发明创造名称：用于磁共振成像导向的放射疗法的射频鸟笼型线圈
外观设计名称：
决定号：192422
决定日：2019-10-15
委内编号：1F270578
优先权日：2013-03-12
申请（专利）号：201480026973.0
申请日：2014-03-12
复审请求人：优瑞技术公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张鑫
合议组组长：翟琳娜
参审员：陈凯
国际分类号：G01R33/48
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与最接近的对比文件之间存在区别特征，但该区别特征中一部分已被另一篇同领域的对比文件所公开，且其所起的作用与在本申请中为解决实际的技术问题所起作用相同，其余部分属于本领域的公知常识，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480026973.0、名称为“用于磁共振成像导向的放射疗法的射频鸟笼型线圈”的发明PCT专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2014年03月12日，优先权日为2013年03月12日，进入中国国家阶段日期为2015年11月11日，公开日为2016年01月13日，申请人原为优瑞公司，后变更为优瑞技术公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月29日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-27不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定引用如下3篇对比文件：
对比文件1：CN101438959A，公开日为2009年05月27日；
对比文件2：CN102711915A，申请公布日为2012年10月03日；
对比文件3：CN1969194A，公开日为2007年05月23日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于进入中国国家阶段日2015年11月11日提交的说明书第1-57段、说明书附图图1-5、说明书摘要及摘要附图，于2018年05月08日提交的权利要求第1-27项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种用于与磁共振成像装置一起使用的射频线圈，该射频线圈包括：
第一导电环；
第二导电环；和
位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档，
其中，至少一个导电横档包括第一导电横档段和第二导电横档段，及
其中，第二导电横档段具有大体上比第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度中的至少一个薄的厚度。
2. 如权利要求1所述的射频线圈，其中，第二导电横档段具有的厚度为第一导电环、第二导电环和第一导电横档段中的至少一个的厚度的大约5％至大约75％。
3. 如权利要求2所述的射频线圈，其中，第二导电横档段具有的厚度为第一导电环、第二导电环和第一导电横档段中的至少一个的厚度的大约10％至大约50％。
4. 如权利要求3所述的射频线圈，其中，第二导电横档段具有的厚度为第一导电环、第二导电环和第一导电横档段中的至少一个的厚度的大约15％至大约30％。
5. 如权利要求4所述的射频线圈，其中，第二导电横档段具有的厚度为第一导电环、第二导电环和第一导电横档段中的至少一个的厚度的大约20％。
6. 如权利要求1-5中任一项所述的射频线圈，其中，至少一个导电横档还包括第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间。
7. 如权利要求6所述的射频线圈，其中，第二导电横档段大体上比第一导电横档段和第三导电横档段薄。
8. 如权利要求1-5中任一项所述的射频线圈，还包括位于第一导电横档段和第三导电横档段附近的PIN二极管电路。
9. 如权利要求1-5中任一项所述的射频线圈，其中，第一导电环、第二导电环以及至少一个导电横档中的至少一个包括铜、银和铝中的至少一种。
10. 如权利要求1-5中任一项所述的射频线圈，其中，第一导电环、第二导电环以及至少一个导电横档中的至少一个包括多层导电材料。
11. 如权利要求1所述的射频线圈，还包括位于相邻的导电横档之间并且位于第一导电环和第二导电环之间的绝缘区域。
12. 如权利要求11所述的射频线圈，其中，绝缘区域的至少一部分的厚度选择成使得绝缘区域的该部分和第二导电横档段都为辐射束提供大体上相同量的衰减。
13. 如权利要求12所述的射频线圈，其中，绝缘区域包括聚酰亚胺。
14. 如权利要求1所述的射频线圈，还包括印刷电路板(PCB)基板，
其中，至少一个导电横档包括形成在PCB基板的第一侧上的导电材料层。
15. 如权利要求14所述的射频线圈，还包括位于至少一个导电横档附近并且位于第一导电环和第二导电环之间的绝缘区域，其中，该绝缘区域包括形成在PCB基板的第一侧上的第一绝缘层和形成在PCB基板的第二侧上的第二绝缘层。
16. 如权利要求1所述的射频线圈，其中，磁共振成像装置具有小于1.0T的场强度。
17. 一种用于与磁共振成像装置一起使用的射频线圈，该射频线圈包括：
第一导电环；
第二导电环；和
位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档，
其中，至少一个导电横档包括第一导电横档段、第二导电横档段和第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间，及
其中，第二导电横档段具有比第一导电横档段的厚度和第三导电横档段的厚度小的厚度。
18. 如权利要求17所述的射频线圈，其中，第二导电横档段的厚度是第一导电环、第二导电环和第一导电横档段中的至少一个的厚度的大约20％。
19. 如权利要求17-18中任一项所述的射频线圈，还包括位于第一导电横档段和第三导电横档段附近的PIN二极管电路。
20. 如权利要求17-18中任一项所述的射频线圈，其中，第一导电环、第二导电环以及至少一个导电横档中的至少一个包括铜、银和铝中的至少一种。
21. 如权利要求17-18中任一项所述的射频线圈，其中，第一导电环、第二导电环以及横档中的至少一个包括多层导电材料。
22. 如权利要求17所述的射频线圈，还包括位于相邻的导电横档之间并且位于第一导电环和第二导电环之间的绝缘区域。
23. 如权利要求22所述的射频线圈，其中，绝缘区域的至少一部分的厚度选择成使得绝缘区域的该部分和第二导电横档段都为辐射束提供大体上相同量的衰减。
24. 如权利要求23所述的射频线圈，其中，绝缘区域包括聚酰亚胺。
25. 如权利要求17所述的射频线圈，其中，磁共振成像装置具有小于1.0T的场强度。
26. 如权利要求1所述的射频线圈，其中，与第一导电横档段相比， 第二导电横档段导致辐射束的更小的衰减。
27. 如权利要求1所述的射频线圈，其中，与第一导电横档段或第三导电横档段相比，第二导电横档段导致辐射束的更小的衰减。”
驳回决定认为：权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征在于：其中，第二导电横档段具有大体上比第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度中的至少一个薄的厚度。而该区别技术特征被对比文件2公开，在对比文件2给出的技术启示下，本领域技术人员容易想到使得第二导电横档段具有大体上比第一导电环或第二导电环的厚度较薄的厚度，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备创造性。权利要求2-16的附加技术特征被对比文件1-3公开或为公知常识，因此也均不具备创造性。权利要求17与对比文件1 的区别技术特征在于：其中，第二导电横档段具有大体上比第一导电横档段和第三导电横档段的厚度小的厚度。该区别技术特征已经被对比文件2公开了，因此权利要求17相对于对比文件1和2的结合不具备创造性。从属权利要求18-27的附加技术特征被对比文件1-3公开或为公知常识，因此也均不具备创造性。
申请人优瑞技术公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月08日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页。在驳回决定针对的权利要求书的基础上，对权利要求26的引用关系进行了修改，将其修改为引用权利要求17。修改后的权利要求26内容如下：
“26. 如权利要求17所述的射频线圈，其中，与第一导电横档段相比， 第二导电横档段导致辐射束的更小的衰减。 ”
复审请求人认为：对比文件1没有公开本申请中关于导电横档的技术特征，对比文件2也没有描述或启示权利要求1中的上述区别技术特征。该区别技术特征也不是本领域的公知常识，因此权利要求1-27具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月16日依法受理了该复审请求，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）权利要求1中公开了射频线圈的具体结构：射频线圈包括：第一导电环；第二导电环；和位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档；（2）权利要求1中对导电横档的结构做了具体限定：至少一个导电横档包括第一导电横档段和第二导电横档段，及其中，第二导电横档段具有大体上比第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度中的至少一个薄的厚度。其中区别技术特征（1）被对比文件1公开，区别技术特征（2）为本领域技术人员在对比文件2的基础上容易想到的，因此权利要求1相对于对比文件2结合对比文件1及本领域的常用技术手段不具备创造性。从属权利要求2-16的附加技术特征或被对比文件1-3公开，或为本领域的公知常识，因此也均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求17与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）权利要求17中公开了射频线圈的具体结构：射频线圈包括：第一导电环；第二导电环；和位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档；（2）权利要求17中对导电横档的结构做了具体限定：至少一个导电横档包括第一导电横档段、第二导电横档段和第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间，及其中，第二导电横档段具有比第一导电横档段的厚度和第三导电横档段的厚度小的厚度。其中区别技术特征（1）被对比文件1公开，区别技术特征2是本领域技术人员在对比文件2的基础上容易想到的，因此权利要求17相对于对比文件2结合对比文件1及本领域的常用技术手段不具备创造性。从属权利要求18-27的附加技术特征或被对比文件1-3公开，或为本领域的公知常识，因此也均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年10月08日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，修改了权利要求27，并增加了权利要求28-29。修改后的权利要求27-29具体内容如下：
“27. 如前述权利要求中任一项所述的射频线圈，其中，降低第一或第二导电环、或者至少一个导电横档的一部分的RF电阻，以补偿由所述第二导电横档段的厚度减小引起的增加的RF电阻。
28.如前述权利要求中任一项所述的射频线圈，其中，所述至少一个导电横档是铜，并且所述第二导电横档段的厚度小于10趋肤深度。
29.如前述权利要求中任一项所述的射频线圈，其中，所述至少一个导电横档是铜，并且所述第二导电横档段的厚度小于2趋肤深度。”
复审请求人认为：对比文件2仅仅公开了可以利用传导材料的量减少构造梯度线圈320，而不是收发线圈326，对比文件2并没有公开如本发明所述的减少RF线圈的任何一部分的厚度。而对比文件1公开了RF线圈的各个方面，其并没有解决或给出任何关于以上有关显而易见分析的启示。该区别技术特征也不是本领域的公知常识或常用技术手段，因此权利要求1-29具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年10月08日提交了权利要求书的全文修改替换页。因此，本决定所针对的文本为：复审请求人于进入中国国家阶段日2015年11月11日提交的说明书第1-57段、说明书附图图1-5、说明书摘要及摘要附图，于2019年10月08日提交的权利要求第1-29项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与最接近的对比文件之间存在区别特征，但该区别特征中一部分已被另一篇同领域的对比文件所公开，且其所起的作用与在本申请中为解决实际的技术问题所起作用相同，其余部分属于本领域的公知常识，则该权利要求的技术方案不具备创造性。
具体到本案：
2.1权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1要求保护一种用于与磁共振成像装置一起使用的射频线圈，对比文件2公开了一种具有磁共振引导的辐射治疗系统，与本申请同属于磁共振成像及辐射治疗系统的技术领域，对比文件2具体公开了以下技术内容（参见对比文件2说明书第[0111]-[0118]段及附图3）：图3示出了根据本发明的实施例的治疗设备的截面功能示意图。该示意图中所示的治疗设备包括磁共振成像系统300、高强度聚焦超声系统302和光子辐射治疗系统304。所述光子辐射治疗系统304可以利用X射线源、线性加速器或放射性同位素生成高能量光子。所述光子辐射治疗系统304可以适于围绕所述磁体的轴旋转将允许辐射从不同的角度进入受试者318。所述磁共振成像系统300具有磁体306。这一实施例中所示的磁体306是具有超导线圈的圆柱形磁体。磁体306为圆柱形。图中示出了从光子辐射治疗系统304发射的电离辐射束314。所述电离辐射束314穿过或者抵达受试者318体内的辐照体积316。受试者318位于磁体306的膛内。受试者318的身体大致与磁体306的轴或者说Z轴对准。所述电离辐射束能够穿过磁体306。将磁体306设计为使所述磁体造成的辐射束的衰减最小化。可以通过将超导线圈和诸如梯度线圈的其他磁体部件从辐射束的路径中移出而实现这一目的。所述磁场梯度线圈320可以是两个单独的梯度线圈，或者所述分裂可以简单地是没有传导材料或者传导材料的量减少的区域。可以将其设计成在分裂区域324内不存在将对电离辐射束314的通过造成干扰的金属。射频收发器线圈326也处于磁体306的膛内。将射频收发器线圈连接至射频收发器328。利用所述射频收发器线圈326发射能够操纵成像体积330内的原子自旋的取向的无线电信号。电离辐射束314被示为穿过磁场梯度线圈320以及射频收发器线圈。可以将所述射频收发器线圈设计为使电离辐射束314能够由其穿过，或者可以利用采用了分裂射频收发器线圈326的设计。
由对比文件2公开的内容可知，对比文件2中公开了磁共振成像系统300包括射频收发器线圈326，其中射频收发器线圈326相当于权利要求1中的与磁共振成像装置一起使用的射频线圈。
权利要求1与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）权利要求1中公开了射频线圈的具体结构：射频线圈包括：第一导电环；第二导电环；和位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档；（2）权利要求1中对导电横档的结构做了具体限定：至少一个导电横档包括第一导电横档段和第二导电横档段，及其中，第二导电横档段具有大体上比第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度中的至少一个薄的厚度。
基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：如何通过设置射频线圈的具体结构来减小射频线圈对治疗辐射束的衰减。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了一种磁共振成像装置以及RF线圈，与本申请及对比文件2同属于磁共振成像技术领域，其具体公开了以下技术内容（参见对比文件1说明书上标第3页第5段至说明书上标第5页第3段及附图1、2）：MRI装置100具有静磁场磁铁110、倾斜磁场线圈120、RF线圈130、倾斜磁场电源141、发送部142、接收部143、时序控制装置150、床装置160和计算机170。图2是示出本实施例的RF线圈130的结构的图。如图2所示，该RF线圈130具有线圈支撑部131、两个环状部132、多个横档部133以及二个引导部134。线圈支撑部131是形成为圆筒状的支撑部件（绕线筒），支撑后述的环状部132、横档部133、引导部134等，以使它们分别保持于规定的位置。二个环状部132分别是使用铜箔132a形成为环状的导电部件。各环状部132被分别设置成环的中心轴一致、并且其间离开规定的距离。多个横档部133分别是使用铜箔133a形成为矩形形状的导电部件。各横档部133分别隔开规定的间隔而设置，以连接二个环状部132之间。
由对比文件1公开的内容可知，对比文件1公开了设置在磁共振成像装置中的一种射频线圈的具体结构；对比文件1中RF线圈的二个环状部为使用铜箔132a形成为环状的导电部件，相当于权利要求1中射频线圈的第一导电环和第二导电环；对比文件1中RF线圈的多个横档部为使用铜箔133a形成为矩形形状的导电部件，分别隔开规定的间隔而设置，以连接二个环状部132之间，相当于权利要求1中位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档。
由此可见，对比文件1中公开的磁共振成像装置中射频线圈的具体结构与本申请权利要求1中限定的射频线圈的结构相同，都具有两个导电环及至少一个导电横档，即权利要求1与对比文件2的区别技术特征（1）已经被对比文件1公开了，且其在对比文件1中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，均是用于在磁共振成像装置产生所需的射频信号并可以及时散热，即对比文件1给出了将磁共振成像装置中射频线圈设置为上述具体结构在发射射频信号的同时可以有效散热的技术启示，在该技术启示下，本领域技术人员容易想到将对比文件2中磁共振成像设备中的射频线圈也设置为具有两个导电环及至少一个导电横档的结构，无需付出创造性劳动。
对于区别技术特征（2），权利要求1中具体限定了：至少一个导电横档包括第一导电横档段和第二导电横档段，及第二导电横档段具有大体上比第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度中的至少一个薄的厚度，从而减小射频线圈对治疗辐射束的衰减。
请求人认为：对比文件2并没有公开如本申请所述的减少RF线圈的任何一部分的厚度，在对比文件2的图4上，收发线圈326具有均匀的厚度。
对此，合议组认为：对比文件2中具体公开了（参见对比文件2说明书第[0113]、[0118]段）：所述电离辐射束能够穿过磁体306。将磁体306设计为使所述磁体造成的辐射束的衰减最小化。可以通过将超导线圈和诸如梯度线圈的其他磁体部件从辐射束的路径中移出而实现这一目的。射频收发器线圈326也处于磁体306的膛内。电离辐射束314被示为穿过磁场梯度线圈320以及射频收发器线圈。可以将所述射频收发器线圈设计为使电离辐射束314能够由其穿过，或者可以利用采用了分裂射频收发器线圈326的设计。
由对比文件2公开的上述内容可知，对比文件2已具体公开了为了使磁共振成像设备中的磁体造成的辐射束的衰减最小化，可以将射频收发器线圈设计为使电离辐射束314能够由其穿过，或者可以利用采用了分裂射频收发器线圈326的设计。对比文件2的图4仅仅是示意图，其不能证明对比文件2中射频收发器线圈326始终具有均匀的厚度。由此可知，对比文件2给出了为了减小射频线圈对辐射束的衰减，将射频线圈对应辐射束的部分设置为与其他部分不同方式的技术启示。而对于本领域技术人员而言，采用分裂射频收发器线圈的设计，或是减小射频收发器线圈对应辐射束的部分的厚度，均是可以实现减小射频线圈对辐射束的衰减的常用技术手段，在具体应用时，依据检测对象、辐射强度和范围、检测结果等因素的需要选择适当的设置方式属于本领域技术人员的常规选择。因此，在对比文件2的技术启示下，本领域技术人员依据所需辐射量的衰减程度、设备的整体稳固性等需要容易想到，将射频线圈的导电横档分为第一导电横档段和第二导电横档段，且使得与辐射束对应的第二导电横档段的厚度比第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度中的至少一个薄，即将对比文件2中射频线圈的导电横档段设置为与本申请权利要求1中限定的结构相同，从而减小射频线圈对辐射束的衰减，无需付出创造性劳动。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1及本领域的常用技术手段，得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2-5直接或间接引用权利要求1，其附加技术特征进一步对第二导电横档段相对于第一导电环的厚度、第二导电环的厚度以及第一导电横档段的厚度的比例进行了限定。而第二导电横档段的厚度及其与其他部件厚度的比例关系是本领域技术人员根据实际应用环境、检测对象、辐射强度和范围、检测结果等因素的需要进行适应性设置的，无需付出创造性劳动，该具体厚度的设置也没有带来任何预料不到的技术效果。
因此，在其引用的在先权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求2-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求6、7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6引用权利要求1-5中任一项，其进一步限定的附加技术特征为：至少一个导电横档还包括第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间；权利要求7引用权利要求6，其进一步限定的附加技术特征为：第二导电横档段大体上比第一导电横档段和第三导电横档段薄。
而如对权利要求1的评述可知，对比文件2给出了为了减小射频线圈对辐射束的衰减，将射频线圈对应辐射束的部分设置进行与其他部分不同设置的技术启示。而当射频线圈对应辐射束的部分处于射频线圈横档段的中间部分时，将导电横档分为三端，将厚度较薄的第二导电横档段设置于第一导电横档段和第三导电横档段之间属于本领域技术人员的常规设置，无需付出创造性劳动。
因此，在其引用的在先权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求6和7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求8引用权利要求1-5中任一项，其进一步限定的附加技术特征为：还包括位于第一导电横档段和第三导电横档段附近的PIN二极管电路。
对比文件1进一步公开了（参见对比文件1说明书上标第9页第5-9行）：另外，一般来讲，在RF线圈130中，在环状部132中设置有多个电容器，在横档部133中设置有多个PIN二极管。或者，与此相反地，在环状部132中设置有多个PIN二极管，在横档部133中设置有多个电容器。或者，在环状部132、横档部133的任意一方或两方中，设置有电容器以及PIN二极管。
由此可见，对比文件1公开了在第一导电横档段和第三导电横档段附近设置PIN二极管电路。即权利要求8的附加技术特征已经被对比文件1公开了。在其引用的在先权利要求不具备创造性的基础上，该从属权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求9、10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求9、10引用权利要求1-5中任一项，其进一步限定的附加技术特征为：第一导电环、第二导电环以及至少一个导电横档中的至少一个包括铜、银和铝中的至少一种，以及第一导电环、第二导电环以及至少一个导电横档中的至少一个包括多层导电材料。
对比文件1进一步公开了（参见对比文件1说明书上标第4页最后一段及上标第5页第2段）：二个环状部132分别是使用铜箔132a形成为环状的导电部件。多个横档部133分别是使用铜箔133a形成为矩形形状的导电部。
由此可见，对比文件1公开了第一导电环、第二导电环以及至少一个导电横档中的至少一个包括铜。而银和铝也是本领域常用的导电材料，本领域技术人员可以根据实际导电需要选择合适的材料制造导电部件，无需付出创造性劳动。同时，采用多层导电材料制作导电部件也属于本领域的公知常识。
因此，在其引用的在先权利要求不具备创造性的基础上，该从属权利要求9和10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求11引用权利要求1，其进一步限定的附加技术特征为：还包括位于相邻的导电横档之间并且位于第一导电环和第二导电环之间的绝缘区域。
对比文件1公开了（参见对比文件1说明书上标第4页第7-8段及附图2）：该RF线圈130具有线圈支撑部131、两个环状部132、多个横档部133以及二个引导部134。线圈支撑部131是形成为圆筒状的支撑部件（绕线筒），支撑后述的环状部132、横档部133、引导部134等，以使它们分别保持于规定的位置。
即对比文件1公开了射频线圈包括位于相邻的导电横档之间并且位于第一导电环和第二导电环之间的支撑部。而对比文件1中导电横档和导电环均为导电部件，线圈支撑部仅为其提供支撑，因此为了获得良好的绝缘效果将与之相关的线圈支撑部设置为绝缘部件也是本领域技术人员采用的常规技术手段。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，该从属权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求12引用权利要求11，其进一步限定的附加技术特征为绝缘区域的至少一部分的厚度选择成使得绝缘区域的该部分和第二导电横档段都为辐射束提供大体上相同量的衰减。
而为了使得辐照区域的辐照量均匀，将选择绝缘区域与第二导电横档段对应部分的厚度，使其与第二导电横档段都为辐射束提供大体上相同量的衰减，是本领域技术人员的常规设置，无需付出创造性劳动。
因此，在其引用的权利要求11不具备创造性的基础上，该从属权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、权利要求13不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求13引用权利要求12，其进一步限定的附加技术特征为：绝缘区域包括聚酰亚胺。
而聚酰亚胺属于本领域常见的绝缘材料，属于本领域技术人员的常规选择。
因此，在其引用的权利要求12不具备创造性的基础上，该从属权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9、权利要求14不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求14引用权利要求1，其进一步限定的附加技术特征为：还包括印刷电路板(PCB)基板，其中，至少一个导电横档包括形成在PCB基板的第一侧上的导电材料层。
对比文件3公开了一种低局部SAR鸟笼射频线圈，与本申请及对比文件1、2均属于磁共振技术领域，其具体公开了（参见对比文件3摘要及说明书上标第5页第2段）：一种用于检测磁共振信号的射频线圈包括多个分布电容以及被布置成横向于横档并且与横档耦合的一个或多个导电段或环。每个横档包括：（i）具有第一和第二主侧面的绝缘衬底；（ii）在第一主侧面上的第一多个间隔导电区；以及（iii）在第二主侧面上的第二多个间隔导电区。用于制造横档70的一个合适的过程始于双面印刷电路板具有在两个主侧面上布置的铜膜或其他导电涂层。
由此可见，对比文件3公开了射频线圈的横档包括形成在PCB基板的第一侧上的导电材料层，即权利要求14的附加技术特征已经被对比文件3公开了，并给出了采用在PCB基板的一侧上布置导电涂层以制作射频线圈的导电横档的技术启示，本领域技术人员基于该技术启示，容易想到在制作对比文件2中的射频线圈时，也采用在PCB基板的一侧上布置导电涂层的方式制作射频线圈的导电横档，无需付出创造性劳动。
在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该从属权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10、权利要求15不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求15引用权利要求14，其进一步限定的附加技术特征为：还包括位于至少一个导电横档附近并且位于第一导电环和第二导电环之间的绝缘区域，其中，该绝缘区域包括形成在PCB基板的第一侧上的第一绝缘层和形成在PCB基板的第二侧上的第二绝缘层。
参见对权利要求11的评述可知，对比文件1公开了射频线圈包括位于相邻的导电横档之间并且位于第一导电环和第二导电环之间的支撑部。而对比文件1中导电横档和导电环均为导电部件，线圈支撑部仅为其提供支撑，因此为了获得良好的绝缘效果将与之相关的线圈支撑部设置为绝缘部件是本领域技术人员采用的常规技术手段，同时绝缘区域包括形成在PCB基板的第一侧上的第一绝缘层和形成在PCB基板的第二侧上的第二绝缘层也是本领域技术人员采用的常规技术手段。
因此，在其引用的权利要求14不具备创造性的情况下，该从属权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11、权利要求16不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求16引用权利要求1，其进一步限定的附加技术特征为：磁共振成像装置具有小于1.0T的场强度。
而磁共振成像装置的磁场强度的选择，属于本领域技术人员根据实际成像和治疗的需要，可以自主选择设置的，属于本领域技术人员的常规选择。
因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，该从属权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.12、权利要求17不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求17要求保护一种用于与磁共振成像装置一起使用的射频线圈，对比文件2公开了一种具有磁共振引导的辐射治疗系统，与本申请同属于磁共振成像及辐射治疗系统的技术领域，其具体公开的内容参见对权利要求1的评述。
权利要求17与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）权利要求17中公开了射频线圈的具体结构：射频线圈包括：第一导电环；第二导电环；和位于第一导电环和第二导电环之间并且电连接至第一导电环和第二导电环的至少一个导电横档；（2）权利要求17中对导电横档的结构做了具体限定：至少一个导电横档包括第一导电横档段、第二导电横档段和第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间，及其中，第二导电横档段具有比第一导电横档段的厚度和第三导电横档段的厚度小的厚度。
基于上述区别技术特征，权利要求17实际解决的技术问题是：如何设置射频线圈的具体结果以及如何减小射频线圈对治疗辐射束的衰减。
而基于上述对权利要求1的评述可知，区别技术特征（1）已经被对比文件1公开了，对于区别技术特征（2），对比文件2给出了为了减小射频线圈对辐射束的衰减，将射频线圈对应辐射束的部分设置进行与其他部分不同设置的技术启示。而对于本领域技术人员而言，采用分裂射频收发器线圈的设计，或是减小射频收发器线圈对应辐射束的部分的厚度，均是实现减小射频线圈对辐射束的衰减的常用技术手段。因此，在对比文件2的技术启示下，本领域技术人员也容易想到，将至少一个导电横档设置为包括第一导电横档段、第二导电横档段和第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间，及其中，第二导电横档段具有比第一导电横档段的厚度和第三导电横档段的厚度小的厚度。即将对比文件2中射频线圈的导电横档段设置为与本申请权利要求17中限定的结构相同，从而减小射频线圈对辐射束的衰减，无需付出创造性劳动。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1及本领域的常用技术手段，得到权利要求17的技术方案，对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求17的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.13、权利要求18-25不具备专利法第22条第3款规定的创造性
从属权利要求18-25直接或间接引用权利要求17，其附加技术特征分别与权利要求5、8-13、16的附件技术特征相同，基于与前述相同的理由，权利要求18-25在其引用的在先权利要求不具备创造性的基础上，也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.14、权利要求16不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求26引用权利要求17，其进一步限定的附加技术特征为：与第一导电横档段相比， 第二导电横档段导致辐射束的更小的衰减。
而本领域公知，减小与辐射束对应的横档段的厚度，可以降低其对辐射束的衰减。因此，当第二导电横档段的厚度较薄时，其对辐射束的衰减更小，也属于本领域的公知常识。
因此，在其引用的在先权利要求不具备创造性的基础上，该从属权利要求26也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.15权利要求27不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求27引用前述权利要求中任一项，其进一步限定的附加技术特征为：降低第一或第二导电环、或者至少一个导电横档的一部分的RF电阻，以补偿由所述第二导电横档段的厚度减小引起的增加的RF电阻。
而如前所述，对比文件2给出了为了减小射频线圈对辐射束的衰减，将射频线圈对应辐射束的部分设置进行与其他部分不同设置的技术启示。在对比文件2的技术启示下，本领域技术人员也容易想到，将至少一个导电横档设置为包括第一导电横档段、第二导电横档段和第三导电横档段，第二导电横档段位于第一导电横档段和第三导电横档段之间，及其中，第二导电横档段具有比第一导电横档段的厚度和第三导电横档段的厚度小的厚度。而本领域公知，减小RF线圈导电横档段的厚度，该导电横档段的截面积变小，会导致其RF电阻变大，从而影响RF线圈整体的Q因数。因此，为了使得RF线圈整体的Q因数或性能保持稳定，本领域技术人员容易想到降低RF线圈其它部分的电阻，以补偿由于部分导电横档段厚度减小而引起的增加的RF电阻。即降低第一或第二导电环、或者至少一个导电横档的一部分的RF电阻，以补偿由所述第二导电横档段的厚度减小引起的增加的RF电阻为本领域技术人员为了使得RF线圈整体的Q因数或性能保持稳定而采用的常用技术手段，无需付出创造性劳动。
因此，在其引用的在先权利要求不具备创造性的基础上，该从属权利要求27也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.16权利要求28、29不具备专利法第22条第3款规定的创造性
复审请求人在2019年10月08日提交的权利要求书的全文修改替换页中，新增了权利要求28、29，其附加技术特征分别为“所述至少一个导电横档是铜，并且所述第二导电横档段的厚度小于10趋肤深度”以及“所述至少一个导电横档是铜，并且所述第二导电横档段的厚度小于2趋肤深度”。其中权利要求29的附加技术特征“第二导电横档段的厚度小于2趋肤深度”在原始申请文件中没有记载，也无法从原始申请文件中直接地、毫无疑义地得出，超出了原始申请文件记载的范围，不符合专利法第33条的规定。
同时，合议组认为：铜为射频线圈的常用制作材料，使用铜制作射频线圈的导电横档为本领域的公知常识。在实际应用中，本领域技术人员可以根据治疗所需辐射强度、射频线圈对辐射衰减的要求及射频线圈电阻要求等实际操作中的具体参数要求适应性的选择导电横档段的厚度，无需付出创造性劳动。因此权利要求28、29的附加技术特征均为本领域技术人员的常规选择，在其引用的在先权利要求不具备创造性的基础上，该从属权利要求28、29也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-29均不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月29日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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