发明创造名称：电气设备用负极活性物质以及使用其的电气设备
外观设计名称：
决定号：192820
决定日：2019-10-17
委内编号：1F285685
优先权日：
申请（专利）号：201480084170.0
申请日：2014-12-17
复审请求人：日产自动车株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：马冬娜
合议组组长：高瑜
参审员：罗文辉
国际分类号：H01M4/36，H01M4/02，H01M4/38，H01M10/0585
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2款
决定要点
：如果修改后的权利要求相对于一篇对比文件存在区别技术特征，并且该区别技术特征也不属于本领域惯用手段的直接置换，即该权利要求的技术方案与该对比文件的技术方案实质上不同，则该权利要求的技术方案相对于该对比文件具备新颖性。
全文：
本复审请求涉及申请号为2014800841700、名称为“电气设备用负极活性物质以及使用其的电气设备”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为日产自动车株式会社，申请日为2014年12月17日，公开日为2017年08月29日，本申请进入中国国家阶段日为2017年06月16日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年02月19日对本申请作出了驳回决定。驳回决定所依据的文本为：申请人于2019年01月18日提交的权利要求第1-12项，2017年06月16日按照条约第28或41条修改的说明书第[0001]-[0328]段，进入中国国家阶段日2017年06月16日提交的说明书摘要、摘要附图和说明书附图图1-5。
驳回的具体理由是：本申请的权利要求1-3,8-11不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。其中引用以下对比文件：对比文件1：WO2014080888A1，公开日为2014年05月30日。驳回的具体理由为：（1）权利要求1请求保护一种电气设备用负极活性物质，对比文件1公开了一种电气设备用负极活性物质，且其公开含硅合金的组成和制备方法与本申请均相同，虽然对比文件1未明确指出该含硅合金的参数特征“由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.39nm以上”以及结构特征“所述含硅合金具有：成为母相的以硅为主体的第一相；以及分散在所述第一相的、结晶性的、含有过渡金属的硅化物的第二相”，但由于相同的制备方法必然可以制得相同的物质，因而本领域技术人员可以推定对比文件1的含硅合金也必然满足上述参数特征和结构特征。因此，权利要求1的技术方案已被对比文件1公开，而且二者所属技术领域相同，能够解决相同的技术问题，并产生相同的技术效果，因而权利要求1不具备新颖性。（2）权利要求2-3，8-9的附加技术特征被对比文件1公开，因而权利要求2-3，8-9不具备新颖性。权利要求10请求保护一种电气设备用负极，其使用了权利要求1～9中任一项所述的电气设备用负极活性物质，对比文件1公开了使用负极活性物质的电气设备用负极，因此，当其引用的权利要求不具备新颖性时，权利要求10也不具备新颖性。权利要求11请求保护一种电气设备，其使用了权利要求10所述的电气设备用负极，对比文件1公开了使用负极的电气设备锂离子二次电池，因此，当其引用的权利要求不具备新颖性时，权利要求11也不具备新颖性。并在其它说明部分指出：权利要求4-7是申请人答复第三次审查意见通知书时主动增加的新的从属权利要求，该权利要求限定的技术方案在原权利要求书中未出现过，不符合专利法实施细则第51条第3款的规定，不能被接受。
驳回决定所针对的权利要求1-12的内容如下：
“1. 一种电气设备用负极活性物质，其特征在于，负极活性物质含有具有下述化学式(I)所示的组成的含硅合金，
SixSnyMzAa (I)
在上述化学式(I)中，
A为不可避免的杂质，
M为1种或2种以上过渡金属元素，
x、y、z和a表示质量％的值，此时，0＜x＜100、0＜y＜100、7＜z＜100且0≤a＜0.5，x y z a＝100，
由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，
对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.39nm以上，
所述含硅合金具有：成为母相的以硅为主体的第一相；以及分散在所述第一相的、结晶性的、含有过渡金属的硅化物的第二相。
2. 根据权利要求1所述的电气设备用负极活性物质，其特征在于，所述Si正四面体间距离为0.42nm以上。
3. 根据权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，其特征在于，所述Si正四面体间距离为0.48nm以上。
4. 根据权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，其特征在于，所述Si正四面体间距离为0.49nm以上。
5. 根据权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，其特征在于，所述Si正四面体间距离为0.53nm以上。
6. 根据权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，其特征在于，所述含硅合金通过对原材料混合粉末进行合金化处理而得到，作为所述合 金化处理，为通过冷却急冷凝固法使将原材料熔融而得的熔融物急冷、凝固的工序；或者为，首先通过冷却急冷凝固法使将原材料熔融而得的熔融物急冷、凝固，进而，使用机械合金化法进行合金化处理。
7. 根据权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，其特征在于，通过利用机械合金化法在600rpm下进行合金化处理50小时以上来制造所述含硅合金。
8. 根据权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，其中，在所述化学式(I)中，M为钛(Ti)。
9. 根据权利要求3所述的电气设备用负极活性物质，其中，在所述化学式(I)中，M为钛(Ti)。
10. 一种电气设备用负极，其特征在于，使用了权利要求1～9中任一项所述的电气设备用负极活性物质。
11. 一种电气设备，其特征在于，使用了权利要求10所述的电气设备用负极。
12. 一种电气设备用负极活性物质的筛选方法，其特征在于，负极活性物质含有含硅合金，
由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，
对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，通过该Si正四面体间距离是否为0.39nm以上来判断是否合适。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年06月06日向专利复审委员会提出了复审请求, 并提交了修改的权利要求书：将原权利要求1中的技术特征“该Si正四面体间距离为0.39nm以上”修改为“该Si正四面体间距离为0.41～0.48nm”；删除原权利要求2-7和9；并对权利要求的引用关系和序号进行适应性修改。复审请求人认为：（1）对比文件1实施例使用行星球磨装置以600rpm、48h合金化法制造具有Si42Sn51Ti7的合金，该条件与本申请实施例3中（Si正四面体距离为0.53nm）近似，修改后的权利要求1限定Si正四面体距离的上限值为0.48nm，该结果是对比文件1合金化处理条件（600rpm、48h）的大约一半时间（25h）下得到的。（2）修改后的本申请的范围中包含的实施例为实施例1、2、4、5，实施例3和6由于在上述范围之外，成为“参考例”，并且，成为“参考例”的实施例3和实施例6的初始含量与其他实施例相比，均为较低的数值，与此相反，作为实施例的实施例1、2、4、5保持了高的初始容量。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种电气设备用负极活性物质，其特征在于，负极活性物质含有具有下述化学式(I)所示的组成的含硅合金，
SixSnyMzAa (I)
在上述化学式(I)中，
A为不可避免的杂质，
M为1种或2种以上过渡金属元素，
x、y、z和a表示质量％的值，此时，0＜x＜100、0＜y＜100、7＜z＜100且0≤a＜0.5，x y z a＝100，
由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，
对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.41～0.48nm，
所述含硅合金具有：成为母相的以硅为主体的第一相；以及分散在所述第一相的、结晶性的、含有过渡金属的硅化物的第二相。
2. 根据权利要求1所述的电气设备用负极活性物质，其中，在所述化学式(I)中，M为钛(Ti)。
3. 一种电气设备用负极，其特征在于，使用了权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质。
4. 一种电气设备，其特征在于，使用了权利要求3所述的电气设备用负极。
5. 一种电气设备用负极活性物质的筛选方法，其特征在于，负极活性物质含有含硅合金，
由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，
对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，通过该Si正四面体间距离是否为0.39nm以上来判断是否合适。”
经形式审查合格，专利复审委员会于2019年06月18日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1表2-1中的参考例20-21和30-44中的Si合金的组成均处于本申请权利要求1所限定的硅合金的范围内，而且对比文件1的含硅合金的制造方法与本申请相同，均为机械合金化法，对于机械合金化法的处理时间，本申请说明书第159段指出，最优选48小时以上，上限值通常在72小时以下，而对比文件1的机械合金化法的处理时间48h处于上述最优选的范围内，鉴于相同的制备方法可以获得相同的产品，因而对比文件1仍然破坏本申请权利要求1-4的新颖性；虽然对比文件1的处理时间48h与本申请实施例3的处理时间50h接近，本申请权利要求1限定的上限值0.48nm对应的实施例2的处理时间25h约为对比文件1处理时间48h的一半，但二者合金的组成不同，因而对于Si正四面体距离来说不具有可比性。（2）本领域技术人员根据需要容易对硅合金的组成以及机械合金化处理的时间进行适当的调整和优化选择，从而容易获得本申请权利要求1限定的Si正四面体距离的含硅合金，权利要求1-4仍然不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
关于审查文本
复审请求人于2019年06月06日提交复审请求时提交了修改的权利要求书，经审查，上述修改文本符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本为：复审请求人于2019年06月06日提交的权利要求第1-5项，2017年06月16日按照条约第28或41条修改的说明书第[0001]-[0328]段，进入中国国家阶段日2017年06月16日提交的说明书摘要、摘要附图和说明书附图图1-5。
关于专利法第22条第2款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
如果修改后的权利要求相对于一篇对比文件存在区别技术特征，并且该区别技术特征也不属于本领域惯用手段的直接置换，即该权利要求的技术方案与该对比文件的技术方案实质上不同，则该权利要求的技术方案相对于该对比文件具备新颖性。
本复审请求审查决定引用原审查部门在驳回决定中所引用的对比文件1作为现有技术，即：
对比文件1：WO2014080888A1，公开日为2014年05月30日
（1）权利要求1具备新颖性。
权利要求1请求保护一种电气设备用负极活性物质，对比文件1公开了一种电气设备用负极活性物质，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0049]-[0055]段、[0185]段、[0190]段、[0215]-[0216]段）：该负极活性物质含有具有化学式SixTiyMzAa所示的合金，其中，M为选自由Ge、Sn、Zn以及它们的组合组成的组中的至少1种金属，A为不可避免的杂质，x、y、z和a表示质量％的值，0＜x＜100、0＜y＜100、0＜z＜100，并且0≤a＜0.5，x y z a＝100，SixTiyMzAa的实例包括SixTiySnzAa，其中表2-1中参考例31为Si62Ti15Sn23，参考例32为Si60Ti18Sn22，参考例42为Si62Ti30Sn8等（上述合金组成均处于权利要求1的组成范围内，并且硅为主体和母相）；Si合金的制造方法为通过机械合金化或电弧等离子体熔融法来制造。本申请中，含硅合金也是采用机械合金化法制备，本领域技术人员可以推定，对比文件1中的含硅合金也具有：成为母相的以硅为主体的第一相；以及分散在所述第一相的、结晶性的、含有过渡金属的硅化物的第二相。
本申请权利要求1中Si正四面体间的距离限定为0.41-0.48nm，说明书实施例1中通过机械合金化法制备含硅合金Si59Sn22Ti19时，合金化的处理时间为12.5小时，制备得到的Si正四面体间距离为0.42nm；实施例2中合金化处理时间变更为25小时，除此以外，通过与实施例1同样的方法制备得到的Si59Sn22Ti19，其Si正四面体间距离为0.48nm；实施例3中合金化处理时间变更为50小时，除此以外，通过与实施例1同样的方法制备得到的Si59Sn22Ti19，其Si正四面体间距离为0.53nm。由此可见，通过机械合金化法制备含硅合金时，Si正四面体间的距离与合金化处理的时间有关，随着合金化处理时间的增加，Si正四面体间的距离也会增加。对比文件1中通过机械合金化法制备Si合金时，制备得到的合金与上述Si59Sn22Ti19并不相同，且合金化处理的时间与本申请也不相同；其它现有技术也没有给出合金的成分和合金化处理时间与Si正四面体间的距离有何关系，因此，本领域技术人员无法推定出对比文件1中制备的SixTiySnzAa其Si正四面体间距离位于0.41-0.48nm之间。由此可见，本申请权利要求1中的技术特征“由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.41～0.48nm”未被对比文件1公开，并且上述技术特征也不属于本领域惯用手段的直接置换，因此，权利要求1具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
（2）权利要求2-4具备新颖性。
从属权利要求2引用权利要求1，由于权利要求1具备新颖性，因此，权利要求2也具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
权利要求3请求保护一种电气设备用负极，其使用了权利要求1或2所述的电气设备用负极活性物质，权利要求4请求保护一种电气设备，其使用了权利要求3所述的电气设备用负极，由于权利要求1和2具备新颖性，因此，权利要求3-4也具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
3.关于前置审查意见
合议组认为：（1）由本申请说明书实施例1-3可知，通过机械合金化法制备含硅合金Si59Sn22Ti19时，合金化的处理时间为12.5小时，制备得到的Si正四面体间距离为0.42nm；合金化处理时间为25小时，制备得到的Si正四面体间距离为0.48nm；合金化处理时间变更为50小时，制备得到的Si正四面体间距离为0.53nm。由此可见，通过机械合金化法制备含硅合金时，Si正四面体间的距离与合金化处理的时间有关，随着合金化处理时间的增加，Si正四面体间的距离也会增加。本申请权利要求1中Si正四面体间的距离限定为0.41-0.48nm，这意味着合金化处理的时间也有相应的数值范围。对比文件1中通过机械合金化法制备Si合金时，制备得到的合金与上述Si59Sn22Ti19并不相同，且合金化处理的时间与本申请也不相同；其它现有技术也没有给出合金的成分和合金化处理时间与Si正四面体间的距离有何关系，因此，本领域技术人员无法推定出对比文件1中制备的SixTiySnzAa其Si正四面体间距离位于0.41-0.48nm之间。由此可见，权利要求1具备新颖性。（2）Si正四面体间距离为0.41-0.48nm，构成了本申请权利要求1与对比文件1的区别技术特征，基于该区别技术特征，权利要求1实际解决的技术是如何保持高的初始容量；对此，对比文件1没有给出技术启示，且上述区别技术特征也不是本领域公知常识，可见，权利要求1相对于对比文件1和公知常识的结合具备创造性。
综上所述，本申请权利要求1-4具备新颖性，符合专利法第22条第2款的相关规定。至于本申请是否存在其它不符合专利法及实施细则的缺陷，由后续程序继续审查。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年02月19日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在复审请求人于2019年06月06日提交的权利要求第1-5项，2017年06月16日按照条约第28或41条修改的说明书第[0001]-[0328]段，2017年06月16日进入中国国家阶段日提交的说明书摘要、摘要附图和说明书附图图1-5的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京市知识产权法院起诉。
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