发明创造名称：陶瓷锂离子固体电解质的反应性烧结
外观设计名称：
决定号：193709
决定日：2019-10-23
委内编号：1F266201
优先权日：2011-11-29
申请（专利）号：201280067770.7
申请日：2012-11-29
复审请求人：康宁股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：尹朝丽
合议组组长：王浩
参审员：郑伟伟
国际分类号：H01M2/14,H01M2/16,H01M10/0562,H01M10/0525
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域技术人员在该对比文件的基础上通过常规选择容易得到的，则该项权利要求相对于这篇对比文件不具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201280067770.7，名称为“陶瓷锂离子固体电解质的反应性烧结”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为康宁股份有限公司。本申请的申请日为2012年11月29日，优先权日为2011年11月29日，公开日为2014年12月17日；进入国家阶段日为2014年07月22日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求1请求保护一种形成固体锂离子电解质膜的方法。对比文件2（JP特开2002-151142A， 公开日为2002年05月24日）为最接近现有技术。权利要求1的技术方案与对比文件2的区别技术特征在于：（1）浇铸所述混合物来形成生坯体；以及反应性烧结所述生坯体来形成固体膜；（2）原料为氧化锡、氧化锗；以及磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷。基于上述区别技术特征，本申请实际所要解决的技术问题是选择合适的制备方法。对比文件3（JP特开2009-193894A，公开日为2009年08月27日）公开了区别技术特征（1），给出了将上述技术特征应用到对比文件2中以解决其技术问题的启示。选择第一组分为磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷，以及第二组份为氧化锡和氧化锗是本领域技术人员在对比文件2的启示下容易想到的。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3以及本领域公知常识得到该权利要求所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备创造性。权利要求2、3的附加技术特征被对比文件2公开，此外，根据对电解质的性能需求，选择其他的氧化物改性剂如GeO2，SiO2，B2O3，Fe2O3，Nb2O5和SnO2是本领域技术人员的常规选择，属于本领域公知常识。对于权利要求4，对于无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体、耐火氧化物的平均粒度的选择，本领域技术人员通过有限的试验即可得到合适的数值。因此，该权利要求也不具备创造性。权利要求5-11、13-14的附加技术特征或被对比文件2或3公开， 或属于公知常识；因此，也不具备创造性。权利要求12的附加技术特征被对比文件4（JP特开2008-91328A，公开日为2008年04月17日）公开，且作用相同，因此，相对于对比文件2-4以及本领域公知常识的结合，权利要求12不具备创造性。驳回决定所依据的文本为2014年07月22日提交的说明书、说明书附图1-5、说明书摘要、摘要附图；2018年06月15日提交的权利要求第1-14项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种形成固体锂离子电解质膜的方法，所述方法包括：
混合无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火氧化物反应物，形成混合物，其中所述耐火氧化物选自下组：氧化钛、氧化锡和氧化锗；
浇铸所述混合物来形成生坯体；以及
反应性烧结所述生坯体来形成固体膜；
其中所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物选自下组：磷酸锂玻璃、磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物还包括氧化物改性剂。
3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物改性剂选自下组：TiO2，GeO2，SiO2，B2O3，Fe2O3，Nb2O5和SnO2。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的平均粒度小于0.5微米，所述耐火氧化物的平均粒度小于0.5微米。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于1100℃。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1300℃。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浇铸包括带材浇铸。
8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生坯体包括粘合剂和增塑剂中一种或多种。
9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的厚度小于200微米。
10. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的厚度小于50微米。
11. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的电导率大于10-4S/cm。
12. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的密度为该膜理论密度的至少95％。
13. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的组成通过通式Li1 x-yMxM’2-x-yM”y(PO4)3表示，其中M是3 离子，M’是4 离子，M”是5 离子，0≤x≤2且0≤y≤2。
14. 如权利要求13所述的方法，其特征在于，M是Al或Fe，M’选自下组：Ti，Sn，Nb和Ge，以及M”是Nb。”。
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服,于2018年11月16日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，将权利要求1中的“磷酸锂玻璃”删除。复审请求人认为：对比文件3的目的是在烧制和剥离后减少或消除电解质层中各层的翘曲，对比文件3中的固体电解质是由晶体材料而不是由无定形、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物制成，因此，对比文件3的固体电解质不是高密度和气密性的。复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种形成固体锂离子电解质膜的方法，所述方法包括：
混合无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火氧化物反应物，形成混合物，其中所述耐火氧化物选自下组：氧化钛、氧化锡和氧化锗；
浇铸所述混合物来形成生坯体；以及
反应性烧结所述生坯体来形成固体膜；
其中所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物选自下组：磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷。”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，对比文件3公开了一种形成固体锂离子电解质膜的方法，并具体公开了10-25%Li2O、Al2O3和TiO2和/或GeO2、26-40%P2O5混合，浇铸混合物来形成生坯体；以及在500℃-1200℃反应性烧结生坯体来形成固体膜；本申请通过反应性烧结使所述组分反应和使所述反应产物致密化，且本申请烧结温度小于1100℃。而对比文件3公开了500℃-1200℃下反应性烧结生坯体，因此，对比文件3同样可达到同时使所述组分反应和使所述反应产物致密化的效果。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年02 月12 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：对比文件3公开的固体电解质制备方法是将原料H3PO4、Al（PO3）3、Li2CO3、SiO2、TiO2熔融淬冷粉碎制成玻璃或结晶玻璃粉末，然后由这些粉末加入粘结剂等制备成浆料，继而制成生坯片，叠层生坯片加压，随后1020℃烧结得到固体电解质膜。其中利用多层叠置加压后以减少或消除烧制后电解质层中各层的翘曲，但制备电解质膜的材料同样是玻璃或结晶玻璃粉末，温度也是1100℃以下，得到高电导率的电解质膜，其也应该是高密度和气密性。并且本申请最终获得的电解质也具有晶体结构。另外，对比文件1也公开了利用熔融退火后得到的玻璃态粉末浇铸并烧结制备固体电解质的方法。
复审请求人于2019 年05 月24 日提交了意见陈述书，并修改了权利要求书，在权利要求1中补入“所述形成所述膜的最大加工温度，包括所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的熔融温度，小于1300℃；并增加从属权利要求15-27”。复审请求人认为：本申请的最大加工温度，包括所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的熔融温度，小于1300℃，而对比文件1和对比文件3的玻璃熔融温度分别是1400-1500℃和1450℃。对比文件1和3没有公开本申请权利要求1的技术方案。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种形成固体锂离子电解质膜的方法，所述方法包括：
混合无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火氧化物反应物，形成混合物，其中所述耐火氧化物选自下组：氧化钛、氧化锡和氧化锗；
浇铸所述混合物来形成生坯体；以及
反应性烧结所述生坯体来形成固体膜；
其中所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物选自下组：磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷，其中，所述形成所述膜的最大加工温度，包括所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的熔融温度，小于1300℃。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物还包括氧化物改性剂。
3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物改性剂选自下组：TiO2，GeO2，SiO2，B2O3，Fe2O3，Nb2O5和SnO2。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的平均粒度小于0.5微米，所述耐火氧化物的平均粒度小于0.5微米。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于1100℃。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于1050℃。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浇铸包括带材浇铸。
8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生坯体包括粘合剂和 增塑剂中一种或多种。
9. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的厚度小于200微米。
10. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的厚度小于50微米。
11. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的电导率大于10-4S/cm。
12. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的密度为该膜理论密度的至少95％。
13. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述膜的组成通过通式Li1 x-yMxM’2-x-yM”y(PO4)3表示，其中M是3 离子，M’是4 离子，M”是5 离子，0≤x≤2且0≤y≤2。
14. 如权利要求13所述的方法，其特征在于，M是Al或Fe，M’选自下组：Ti，Sn，Nb和Ge，以及M”是Nb。
15. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于1000℃。
16. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于950℃。
17. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于900℃。
18. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述烧结温度小于850℃。
19. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1250℃。
20. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1200℃。
21. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1150℃。
22. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1100℃。
23. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1050℃。
24. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于1000℃。
25. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于950℃。
26. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于900℃。
27. 如权利要求1-18中任一项所述的方法，其特征在于，所述形成所述膜的最大加工温度小于850℃。”
合议组于2019 年06月25日再次向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1的修改不符合专利法第33条的规定，并在假设复审请求人将修改超范围的部分删除，仅保留“所述形成所述膜的最大加工温度小于1300℃”或者是“所述反应性烧结的温度小于1300℃”的情况下，评述了权利要求1-27不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：首先，权利要求1中的“所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的熔融温度小于1300℃”修改超范围。其次，对比文件1和3中的1400-1500℃和1450℃是通过原始材料熔融淬冷制备玻璃态反应物的温度，不是将玻璃态反应物烧结形成固体电解质膜的温度，且对比文件1和3中的反应性烧结温度均是小于1300℃的。对比文件1和3公开的固体电解质膜的制备方法与本申请完全相同，通过熔融淬冷获得玻璃态的反应物，然后制成生坯体，最后反应性烧结得到固体电解质膜。
复审请求人于2019 年10月09日提交了意见陈述书，并修改了权利要求书，将权利要求1中的“，包括所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物的熔融温度，”删除。复审请求人认为：从说明书第0025段内容“可在小于1100℃的烧结温度下进行反应性烧结，……在一些实施方式中，最大加工温度（例如玻璃的熔融温度）小于1300℃%”可知，最大加工温度对应整个形成固体锂离子电解质膜的方法，包括：“混合无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火氧化物反应性，形成混合物”、“浇铸所述混合物来形成生坯体”以及“反应性烧结所述生坯体来形成固体膜”。而对比文件1和3中的最高温度均超过1300℃。修改后的权利要求1如下：
“1. 一种形成固体锂离子电解质膜的方法，所述方法包括：
混合无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火氧化物反应物，形成混合物，其中所述耐火氧化物选自下组：氧化钛、氧化锡和氧化锗；
浇铸所述混合物来形成生坯体；以及
反应性烧结所述生坯体来形成固体膜；
其中所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物选自下组：磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷，其中，所述形成所述膜的最大加工温度小于1300℃。”。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年10月09日答复复审通知书时提交了修改后的权利要求书，经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定所依据的文本为：申请日2014年07月22日提交的说明书第1-51段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图；2019年10月09日提交的权利要求第1-27项。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域技术人员在该对比文件的基础上通过常规选择容易得到的，则该项权利要求相对于这篇对比文件不具有创造性。
本复审决定引用复审通知书和前审审查过程中所引用的对比文件1和对比文件3作为现有技术，即：
对比文件1：US2007/0117026A1，公开日为2007年05月24日；
对比文件3：JP特开2009-193894A，公开日为2009年08月27日。
1）. 权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种形成固体锂离子电解质膜的方法。对比文件1公开了一种形成固体锂离子电解质膜的方法，并具体包括以下技术特征（参见摘要，说明书第0009-0033段、0037-0038段、0041段）：首先制备玻璃态或玻璃陶瓷粉末，包括：将Li2CO3、Al2O3、TiO2和NH4H2PO4混合、熔化、退火、粉化成1-75μm的颗粒，该玻璃或玻璃陶瓷粉末包括Li2O、Al2O3、TiO2和P2O5（相当于其中包含了磷酸锂铝玻璃或者磷酸锂铝玻璃陶瓷）；然后将所述玻璃或玻璃陶瓷粉末与调节剂、至少一种溶剂形成浆料，将粘结剂、塑化剂加入浆料中，将上述浆料带材浇铸干燥形成生坯片，随后从400-1200℃烧结得到固体复合电解质膜（即形成固体电解质膜的加工温度小于1300℃），该烧结步骤使得上述玻璃或玻璃陶瓷粉末转化为固体复合电解质膜，该烧结属于反应性烧结，并且对比文件1指出，由此制备的电解质膜的孔隙率可控制在0-50%，在950℃烧结得到50%的孔隙率，随着温度升高孔隙率减小，电解质膜变的更加致密，在1100℃烧结可得到0-6%孔隙率，且电导率也随之增加。对比文件1公开的制备方法能够有效控制孔隙、电导率和化学稳定性，获得具有气密和防水性的电解质膜。由此可见，权利要求1所要保护的技术方案与对比文件1相比，其区别技术特征在于：将选自磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷的反应物与耐火氧化物反应物氧化钛混合，得到混合物。
基于上述区别技术特征，本权利要求实际解决的技术问题是如何获得制备复合电解质膜生坯片的原料混合物。对比文件1是在制备玻璃或玻璃陶瓷粉末前就将包含TiO2的所有原料混合，本申请是在将其他原料制备成玻璃或玻璃陶瓷粉末后与TiO2混合，也就是在加入TiO2的时机与对比文件1不同，但是两者得到的用于制备生坯片的混合粉末是相同的，混合顺序是本领域技术人员可以选择的，并且本申请并没有因上述混合方式而获得任何预料不到的技术效果。因此，在对比文件1的基础上得到权利要求1所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求1的所述其他技术方案，对于磷酸锗玻璃以及其余耐火氧化物氧化锡和氧化锗，是本领域技术人员根据需要制备的电解质膜的组成进行相应选择的，且都是常规的固体电解质膜原料。因此，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识得到权利要求1的所述其他技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1的所述其他技术方案也不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
另外，对比文件3也公开了一种形成固体锂离子电解质膜的方法，并具体包括以下技术特征（说明书第0006-0015段,0030-0041段,0079-0082段）也公开了一种固体电解质膜的制备方法，其包括将原料H3PO4、Al(PO3)3、Li2CO3、SiO2、TiO2熔融淬冷粉碎制成玻璃或结晶玻璃粉末，粉末包括Li2O、Al2O3、TiO2、SiO2和P2O5（相当于其中包含了磷酸锂铝玻璃或者磷酸锂铝玻璃陶瓷）然后由这些粉末加入粘结剂等制备成浆料，继而浇铸成生坯片，并叠层生坯片加压，随后在500-1200℃下烧结得到固体电解质膜，具体烧结温度还可以是1020℃。由此可见，权利要求1所要保护的技术方案与对比文件3相比，其区别技术特征在于：将选自磷酸锗玻璃、磷酸锂铝玻璃和晶体磷酸锂铝陶瓷的反应物与耐火氧化物反应物氧化钛混合，得到混合物。
基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是如何获得制备复合电解质膜生坯片的原料混合物。对比文件3是在制备玻璃或玻璃陶瓷粉末前就将包含TiO2的所有原料混合，本申请是在将其他原料制备成玻璃或玻璃陶瓷粉末后与TiO2混合，也就是在加入TiO2的时机与对比文件3不同，但是两者得到的用于制备生坯片的混合粉末是相同的，混合顺序是本领域技术人员可以选择的，并且本申请并没有因上述混合方式而获得任何预料不到的技术效果。因此，在对比文件3的基础上得到权利要求1所要保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
2）.权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2、3对权利要求1做了进一步的限定。对比文件3（说明书第0006-0015段,0030-0041段,0068-0082段）公开了将原料H3PO4、Al(PO3)3、Li2CO3、SiO2、TiO2熔融淬冷粉碎制成玻璃或结晶玻璃粉末，然后由这些粉末加入粘结剂等制备成浆料，继而制成生坯片，叠层多个生坯片，随后烧结叠层的生坯片得到固体电解质膜。可见，上述玻璃态粉末中包含了SiO2，其作用与该特征在本申请中的作用相同，都是作为氧化物改性剂；因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求3中其余并列限定的氧化物改性剂均属于本领域常规改性剂，是本领域技术人员容易想到的，因此，该部分技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
3）.权利要求4-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件3（出处同上）还公开了形成生坯片的玻璃或结晶玻璃粉末的粒度优选为3?m以下，0.01?m以上；电解质膜制备的烧结温度为1020℃，生坯片包括粘合剂和增塑剂；获得的电解质膜的电导率为2.5×10-4S/cm；可见对比文件3公开了权利要求4-6、8、11的附加技术特征；
对比文件1（出处同上）还公开了固体电解质膜制备的烧结温度950-1100℃；生坯片可以利用带材浇铸；生坯体包括粘合剂和增塑剂；电解质膜的厚度为50-350?m；对比文件1所得到的电解质膜电导率为10-4-10-3S/cm，理论密度大约95%；可见，对比文件1公开了权利要求5-9、11-12的附加技术特征；从属权利要求10限定了膜的厚度小于50?m，在对比文件1公开电解质膜的厚度为50-350?m的基础上获得电解质膜厚度小于50?m对本领域技术人员是容易的，且其技术效果可以预期。由此可见，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4-12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4）.权利要求13-14不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件3（出处同上）还公开了制备所得的固体电解质膜的组成为Li1 x yAlxTi2-xSiyP3-yO12，0≤x≤0.4，0<>
5）. 权利要求15-27不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15-27进一步限定了烧结温度或者形成固体膜的最大加工温度，对比文件1（出处同上）公开了烧结生坯体形成固体电解质膜的温度是400-1200℃，具体可以是900℃，950℃，1050℃，1100℃；对比文件3（出处同上）公开了烧结生坯体形成固体电解质膜的温度是500-1200℃，具体可以是1020℃，可见，对比文件1和3中的反应性烧结或者说形成固体膜的加工温度是落入了本申请权利要求15-27限定的范围内的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求15-27也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.对复审请求人相关意见的评述
合议组认为：首先，权利要求1表述的内容是：混合反应物形成混合物，浇铸混合物形成生坯体，反应性烧结所述生坯体来形成固体膜，其中，所述形成所述膜的最大加工温度小于1300℃。从其前后表述判断，“形成所述膜的最大加工温度”应理解为“反应性烧结所述生坯体形成固体膜”的步骤；其次，说明书第0025段并没有提及除反应性烧结外的其余制备步骤以及有什么温度要求，从“最大加工温度（例如玻璃的熔融温度）……”并不能看出该“最大加工温度”还包括：“混合无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火氧化物反应性，形成混合物”和“浇铸所述混合物来形成生坯体”步骤。另外，本申请的改进点是通过两步法，先将所述无定形的、玻璃态或者低熔融温度的固体反应物与耐火材料反应物混合浇铸成生坯体，然后反应性烧结得到固体电解质膜，利用所述固体反应物形成了稳定的相，在反应性烧结时固定反应物组分的扩散，使它们基本完全反应转化为电解质组合物，从而保证电解质膜的致密性。说明书并没有对除反应性烧结外其余步骤所需的温度进行要求和限定，因此，其没有依据在权利要求中限定和保护整个制备过程的加工温度范围。综上，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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