发明创造名称：量子点发光二极管器件及具有其的显示设备
外观设计名称：
决定号：192681
决定日：2019-10-18
委内编号：1F263900
优先权日：2010-05-25
申请（专利）号：201510563772.0
申请日：2011-05-24
复审请求人：乐金显示有限公司 首尔大学校产学协力团
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐颖
合议组组长：张念国
参审员：孙重清
国际分类号：H01L51/50,H01L51/56,H01L27/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，其余的区别技术特征属于本领域的常规技术手段，即现有技术中已经给出了将上述多个区别技术特征应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，并且也未产生预料不到的技术效果，则该权利要求相对于上述现有技术的结合是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510563772.0，名称为“量子点发光二极管器件及具有其的显示设备”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为乐金显示有限公司、首尔大学校产学协力团。本申请是分案申请，母案的申请号是201110144312.6，申请日为2011年05月24日，优先权日为2010年05月25日，分案申请递交日为2015年09月07日，公开日为2016年01月13日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定引用的对比文件1-3如下：
对比文件1：WO2009/123763A2，公开日为2009年10月08日；
对比文件2：CN101110441A，公开日为2008年01月23日；
对比文件3：CN101351851A，公开日为2009年01月21日。
驳回决定认为：权利要求1请求保护一种量子点发光二极管器件，对比文件1公开了一种量子点发光二极管器件，该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征是：（1）阴极与基板上的薄膜晶体管相连；（2）电子传输层具有可交联的结构；（3）B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV。基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是：驱动控制、防止层溶解。关于区别技术特征（1），对比文件2给出了相关的技术启示。关于区别技术特征（2），对比文件3给出了可交联的聚合物可防止溶液工艺时的层溶解的启示，在上述启示下，本领域技术人员可以选择具有可交联的结构的聚合物制作对比文件1中的电子传输层，以防止后续溶液工艺对电子传输层的溶解。关于区别技术特征（3），为了便于空穴注入设置空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大，是本领域技术人员常用的技术手段，属于公知常识，其HOMO能级差值，本领域技术人员可以根据需要合理选择。在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备创造性。同样的，独立权利要求9-12也不具备创造性。
权利要求2-5的附加技术特征被对比文件1或3公开，权利要求6、8的附加技术特征是本领域的常规技术手段，未取得意料不到的技术效果，权利要求7中的材料是本领域常用材料。因此权利要求2-8不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：分案申请递交日2015年09月07日提交的说明书摘要、摘要附图、经初审审查员依职权修改的说明书附图图1A-12；2017年09月18日提交的说明书第1-190段；2018年04月03日提交的权利要求第1-12项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种量子点发光二极管器件，包括：
形成在基板上的阴极，其中所述阴极与所述基板上的薄膜晶体管相连；
在所述阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；
形成在所述电子传输层上的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；和
形成在所述空穴传输层上的阳极，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV。
2. 根据权利要求1所述的器件，其中所述量子点发光层包括2族-6族配对或3族-5族配对的纳米半导体化合物。
3. 根据权利要求2所述的器件，其中所述纳米半导体化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。
4. 根据权利要求1所述的器件，其中所述空穴传输层由选自CBP和TCTA中的任意一种形成。
5. 根据权利要求2所述的器件，其中所述电子传输层还包括TPBI或TAZ。
6. 根据权利要求1所述的器件，其中所述R量子点、G量子点和B量子点中的每一个具有1纳米～100纳米的直径。
7. 根据权利要求4所述的器件，其中在所述空穴传输层和所述阳极之间进一步包括空穴注入层，所述空穴注入层是MoO3。
8. 根据权利要求1所述的器件，其中带隙能量的差值按照B、G和R的顺序变小。
9. 一种显示设备，包括：
形成在基板上的透明阴极；
在所述透明阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；
在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；
形成在所述空穴传输层上的阳极；以及
与所述阴极连接的薄膜晶体管，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV。
10. 一种显示设备，包括：
形成在基板上的阴极；
在所述阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；
在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；
形成在所述空穴传输层上的透明阳极；以及
与所述阴极连接的薄膜晶体管，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV。
11. 一种显示设备，包括：
形成在第一基板上的阴极；
在所述阴极上的电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构；
在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；
形成在所述空穴传输层上的透明阳极；
形成在所述第一基板上的、与所述阴极连接的薄膜晶体管；以及
与所述第一基板相对的第二基板，所述第二基板具有滤色器层，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV。
12. 一种制造显示设备的方法，包括下述步骤：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述基板上形成阴极，其中所述阴极与所述薄膜晶体管相连；
通过溶液工艺在所述阴极上形成电子传输层，其中所述电子传输层具有可交联的结构，并且其中所述电子传输层是在用于该溶液工艺的溶剂挥发后被固化；
通过溶液工艺在所述电子传输层上形成填充有多个量子点的量子点发光层，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成阳极；以及
在与所述第一基板相对的第二基板上形成滤色器层，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月25日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：（1）对比文件3仅公开了可以将具有可交联基团的聚合物应用于空穴传输层。对比文件1没有公开或暗示在电子传输层中使用可交联的聚合物，对比文件2、3没有公开或暗示在电子传输层上形成量子点发光层，没有结合启示。（2）对比文件1公开的空穴传输材料与本申请并不相同，对比文件1仅示出了电子传输层由ZnO构成时的亮度效率。（3）本申请权利要求1中限定的特征“其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV”不是显而易见的，本申请能够实现突出的蓝色EQE。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月31日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1记载通过可交联结构用于防止在电子传输层上形成量子点发光层时电子传输层在溶液工艺中受到损害，而对比文件3给出了可交联的聚合物可防止溶液工艺时的层溶解的启示。在对对比文件1公开的技术方案进行改进时，因制备反转式发光二极管先制备电子传输层再制备溶液法制备其他层，本领域技术人员有动机选择使电子传输层具有可交联结构以防止后续层溶解问题；（2）对比文件1公开的空穴传输层材料为CBP，与本申请相同。本申请给出了各项数据是基于电子传输层为ZnO时的数据，未示出电子传输层具有可交联的结构时的各项数据；（3）对比文件1公开了与本申请结构相同的反转式发光二极管，且其空穴传输层、量子点发光层材料以及设置方式也均与本申请相同，且量子点发光波长与量子点能级相关联，本领域技术人员可以确定发光层中量子点更倾向于B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点，空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大。基于上述理由，坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月03日向复审请求人发出复审通知书，该复审通知书使用了驳回决定中的对比文件1-3，其中指出：权利要求1、9-12修改超范围，不符合专利法第33条的规定。即使复审请求人删除权利要求1、9-12中上述修改超范围的特征“其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV”，权利要求1-12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人提出的意见，合议组认为：（1）本申请通过可交联结构防止在电子传输层上形成量子点发光层时电子传输层在溶液工艺中受到损害。而对比文件3给出了使用具有可交联结构的材料来防止溶液工艺时的层溶解问题的技术启示。本领域技术人员在上述基础上很容易想到将具有同样性质的材料应用于电子传输层，由于对比文件1公开了制备反转式量子点发光二极管是先制备电子传输层再制备量子点发光层，因此本领域技术人员有动机选择设置电子传输层具有可交联结构以防止电子传输层在后续溶液工艺中层溶解的问题。（2）对比文件1公开的空穴传输层材料与电子传输层，与本申请中使用的材料相同。本申请并未示出电子传输层具有可交联的结构时的各项数据，本领域技术人员也无法确定当电子传输层具有可交联的结构时相比于其他的材料器件具有更优的效率和性能。（3）本申请权利要求1中限定的特征“所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV”修改超范围，不符合专利法第33条的规定。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年06月24日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页，共9项权利要求。其中复审请求人删除了原权利要求1、9-12中的“其中所述电子传输层具有可交联的结构”、“其中所述空穴传输层的HOMO比R量子点的HOMO大0.7eV至1.0eV”；增加技术特征“其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小”、“所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成，且B量子点比率高于G量子点比率”；删除原权利要求4、5、8。复审请求人认为：（1）独立权利要求1和6-9具有特征“其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小，其中所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成”，这些特征没有在引用的对比文件中教导或建议。本申请选择具有比量子点发光层的HOMO能级高的HOMO能级的空穴传输层材料，降低了驱动电压，提高了发光效率（包括R、G、B，尤其是B）。（2）修改后的特征“B量子点比率高于G量子点比率”可获得相对较好的电流密度，对比文件1仅显示了单一颜色量子点装置的实验数据。
答复复审通知书时修改的权利要求1-9如下：
“1. 一种量子点发光二极管器件，包括：
形成在基板上的阴极，其中所述阴极与所述基板上的薄膜晶体管相连；
在所述阴极上的电子传输层；
形成在所述电子传输层上的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；和
形成在所述空穴传输层上的阳极，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小，
其中所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成，且
B量子点比率高于G量子点比率。
2. 根据权利要求1所述的器件，其中所述量子点发光层包括2族-6族配对或3族-5族配对的纳米半导体化合物。
3. 根据权利要求2所述的器件，其中所述纳米半导体化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnTe、ZnS、HgTe、InAs、InP和GaAs中的任意一种。
4. 根据权利要求1所述的器件，其中所述R量子点、G量子点和B量子点中的每一个具有1纳米～100纳米的直径。
5. 根据权利要求1所述的器件，其中在所述空穴传输层和所述阳极之间进一步包括空穴注入层，所述空穴注入层是MoO3。
6. 一种显示设备，包括：
形成在基板上的透明阴极；
在所述透明阴极上的电子传输层；
在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；
形成在所述空穴传输层上的阳极；以及
与所述阴极连接的薄膜晶体管，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小，
其中所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成，且
B量子点比率高于G量子点比率。
7. 一种显示设备，包括：
形成在基板上的阴极；
在所述阴极上的电子传输层；
在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；
形成在所述空穴传输层上的透明阳极；以及
与所述阴极连接的薄膜晶体管，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小，
其中所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成，且
B量子点比率高于G量子点比率。
8. 一种显示设备，包括：
形成在第一基板上的阴极；
在所述阴极上的电子传输层；
在所述电子传输层上形成的、包括量子点的量子点发光层，其中所述量子点发光层是通过溶液工艺形成，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上的空穴传输层；
形成在所述空穴传输层上的透明阳极；
形成在所述第一基板上的、与所述阴极连接的薄膜晶体管；以及
与所述第一基板相对的第二基板，所述第二基板具有滤色器层，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小，
其中所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成，且
B量子点比率高于G量子点比率。
9. 一种制造显示设备的方法，包括下述步骤：
在基板上形成薄膜晶体管；
在所述基板上形成阴极，其中所述阴极与所述薄膜晶体管相连；
通过溶液工艺在所述阴极上形成电子传输层，其中所述电子传输层是在用于该溶液工艺的溶剂挥发后被固化；
通过溶液工艺在所述电子传输层上形成填充有多个量子点的量子点发光层，所述量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点；
在所述包括R量子点、G量子点和B量子点的量子点发光层上形成空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成阳极；以及
在与所述第一基板相对的第二基板上形成滤色器层，
其中B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，
其中带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小，
其中所述空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，电子传输层由ZnO形成，且
B量子点比率高于G量子点比率。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年06月24日答复复审通知书时提交了权利要求1-9的全文替换页，经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所针对的文本为：分案申请递交日2015年09月07日提交的说明书摘要、摘要附图、经初审审查员依职权修改的说明书附图图1A-12；2017年09月18日提交的说明书第1-190段；2019年06月24日提交的权利要求第1-9项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，其余的区别技术特征属于本领域的常规技术手段，即现有技术中已经给出了将上述多个区别技术特征应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题的技术启示，并且也未产生预料不到的技术效果，则该权利要求相对于上述现有技术的结合是显而易见的，不具备创造性。
本复审决定仍引用驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件1-2，即：
对比文件1：WO2009/123763A2，公开日为2009年10月08日；
对比文件2：CN101110441A，公开日为2008年01月23日。
2.1权利要求1不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求1请求保护一种量子点发光二极管器件，对比文件1公开了一种量子点发光二极管器件（说明书第8页倒数第1段至第21页第2段，附图1），并具体公开了以下技术特征：形成在基板上的阴极6，在阴极6上的电子传输层5；形成在电子传输层5上的量子点发光层4，其中量子点发光层是由溶液工艺形成的（说明书第13页第3段，第30页倒数第2段）；在量子点发光层4上的空穴传输层3；和形成在空穴传输层上的阳极1；量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点（说明书第21页第2段）。空穴传输层3的HOMO大于量子点发光层的HOMO（图2），空穴传输层3的实例包括有机材料和无机材料，如TPD、螺-TPD、CBP、NPD等，电子传输层5包括无机半导体材料，例如氧化锌。对比文件1已经公开了量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。由于蓝光波长短，跃迁所需的能量大，HOMO-LUMO的绝对值最大，可见，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）阴极与基板上的薄膜晶体管相连；（2）B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒；（3）B量子点比率高于G量子点比率。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1相对于对比文件1实际所要解决的技术问题是：如何进行驱动控制、以及提高发光效率尤其是蓝光效率。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种显示器（说明书第3页倒数第1行至第5页第2行，附图2A-2B）：包括形成在基板100上的阴极22；形成在阴极上的发光层24； 形成在发光层上的由ITO构成的阳极26；其中阴极22与基板100上的薄膜晶体管21电性连接。可见，上述区别技术特征（1）已经被对比文件2所公开，且其在对比文件2中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是用于驱动控制发光二极管，由此可见，对比文件2给出了将上述技术特征应用在对比文件1中以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征（2），本领域技术人员根据实际应用的需要，为了有利于载流子的注入和传输，将发光层中B量子点的HOMO设置为低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO设置为低于R量子点的HOMO，这是本领域的常规技术手段。在空穴从CBP空穴传输层注入到不同颜色的量子点发光层时，根据量子点发光层材料的不同，本领域技术人员可以通过常规的实验手段和有限的试验将空穴能量势垒设置在0.7eV到2eV的范围内，从而有利于空穴的传输。
对于区别技术特征（3），不同颜色量子点的占比和颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数相关，颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数都是本领域技术人员设计时必须考虑的因素，根据实际需求选择不同比例的R、G、B量子点，为了再现自然色，提高蓝光发光效率，使B量子点比率高于G量子点比率属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2权利要求2-5不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求2对权利要求1作了进一步的限定，权利要求3对权利要求2作了进一步的限定，权利要求5对权利要求1作了进一步的限定。对比文件1（说明书第8页倒数第1段至第21页第2段，附图1）还公开了：量子点包括结晶无机半导体材料(也称为半导体纳米晶体)。包括：II-VI族化合物半导体纳米晶体，如CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe；III-V族化合物半导体纳米晶体，如GaP、GaAs、InP和InAs、PbS、PbSe、PbTe。空穴传输层3和阳极1之间设有空穴注入层2，空穴注入材料可以是无机或有机的。MoO3是本领域公知的空穴注入层材料。CdTe也是本领域公知的量子点发光材料。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2、3、5也不具备创造性。
权利要求4对权利要求1作了进一步的限定，本领域技术人员可以根据实际应用的需要，通过常规的实验手段和有限的试验对各色量子点的直径进行优化选择，使R量子点、G量子点和B量子点中的每一个具有1纳米～100纳米的直径，也不会带来任何预料不到的技术效果。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4也不具备创造性。
2.3权利要求6不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求6请求保护一种显示设备，对比文件1公开了一种量子点发光二极管器件（说明书第8页倒数第1段至第21页第2段，附图1），并具体公开了以下技术特征：形成在基板上的阴极6，阴极可以为ITO，在阴极6上的电子传输层5；形成在电子传输层5上的量子点发光层4，其中量子点发光层是由溶液工艺形成的（说明书第13页第3段，第30页倒数第2段）；在量子点发光层4上的空穴传输层3；和形成在空穴传输层上的阳极1；量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点（说明书第21页第2段）。空穴传输层3的HOMO大于量子点发光层的HOMO（图2），空穴传输层3的实例包括有机材料和无机材料，如TPD、螺-TPD、CBP、NPD等，电子传输层5包括无机半导体材料，例如氧化锌。对比文件1已经公开了量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。由于蓝光波长短，跃迁所需的能量大，HOMO-LUMO的绝对值最大，可见，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小。
权利要求6请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）与阴极连接的薄膜晶体管；（2）B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒；（3）B量子点比率高于G量子点比率。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求6相对于对比文件1实际所要解决的技术问题是：如何进行驱动控制、以及提高发光效率尤其是蓝光效率。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种显示器（说明书第3页倒数第1行至第5页第2行，附图2A-2B）：包括形成在基板100上的阴极22；形成在阴极上的发光层24； 形成在发光层上的由ITO构成的阳极26；其中阴极22与基板100上的薄膜晶体管21电性连接。可见，上述区别技术特征（1）已经被对比文件2所公开，且其在对比文件2中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是用于驱动控制发光二极管，由此可见，对比文件2给出了将上述技术特征应用在对比文件1中以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征（2），本领域技术人员根据实际应用的需要，为了有利于载流子的注入和传输，将发光层中B量子点的HOMO设置为低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO设置为低于R量子点的HOMO，这是本领域的常规技术手段。在空穴从CBP空穴传输层注入到不同颜色的量子点发光层时，根据量子点发光层材料的不同，本领域技术人员可以通过常规的实验手段和有限的试验将空穴能量势垒设置在0.7eV到2eV的范围内，从而有利于空穴的传输。
对于区别技术特征（3），不同颜色量子点的占比和颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数相关，颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数都是本领域技术人员设计时必须考虑的因素，根据实际需求选择不同比例的R、G、B量子点，为了再现自然色，提高蓝光发光效率，使B量子点比率高于G量子点比率属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到权利要求6所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求6不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4权利要求7不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求7请求保护一种显示设备，对比文件1公开了一种量子点发光二极管器件（说明书第8页倒数第1段至第21页第2段，附图1），并具体公开了以下技术特征：形成在基板上的阴极6，在阴极6上的电子传输层5；形成在电子传输层5上的量子点发光层4，其中量子点发光层是由溶液工艺形成的（说明书第13页第3段，第30页倒数第2段）；在量子点发光层4上的空穴传输层3；和形成在空穴传输层上的阳极1，阳极可以为ITO；量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点（说明书第21页第2段）。空穴传输层3的HOMO大于量子点发光层的HOMO（图2），空穴传输层3的实例包括有机材料和无机材料，如TPD、螺-TPD、CBP、NPD等，电子传输层5包括无机半导体材料，例如氧化锌。对比文件1已经公开了量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。由于蓝光波长短，跃迁所需的能量大，HOMO-LUMO的绝对值最大，可见，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小。
权利要求7请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）与阴极连接的薄膜晶体管；（2）B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒；（3）B量子点比率高于G量子点比率。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求7相对于对比文件1实际所要解决的技术问题是：如何进行驱动控制、以及提高发光效率尤其是蓝光效率。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种显示器（说明书第3页倒数第1行至第5页第2行，附图2A-2B）：包括形成在基板100上的阴极22；形成在阴极上的发光层24； 形成在发光层上的由ITO构成的阳极26；其中阴极22与基板100上的薄膜晶体管21电性连接。可见，上述区别技术特征（1）已经被对比文件2所公开，且其在对比文件2中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是用于驱动控制发光二极管，由此可见，对比文件2给出了将上述技术特征应用在对比文件1中以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征（2），本领域技术人员根据实际应用的需要，为了有利于载流子的注入和传输，将发光层中B量子点的HOMO设置为低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO设置为低于R量子点的HOMO，这是本领域的常规技术手段。在空穴从CBP空穴传输层注入到不同颜色的量子点发光层时，根据量子点发光层材料的不同，本领域技术人员可以通过常规的实验手段和有限的试验将空穴能量势垒设置在0.7eV到2eV的范围内，从而有利于空穴的传输。
对于区别技术特征（3），不同颜色量子点的占比和颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数相关，颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数都是本领域技术人员设计时必须考虑的因素，根据实际需求选择不同比例的R、G、B量子点，为了再现自然色，提高蓝光发光效率，使B量子点比率高于G量子点比率属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到权利要求7所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5权利要求8不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求8请求保护一种显示设备，对比文件1公开了一种量子点发光二极管器件（说明书第8页倒数第1段至第21页第2段，附图1），并具体公开了以下技术特征：形成在基板（即第一基板）上的阴极6，在阴极6上的电子传输层5；形成在电子传输层5上的量子点发光层4，其中量子点发光层是由溶液工艺形成的（说明书第13页第3段，第30页倒数第2段）；在量子点发光层4上的空穴传输层3；和形成在空穴传输层上的阳极1，阳极可以为ITO；量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点（说明书第21页第2段）。空穴传输层3的HOMO大于量子点发光层的HOMO（图2），空穴传输层3的实例包括有机材料和无机材料，如TPD、螺-TPD、CBP、NPD等，电子传输层5包括无机半导体材料，例如氧化锌。对比文件1已经公开了量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。由于蓝光波长短，跃迁所需的能量大，HOMO-LUMO的绝对值最大，可见，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小。
权利要求8请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）形成在第一基板上的、与阴极连接的薄膜晶体管；（2）与第一基板相对的第二基板，第二基板具有滤色器层；（3）B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒；（4）B量子点比率高于G量子点比率。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求8相对于对比文件1实际所要解决的技术问题是：如何进行驱动控制、对显示器进行封装滤色以及提高发光效率尤其是蓝光效率。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种显示器（说明书第3页倒数第1行至第5页第2行，附图2A-2B）：包括形成在基板100上的阴极22；形成在阴极上的发光层24； 形成在发光层上的由ITO构成的阳极26；其中阴极22与基板100上的薄膜晶体管21电性连接。可见，上述区别技术特征（1）已经被对比文件2所公开，且其在对比文件2中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是用于驱动控制发光二极管，由此可见，对比文件2给出了将上述技术特征应用在对比文件1中以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征（2），与第一基板相对地设置第二基板从而对显示设备进行封装，以及在第二基板上设置滤色器层以实现多色显示是本领域的常规技术手段。
对于区别技术特征（3），本领域技术人员根据实际应用的需要，为了有利于载流子的注入和传输，将发光层中B量子点的HOMO设置为低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO设置为低于R量子点的HOMO，这是本领域的常规技术手段。在空穴从CBP空穴传输层注入到不同颜色的量子点发光层时，根据量子点发光层材料的不同，本领域技术人员可以通过常规的实验手段和有限的试验将空穴能量势垒设置在0.7eV到2eV的范围内，从而有利于空穴的传输。
对于区别技术特征（4），不同颜色量子点的占比和颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数相关，颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数都是本领域技术人员设计时必须考虑的因素，根据实际需求选择不同比例的R、G、B量子点，为了再现自然色，提高蓝光发光效率，使B量子点比率高于G量子点比率属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到权利要求8所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求8不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6权利要求9不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求9请求保护一种制造显示设备的方法，对比文件1公开了一种量子点发光二极管器件及其制造方法（说明书第8页倒数第1段至第21页第2段，附图1），并具体公开了以下技术特征：在基板上形成阴极6，在阴极6上形成电子传输层5；在电子传输层5上形成填充有多个量子点的量子点发光层4，其中量子点发光层是通过溶液工艺形成的（说明书第13页第3段，第30页倒数第2段）；量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点（说明书第21页第2段）；在量子点发光层4上形成空穴传输层3；和在空穴传输层上形成阳极1。空穴传输层3的HOMO大于量子点发光层的HOMO（图2），空穴传输层3的实例包括有机材料和无机材料，如TPD、螺-TPD、CBP、NPD等，电子传输层5包括无机半导体材料，例如氧化锌，氧化锌可例如通过溶胶-凝胶工艺制备，即通过溶液工艺形成，在用于该溶液工艺的溶剂挥发后被固化。对比文件1已经公开了量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点。由于蓝光波长短，跃迁所需的能量大，HOMO-LUMO的绝对值最大，可见，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小。
权利要求9请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征为：（1）在基板上形成薄膜晶体管，阴极与薄膜晶体管相连；（2）在与第一基板相对的第二基板上形成滤色器层；（3）B量子点的HOMO低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO低于R量子点的HOMO，在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时，尽管在颜色之间具有差值，但存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒；（4）B量子点比率高于G量子点比率。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求9相对于对比文件1实际所要解决的技术问题是：如何进行驱动控制、对显示器进行封装滤色以及提高发光效率尤其是蓝光效率。。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种显示器及其制造方法（说明书第3页倒数第1行至第5页第2行，附图2A-2B）：包括在基板100上形成薄膜晶体管21和阴极22；其中阴极22与薄膜晶体管21电性连接；形成在阴极上的发光层24；形成在发光层上的由ITO构成的阳极26。可见，上述区别技术特征（1）已经被对比文件2所公开，且其在对比文件2中所起的作用与在本申请中所起的作用相同，都是用于驱动控制发光二极管，由此可见，对比文件2给出了将上述技术特征应用在对比文件1中以解决其技术问题的技术启示。
对于区别技术特征（2），与第一基板相对地设置第二基板从而对显示设备进行封装，以及在第二基板上设置滤色器层以实现多色显示是本领域的常规技术手段。
对于区别技术特征（3），本领域技术人员根据实际应用的需要，为了有利于载流子的注入和传输，将发光层中B量子点的HOMO设置为低于G量子点的HOMO，G量子点的HOMO设置为低于R量子点的HOMO，这是本领域的常规技术手段。在空穴从CBP空穴传输层注入到不同颜色的量子点发光层时，根据量子点发光层材料的不同，本领域技术人员可以通过常规的实验手段和有限的试验将空穴能量势垒设置在0.7eV到2eV的范围内，从而有利于空穴的传输。
对于区别技术特征（4），不同颜色量子点的占比和颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数相关，颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数都是本领域技术人员设计时必须考虑的因素，根据实际需求选择不同比例的R、G、B量子点，为了再现自然色，提高蓝光发光效率，使B量子点比率高于G量子点比率属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到权利要求9所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而权利要求9不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的陈述意见，合议组认为：
（1）对比文件1已经公开了空穴传输层的HOMO大于量子点发光层的HOMO（图2），空穴传输层3的材料可以为CBP，电子传输层5的材料可以为氧化锌。对比文件1还公开了量子点发光层包括R量子点、G量子点和B量子点，可以单独地或与一种或多个其他不同量子点结合而包括发射其他颜色光的量子点，可以期望一个或多个不同量子点的分开的层，层可包括两种或更多种不同量子点的混合物。由于蓝光波长短，跃迁所需的能量大，HOMO-LUMO的绝对值最大，可见，本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定带隙能量按照量子点发光层中的B量子点、G量子点和R量子点的顺序变小。对比文件1中没有公开在空穴从CBP空穴传输层注入到量子点发光层时存在从0.7eV到2eV的空穴能量势垒，而为了有利于空穴的注入传输，根据量子点发光层材料的不同，本领域技术人员可以通过常规的实验手段和有限的试验选择设置，属于本领域的常规技术手段。
（2）不同颜色量子点的占比和颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数相关，颜色、色温、亮度、电流密度、量子效率、驱动电压等参数都是本领域技术人员设计时必须考虑的因素，根据实际需求选择不同比例的R、G、B量子点，为了再现自然色，提高蓝光发光效率，使B量子点比率高于G量子点比率是本领域技术人员通过常规的实验手段和有限的试验即可获得的，其技术效果也是可以预期的。
综上，复审请求人的意见陈述不具备说服力，权利要求1-9不具备创造性。
基于上述事实和理由，合议组作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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