发明创造名称：极薄封装
外观设计名称：
决定号：192795
决定日：2019-10-18
委内编号：1F274398
优先权日：2012-09-20
申请（专利）号：201380048042.6
申请日：2013-09-20
复审请求人：斯莱戈科技公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐小岭
合议组组长：杨丽丽
参审员：罗崇举
国际分类号：H01L21/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，一部分区别技术特征已被另一对比文件公开，并且该另一对比文件也给出了将该部分区别技术特征应用到作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，另一部分区别技术特征为本领域的公知常识，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380048042.6，名称为“极薄封装”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为斯莱戈科技公司，申请日为2013年09月20日，优先权日为2012年09月20日，公开日为2015年07月01日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月06日发出驳回决定，以权利要求1-20不符合专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其驳回的具体理由是：权利要求1包括特征“集成电路，经由连接而连接到引线框”的技术方案与对比文件3（JP2004158739A，公开日为2004年06月03日）相比，其区别技术特征为“所述器件包括发光器件；集成电路，经由连接而连接到引线框”，而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1的上述技术方案相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求1的从属权利要求2-10的附加技术特征或者被对比文件3公开，或属于本领域的公知常识，因此权利要求2-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求11包含技术特征“连接到引线框”的技术方案与对比文件3相比，其区别技术特征为“其中所述器件包括发光器件；用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框的集成电路的器件”，而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求11的上述技术方案相对于对比文件3与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求11的从属权利要求12-20的附加技术特征或者被对比文件3公开，或属于本领域的公知常识，因此权利要求12-20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于国际申请进入中国国家阶段日2015年03月16日提交的说明书第1-21段、说明书附图图1-3R、说明书摘要、摘要附图；于2018年07月04日提交的权利要求第1-20项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种器件，包含：
集成电路，经由连接而连接到引线框或衬底；以及
EMC（环氧树脂模制化合物），除了在集成电路的背侧和连接区域之外包围所述集成电路，所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框或衬底；以及
粘附膜，被施加到所述器件的顶侧以保护暴露的所述集成电路的背侧，其中所述器件包括发光器件，并且其中所述粘附膜被保持在所述器件的顶侧上而没有被移除。
2. 权利要求1的器件，其中在器件装配期间集成电路的背侧和器件的顶侧之间的EMC被移除。
3. 权利要求1的器件，其中在器件装配期间研磨被用来从器件的顶侧移除EMC并且暴露集成电路的背侧。
4. 权利要求3的器件，其中研磨包括使引线框或衬底经受顶侧研磨，直至暴露集成电路的背侧。
5. 权利要求3的器件，其中研磨包括使引线框或衬底经受顶侧研磨，直至实现期望的封装厚度。
6. 权利要求1的器件，其中集成电路的背侧包含暴露的硅。
7. 权利要求3的器件，其中研磨包括使所述引线框或衬底经受顶侧研磨，直到实现期望的集成电路厚度。
8. 权利要求1的器件，其中粘附膜被固化以改进与下面的EMC和集成电路背侧的粘附。
9. 权利要求1的器件，其中器件包含极薄DFN（双扁平无引线）或者QFN（方形扁平无引线）封装。
10. 权利要求1的器件，其中所述粘附膜保护所述集成电路免于发光诱导的泄露和湿气渗透。
11. 一种方法，包含：
用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框或者衬底的集成电路的器件；
研磨EMC以暴露集成电路背侧；
将粘附膜施加到所述器件的顶侧以保护暴露的所述集成电路的背侧；以及
将所述粘附膜保持在所述器件的顶侧上而没有移除所述粘附膜；
其中所述器件包括发光器件。
12. 权利要求11的方法，其中研磨包括移除集成电路的背侧与器件的顶侧之间的EMC。
13. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨集成电路的背侧的至少一部分。
14. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨直到暴露集成电路的背侧。
15. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨直到实现期望的封装厚度。
16. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨直到实现期望的集成电路厚度。
17. 权利要求11的方法，其中所述粘附膜保护集成电路免于发光诱导的泄露和湿气渗透。
18. 权利要求11的方法，进一步包含固化粘附膜以改进与下面的EMC和集成电路背侧的粘附。
19. 权利要求11的方法，其中器件包含极薄DFN（双扁平无引线）或者QFN（方形扁平无引线）封装。
20. 权利要求11的方法，其中所述集成电路的背侧包括暴露的硅。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月20日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，在权利要求1和11中分别增加了特征“其中顶侧的粘附膜被标记用于器件识别和可追踪性目的”和“对所述粘附膜进行标记用于器件识别和可追踪性目的”。复审请求人认为：对比文件3没有公开新增加的特征“其中顶侧的粘附膜被标记用于器件识别和可追踪性目的”，因此权利要求1、11相对于对比文件3公开的内容具备创造性。
复审请求时新修改的权利要求1和11如下：
“1. 一种器件，包含：
集成电路，经由连接而连接到引线框或衬底；以及
EMC（环氧树脂模制化合物），除了在集成电路的背侧和连接区域之外包围所述集成电路，所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框或衬底；以及
粘附膜，被施加到所述器件的顶侧以保护暴露的所述集成电路的背侧，其中顶侧的粘附膜被标记用于器件识别和可追踪性目的，其中所述器件包括发光器件，并且其中所述粘附膜被保持在所述器件的顶侧上而没有被移除。”
“11. 一种方法，包含：
用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框或者衬底的集成电路的器件；
研磨EMC以暴露集成电路背侧；
将粘附膜施加到所述器件的顶侧以保护暴露的所述集成电路的背侧；
对所述粘附膜进行标记用于器件识别和可追踪性目的；以及
将所述粘附膜保持在所述器件的顶侧上而没有移除所述粘附膜；
其中所述器件包括发光器件。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月01日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：新增的技术特征已被第四次审查意见通知书中引用的对比文件4（CN102339817A，公开日为2012年02月01日）所公开，且技术效果相同；该新增的技术特征在第四次审查意见通知书中评述过，且申请人在答复第四次审查意见通知书时提交的文本（即驳回所针对的审查文本）中删除。因此修改后的权利要求相对于对比文件3、4以及公知常识的结合仍然不具备创造性，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年06 月14 日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体理由如下：（1）权利要求1包括特征“所述集成电路经由所述连接区域连接到衬底”的技术方案与对比文件3相比，其区别技术特征为“①其中所述粘附膜被标记用于器件识别和可追踪性目的；②所述器件包括发光器件”，其中区别技术特征①被对比文件4（公开号为CN102339817A，公开日为2012年02月01日）公开，区别技术特征②属于本领域的公知常识；权利要求1包括特征“所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框”的技术方案与对比文件3公开的内容相比，其区别技术特征除了上述的区别技术特征①和②之外，还包括区别技术特征③：所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框。而区别技术特征③属于本领域的公知常识。因此权利要求1的上述两个技术方案相对于对比文件3、对比文件4与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）权利要求1的从属权利要求2-10的附加技术特征或者被对比文件3、对比文件4公开，或属于本领域的公知常识，因此权利要求2-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（3）权利要求11包括特征“用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到衬底的集成电路的器件”的技术方案与对比文件3相比，其区别技术特征为“①对所述粘附膜进行标记用于器件识别和可追踪性目的；②所述器件包括发光器件”，其中区别技术特征①被对比文件4公开，区别技术特征②属于本领域的公知常识；权利要求11包括特征“用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框的集成电路的器件”的技术方案与对比文件3公开的内容相比，其区别技术特征除了上述的区别技术特征①和②之外，还包括区别技术特征③：用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框的集成电路的器件。而区别技术特征③属于本领域的公知常识。因此权利要求11的上述两个技术方案相对于对比文件3、对比文件4与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（4）权利要求11的从属权利要求12-20的附加技术特征或者被对比文件3、对比文件4公开，或属于本领域的公知常识，因此权利要求12-20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年07月29日提交了意见陈述书，修改了权利要求书，其中在权利要求1和11中分别增加了特征“在引线框或衬底的端子/引线上的预电镀修整”和“通过引线电镀步骤为引线框或衬底的端子/引线提供引线修整”。复审请求人认为：对比文件3和对比文件4均没有公开、教导新增加的技术特征“在引线框或衬底的端子/引线上进行的预电镀修整”，因此权利要求1和11具备创造性。
复审请求人答复复审通知书时所提交的权利要求书如下：
“1. 一种器件，包含：
集成电路，经由连接而连接到引线框或衬底；以及
EMC（环氧树脂模制化合物），除了在集成电路的背侧和连接区域之外包围所述集成电路，所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框或衬底；
在引线框或衬底的端子/引线上的预电镀修整；以及
粘附膜，被施加到所述器件的顶侧以保护暴露的所述集成电路的背侧，其中顶侧的粘附膜被标记用于器件识别和可追踪性目的，其中所述器件包括发光器件，并且其中所述粘附膜被保持在所述器件的顶侧上而没有被移除。
2. 权利要求1的器件，其中在器件装配期间集成电路的背侧和器件的顶侧之间的EMC被移除。
3. 权利要求1的器件，其中在器件装配期间研磨被用来从器件的顶侧移除EMC并且暴露集成电路的背侧。
4. 权利要求3的器件，其中研磨包括使引线框或衬底经受顶侧研磨，直至暴露集成电路的背侧。
5. 权利要求3的器件，其中研磨包括使引线框或衬底经受顶侧研磨，直至实现期望的封装厚度。
6. 权利要求1的器件，其中集成电路的背侧包含暴露的硅。
7. 权利要求3的器件，其中研磨包括使所述引线框或衬底经受顶侧研磨，直到实现期望的集成电路厚度。
8. 权利要求1的器件，其中粘附膜被固化以改进与下面的EMC和集成电路背侧的粘附。
9. 权利要求1的器件，其中器件包含极薄DFN（双扁平无引线）或者QFN（方形扁平无引线）封装。
10. 权利要求1的器件，其中所述粘附膜保护所述集成电路免于发光诱导的泄露和湿气渗透。
11. 一种方法，包含：
用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框或者衬底的集成电路的器件；
通过引线电镀步骤为引线框或衬底的端子/引线提供引线修整；
研磨EMC以暴露集成电路背侧；
将粘附膜施加到所述器件的顶侧以保护暴露的所述集成电路的背侧；
对所述粘附膜进行标记用于器件识别和可追踪性目的；以及
将所述粘附膜保持在所述器件的顶侧上而没有移除所述粘附膜；
其中所述器件包括发光器件。
12. 权利要求11的方法，其中研磨包括移除集成电路的背侧与器件的顶侧之间的EMC。
13. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨集成电路的背侧的至少一部分。
14. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨直到暴露集成电路的背侧。
15. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨直到实现期望的封装厚度。
16. 权利要求11的方法，其中研磨包括研磨直到实现期望的集成电路厚度。
17. 权利要求11的方法，其中所述粘附膜保护集成电路免于发光诱导的泄露和湿气渗透。
18. 权利要求11的方法，进一步包含固化粘附膜以改进与下面的EMC和集成电路背侧的粘附。
19. 权利要求11的方法，其中器件包含极薄DFN（双扁平无引线）或者QFN（方形扁平无引线）封装。
20. 权利要求11的方法，其中所述集成电路的背侧包括暴露的硅。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-20项，经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定所针对的文本为：复审请求人于国际申请进入中国国家阶段日2015年03月16日提交的说明书第1-21段、说明书附图图1-3R、说明书摘要、摘要附图；于2019年07月29日提交的权利要求第1-20项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，一部分区别技术特征已被另一对比文件公开，并且该另一对比文件也给出了将该部分技术区别特征应用到作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，另一部分区别技术特征为本领域的公知常识，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与复审通知书中的引用的对比文件相同，包括驳回决定引用的对比文件3和实质审查程序中引用的对比文件4，即：
对比文件3：公开号为JP2004158739A，公开日为2004年06月03日；
对比文件4：公开号为CN102339817A，公开日为2012年02月01日。
1. 权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种器件。对比文件3公开了一种树脂封装半导体器件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0015-0027段，附图1(a)-2）：
半导体芯片3（相当于集成电路），经由金属凸块4（相当于连接）将半导体芯片3的电极2b与支撑衬底1的电极2a电接连；
环氧树脂5（相当于EMC），参见附图1f和2，除了在半导体芯片3的背侧、以及半导体芯片3与支撑衬底1连接的区域（下称连接区域）之外包围半导体芯片3，半导体芯片3经由连接区域连接到具有电极2a的支撑衬底1；
覆盖膜11（相当于粘附膜），被施加到封装半导体器件的顶侧以保护暴露的半导体芯片3的背侧，其中覆盖膜11被保持在半导体封装器件的顶侧上而没有被移除。
（1）权利要求1包括特征“所述集成电路经由所述连接区域连接到衬底”的并列技术方案与对比文件3公开的内容相比，其区别技术特征为：①其中所述粘附膜被标记用于器件识别和可追踪性目的；②所述器件包括发光器件；③在引线框或衬底的端子/引线上的预电镀修整。基于该区别技术特征可以确定，权利要求1实际解决的技术问题为:①对器件进行识别和追踪；②根据需要选择合适的芯片类型；③提高引线的可键合性。
对于区别技术特征①，对比文件4公开了一种半导体封装，具体公开了如下特征（参见说明书第0050段-0056段，附图13）:半导体封装1根据需要被进行印字，参见附图13在半导体封装1的导电性屏蔽层7（相当于粘附膜）的表面形成文字 10A、符号10B、图形等标识标记10，也可以根据需要用耐蚀性和/或耐迁移性优异的保护层 9覆盖导电性屏蔽层7。其中可以直接地、毫无疑义地确定标识标记10的文字和符号可用于器件识别和追踪。因此本领域技术人员在面对如何快速的对器件进行识别和和追踪的技术问题时，可以想到将对比文件4公开的技术手段应用到对比文件3中，即对比文件4给出了将上述技术手段应用到对比文件3以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征②，对比文件3中没有明确记载半导体芯片为发光元件，当本领域技术人员可以根据需要来选择芯片的种类，如需要形成发光器件，则选择发光类型的芯片，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征③，为了保证引线框架与IC芯片以及金丝间的可焊性及IC器件的电参数性能，提高内引线的键合性，对引线框架的有效区域进行镀银等电镀处理是本领域的常用技术手段。在“刘仁志编著.整机电镀【M】.2008”中记载了“由于引线框的电镀多采用的是对金属电镀工艺，贵金属材料的成本很高，从降低成本和节约资料的角度，都要尽量节省贵金属的用量，为了适应这种需要而开发了局部电镀的设备”（参见第9页最后一段），以上内容可以看出对引线框进行电镀是常规操作。因此上述特征属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件4和本领域的公知常识以得到该权利要求要求保护的上述技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备创造性。
（2）权利要求1包括特征“所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框”的并列技术方案与对比文件3公开的内容相比，其区别技术特征除了上述的区别技术特征①、②和③之外，还包括区别技术特征④：所述集成电路经由所述连接区域连接到引线框。对比文件3公开了半导体芯片3被连接到衬底上，而封装器件中芯片连接到引线框或衬底均是本领域的常规设置，本领域技术人员可以根据需要来选择衬底或引线框。因此权利要求1的上述技术方案也不具备22条第3款规定的创造性。
2. 权利要求2-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-7：对比文件3公开了（参见附图1（b）和1（c））：半导体芯片3的背侧以上的环氧树脂5被研磨，直至半导体芯片3的背侧被露出。其中由于半导体芯片3位于支撑衬底1的上部，因此在研磨期间衬底必然要经受顶侧研磨。而封装中使用引线框与芯片连接属于本领域的常用技术手段，本领域技术人员可以根据形成器件的厚度来确定研磨掉的环氧树脂的厚度，以形成需要厚度的器件，而硅是半导体芯片的常用形成材料；
权利要求8：对比文件4公开了（参见说明书第0051段）：通过对导电性屏蔽层和/或保护层9进行烧结以使其固化。可见权利要求8的附加技术特征被对比文件4公开了，且起到改进叠层与下面的封装树脂层5以及半导体芯片4粘附性的作用。
权利要求9：在本领域中将集成电路封装成极薄DFN或QFN形式，属于本领域常用技术手段；
权利要求10：对比文件3公开了（参见说明书第0027段）：覆盖膜11（相当于粘附层）保护半导体芯片3免于湿气渗透。在对比文件3公开了粘附层可以保护集成电路免于湿气渗透的基础上，本领域技术人员可以根据实际需要设置粘附层的保护功能，使得粘附层还可以保护集成电路免于发光诱导的泄露，属于本领域的常规选择。
可见，权利要求2-10的附加技术特征或者被对比文件3、对比文件4公开，或者属于本领域的公知常识，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
3. 权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11要求保护一种方法。对比文件3公开了一种树脂封装半导体器件的形成方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0015-0027段，附图1(a)-2）：
半导体芯片3（相当于集成电路），经由金属凸块4（相当于连接）将半导体芯片3的电极2b与支撑衬底1的电极2a电接连；
使用环氧树脂5（相当于EMC），参见附图1f和2，除了在半导体芯片3的背侧、以及半导体芯片3与支撑衬底1连接的区域（下称连接区域）之外包围半导体芯片3；
对环氧树脂5进行研磨，以暴露出半导体芯片3的背侧；
覆盖膜11（相当于粘附膜），被施加到封装半导体器件的顶侧以保护暴露的半导体芯片3的背侧。
（1）权利要求11包括特征“用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到衬底的集成电路的器件”的技术方案与对比文件3公开的内容相比，其区别技术特征为：①对所述粘附膜进行标记用于器件识别和可追踪性目的；②所述器件包括发光器件；③通过引线电镀步骤为引线框或衬底的端子/引线提供引线修整。基于该区别技术特征可以确定，权利要求11实际解决的技术问题为:①对器件进行识别和追踪；②根据需要选择合适的芯片类型；③提高引线的可键合性。
对于区别技术特征①，对比文件4公开了一种半导体封装，具体公开了如下特征（参见说明书第0050段-0056段，附图13）:半导体封装1根据需要被进行印字，参见附图13在半导体封装1的导电性屏蔽层7（相当于粘附膜）的表面形成文字 10A、符号10B、图形等标识标记10，也可以根据需要用耐蚀性和/或耐迁移性优异的保护层 9覆盖导电性屏蔽层7。其中可以直接地、毫无疑义地确定标识标记10的文字和符号可用于器件识别和追踪。因此本领域技术人员在面对如何快速的对器件进行识别和和追踪的技术问题时，可以想到将对比文件4公开的技术手段应用到对比文件3中，即对比文件4给出了将上述技术手段应用到对比文件3以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征②，对比文件3中没有明确记载半导体芯片为发光元件，当本领域技术人员可以根据需要来选择芯片的种类，如需要形成发光器件，则选择发光类型的芯片，属于本领域的常规选择。
对于区别技术特征③，为了保证引线框架与IC芯片以及金丝间的可焊性及IC器件的电参数性能，提高内引线的键合性，对引线框架的有效区域进行镀银等电镀处理是本领域的常用技术手段。在“刘仁志编著.整机电镀【M】.2008”中记载了“由于引线框的电镀多采用的是对金属电镀工艺，贵金属材料的成本很高，从降低成本和节约资料的角度，都要尽量节省贵金属的用量，为了适应这种需要而开发了局部电镀的设备”（参见第9页最后一段），以上内容可以看出对引线框进行电镀是常规操作。因此上述特征属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件4和本领域的公知常识以得到该权利要求要求保护的上述技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，该权利要求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备创造性。
（2）权利要求11包括特征“用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框的集成电路的器件”的技术方案与对比文件3公开的内容相比，其区别技术特征除了上述的区别技术特征①、②和③之外，还包括区别技术特征④：用EMC（环氧树脂模制化合物）模制包含连接到引线框的集成电路的器件。对比文件3公开了半导体芯片3被连接到衬底上，而封装器件中芯片连接到引线框或衬底均是本领域的常规设置，本领域技术人员可以根据需要来选择衬底或引线框。因此权利要求11的上述技术方案也不具备22条第3款规定的创造性。
4. 权利要求12-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12-16、20：对比文件3公开了（参见附图1（b）和1（c））：半导体芯片3的背侧以上的环氧树脂5被研磨，直至半导体芯片3的背侧被露出。而封装中使用引线框与芯片连接属于本领域的常用技术手段，本领域技术人员可以根据形成器件的厚度或集成电路的厚度来确定研磨掉材料的厚度，以形成需要厚度的器件或集成电路，而硅是半导体芯片的常用形成材料；
权利要求17：对比文件3（参见说明书第0027段）公开了，覆盖膜11（相当于粘附层）保护半导体芯片3免于湿气渗透。在对比文件3公开了粘附层可以保护集成电路免于湿气渗透的基础上，本领域技术人员可以根据实际需要设置粘附层的保护功能，使得粘附层还可以保护集成电路免于发光诱导的泄露，属于本领域的常规选择。
权利要求18：对比文件4公开了（参见说明书第0051段）：通过对导电性屏蔽层和/或保护层9进行烧结以使其固化。可见权利要求18的附加技术特征被对比文件4公开了，且起到改进叠层与下面的封装树脂层5以及半导体芯片4粘附性的作用。
权利要求19：在本领域中将集成电路封装成极薄DFN或QFN形式，属于本领域常用技术手段；
可见，权利要求12-20的附加技术特征或者被对比文件3、对比文件4公开，或者属于本领域的公知常识，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：
①新增加的特征“在引线框或衬底的端子/引线上的预电镀修整以及通过引线电镀步骤为引线框或衬底的端子/引线提供引线修整”属于本领域的常用技术手段。②为了保证引线框架与IC芯片以及金丝间的可焊性及IC器件的电参数性能，提高内引线的键合性，对引线框架的有效区域进行镀银等电镀处理是本领域的常用技术手段。在“刘仁志编著.整机电镀【M】.2008”中记载了“由于引线框的电镀多采用的是对金属电镀工艺，贵金属材料的成本很高，从降低成本和节约资料的角度，都要尽量节省贵金属的用量，为了适应这种需要而开发了局部电镀的设备”（参见第9页最后一段），以上内容可以看出对引线框进行电镀是常规操作。③在本申请的背景技术中，也记载了（参见说明书第0002段）：“典型的芯片制造装配工艺包括：应用EMC（环氧树脂模制化合物）来覆盖器件的整个区域，使器件经受在引线上的电镀”，此处也公开了“引线上的电镀”属于典型的芯片制造装配工艺。因此复审请求人的意见陈述不具备说服力。
基于上述理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年11 月06 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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