化铝和类金刚石碳。 19. 一种根据权利要求13所述的方法制造的半导体器件。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月02日向国家知识产权局提出了复审请求，并未修改权利要求书。复审请求人认为：
（1）本申请的权利要求1并不是简单地说明了存在不同数量的n沟道和p沟道晶体管的情景，而是指出有源器件将“主要”为以上两种类型的晶体管中的一种。而反观对比文件1，均未公开或指示有源器件“主要”包括n沟道晶体管或者“主要”包括p沟道晶体管。相反，本领域技术人员根据对比文件1公开的内容将得到有源器件为具有相等数量的n型晶体管和p型晶体管的互补金属氧化物半导体（CMOS）结构的相关教导；
（2）驳回决定中关于“在半导体领域中包括n沟道和p沟道晶体管的有源器件常常不具有相同数量”的主张是基于事后观察；
（3）本申请的权利要求1所限定的关于“所述多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管”的发明构思对于本领域技术人员而言是不易想到的，因为采用弱化少数类型的器件性能以更好地改善主要类型的器件性能是违反其直觉的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：
（1）当有源器件中具有CMOS时并不意味着整个有源器件就一定具有数量相等的n沟道晶体管和p沟道晶体管。相反，多数情况下作为有源器件的n沟道晶体管和p沟道晶体管都存在数量上的主次之分。对此，在驳回决定中已经引用了教科书进行举证。因此，权利要求1所限定的“多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管”是本领域的公知常识，并非事后观察；
（2） 对比文件1说明书第[0043]段明确公开了对nMOS器件施加张应力膜，对pMOS器件施加压应力膜，从而分别提高其沟道载流子特性。此时仅在主要n或p器件上形成单层应力层技术方案是对在n和p型器件分别形成应力层方案的要素省略，其在省略于少数n或p器件上形成相应应力层的同时，也失去了其对应的技术效果。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月25日向复审请求人发出复审通知书，使用了驳回决定中的引用的对比文件1，并提出如下审查意见：
（1）本申请独立权利要求1、13和对比文件1的区别技术特征在于：权利要求1的多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管，而对比文件1中有源器件为CMOS晶体管，即n型晶体管和p型晶体管数量相等的互补金属氧化物半导体结构。也就是说主要区别在于使得n型和p型晶体管的数量关系发生变化，使得其中一种类型的数量占主导。但是该区别技术特征属于本领域的公知常识，例如参见《数字电路与逻辑设计》李建勋（S.C.Lee）著；罗银芳，刘启业译，SBN号 ：15031?333，第415-417页，其阐述了在半导体领域中MOS作为存储器、只读器，其主要就是由PMOS构成。因此独立权利要求1、13相对于对比文件1和公知常识不具备创造性，进而分别限定了引用权利要求1、13的方法制备的相应产品的权利要求12、19也不具备创造性。
（2）从属权利要求2-11和14-18的附加技术特征或者在对比文件1中公开，或者为本领域的公知常识，因此从属权利要求2-11和14-18相对于对比文件1和公知常识不具备创造性。
（3）在半导体领域中依据器件类型令多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管是本领域的常规技术手段，并非如复审请求人所述的那样“基于事后观察”，并且在改进器件性能时通过弱化少数类型的器件的性能以更好地改善主要类型的器件性能并非违反本领域技术人员直觉的技术调整，本领域技术人员基于上述公知常识能够显而易见地作出这种技术调整，并且该调整所产生的技术效果也是本领域技术人员能够预期到的。
复审请求人于2019年06月10 日提交了意见陈述书和权利要求书替换页，其中修改后的权利要求书包括第1-19项权利要求，其中将独立权利要求1和13中的上述区别技术特征修改为“其中所述多个有源器件包含的n沟道晶体管比p沟道晶体管更多”。修改后的独立权利要求1和13如下：
“1. 一种制造集成电路的方法，包括步骤：
在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道；
其中所述多个有源器件包含的n沟道晶体管比p沟道晶体管更多；
从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料；以及
形成应变引入材料的单层，使其接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的一部分中。
13. 一种制造半导体器件的方法，包括步骤：
在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道和栅极；
其中所述多个有源器件包含的n沟道晶体管比p沟道晶体管更多；以及
在形成所述有源器件后形成应变引入材料的单层，所述应变引入材料接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道中，并且位于所述沟道的与所述栅极相反的一侧。”
复审请求人认为：
（1）合议组引用了《数字电路与逻辑设计》”作为证据，但其仅阐述了采用主要为p沟道晶体管的有源器件。未记载与修改后的权利要求1的特征“所述多个有源器件包含的n沟道晶体管比p沟道晶体管更多”相关的描述，因此《数字电路与逻辑设计》中采用了与本申请权利要求1中的技术方案的相反的晶体管类型的数量设置，无法证明上述区别特征属于本领域的公知常识。
（2）对比文件1仅公开了CMOS晶体管，事实上也仅指示了相同数量的n沟道和p沟道晶体管（参见对比文件1的附图1-15），而引用的证据中也仅给出了p沟道晶体管比n沟道晶体管更多的相反的技术启示。因此修改后的区别技术特征不是公知常识，本申请具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
（一）、审查文本的认定
复审请求人于2019年06月10日提交了权利要求书的替换页，包括权利要求第1-19项，经审查，其修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定所依据的文本是：分案申请递交日2015年07月21日提交的说明书第1-71段、说明书附图图1A-12、说明书摘要、摘要附图以及2019年06月10日提交的权利要求第1-19项。
（二）、专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与最接近的现有技术方案相比，存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求所要求保护的技术方案不具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定中的相同，即
对比文件1：JP特开2008-4577A，公开日为2007年01月10日；
1、关于权利要求1。
权利要求1要求保护一种制造集成电路的方法，对比文件1（说明书第[0003]段至第[0038]段，图2-12）公开了一种制造集成电路的方法，如图2A所示，在SOI即绝缘体上半导体晶圆的半导体层3中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道；其中所述多个有源器件可以为CMOS晶体管，即n型晶体管和p型晶体管数量相等的互补金属氧化物半导体结构如图2B所示，从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料1；以及形成应变引入材料层20，如图4B，7B所示，使其接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道，以及如图12B所示，使其在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的一部分中。
权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，其区别技术特征仅在于：权利要求1中的多个有源器件包含的n沟道晶体管比p沟道晶体管更多，而对比文件1中有源器件为CMOS晶体管，即n型晶体管和p型晶体管数量相等的互补金属氧化物半导体结构。由此可知，相比于对比文件1，权利要求1的技术方案中n型晶体管和p型晶体管的数量关系发生了变化，使其中一种类型的晶体管在数量上占主导。但是对于本领域技术人员来说，依据器件类型或者应用需求令多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管，即，使得包含的n型沟道晶体管比p型沟道晶体管更多或者p型沟道晶体管比n型沟道晶体管更多均是本领域的常规技术手段，例如参见《数字电路与逻辑设计》李建勋（S.C.Lee）著；罗银芳，刘启业译，SBN号 ：15031?333，第415-417页，阐述了在半导体领域中MOS作为存储器、只读器，其主要就是由PMOS构成。虽然在至少上述器件中采用了主要为p沟道晶体管的有源器件，即包含的p型沟道晶体管比n型沟道晶体管更多，但是该公知常识证据亦从侧面证明了根据有源器件的功能需求，可以采用某一种类型的晶体管在数量上占主导也就是使得所述某一种类型的晶体管比另一种类型晶体管更多，即采用n沟道晶体管为主要数量也是本领域的公知常识。
并且在对比文件1的基础上，根据器件应用需求将该数量关系进行调整即由对比文件1中有源器件中n型晶体管和p型晶体管数量相等调整为有源器件包含的n型沟道晶体管比p型沟道晶体管更多这样的数量关系并没有产生任何预料不到的技术效果，因此权利要求1相对于对比文件1和公知常识来说不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2. 关于从属权利要求2-6。
从属权利要求2-6分别对权利要求1作了进一步限定。
对比文件1（说明书第[0025]段至第[0028]段，图2-12）进一步公开了：在半导体层3的第2面上形成应变引入材料层20，其材质为SiN、SiO2、SiON等，应变引入材料层的选择和设置均是为了提高n沟道晶体管或p沟道晶体管中的载流子的迁移率。由此可知对比文件1公开了从属权利要求2和6的附加技术特征；此外从属权利要求6的附加技术特征中限定的氮化铝和类金刚石碳也是本领域常规的应力引入材料，为本领域的公知常识；
对比文件1（说明书第[0023]段、图2B）进一步公开了：在形成所述应变引入材料层20之前，从所述绝缘体上半导体晶圆的所述背侧去除绝缘材料2。由此可知对比文件1公开了从属权利要求3的附加技术特征；
对比文件1（说明书第[0024]段，图4）进一步公开了：在形成应变引入材料的步骤中，在所述半导体层3的背侧厚度方向上形成凹凸构造。由此可知对比文件1公开了从属权利要求4的附加技术特征；
对比文件1（说明书第[0026]段）进一步公开了：在n型MOS晶体管区域形成拉伸应力膜，在p型晶体管区域形成压缩应变引力膜。由此可知对比文件1公开了从属权利要求5的附加技术特征。
因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到从属权利要求2-6请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此从属权利要求2-6不具备专利法22条第3款规定的创造性。
3.关于从属权利要求7。
从属权利要求7对从属权利要求6作了进一步限定。在对比文件1公开了应力引入材料为氮化硅的基础上，通过改变沉积材料的条件以在所述应变引入材料中产生压缩应变或拉伸应变，这是本领域的常规技术手段，为公知常识。因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到从属权利要求7所要保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，从属权利要求7请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法22条第3款规定的创造性。
4. 关于从属权利要求8-10。
从属权利要求8-10分别对权利要求1作了进一步限定。
对比文件1（说明书第[0024]段至第[0028]段，图2-12）进一步公开了以不同的图案布置所述应变引入材料，以在平行于电荷载流子流的方向上产生单轴应变。由此可知，对比文件1公开了从属权利要求8的附加技术特征。此外，从属权利要求8的附加技术特征中限定的在垂直于电荷载流子流的方向上产生单轴应变以及在平行或垂直于电荷载流子流的方向上产生双轴应变均是本领域提高载流子迁移率的常规技术手段。
对比文件1进一步公开了（图4B、7-9）围绕所述有源器件的栅极的图案、具有大的宽/长比的围绕所述有源器件的栅极的图案布置所述应变引入材料层20。由此可知。对比文件1公开了从属权利要求9的附加技术特征。而横向的条状图案、以及沿着栅极的边形成的条状图案亦是实现水平或垂直向应力的常规代替图案，这均属于本领域的公知常识。
对比文件1（图12B）进一步公开了：所述半导体层3中为一部分所述有源器件布置所述应变引入材料20。由此可知，对比文件1公开了从属权利要求10的附加技术特征。
因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到从属权利要求8-10请求保护的技术方案对于本领域人员来说是显而易见的，从属权利要求8-10不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法22条第3款规定的创造性。
5. 关于从属权利要求11。
从属权利要求11对权利要求1作进一步限定。在对比文件1公开了应变引入材料具有张应力或拉应力的基础上，SiC是本领域典型的应变引入材料，其热传导率约为80W/m*K。因此本领域技术人员容易想到采用SiC材料作为应变引入材料，此时热传导率必然高于50W/m*K，这属于本领域的常规技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到权利要求11请求保护的技术方案对于本领域人员来说是显而易见的，从属权利要求11不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法22条第3款规定的创造性。
6. 关于独立权利要求12。
权利要求12要求保护一种根据权利要求1所述方法制造的集成电路产品，对比文件1（说明书第[0003]段至第[0038]段，图2-12）公开了一种根据上述方法制作的集成电路产品。因此当其所引用的权利要求1不具创造性时，权利要求12也不具备专利法22条第3款规定的创造性。
7. 关于独立权利要求13
权利要求13要求保护一种制造半导体器件的方法，对比文件1（说明书第[0003]段至第[0038]段，图2-12）公开了一种制造半导体器件的方法，如图2A所示，在绝缘体上半导体晶圆的半导体层3中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道和栅极6；并且所述多个有源器件可以为CMOS晶体管，即n型晶体管和p型晶体管数量相等的互补金属氧化物半导体结构；以及在形成所述有源器件后形成应变引入材料的单层20，所述应变引入材料20接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道中，并且位于所述沟道的与所述栅极相反的一侧。
权利要求13要求保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，其区别技术特征仅在于：权利要求13中的多个有源器件包含n沟道晶体管比p沟道晶体管更多，而对比文件1中有源器件为CMOS晶体管，即n型晶体管和p型晶体管数量相等的互补金属氧化物半导体结构。由此可知，相比于对比文件1，权利要求13的技术方案中n型晶体管和p型晶体管的数量关系发生了变化，使其中一种类型的晶体管在数量上占主导。但是对于本领域技术人员来说，依据器件类型或者应用需求令多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管，即，使得包含的n型沟道晶体管比p型沟道晶体管更多或者p型沟道晶体管比n型沟道晶体管更多均是本领域的常规技术手段，例如参见《数字电路与逻辑设计》李建勋（S.C.Lee）著；罗银芳，刘启业译，SBN号 ：15031?333，第415-417页，阐述了在半导体领域中MOS作为存储器、只读器，其主要就是由PMOS构成。虽然在至少上述器件中采用了主要为p沟道晶体管的有源器件，即包含的p型沟道晶体管比n型沟道晶体管更多，但是该公知常识证据亦从侧面证明了根据有源器件的功能需求，可以采用某一种类型的晶体管在数量上占主导也就是使得所述某一种类型的晶体管比另一种类型晶体管更多，即采用n沟道晶体管为主要数量也是本领域的公知常识。
并且在对比文件1的基础上，根据器件应用需求将该数量关系进行调整即由对比文件1中有源器件中n型晶体管和p型晶体管数量相等调整为有源器件包含的n型沟道晶体管比p型沟道晶体管更多这样的数量关系并没有产生任何预料不到的技术效果，因此权利要求13相对于对比文件1和公知常识来说不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8. 关于从属权利要求14-18。
从属权利要求14、16-18分别对权利要求13作了进一步限定，从属权利要求15对从属权利要求14作了进一步限定。
对比文件1（说明书第[0023]段至第[0024]段，图2-12）进一步公开了：如图2B所示，从所述绝缘体上半导体晶圆的背侧去除绝缘材料2，具体包括在形成所述应变引入材料层20之前从所述绝缘体上半导体晶圆的所述背侧去除所述绝缘材料2。由此可知对比文件1公开了从属权利要求14-15的附加技术特征；
对比文件1（说明书第[0024]段，图4）进一步公开了应变引入材料的步骤在所述绝缘体上半导体晶圆的背侧形成不同的构造。由此可知对比文件1公开了从属权利要求16的附加技术特征；
对比文件1（说明书第[0026]段）进一步公开了：在n型MOS晶体管区域形成拉伸应力膜，在p型晶体管区域形成压缩应变引力膜。由此可知对比文件1公开了从属权利要求17的附加技术特征；
对比文件1（说明书第[0025]段）进一步公开了：其中形成所述应变引入材料的材质选自氮化硅等。由此可知对比文件1公开了从属权利要求18的附加技术特征。此外，从属权利要求18的附加技术特征中限定的氮化铝和类金刚石碳也是常规的应力引入材料，这为本领域的公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合公知常识得到从属权利要求14-18请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，从属权利要求14-18请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法22条第3款规定的创造性。
9. 独立关于权利要求19。
权利要求19要求保护一种根据权利要求13所述的方法制造的半导体器件，对比文件1（说明书第[0003]段至第[0038]段，图2-12）公开了一种根据上述方法制作的半导体器件。因此当其所引用的权利要求13不具备创造性时，权利要求19也不具备专利法22条第3款规定的创造性。
（三）、对复审请求人相关意见的评述
虽然对比文件1公开的CMOS晶体管即n型和p型沟道晶体管数量相等，以及《数字电路与逻辑设计》中阐述了MOS作为存储器、只读器，其主要就是由PMOS构成，均没有公开“所述多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管”这一特征，但是对于本领域技术人员来说，依据器件类型或者应用需求令多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管，即，使得包含的n型沟道晶体管比p型沟道晶体管更多或者p型沟道晶体管比n型沟道晶体管更多均是本领域的常规技术手段，例如上述公知常识证据亦从侧面证明了根据有源器件的功能需求，可以采用某一种类型的晶体管在数量上占主导即比另一种类型晶体管更多，即采用n沟道晶体管为主要数量也是本领域的公知常识。因此修改后的区别技术特征仍是本领域的公知常识，本申请不具备创造性。
因此，合议组对复审请求人的上述理由不予以支持。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月18日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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