发明创造名称：半导体设备用衬底以及其制造方法
外观设计名称：
决定号：193422
决定日：2019-10-23
委内编号：1F285597
优先权日：2015-01-23
申请（专利）号：201610045414.5
申请日：2016-01-22
复审请求人：三菱电机株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：智月
合议组组长：宋霖
参审员：吴海涛
国际分类号：H01L21/02，H01L21/24，H01L29/43
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征也没有被其它对比文件公开，该区别技术特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员在上述对比文件基础上结合本领域公知常识得到该权利要求的技术方案是非显而易见的，且由于包括该区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610045414.5，名称为“半导体设备用衬底以及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为三菱电机株式会社，申请日为2016年01月22日，优先权日为2015年01月23日，公开日为2016年08月03日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门审查员于2019年02月19日发出驳回决定，以权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，驳回决定中引用了对比文件2（JP特开2006-024880A，公开日为2006年01月26日），其理由是：权利要求1与对比文件2的区别技术特征在于：使作为红色光或红外光的光线射入所述衬底，通过反射的有无而对衬底的有无进行判定的工序。但是上述区别技术特征属于本领域公知常识，因此权利要求1不具备创造性。对于权利要求1中衬底为GaN的技术方案：采用GaN替换SiC属于本领域公知常识，因此该技术方案也不具备创造性。此外，还在“其他说明”部分认为：权利要求2-6的附加技术特征或被对比文件2公开或属于本领域公知常识，因此权利要求2-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年01月22日提交的说明书第1-41段，说明书附图图1-5，说明书摘要、摘要附图，以及2018年11月09日提交的权利要求第1-6项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体设备用衬底的制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
在衬底的背面，形成与所述衬底相比红色光或者红外光的透过率低的金属薄膜层的工序；
反应工序，对所述衬底和所述金属薄膜层进行加热，使所述金属薄膜层的材料扩散至所述衬底，形成所述衬底的材料和所述金属薄膜层的材料相混合的反应层；以及
使作为红色光或红外光的光线射入所述衬底，通过反射的有无而对衬底的有无进行判定的工序，
所述衬底由SiC或者GaN所形成。
2. 根据权利要求1所述的半导体设备用衬底的制造方法，其特征在于，
在所述反应工序之前，具有下述工序：在所述衬底的表面形成半导体层，并在所述半导体层的表面形成绝缘膜。
3. 根据权利要求1或2所述的半导体设备用衬底的制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
在所述金属薄膜层的背面，由SiC、HfO2、ZnO2或者贵金属形成蚀刻保护膜。
4. 根据权利要求1或2所述的半导体设备用衬底的制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
在所述金属薄膜层的背面，由W、Cr或者Al形成追加金属薄膜层。
5. 根据权利要求4所述的半导体设备用衬底的制造方法，其特征在于，
具有下述工序：
在所述追加金属薄膜层的背面，由SiC、HfO2、ZnO2或者贵金属形成蚀刻保护膜。
6. 根据权利要求1或2所述的半导体设备用衬底的制造方法，其特征在于，
所述金属薄膜层由包含Ni的合金或者Ni所形成。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年06月06日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文本。复审请求人认为：对比文件2解决的技术问题是抑制电极脱落，而本申请解决的技术问题是利用红外光等对衬底的有无进行判定；且对比文件2和其他现有技术中没有提及与衬底形成反应层的Ni层用于“在不带来不良影响的情况下，利用红外光等对透明衬底有无进行判定”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年06月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：本申请现有技术中提及在衬底背面形成对光透过率低的Cr、W或Al金属膜用于红光检测SiC衬底，但是金属膜容易脱落，本申请解决的问题在于增加金属膜与衬底粘附性，对比文件2公开了在金属膜与衬底之间形成反应层以增加金属膜与衬底粘附性，即对比文件2公开了本申请发明点的技术手段且能解决相同技术问题，且为避免后续衬底从器件层脱落，采用红外光进行衬底有无检测属于本领域惯用手段。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时未对申请文本进行修改，因此本复审决定所依据的文本与驳回决定针对的文本相同，为：申请日2016年01月22日提交的说明书第1-41段，说明书附图图1-5，说明书摘要、摘要附图，以及2018年11月09日提交的权利要求第1-6项。
2、具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征也没有被其它对比文件公开，该区别技术特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员在上述对比文件基础上结合本领域公知常识得到该权利要求的技术方案是非显而易见的，且由于包括该区别技术特征使得该权利要求的技术方案实现了有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审决定引用与驳回决定相同的对比文件，为：
对比文件2：JP特开2006-024880A，公开日为2006年01月26日。
（1）权利要求1请求保护一种半导体设备用衬底的制造方法，对比文件2公开了一种半导体器件及其制造方法（参见说明书第0066-0102段，图2-4），包括：碳化硅半导体衬底11的背面形成镍金属层21（可以直接地、毫无疑义地确定，镍金属层的红色光或红外光透光率低于SiC衬底），进行热处理，使得衬底与镍层反应形成反应层12。
可见对比文件2没有公开权利要求1的技术特征：使作为红色光或红外光的光线射入所述衬底，通过反射的有无而对衬底的有无进行判定的工序。
基于上述区别技术特征，可以确定权利要求1实际解决的技术问题在于：如何提高利用红外光等对衬底的有无进行判定的可靠性。
根据驳回决定、前置审查意见和复审请求书的相关意见可知，原实质审查部门和复审请求人的争议焦点主要在于：本领域技术人员将红色光或红外光的光线用于检测对比文件2中的衬底有无是否是显而易见的。
对此，合议组认为：在本领域中，虽然通过红色光或红外光的光线对目标衬底有无进行检测属于本领域公知常识，但是，现有技术中均未涉及在用红色光或红外光的光线进行目标衬底有无检测时如何提高判定的可靠性的技术问题，更未公开通过红色光或红外光对背面形成了金属层以及衬底与金属层之间的反应层的透光衬底进行有无判定以提高检测可靠性这一技术手段，也就是说，虽然通过红色光或红外光的光线对衬底有无进行检测这一技术手段本身属于本领域公知常识，但是包括该特征的权利要求1作为技术方案整体，通过各项特征在功能上的彼此支持，能解决现有技术中未提及的利用红色或红外光检测衬底有无而无弊病地进行处理的技术问题，并带来了相应的技术效果；而且，本申请的权利要求1中的技术方案中，对于无需在衬底背面形成电极的情况也要在衬底背面形成用于反射红光或红外光的金属层，而对比文件2中在衬底背面形成的Ni层仅用作电极使用，对比文件2和其他现有技术中对于衬底背面形成的Ni层除了用作电极之外的其他作用未给出相关技术启示。因此本领域技术人员在对比文件2的基础上没有动机结合通过红色光或红外光的光线对衬底有无进行检测这一技术手段，并产生相应技术效果，因此权利要求1中的技术方案具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
（2）从属权利要求2-6直接或间接引用独立权利要求1，鉴于权利要求1相对于对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性，则对其作进一步限定的从属权利要求2-6对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性，符合专利法第22条第3款的规定。
3、对前置相关意见的评述
前审在驳回和前置审查意见中的相关意见，合议组意见如下：
采用红外光进行衬底有无检测虽然属于本领域惯用技术手段，但是，现有技术中没有公开也没有教导将该特征应用到对比文件2，使得对比文件2中衬底背面的Ni电极层同时用作通过红光或红外光检测衬底有无时的反射层，同时提高检测可靠性。因此本申请的技术方案相对于对比文件2和公知常识的结合具备创造性。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年02月19日对本申请作出的驳回决定。
由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2016年01月22日提交的说明书第1-41段，说明书附图图1-5；
复审请求人于2018年11月09日提交的权利要求第1-6项；
复审请求人于2016年01月22日提交的摘要；
复审请求人于2016年01月22日提交的摘要附图。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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