发明创造名称：多芯片型晶圆级封装（WLP）光学器件
外观设计名称：
决定号：192533
决定日：2019-10-18
委内编号：1F266826
优先权日：2013-02-20, 2013-03-11, 2013-12-27
申请（专利）号：201410057381.7
申请日：2014-02-20
复审请求人：马克西姆综合产品公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王文杰
合议组组长：王鹏
参审员：白若鸽
国际分类号：H01L25/16,H01L25/00,H01L23/04
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其它对比文件公开，且其在其它对比文件中的作用和其在该权利要求中相同，而另一部分属于本领域的公知常识，则现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，本领域技术人员在现有技术的基础上得到该权利要求是显而易见的，那么该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410057381.7，名称为“多芯片型晶圆级封装（WLP）光学器件”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为马克西姆综合产品公司，申请日为2014年02月20日，优先权日为2013年02月20日，2013年03月11日，2013年12月27日。公开日为2014年08月27日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月07日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-32不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定引用了对比文件1-5，如下：
对比文件1：CN 202275832U，公告日为 2012年06月13日；
对比文件2：EP 1351319A2，公开日为 2003年10月08日；
对比文件3：US 2008/0199982A1，公开日为 2008年08月21日；
对比文件4：US 2013/0019461A1，公开日为 2013年01月24日；
对比文件5：CN 102150256A，公开日为2011年08月10日。
驳回决定所依据的文本为：申请日2014年02月20日提交的说明书摘要、说明书第1-39段、摘要附图、说明书附图1-5；2018年01月02日提交的权利要求第1-32项。
驳回决定具体指出:权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。对比文件5公开了该区别技术特征，且给出了将该区别特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。在对比文件1的基础上结合对比文件5得出权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2、6-7、12的附加技术特征被对比文件2公开；权利要求3的附加技术特征被对比文件3公开；权利要求4的附加技术特征，部分被对比文件3公开，部分属于本领域公知常识；权利要求5、10的附加技术特征被对比文件1公开；权利要求8-9、11的附加技术特征，属于本领域公知常识。因此，从属权利要求2-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：[1]封盖为玻璃，被配置成透射预先设定波长频谱内的光；第一透镜组件，所述第一透镜组件在第一腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直由光源发射的光；第二透镜组件，所述第二透镜组件在第二腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直入射到第二透镜组件上的光、并且使被准直的光传递到传感器；[2]布置在承载基底中的至少一个直通基底通孔（TSV），所述直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个。[3]光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。区别技术特征[1]，部分被对比文件2公开，部分属于本领域公知常识；区别技术特征[2]被对比文件3公开；区别特征[3]被对比文件5公开。在对比文件1的基础上结合对比文件2、3、5以及公知常识得出权利要求13所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求13所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
权利要求14、19的附加技术特征被对比文件1公开；权利要求15的附加技术特征，部分被对比文件3公开，部分属于本领域公知常识；权利要求16-17的附加技术特征被对比文件2公开；权利要求18、20-21的附加技术特征，属于本领域公知常识。因此，从属权利要求14-21不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求22所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：[1]基板采用晶圆，在晶圆中形成至少一个直通基底通孔（TSV），直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过晶圆，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个；形成的光学器件包括至少一个直通基底通孔。[2]单粒化晶圆和附接到所述晶圆的封盖。区别技术特征[1]被对比文件3公开；区别技术特征[2]，部分被对比文件3公开，部分被对比文件4公开；在对比文件1的基础上结合对比文件3、4得出权利要求22所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
权利要求23、26-27、30的附加技术特征被对比文件2公开；权利要求24的附加技术特征，部分被对比文件3公开，部分属于本领域公知常识；权利要求25、29的附加技术特征被对比文件1公开；权利要求28的附加技术特征，属于本领域公知常识。因此，从属权利要求23-30不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求31所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。该区别特征，被对比文件5公开。在对比文件1的基础上结合对比文件5得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
权利要求32的附加技术特征被对比文件1公开。因此，从属权利要求32不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种光学器件，包括：
具有表面的承载基底，所述表面至少包括形成在其中的第一腔体和第二腔体；
布置在第一腔体中的光源，所述光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光；
布置在第二腔体中的光学传感器，所述传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述预先设定波长频谱中的光而提供信号；以及
封盖，所述封盖被布置在承载基底表面上，以使得封盖至少基本上将光源包封在第一腔体内并且将传感器包封在第二腔体内，并且所述封盖配置成透射预先设定波长频谱中内的光；
光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。
2. 如权利要求1所述的光学器件，其中，封盖包括：第一透镜组件或第二透镜组件中的至少一个，所述第一透镜组件被布置在第一腔体上方以准直由光源发射的光，第二透镜组件被布置在第二腔体上方以准直入射到第二透镜组件上的光、并且将被准直的光传递到传感器。
3. 如权利要求1所述的光学器件，其中，承载基底包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔从第一腔体或第二腔体中的至少一个穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器。
4. 如权利要求3所述的光学器件，还包括在第一腔体或第二腔体中的至少一个内布置的再分配迹线，所述再分配迹线被配置成提供光源或传感器与直通基底通孔之间的电连接。
5. 如权利要求1所述的光学器件，还包括布置在第一腔体内的第一反射衬层或布置在第二腔体内的第二反射衬层中的至少一个，第一反射衬层配置成反射由光源发射的光，第二反射衬层配置成反射入射到第二腔体上的光。
6. 如权利要求1所述的光学器件，还包括设在第一腔体和第二腔体之间并且从载基底的表面伸入封盖的光学隔挡部，所述光学隔挡部被配置成至少基本上防止从光源穿过封盖到传感器的串扰光的透射。
7. 如权利要求6所述的光学器件，其中，光学隔挡部包括形成在封盖中以接收光阻材料的沟槽，所述光阻材料被配置成阻挡预先设定波长频谱中的光。
8. 如权利要求1所述的光学器件，其中，封盖被配置成以光学波导的形式至少部分地反射从光源向传感器发射的光。
9. 如权利要求1所述的光学器件，其中，光源包括发光二极管(LED)或垂直腔面发射激光器(VCSEL)。
10. 如权利要求1所述的光学器件，其中，传感器包括光学传感器。
11. 如权利要求1所述的光学器件，其中，所述晶圆级封装晶片包括形成在其中的直通基底通孔(TSV)，以有助于传感器连接到承载基底。
12. 如权利要求1所述的光学器件，其中，封盖包括玻璃。
13. 一种光学器件，包括：
具有表面的承载基底，所述表面至少包括形成在其中的第一腔体和第二腔体；
布置在第一腔体中的光源，所述光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光；
布置在第二腔体中的光学传感器，所述传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述预先设定波长频谱中的光而提供信号；
玻璃封盖，所述玻璃封盖被布置在承载基底表面上，以使得封盖至少基本上将光源包封在第一腔体内并且将传感器包封在第二腔体内，并且所述玻璃封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光；
第一透镜组件，所述第一透镜组件在第一腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直由光源发射的光；
第二透镜组件，所述第二透镜组件在第二腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直入射到第二透镜组件上的光、并且使被准直的光传递到传感器；以及
布置在承载基底中的至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个；
光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其 上的玻璃基底。
14. 如权利要求13所述的光学器件，还包括布置在第一腔体内的第一反射衬层和布置在第二腔体内的第二反射衬层中的至少一个，所述第一反射衬层被配置成反射由光源发射的光，所述第二反射衬层被配置成反射入射到第二腔体上的光。
15. 如权利要求13所述的光学器件，还包括布置在第一腔体或第二腔体中的至少一个内的再分配迹线，所述再分配迹线被配置成提供光源或传感器与直通基底通孔之间的电连接。
16. 如权利要求13所述的光学器件，还包括布置在第一腔体和第二腔体之间且从承载基底表面伸入封盖的光学隔挡部，所述光学隔挡部被配置成至少基本上防止从光源穿过封盖到传感器的串扰光的透射。
17. 如权利要求16所述的光学器件，其中，光学隔挡部包括形成在玻璃封盖中以接收光阻材料的沟槽，所述光阻材料被配置成阻挡预先设定波长频谱中的光。
18. 如权利要求13所述的光学器件，其中，光源包括发光二极管(LED)。
19. 如权利要求13所述的光学器件，其中，传感器包括光学传感器。
20. 如权利要求13所述的光学器件，其中，晶圆级封装晶片包括形成在其中的直通基底通孔(TSV)，以有助于晶圆级封装晶片的电连接。
21. 如权利要求20所述的光学器件，还包括第二晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片以堆叠结构附接到第二晶圆级封装晶片，其中，直通基底通孔(TSV)被配置成有助于晶圆级封装晶片到第二晶圆级封装晶片的电连接。
22. 一种制造光学器件的方法，包括：
在晶圆表面中形成多个第一腔体和多个第二腔体；
将光源安装到多个第一腔体的相应一个中，光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光；
将传感器安装到多个第二腔体的相应一个中，传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述设定波长频谱中的光而提供信号；
将封盖附接到晶圆，以使得封盖至少基本上将光源包封在第一腔体内 并且将传感器包封在第二腔体内，所述封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光；
在晶圆中形成至少一个直通基底通孔(TSV)，直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过晶圆，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个；并且
单粒化晶圆和附接到所述晶圆的封盖，以形成光学器件，所述光学器件包括：至少一个第一腔体，所述第一腔体在其中布置有光源；至少一个第二腔体，所述第二腔体在其中布置有传感器；和至少一个直通基底通孔。
23. 如权利要求22所述的方法，还包括：在封盖中布置多个第一透镜组件和多个第二透镜组件，以使得当封盖被附接到晶圆时，多个第一透镜组件中的相应一个被布置在多个第一腔体中的相应一个的上方，并且多个第二透镜组件中的相应一个被布置在多个第二腔体中的相应一个的上方。
24. 如权利要求22所述的方法，还包括在第一腔体和第二腔体中的至少一个内形成再分配迹线，所述再分配迹线被配置成提供光源或传感器与直通基底通孔之间的电连接。
25. 如权利要求22所述的方法，还包括形成第一腔体内的第一反射衬层或第二腔体内的第二反射衬层中的至少一个，所述第一反射衬层被配置成反射由光源发射的光，所述第二反射衬层被配置成反射入射到第二腔体上的光。
26. 如权利要求22所述的方法，还包括形成光学隔挡部，所述光学隔挡部位于第一腔体和第二腔体之间且从晶圆表面伸入封盖，光学隔挡部被配置成至少基本上防止从光源穿过封盖到传感器的串扰光的透射。
27. 如权利要求26所述的方法，其中，形成光学隔挡部的步骤包括在封盖中形成沟槽和将光阻材料放置在沟槽内，所述光阻材料被配置成阻挡预先设定波长频谱中的光。
28. 如权利要求22所述的方法，其中，光源包括发光二极管(LED)。
29. 如权利要求22所述的方法，其中，传感器包括光学传感器。
30. 如权利要求22所述的方法，其中，封盖包括玻璃。
31. 一种光学器件，包括：
具有表面的承载基底，所述表面包括形成在其中的至少第一腔体和第二腔体；
布置在第一腔体中的光学组成元件；
布置在第二腔体中的光学传感器，所述传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述设定波长频谱中的光而提供信号；以及
封盖，所述封盖布置在承载基底表面上，以使得封盖至少基本上将光学组成元件包封在第一腔体内并且将传感器包封在第二腔体内，并且所述封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光；
光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。
32. 如权利要求31所述的光学器件，其中，光学组成元件包括光源、传感器、或集成电路芯片中的至少一个。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月22日向国家知识产权局提出了复审请求，未对权利要求进行修改。复审请求人认为：（1）如本申请说明书的附图2所示，晶圆级封装(WLP)晶片128和玻璃基底114-3是紧贴的关系，因此将独立权利要求1中的特征“在上形成的玻璃基底”解释成或限定成“在上直接形成的玻璃基底”。从而不同于对比文件5。（2）从要解决的技术问题来判断，对比文件5不同于本申请，对比文件5没有给出相应的技术教导或技术暗示。本申请的技术问题之一是为了实现“讲多个异构元件集成为具有小占用绵密的单一紧凑型封装体”，对比文件5是“为了实现影像设备的小型、薄型、轻量化、以及高密度安装化，对于该固体摄像装置，……而采用对个片化前的晶圆的组装加工中形成贯穿电极和再布线，从而确保装置内外的电连接的晶圆级CSP技术”。（3）对比文件1中的“封盖60”不同于本申请中的“封盖”。本申请的光学器件的封盖的作用是使得“所述封盖配置成透射预先设定波长频谱中内的光”。对比文件1中的封盖60的目的是为了增加整体结构的密闭性，并且可以供光束通过。（4）尽管对比文件5公开了与晶圆级(芯片尺寸封装)技术相关的一些描述，但对比文件5的晶圆级(芯片尺寸封装)技术无法如同本申请那样地减轻各个光源和光学传感器之间的串扰。（5）本申请的传感器是用于检测特定的(即预先设定波长频谱中的)光，并且响应于此光而提供信号。对比文件1的光接收芯片40是进行信号纪录和处理，对比文件1中的光接收芯片40与本申请的传感器的作用，既不相同，也不相近。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）本申请说明书文字部分从未记载“晶圆级封装晶片具有直接在其上形成的玻璃基底”，说明书附图2仅为结构示意图，其充其量仅示意了晶片中设置了通孔以及玻璃基底设置在晶片上方，但对于玻璃基底和晶片如何形成结合并没有任何具体地描述，也没有示出晶片上的应当具有的功能单元（例如，感应（检测）、信号处理、存储等功能单元，实际存在的上述功能单元由于会具有凸出晶片表面的结构，毫无疑问会妨碍晶片表面直接接触玻璃基底的结合方式）。因此，仅仅从上述忽略了许多结构细节的示意图中不能毫无疑义地得出“晶片和玻璃基底是直接接触的”这样精确的结合方式。（2）对比文件1涉及一种近接光学感应模块，包括一光发射芯片30、一光接收芯片40，光发射芯片30所发射的光束投射在物体表面，由物体表面所反射的光束会投射至光接收芯片40，光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理。虽然对比文件1没有明确记载，然而本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件1中的光发射芯片30、光接收芯片40必然在一定波长频谱范围内进行上述工作（即在预先设定波长频谱中工作）。对比文件1中的封盖60基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内，具有一光发射孔62与一光接收孔64，光发射孔62与光接收孔64分别对应基板20的第一凹穴22与第二凹穴24，用以供光束通过，因此也必然可以透射光发射芯片30、光接收芯片40的工作波长频谱范围的光（即透射预先设定波长频谱中内的光）。此外，对比文件1中封盖0，所述封盖60被布置在基板20表面上，以使得封盖60至少基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内。因此，对比文件1中的“封盖60”等同于本申请中的“封盖”。（3）对比文件1已经公开了在基板中利用分隔部隔离光源和光学传感器，必然可以减轻光源和光学传感器之间的串扰。（4）对比文件1中的光接收芯片40接收光信号，将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理。此外，虽然对比文件1没有明确记载，然而本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件1中的光接收芯片40必然在一定波长频谱范围内进行上述工作（即在预先设定波长频谱中工作）。本申请的光学传感器检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述预先设定波长频谱中的光而提供信号。两者都是接收工作波长频谱范围内的光信号、将其转换成电子信号并提供出去。因此两者是完全等价的。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月09日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-32不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）本申请说明书文字部分从未记载“晶圆级封装晶片具有直接在其上形成的玻璃基底”，说明书附图2仅为结构示意图，仅示意了晶片中设置了通孔以及玻璃基底设置在晶片上方，但对于玻璃基底和晶片如何形成结合并没有任何具体地描述，也没有示出晶片上的应当具有的功能单元（例如，感应（检测）、信号处理、存储等功能单元，实际存在的上述功能单元由于会具有凸出晶片表面的结构，毫无疑问会妨碍晶片表面直接接触玻璃基底的结合方式）。因此，仅仅从上述忽略了许多结构细节的示意图中不能毫无疑义地得出“晶片和玻璃基底是直接接触的”这样精确的结合方式。复审请求人的上述主张属于对于示意图的过分解读。（2）正如前文所述，权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。基于上述区别技术特征，权利要求1所要解决的技术问题是：如何保护器件并减小封装体积。对于该区别技术特征，对比文件5公开了一种固体摄像装置，并具体公开了：晶圆级构造，包括具有摄像区域102、周围电路区域104A、多个电极部104B的半导体衬底101（相当于晶圆级封装晶片），半导体衬底101具有形成在其上的光学玻璃而成的透明衬底106（即玻璃基底），且该特征在对比文件5中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于保护器件并减小封装体积。基于上述教导，本领域技术人员有动机在对比文件1中对于光接收芯片40进行类似的封装设计，即包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。也就是说对比文件5给出了将该区别技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。（3）对比文件1涉及一种近接光学感应模块，包括一光发射芯片30、一光接收芯片40，光发射芯片30所发射的光束投射在物体表面，由物体表面所反射的光束会投射至光接收芯片40，光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理。虽然对比文件1没有明确记载，然而本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件1中的光发射芯片30、光接收芯片40必然在一定波长频谱范围内进行上述工作（即在预先设定波长频谱中工作）。对比文件1中的封盖60基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内，具有一光发射孔62与一光接收孔64，光发射孔62与光接收孔64分别对应基板20的第一凹穴22与第二凹穴24，用以供光束通过，因此也必然可以透射光发射芯片30、光接收芯片40的工作波长频谱范围的光（即透射预先设定波长频谱中内的光）。此外，对比文件1中封盖60，封盖60被布置在基板20表面上，以使得封盖60至少基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内。因此，对比文件1中的“封盖60”等同于本申请中的“封盖”。（4）对比文件1已经公开了在基板中利用分隔部隔离光源和光学传感器，必然可以减轻光源和光学传感器之间的串扰。（5）对比文件1中的光接收芯片40接收光信号，将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理。此外，虽然对比文件1没有明确记载，然而本领域技术人员可以毫无疑义地确定对比文件1中的光接收芯片40必然在一定波长频谱范围内进行上述工作（即在预先设定波长频谱中工作）。本申请的光学传感器检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述预先设定波长频谱中的光而提供信号。两者都是接收工作波长频谱范围内的光信号、将其转换成电子信号并提供出去。因此两者是完全等价的。
复审请求人于2019年06月24日提交了意见陈述书，对权利要求书进行了修改，对原独立权利要求1、13、22、31进行了修改（修改为新的权利要求1、10、17、26），删除了原权利要求3、4、10、15、19，并将修改后的权利要求书重新编号为权利要求1-27。
复审请求人认为：根据独立权利要求1所限定的本申请，所述光学器件采用晶圆级封装（WLP）处理技术，将多个异构元件集成为具有小占用面积的单一紧凑型封装体，同时提供了一种能够有效进行电互连和路径分布的光学器件。在“复审通知书”中，审查员引用了对比文件1-5来评价本申请的创造性。在研究和分析对比文件1-5和独立权利要求1所限定的技术方案之后，复审请求人发现两者之间存在着显著的区别。(1)修改后的独立权利要求1所限定的光学器件中，具有一种具有特定结构的承载基底（104），“所述承载基底（104）具有第一、第二两个直通基底通孔（TSV)，其中第一直通基底通孔（TSV)穿过承载基底（104）延伸到第一腔体（108-1）的底部表面（108-5)上的相应接触垫（118）处，而第二直通基底通孔（116-3、116-4）穿过承载基底（104）延伸到第二腔体（108-3）的底部表面（108-5）。(2)修改后的独立权利要求1限定了位于第一腔体（108-1)中的焊料凸点（120）、光源（110-l,110-2）、接触垫（118）电连接、与直通基底通孔116-1、116-2）之间的特定连接关系：“所述光源（110-1,110-2）包括焊料凸点（120)，所述焊料凸点（120）将所述光源（110-1,110-2）与接触垫（118）电连接、进而与直通基底通孔（116-1、116-2）电连接，以提供电连接到所述光源（110-1,110-2)”。(3)修改后的独立权利要求1，还限定了位于第二腔体（108-1)中的第二直通基底通孔（116-3、116-4）、再分配迹线（122）、电接头（124）之间的特定连接关系：“第二腔体（108-3）的底部表面（108-5）上的再分配迹线（122)提供了第二直通基底通孔（116-3、116-4）与光学传感器（110-3)的电接头（124）之间的电互连和路径分布”。修改后的独立权利要求1限定了一种具有特定结构和具体限定的光学器件。同时，修改后的独立权利要求1限定的光学器件能够有效进行电互连，提供改进的路径分布。对比文件5有公开本申请的独立权利要求1新增加的技术特征。综上所述，如果不付出创造性的劳动，本领域的一般技术人员就无法在对比文件1、对比文件5的基础上结合本领域公知常识，得出独立权利要求1所保护的技术方案。本申请的独立权利要求1相对于对比文件l具有新颖性和创造性，符合专利法第22条的规定。
答复复审通知书时，新修改的权利要求1、10、17、26为：
“1. 一种光学器件，包括：
具有表面(106)的承载基底(104)，所述表面至少包括形成在其中的第一腔体(108-1，108-2)和第二腔体(108-2)；
布置在第一腔体(108-1)中的光源(110-1，110-2)，所述光源(110-1，110-2)被配置成发射预先设定波长频谱中的光；
布置在第二腔体(108-3)中的光学传感器(110-3)，所述光学传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述预先设定波长频谱中的光而提供信号；以及
封盖(112)，所述封盖(112)被布置在承载基底(104)表面上，以使得封盖(112)至少基本上将光源(110-1，110-2)包封在第一腔体(108-1，108-2)内并且将光学传感器(110-3)包封在第二腔体(108-3)内，并且所述封盖(112)配置成透射预先设定波长频谱中内的光；
光学传感器(110-3)包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；
承载基底(104)包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体(108-1)和第二腔体(108-3)中的至少一个穿过承载基底(104)，以提供电连接到光源或光学传感器；
所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔(116-1、116-2)，其穿过承载基底(104)延伸到第一腔体(108-1)的底部表面(108-5)上的相应接触垫(118)处；所述光源(110-1，110-2)包括焊料凸点(120)，所述焊料凸点(120)将所述光源(110-1，110-2)与接触垫(118)电连接、进而与直通基底通孔(116-1、116-2)电连接，以提供电连接到所述光源(110-1，110-2)；
所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔(116-3、116-4)，其穿过承载基底(104)延伸到第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)，其中第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)上的再分配迹线(122)提供了第二直通基底通孔(116-3、116-4)与光学传感器(110-3)的电接头(124)之间的电互连和路径分布。”
“10. 一种光学器件，包括：
具有表面的承载基底，所述表面至少包括形成在其中的第一腔体和第二腔体；
布置在第一腔体中的光源，所述光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光；
布置在第二腔体中的光学传感器，所述传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述预先设定波长频谱中的光而提供信号；
玻璃封盖，所述玻璃封盖被布置在承载基底表面上，以使得封盖至少基本上将光源包封在第一腔体内并且将传感器包封在第二腔体内，并且所述玻璃封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光；
第一透镜组件，所述第一透镜组件在第一腔体上方被布置在玻璃封盖 中，以准直由光源发射的光；
第二透镜组件，所述第二透镜组件在第二腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直入射到第二透镜组件上的光、并且使被准直的光传递到传感器；以及
布置在承载基底中的至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个；
光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；
承载基底(104)包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体(108-1)和第二腔体(108-3)中的至少一个穿过承载基底(104)，以提供电连接到光源或传感器；
所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔(116-1、116-2)，其穿过承载基底(104)延伸到第一腔体(108-1)的底部表面(108-5)上的相应接触垫(118)处；所述光源(110-1，110-2)包括焊料凸点(120)，所述焊料凸点(120)将所述光源(110-1，110-2)与接触垫(118)电连接、进而与直通基底通孔(116-1、116-2)电连接，以提供电连接到所述光源(110-1，110-2)；
所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔(116-3、116-4)，其穿过承载基底(104)延伸到第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)，其中第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)上的再分配迹线(122)提供了第二直通基底通孔(116-3、116-4)与传感器(110-3)的电接头(124)之间的电互连和路径分布。”
“17. 一种制造光学器件的方法，包括：
在晶圆表面中形成多个第一腔体和多个第二腔体；
将光源安装到多个第一腔体的相应一个中，光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光；
将传感器安装到多个第二腔体的相应一个中，传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述设定波长频谱中的光而提供信号；
将封盖附接到晶圆，以使得封盖至少基本上将光源包封在第一腔体内并且将传感器包封在第二腔体内，所述封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光；
在晶圆中形成至少一个直通基底通孔(TSV)，直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过晶圆，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个；并且
单粒化晶圆和附接到所述晶圆的封盖，以形成光学器件，所述光学器件包括：至少一个第一腔体，所述第一腔体在其中布置有光源；至少一个第二腔体，所述第二腔体在其中布置有传感器；和至少一个直通基底通孔；
使得承载基底(104)包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体(108-1)和第二腔体(108-3)中的至少一个穿过承载基底(104)，以提供电连接到光源或传感器；
使得所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔(116-1、116-2)，其穿过承载基底(104)延伸到第一腔体(108-1)的底部表面(108-5) 上的相应接触垫(118)处；所述光源(110-1，110-2)包括焊料凸点(120)，使得所述焊料凸点(120)将所述光源(110-1，110-2)与接触垫(118)电连接、进而与直通基底通孔(116-1、116-2)电连接，以提供电连接到所述光源(110-1，110-2)；
使得所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔(116-3、116-4)，其穿过承载基底(104)延伸到第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)，使得第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)上的再分配迹线(122)提供了第二直通基底通孔(116-3、116-4)与传感器(110-3)的电接头(124)之间的电互连和路径分布。”
“26. 一种光学器件，包括：
具有表面的承载基底，所述表面包括形成在其中的至少第一腔体和第 二腔体；
布置在第一腔体中的光学组成元件；
布置在第二腔体中的光学传感器，所述传感器被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述设定波长频谱中的光而提供信号；以及
封盖，所述封盖布置在承载基底表面上，以使得封盖至少基本上将光学组成元件包封在第一腔体内并且将传感器包封在第二腔体内，并且所述封盖被配置成透射预先设定波长频谱内的光；
传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；
承载基底(104)包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体(108-1)和第二腔体(108-3)中的至少一个穿过承载基底(104)，以提供电连接到光源或传感器；
所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔(116-1、116-2)，其穿过承载基底(104)延伸到第一腔体(108-1)的底部表面(108-5)上的相应接触垫(118)处；所述光源(110-1，110-2)包括焊料凸点(120)，所述焊料凸点(120)将所述光源(110-1，110-2)与接触垫(118)电连接、进而与直通基底通孔(116-1、116-2)电连接，以提供电连接到所述光源(110-1，110-2)；
所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔(116-3、116-4)，其穿过承载基底(104)延伸到第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)，其中第二腔体(108-3)的底部表面(108-5)上的再分配迹线(122)提供了第二直通基底通孔(116-3、116-4)与传感器(110-3)的电接头(124)之间的电互连和路径分布。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时，提交了权利要求书的修改替换页。经审查，该修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。因此，本复审决定所针对的审查文本为：申请日2014年02月20日提交的说明书摘要、说明书第1-39段、摘要附图、说明书附图1-5；2019年06月24日提交的权利要求第1-27项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其它对比文件公开，且其在其它对比文件中的作用和其在该权利要求中相同，而另一部分属于本领域的公知常识，则现有技术中给出了将上述区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，本领域技术人员在现有技术的基础上得到该权利要求是显而易见的，那么该权利要求不具备创造性。
本复审决定引用驳回决定和复审通知书中引用的对比文件1-5作为现有技术，对比文件1为最接近的现有技术。
对比文件1：CN 202275832U，公告日为 2012年06月13日；
对比文件2：EP 1351319A2，公开日为 2003年10月08日；
对比文件3：US 2008/0199982A1，公开日为 2008年08月21日；
对比文件4：US 2013/0019461A1，公开日为 2013年01月24日；
对比文件5：CN 102150256A，公开日为2011年08月10日。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1公开了一种光学器件，并具体公开了以下技术特征（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：
具有表面的基板20（相当于本申请所述的承载基底），所述表面至少包括形成在其中的第一凹穴22（相当于本申请所述的第一腔体）和第二凹穴24（相当于本申请所述的第二腔体）；
布置在第一凹穴22中的光发射芯片30（即光源），用以发射光束（即光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光）；
布置在第二凹穴24中的光接收芯片40（相当于光学传感器），光发射芯片30所发射的光束投射在物体表面，由物体表面所反射的光束会投射至光接收芯片40，光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理（光接收芯片40相当于本申请所述的光学传感器，被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到预先设定波长频谱中的光而提供信号）；
封盖60，封盖60被布置在基板20表面上，以使得封盖60至少基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内；
封盖60具有一光发射孔62与一光接收孔64，光发射孔62与光接收孔64分别对应基板20的第一凹穴22与第二凹穴24，用以供光束通过（即封盖60配置成透射预先设定波长频谱中内的光）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：（1）光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；
（2）承载基底包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体和第二腔体中的至少一个穿过承载基底，以提供电连接到光源或光学传感器；
（3）所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第一腔体的底部表面上的相应接触垫处；所述光源包括焊料凸点，所述焊料凸点将所述光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源； 所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第二腔体的底部表面，其中第二腔体的底部表面上的再分配迹线提供了第二直通基底通孔与光学传感器的电接头之间的电互连和路径分布。
基于上述区别技术特征，权利要求1所要解决的技术问题是：（1）如何保护器件并减小封装体积；（2）如何提供电连接；（3）直通基底通孔如何与光源或光学传感器电连接。
对于区别技术特征（1），对比文件5公开了一种固体摄像装置（属于一种光学器件），并具体公开了（参见说明书[0004]-[0017]段，附图1）：晶圆级构造，包括具有摄像区域102、周围电路区域104A、多个电极部104B的半导体衬底101（相当于晶圆级封装晶片），半导体衬底101具有形成在其上的光学玻璃而成的透明衬底106（即玻璃基底），且该特征在对比文件5中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于保护器件并减小封装体积。基于上述教导，本领域技术人员有动机在对比文件1中对于光接收芯片40（相当于本申请所述的光学传感器）进行类似的封装设计，即包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。也就是说对比文件5给出了将该区别技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0016]-[0028]段，附图1）：承载基底14包括至少一个直通基底通孔24，所述直通基底通孔24从腔体22穿过承载基底14，以提供电连接到LED16，且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供电连接。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的基板20上同样设置直通基底通孔，使其从第一凹穴22或第二凹穴24中的至少一个穿过基板20以提供电连接到光发射芯片30或光接收芯片40。
对于区别技术特征（3），对比文件3已经公开了直通基底通孔24穿过承载基底14延伸到腔体22的底部表面上的接触垫处，以提供电连接到LED16。而光源包括焊料凸点、焊料凸点将光源与接触垫电连接是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。因此，本领域技术人员很容易想到使用包括焊料凸点的光源，且焊料凸点将光源与接触垫电连接，从而使得直通基底通孔穿过承载基底延伸到腔体的底部表面上的相应接触垫处，并使焊料凸点将光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源。而设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段，属于本领域的公知常识，本领域技术人员很容易想到当光学传感器倒装且其电接触和直通基底通孔不在同一位置时，在凹穴中设置再分配迹线以连接光学传感器的电接头和直通基底通孔。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件5和3，以及本领域的公知常识，得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.2、权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2是权利要求1的从属权利要求，其限定部分的附加技术特征构成权利要求2相对对比文件1的区别技术特征。基于上述区别技术特征，权利要求2所要解决的技术问题是：如何对盖板提供准直的光束。
对比文件2公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：印刷电路板11，其上设置光发射器件21和光接收器件31，透明树脂的包围部材12覆盖光发射器件21和光接收器件31，玻璃基板13设置在包围部材12上方（相当于本申请所述的封盖），玻璃基板13上位于光发射器件21和光接收器件31的上方分别设置相栅菲涅尔透镜18（分别相当于本申请所述的第一透镜组件、第二透镜组件），位于光发射器件21上方的相栅菲涅尔透镜18用于将由光发射器件21发射的发散的光束准直（相当于本申请所述的第一透镜组件用于准直由光源发射的光），位于光接收器件31上方的相栅菲涅尔透镜18用于将入射到其上的的发散的光束准直并进入光接收器件31（相当于本申请所述的第二透镜组件用于准直入射到第二透镜组件上的光、并且将被准直的光传递到光学传感器）。且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供光束的准直。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的封盖60上同样设置第一透镜组件、第二透镜组件，第一透镜组件被布置在第一凹穴22上方以准直由光发射芯片30发射的光，第二透镜组件被布置在第二凹穴24上方以准直入射到其上的光并将被准直的光传递到光接收芯片40。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件5、3和2得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，从属权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3是权利要求1的从属权利要求。对比文件1还公开了（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：第一凹穴22的周壁涂布有一由金属材质所制成的光反射层26（相当于本申请所述的布置在第一腔体内的第一反射衬层），反射由光发射芯片30发射的光。基于上述教导，本领域技术人员为了增强光接收芯片40对于光的接收，容易想到可以在第二凹穴24内同样设置光反射层（相当于本申请所述的布置在第二腔体内的第二反射衬层），用于反射入射到第二腔体上的光被接收芯片40接收。因此，从属权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4是权利要求1的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：从印刷电路板11的表面伸入玻璃基板13的光学隔挡部（参见说明书[0018]段，公开了光学隔挡部的凹槽可以到达印刷电路板11的表面），所述光学隔挡部被配置成至少基本上防止从光发射器件21穿过玻璃基板13到光接收器件31的串扰光的透射。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的第一凹穴22和第二凹穴24之间设置从基板20表面伸入封盖60的光学隔挡部，用于防止从光发射芯片30穿过封盖60到光接收芯片40的串扰光的透射。因此，从属权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5是权利要求4的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：光学隔挡部包括形成在玻璃基板13中以接收光阻材料16的沟槽，所述光阻材料16被配置成阻挡预先设定波长频谱中的光。在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求6-7、9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6-7、9分别是权利要求1的从属权利要求。采用波导来限定光束的传播路径属于本领域的常规技术，本领域技术人员很容易想到将封盖配置成以光学波导的形式从而限定光源的出射光的传播路径，反射从向传感器发射的光，是容易想到的。发光二极管（LED）或垂直腔面发射激光器（VCSEL）都是本领域常用的固体光源。在晶圆级封装晶片中形成直通基底通孔用于电互连属于本领域的常规技术手段。因此，从属权利要求6-7、9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求8是权利要求1的从属权利要求，其限定部分的附加技术特征已被对比文件1公开：光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理（光接收芯片40相当于本申请所述的光学传感器）。当其引用的权利要求不具备创造性时，该从属权利要求所要求保护的技术方案也不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.8、权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1公开了一种光学器件，并具体公开了以下技术特征（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：
具有表面的基板20（相当于本申请所述的承载基底），所述表面至少包括形成在其中的第一凹穴22（相当于本申请所述的第一腔体）和第二凹穴24（相当于本申请所述的第二腔体）；
布置在第一凹穴22中的光发射芯片30（即光源），用以发射光束（即光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光）；
布置在第二凹穴24中的光接收芯片40，光发射芯片30所发射的光束投射在物体表面，由物体表面所反射的光束会投射至光接收芯片40，光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理（光接收芯片40相当于本申请所述的光学传感器，被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到预先设定波长频谱中的光而提供信号）；
封盖60，封盖60被布置在基板20表面上，以使得封盖60至少基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内；
封盖60具有一光发射孔62与一光接收孔64，光发射孔62与光接收孔64分别对应基板20的第一凹穴22与第二凹穴24，用以供光束通过（即封盖60配置成透射预先设定波长频谱中内的光）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：
（1）封盖为玻璃，被配置成透射预先设定波长频谱内的光；第一透镜组件，所述第一透镜组件在第一腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直由光源发射的光；第二透镜组件，所述第二透镜组件在第二腔体上方被布置在玻璃封盖中，以准直入射到第二透镜组件上的光、并且使被准直的光传递到传感器；
（2）布置在承载基底中的至少一个直通基底通孔（TSV），所述直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器；
（3）光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；
（4）所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第一腔体的底部表面上的相应接触垫处；所述光源包括焊料凸点，所述焊料凸点将所述光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源；所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第二腔体的底部表面，其中第二腔体的底部表面上的再分配迹线提供了第二直通基底通孔与传感器的电接头之间的电互连和路径分布。
基于区别技术特征（1），权利要求10所要解决的技术问题是：如何提供光的出射、入射以及光束的准直。对比文件2公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：印刷电路板11，其上设置光发射器件21和光接收器件31，透明树脂的包围部材12覆盖光发射器件21和光接收器件31，玻璃基板13设置在包围部材12上方（相当于本申请所述的玻璃封盖），被配置成透射预先设定波长频谱内的光；玻璃基板13上位于光发射器件21和光接收器件31的上方分别设置相栅菲涅尔透镜18（分别相当于本申请所述的第一透镜组件、第二透镜组件），位于光发射器件21上方的相栅菲涅尔透镜18用于将由光发射器件21发射的发散的光束准直（相当于本申请所述的第一透镜组件用于准直由光源发射的光），位于光接收器件31上方的相栅菲涅尔透镜18用于将入射到其上的的发散的光束准直并进入光接收器件31（相当于本申请所述的第二透镜组件用于准直入射到第二透镜组件上的光、并且将被准直的光传递到传感器）。且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供光的出射、入射以及光束的准直。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1中同样设置封盖60位玻璃材料以透射预先设定波长频谱内的光，在封盖上设置第一透镜组件、第二透镜组件，第一透镜组件被布置在第一凹穴22上方以准直由光发射芯片30发射的光，第二透镜组件被布置在第二凹穴24上方以准直入射到其上的光并将被准直的光传递到光接收芯片40。此外，将透镜组件设置在玻璃基板中也是本领域的常规技术手段。也就是说对比文件2结合公知常识给出了将该区别技术特征（1）用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
基于区别技术特征（2），权利要求10所要解决的技术问题是：如何提供电连接。对比文件3公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0016]-[0028]段，附图1）：承载基底14包括至少一个直通基底通孔24，所述直通基底通孔24从腔体22穿过承载基底14，以提供电连接到LED16，且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供电连接。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的基板20上同样设置直通基底通孔，使其从第一凹穴22或第二凹穴24中的至少一个穿过基板20以提供电连接到光发射芯片30或光接收芯片40。也就是说对比文件3给出了将该区别技术特征（2）用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
基于区别技术特征（3），权利要求10所要解决的技术问题是：如何保护器件并减小封装体积。对比文件5公开了一种固体摄像装置（属于一种光学器件），并具体公开了（参见说明书[0004]-[0017]段，附图1）：晶圆级构造，包括具有摄像区域102、周围电路区域104A、多个电极部104B的半导体衬底101（相当于晶圆级封装晶片），半导体衬底101具有形成在其上的光学玻璃而成的透明衬底106（即玻璃基底），且该特征在对比文件5中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于保护器件并减小封装体积。基于上述教导，本领域技术人员有动机在对比文件1中对于光接收芯片40（相当于本申请所述的光学传感器）进行类似的封装设计，即包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。也就是说对比文件5给出了将区别技术特征（3）用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
基于区别技术特征（4），权利要求10所要解决的技术问题是：直通基底通孔如何与光源或光学传感器电连接。对比文件3已经公开了直通基底通孔24穿过承载基底14延伸到腔体22的底部表面上的接触垫处，以提供电连接到LED16。而光源包括焊料凸点、焊料凸点将光源与接触垫电连接是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。因此，本领域技术人员很容易想到使用包括焊料凸点的光源，且焊料凸点将光源与接触垫电连接，从而使得直通基底通孔穿过承载基底延伸到腔体的底部表面上的相应接触垫处，并使焊料凸点将光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源。而设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段，属于本领域的公知常识，本领域技术人员很容易想到当光学传感器倒装且其电接触和直通基底通孔不在同一位置时，在凹穴中设置再分配迹线以连接光学传感器的电接头和直通基底通孔。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3、5以及公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.9、权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11是权利要求10的从属权利要求。对比文件1公开了（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：第一凹穴22的周壁涂布有一由金属材质所制成的光反射层26（相当于本申请所述的布置在第一腔体内的第一反射衬层），反射由光发射芯片30发射的光。基于上述教导，本领域技术人员为了增强光接收芯片40对于光的接收，容易想到可以在第二凹穴24内同样设置光反射层（相当于本申请所述的布置在第二腔体内的第二反射衬层），用于反射入射到第二腔体上的光被接收芯片40接收。因此，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10、权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12是权利要求10的从属权利要求。对比文件2还公开（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：从印刷电路板11的表面伸入玻璃基板13的光学隔挡部（参见说明书[0018]段，公开了光学隔挡部的凹槽可以到达印刷电路板11的表面），所述光学隔挡部被配置成至少基本上防止从光发射器件21穿过玻璃基板13到光接收器件31的串扰光的透射。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的第一凹穴22和第二凹穴24之间设置从基板20表面伸入封盖60的光学隔挡部，用于防止从光发射芯片30穿过封盖60到光接收芯片40的串扰光的透射。因此，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11、权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13是权利要求12的从属权利要求，其限定部分附加技术特征已被对比文件2公开（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：光学隔挡部包括形成在玻璃基板13中以接收光阻材料16的沟槽，所述光阻材料16被配置成阻挡预先设定波长频谱中的光。在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.12、权利要求14-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求14、15是权利要求10的从属权利要求，权利要求16是权利要求15的从属权利要求。发光二极管（LED）或垂直腔面发射激光器（VCSEL）都是本领域常用的固体光源。在晶圆级封装晶片中形成直通基底通孔用于电互连属于常规技术手段。形成晶圆级封装晶片的堆叠结构并且采用直通基底通孔作为堆叠结构的电连接，从而提高封装密度，属于本领域的常规技术手段。因此，从属权利要求14-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.13、权利要求17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1公开了一种制造光学器件的方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：
提供具有表面的基板20（相当于本申请所述的承载基底），在所述表面形成至少包括形成在其中的第一凹穴22（相当于本申请所述的第一腔体）和第二凹穴24（相当于本申请所述的第二腔体）；
布置在第一凹穴22中的光发射芯片30（即光源），用以发射光束（即光源被配置成发射预先设定波长频谱中的光）；
布置在第二凹穴24中的光接收芯片40，光发射芯片30所发射的光束投射在物体表面，由物体表面所反射的光束会投射至光接收芯片40，光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理（光接收芯片40相当于本申请所述的传感器，被配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到预先设定波长频谱中的光而提供信号）；
将封盖60附接到基板20，所述封盖60被布置在基板20表面上，以使得封盖60至少基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内；
封盖60具有一光发射孔62与一光接收孔64，光发射孔62与光接收孔64分别对应基板20的第一凹穴22与第二凹穴24，用以供光束通过（即封盖60配置成透射预先设定波长频谱中内的光）；
形成光学器件，所述光学器件包括：至少一个第一凹穴22，所述第一凹穴22在其中布置有光发射芯片30；至少一个第二凹穴24，所述第二凹穴24在其中布置有光接收芯片40。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：
（1）基板采用晶圆，在晶圆中形成至少一个直通基底通孔（TSV），直通基底通孔从第一腔体或第二腔体之一穿过晶圆，以提供电连接到光源或传感器中的至少一个；形成的光学器件包括至少一个直通基底通孔；使得承载基底包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体和第二腔体中的至少一个穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器；
（2）单粒化晶圆和附接到所述晶圆的封盖；
（3）所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第一腔体的底部表面上的相应接触垫处；所述光源包括焊料凸点，所述焊料凸点将所述光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源；所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第二腔体的底部表面，其中第二腔体的底部表面上的再分配迹线提供了第二直通基底通孔与传感器的电接头之间的电互连和路径分布。
对于区别技术特征（1），权利要求17所要解决的技术问题是：如何提供电连接。对比文件3公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0016]-[0028]段，附图1）：承载基底14采用硅晶圆，包括至少一个直通基底通孔24，所述直通基底通孔24从腔体22穿过承载基底14，以提供电连接到LED16，且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供电连接。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1中同样设置基板20为硅晶圆，并在其上设置直通基底通孔，使其从第一凹穴22或第二凹穴24中的至少一个穿过基板20以提供电连接到光发射芯片30或光接收芯片40，从而形成的光学器件包括至少一个直通基底通孔。也就是说对比文件3给出了将该区别技术特征（1）用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
对于区别技术特征（2），对比文件3公开了基板采用硅晶圆，对比文件4公开了制造光学器件的方法，并具体公开了（参见说明书[0038]、[0213]-[0222]段，附图1、3-4）：采用圆片级封装，单粒化衬底PW和附接到所述衬底PW的封盖OW，且其在对比文件4中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提高制造速率。本领域技术人员容易想到单粒化晶圆和附接到所述晶圆的封盖的制造方法。也就是说对比文件4结合给出了将该区别技术特征（2）用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
基于区别技术特征（3），权利要求17所要解决的技术问题是：直通基底通孔如何与光源或光学传感器电连接。对比文件3已经公开了直通基底通孔24穿过承载基底14延伸到腔体22的底部表面上的接触垫处，以提供电连接到LED16。而光源包括焊料凸点、焊料凸点将光源与接触垫电连接是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。因此，本领域技术人员很容易想到使用包括焊料凸点的光源，且焊料凸点将光源与接触垫电连接，从而使得直通基底通孔穿过承载基底延伸到腔体的底部表面上的相应接触垫处，并使焊料凸点将光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源。而设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段，属于本领域的公知常识，本领域技术人员很容易想到当光学传感器倒装且其电接触和直通基底通孔不在同一位置时，在凹穴中设置再分配迹线以连接光学传感器的电接头和直通基底通孔。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件3、4得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.14、权利要求18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求18是权利要求17的从属权利要求。对比文件2公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：印刷电路板11，其上设置光发射器件21和光接收器件31，透明树脂的包围部材12覆盖光发射器件21和光接收器件31，玻璃基板13设置在包围部材12上方（相当于本申请所述的封盖），玻璃基板13上位于光发射器件21和光接收器件31的上方分别设置相栅菲涅尔透镜18（分别相当于本申请所述的第一透镜组件、第二透镜组件），位于光发射器件21上方的相栅菲涅尔透镜18用于将由光发射器件21发射的发散的光束准直（相当于本申请所述的第一透镜组件用于准直由光源发射的光），位于光接收器件31上方的相栅菲涅尔透镜18用于将入射到其上的的发散的光束准直并进入光接收器件31（相当于本申请所述的第二透镜组件用于准直入射到第二透镜组件上的光、并且将被准直的光传递到传感器）。且其在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供光束的准直。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的封盖60上同样设置第一透镜组件、第二透镜组件，第一透镜组件被布置在第一凹穴22上方以准直由光发射芯片30发射的光，第二透镜组件被布置在第二凹穴24上方以准直入射到其上的光并将被准直的光传递到光接收芯片40。因此，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.15、权利要求19不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求19是权利要求17的从属权利要求。设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段。本领域技术人员很容易想到当光源或传感器倒装且其电接触和直通基底通孔不在同一位置时，在第一凹穴或第二凹穴中设置再分配迹线以连接光源或传感器的电接触和直通基底通孔。因此，从属权利要求19不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.16、权利要求20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求20是权利要求17的从属权利要求。对比文件1还公开了（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：第一凹穴22的周壁涂布有一由金属材质所制成的光反射层26（相当于本申请所述的布置在第一腔体内的第一反射衬层），反射由光发射芯片30发射的光。基于上述教导，本领域技术人员为了增强光接收芯片40对于光的接收，容易想到可以在第二凹穴24内同样设置光反射层（相当于本申请所述的布置在第二腔体内的第二反射衬层），用于反射入射到第二腔体上的光被接收芯片40接收。因此，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.17、权利要求21不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求21是权利要求17的从属权利要求。对比文件2还公开了（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：从印刷电路板11的表面伸入玻璃基板13的光学隔挡部（参见说明书[0018]段，公开了光学隔挡部的凹槽可以到达印刷电路板11的表面），所述光学隔挡部被配置成至少基本上防止从光发射器件21穿过玻璃基板13到光接收器件31的串扰光的透射。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的第一凹穴22和第二凹穴24之间设置从基板20表面伸入封盖60的光学隔挡部，用于防止从光发射芯片30穿过封盖60到光接收芯片40的串扰光的透射。因此，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.18、权利要求22不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求22是权利要求21的从属权利要求，其限定部分的附加技术特征已被对比文件2公开（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）：光学隔挡部包括形成在玻璃基板13中以接收光阻材料16的沟槽，所述光阻材料16被配置成阻挡预先设定波长频谱中的光。在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.19、权利要求23不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求23是权利要求17的从属权利要求。发光二极管（LED）或垂直腔面发射激光器（VCSEL）都是本领域常用的固体光源。因此，从属权利要求17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.20、权利要求24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求24对权利要求17作了进一步的限定，其限定部分的附加技术特征已被对比文件1公开：光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理（光接收芯片40相当于本申请所述的光学传感器）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.21、权利要求25不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求25是权利要求17的从属权利要求，其限定部分的附加技术特征已被对比文件2公开（参见说明书[0013]-[0026]、[0032]段，附图4-6、10）公开了其限定部分的附加技术特征：印刷电路板11，其上设置光发射器件21和光接收器件31，透明树脂的包围部材12覆盖光发射器件21和光接收器件31，玻璃基板13设置在包围部材12上方（相当于本申请所述的封盖）。在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.22、权利要求26不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1公开了一种光学器件，并具体公开了以下技术特征（参见说明书[0014]-[0020]段，附图1-2）：
具有表面的基板20（相当于本申请所述的承载基底），所述表面至少包括形成在其中的第一凹穴22（相当于本申请所述的第一腔体）和第二凹穴24（相当于本申请所述的第二腔体）；
布置在第一凹穴22中的光发射芯片30（相当于本申请所述的光学组成元件），用以发射光束；
布置在第二凹穴24中的光接收芯片40，光发射芯片30所发射的光束投射在物体表面，由物体表面所反射的光束会投射至光接收芯片40，光接收芯片40会将所接收的光信号转换成电子信号进行纪录及处理（光接收芯片40相当于本申请所述的光学传感器，配置成检测预先设定波长频谱中的光，并且响应于检测到所述设定波长频谱中的光而提供信号）；
封盖60，所述封盖60被布置在基板20表面上，以使得封盖60至少基本上将光发射芯片30包封在第一凹穴22内并且将光接收芯片40包封在第二凹穴24内；
封盖60具有一光发射孔62与一光接收孔64，光发射孔62与光接收孔64分别对应基板20的第一凹穴22与第二凹穴24，用以供光束通过（即封盖60配置成透射预先设定波长频谱中内的光）。
该权利要求所要求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：（1）光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；（2）承载基底包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体和第二腔体中的至少一个穿过承载基底，以提供电连接到光源或传感器；（3）所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第一腔体的底部表面上的相应接触垫处；所述光源包括焊料凸点，所述焊料凸点将所述光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源；所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第二腔体的底部表面，其中第二腔体的底部表面上的再分配迹线提供了第二直通基底通孔与传感器的电接头之间的电互连和路径分布。
基于上述区别技术特征，权利要求26所要解决的技术问题是：（1）如何保护器件并减小封装体积；（2）如何提供电连接；（3）直通基底通孔如何与光源或光学传感器电连接。
对于区别技术特征（1），对比文件5公开了一种固体摄像装置（属于一种光学器件），并具体公开了（参见说明书[0004]-[0017]段，附图1）：晶圆级构造，包括具有摄像区域102、周围电路区域104A、多个电极部104B的半导体衬底101（相当于晶圆级封装晶片），半导体衬底101具有形成在其上的光学玻璃而成的透明衬底106（即玻璃基底），且该特征在对比文件5中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于保护器件并减小封装体积。基于上述教导，本领域技术人员有动机在对比文件1中对于光接收芯片40（相当于本申请所述的光学传感器）进行类似的封装设计，即包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。也就是说对比文件5给出了将该区别技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0016]-[0028]段，附图1）：承载基底14包括至少一个直通基底通孔24，所述直通基底通孔24从腔体22穿过承载基底14，以提供电连接到LED16，且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供电连接。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的基板20上同样设置直通基底通孔，使其从第一凹穴22或第二凹穴24中的至少一个穿过基板20以提供电连接到光发射芯片30或光接收芯片40。
对于区别技术特征（3），对比文件3已经公开了直通基底通孔24穿过承载基底14延伸到腔体22的底部表面上的接触垫处，以提供电连接到LED16。而光源包括焊料凸点、焊料凸点将光源与接触垫电连接是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。因此，本领域技术人员很容易想到使用包括焊料凸点的光源，且焊料凸点将光源与接触垫电连接，从而使得直通基底通孔穿过承载基底延伸到腔体的底部表面上的相应接触垫处，并使焊料凸点将光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源。而设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段，属于本领域的公知常识，本领域技术人员很容易想到当光学传感器倒装且其电接触和直通基底通孔不在同一位置时，在凹穴中设置再分配迹线以连接光学传感器的电接头和直通基底通孔。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件5和3以及本领域的公知常识，得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.23、权利要求27不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求27是权利要求26的从属权利要求，其限定部分的附加技术特征已被对比文件1公开：布置在第一凹穴22中的光发射芯片30，用以发射光束（光发射芯片30相当于本申请所述的包括光源的光学组成元件）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人的意见，合议组意见如下：权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：（1）光学传感器包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底；（2）承载基底包括至少一个直通基底通孔(TSV)，所述直通基底通孔(TSV)从第一腔体和第二腔体中的至少一个穿过承载基底，以提供电连接到光源或光学传感器；（3）所述至少一个直通基底通孔(TSV)包括第一直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第一腔体的底部表面上的相应接触垫处；所述光源包括焊料凸点，所述焊料凸点将所述光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源；所述至少一个直通基底通孔(TSV)还包括第二直通基底通孔，其穿过承载基底延伸到第二腔体的底部表面，其中第二腔体的底部表面上的再分配迹线提供了第二直通基底通孔与光学传感器的电接头之间的电互连和路径分布。
基于上述区别技术特征，权利要求1所要解决的技术问题是：（1）如何保护器件并减小封装体积；（2）如何提供电连接；（3）直通基底通孔如何与光源或光学传感器电连接。
对于区别技术特征（1），对比文件5公开了一种固体摄像装置（属于一种光学器件），并具体公开了（参见说明书[0004]-[0017]段，附图1）：晶圆级构造，包括具有摄像区域102、周围电路区域104A、多个电极部104B的半导体衬底101（相当于晶圆级封装晶片），半导体衬底101具有形成在其上的光学玻璃而成的透明衬底106（即玻璃基底），且该特征在对比文件5中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于保护器件并减小封装体积。基于上述教导，本领域技术人员有动机在对比文件1中对于光接收芯片40（相当于本申请所述的光学传感器）进行类似的封装设计，即包括晶圆级封装晶片，所述晶圆级封装晶片具有形成在其上的玻璃基底。也就是说对比文件5给出了将该区别技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。
对于区别技术特征（2），对比文件3公开了一种光学器件，并具体公开了（参见说明书[0016]-[0028]段，附图1）：承载基底14包括至少一个直通基底通孔24，所述直通基底通孔24从腔体22穿过承载基底14，以提供电连接到LED16，且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供电连接。基于上述教导，本领域技术人员有启示在对比文件1的基板20上同样设置直通基底通孔，使其从第一凹穴22或第二凹穴24中的至少一个穿过基板20以提供电连接到光发射芯片30或光接收芯片40。
对于区别技术特征（3），对比文件3已经公开了直通基底通孔24穿过承载基底14延伸到腔体22的底部表面上的接触垫处，以提供电连接到LED16。而光源包括焊料凸点、焊料凸点将光源与接触垫电连接是本领域的常用技术手段，属于本领域的公知常识。因此，本领域技术人员很容易想到使用包括焊料凸点的光源，且焊料凸点将光源与接触垫电连接，从而使得直通基底通孔穿过承载基底延伸到腔体的底部表面上的相应接触垫处，并使焊料凸点将光源与接触垫电连接、进而与直通基底通孔电连接，以提供电连接到所述光源。而设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段，属于本领域的公知常识，本领域技术人员很容易想到当光学传感器倒装且其电接触和直通基底通孔不在同一位置时，在凹穴中设置再分配迹线以连接光学传感器的电接头和直通基底通孔。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件5和3，以及本领域的公知常识，得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
虽然对比文件5没有公开本申请的独立权利要求1新增加的技术特征，但是对比文件3公开了承载基底的直通基底通孔、且腔体中的接触垫电连接直通基底通孔，而光源包括焊料凸点、焊料凸点将光源与接触垫电连接是本领域的常用技术手段，设置再分配迹线是本领域进行电互连和路径分布的常用技术手段，属于本领域的公知常识。在此基础上，本领域技术人员很容易得到本申请权利要求1要求保护的结构和电互连的方式。这种结构和电互连的方式，其带来的能够提供有效的电互连以及路径分布的技术效果，是可以预期的，并没有带来预料不到的技术效果。
综上，复审请求人的意见陈述缺乏说服力，合议组不予接受。
基于以上理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月07日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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