发明创造名称：COA型阵列基板及其制作方法
外观设计名称：
决定号：192382
决定日：2019-10-14
委内编号：1F272746
优先权日：
申请（专利）号：201510645537.8
申请日：2015-10-08
复审请求人：武汉华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：朱宇澄
合议组组长：任志伟
参审员：张帆
国际分类号：G02F1/1362，G02F1/1335
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而其中部分区别技术特征被另一对比文件公开，部分区别技术特征为本领域公知常识，且本领域技术人员有动机将该对比文件以及该公知常识应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510645537.8，名称为“COA型阵列基板及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2015年10月08日，公开日为2016年02月24日。申请人为武汉华星光电技术有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月31日发出驳回决定，驳回了本发明专利申请，其理由是：权利要求第1-8项不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定引用如下两篇对比文件：
对比文件1：CN104166263A，公开日期为2014年11月26日；
对比文件2：CN104298040A，公开日期为2015年01月21日。
驳回决定所依据的文本为：申请日提交的说明书摘要、说明书第1-47段、摘要附图、说明书附图图1-3；2018年01月31日提交的权利要求第1-8项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种COA型阵列基板，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的彩色光阻层(3)、及设于所述彩色光阻层(3)上的像素电极(4)；
所述基板(1)包括呈阵列排布的数个子像素区域(10)，所述彩色光阻层(3)包括对应数个子像素区域(10)的数个色阻块(30)，所述数个色阻块(30)包括品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)，在白光照射下，所述品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)分别透射出品红色、青色、黄色、及白色光；
所述彩色光阻层(3)中的数个色阻块(30)构成多个重复排列的像素单元(35)，每个像素单元(35)包括左到右依次排列的品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)。
2. 如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述TFT层(2)包括对应数个子像素区域(10)的数个TFT(20)，所述TFT(20)包括：设于所述基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)上的源极(24)与漏极(25)。
3. 如权利要求2所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述彩色光阻层(3)上对应所述漏极(25)上方设有过孔(41)，所述像素电极(4)通过该过孔(41)与漏极(25)相接触。
4. 如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO。
5. 一种COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，所述基板(1)包括呈阵列排布的数个子像素区域(10)，在所述基板(1)形成TFT层(2)；
步骤2、在所述TFT层(2)上制作彩色光阻层(3)，所述彩色光阻层(3)包括对应数个子像素区域(10)的数个色阻块(30)，所述数个色阻块(30) 包括品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)；
步骤3、在所述彩色光阻层(3)上形成像素电极(4)；
所述彩色光阻层(3)中的数个色阻块(30)构成数个重复排列的像素单元(35)，每个像素单元(35)包括从左到右依次排列的品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)。
6. 如权利要求5所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述TFT层(2)包括对应数个子像素区域(10)的数个TFT(20)，所述TFT(20)包括：设于所述基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)上的源极(24)与漏极(25)。
7. 如权利要求6所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻层(3)上对应所述漏极(25)上方设有过孔(41)，所述像素电极(4)通过该过孔(41)与漏极(25)相接触。
8. 如权利要求5所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO。”
驳回决定认为：1）权利要求1与对比文件1的区别在于：在TFT层上设置彩色光阻层，在彩色光阻层上设置像素电极，透明光阻块实现透射白色光；每个像素单元包括左到右依次排列的品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块。其中，部分特征被对比文件2公开，部分特征为本领域公知常识，因此，权利要求1不具备创造性。2）权利要求5与对比文件1的区别在于：在TFT层上形成彩色光阻层，透明光阻块实现白色子像素；在彩色光阻层上形成像素电极层；每个像素单元包括左到右依次排列的品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块、及透明光阻块。其中，部分特征被对比文件2公开，部分特征为本领域公知常识，因此，权利要求5不具备创造性。3）权利要求2-4、6-8的附加技术特征被对比文件2公开，因此，权利要求2-4、6-8不具备创造性。
申请人武汉华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月30日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书修改全文替换页，其中，将从属权利要求2、6分别并入独立权利要求1、5中。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种COA型阵列基板，其特征在于，包括：基板(1)、设于所述基板(1)上的TFT层(2)、设于所述TFT层(2)上的彩色光阻层(3)、及设于所述彩色光阻层(3)上的像素电极(4)；
所述基板(1)包括呈阵列排布的数个子像素区域(10)，所述彩色光阻层(3)包括对应数个子像素区域(10)的数个色阻块(30)，所述数个色阻块(30)包括品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)，在白光照射下，所述品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)分别透射出品红色、青色、黄色、及白色光；
所述彩色光阻层(3)中的数个色阻块(30)构成多个重复排列的像素单元(35)，每个像素单元(35)包括左到右依次排列的品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)；
所述TFT层(2)包括对应数个子像素区域(10)的数个TFT(20)，所述TFT(20)包括：设于所述基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)上的源极(24)与漏极(25)。
2. 如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述彩色光阻层(3)上对应所述漏极(25)上方设有过孔(41)，所述像素电极(4)通过该过孔(41)与漏极(25)相接触。
3. 如权利要求1所述的COA型阵列基板，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO。
4. 一种COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，所述基板(1)包括呈阵列排布的数个子像素区域(10)，在所述基板(1)形成TFT层(2)；
步骤2、在所述TFT层(2)上制作彩色光阻层(3)，所述彩色光阻层(3)包括对应数个子像素区域(10)的数个色阻块(30)，所述数个色阻块(30)包括品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻 块(34)；
步骤3、在所述彩色光阻层(3)上形成像素电极(4)；
所述彩色光阻层(3)中的数个色阻块(30)构成数个重复排列的像素单元(35)，每个像素单元(35)包括从左到右依次排列的品红色光阻块(31)、青色光阻块(32)、黄色光阻块(33)、及透明光阻块(34)；
所述TFT层(2)包括对应数个子像素区域(10)的数个TFT(20)，所述TFT(20)包括：设于所述基板(1)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及基板(1)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)上的源极(24)与漏极(25)。
5. 如权利要求4所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻层(3)上对应所述漏极(25)上方设有过孔(41)，所述像素电极(4)通过该过孔(41)与漏极(25)相接触。
6. 如权利要求4所述的COA型阵列基板的制作方法，其特征在于，所述像素电极(4)的材料为ITO。”
复审请求人认为：1）对比文件2未公开其彩色滤光片中包括白色光阻层，也没有公开对应数个子像素区域的数个TFT。本领域技术人员不容易将对比文件2的彩色滤光层的位置设置与对比文件1的彩色滤光层的位置设置联系起来，没有动机将对比文件2的TFT层、彩色滤光片与像素电极之间的位置特征应用到对比文件1中。对比文件2没有给出本申请COA基板的彩色光阻层的布置、TFT层以及TFT层包含数个TFT等结构布局上的启示。2）对比文件1的技术效果通过调整各种颜色的子像素的布置方式，避免串扰，白色子像素、品红子像素、青色子像素和黄色子像素不是依次重复排列，而是相邻的相同颜色子像素分别位于奇数列和偶数列。对比文件1既未公开本申请子像素的排列方式，并且其子像素排列方式所要达到的技术效果与本申请也不相同。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月11日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月22日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-6不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。复审通知书认为：1）独立权利要求1与对比文件1的区别在于：a.基板包括设于基板上的TFT层、设于彩色光阻层上的像素电极，彩色光阻层设于TFT层上；TFT包括：设于基板上的栅极、设于栅极及基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、及设于半导体层上的源极与漏极。b.透明光阻块透射白色光品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块和透明光阻块从左到右依次排列。其中，区别特征a被对比文件2公开，区别特征b为本领域公知常识，因此，权利要求1不具备创造性。2）独立权利要求4与对比文件1的区别在于：还包括如下步骤：a.在基板形成TFT层，在TFT层上制作彩色光阻层，在彩色光阻层上形成像素电极；TFT包括：设于基板上的栅极、设于栅极及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于半导体层上的源极与漏极；b.透明光阻块透射白色光；品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块和透明光阻块从左到右依次排列。权利要求4与对比文件1的区别特征a、b分别与权利要求1与对比文件1的区别特征a、b相同，基于与权利要求1评述部分相同的理由，权利要求4不具备创造性。3）从属权利要求2-3、5-6的附加技术特征被对比文件2公开，因此，权利要求2-3、5-6不具备创造性。4）合议组针对复审请求人的意见陈述进行了答复。
复审请求人于2019年07月26 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1相邻的像素组中并不是按照同一个颜色顺序从左到右依次排列的。本申请中，所有像素单元中的四个不同颜色的光阻块均按照同一个颜色顺序从左到右依次排列，制程光罩数量少，产品成本降低。因此，权利要求1具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年01月30日提交了权利要求第1-6项的修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以申请日提交的说明书摘要、说明书第1-47段、摘要附图、说明书附图图1-3；2019年01月30日提交的权利要求第1-6项为基础作出。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术公开的技术方案相比，存在区别技术特征，而其中部分区别技术特征被另一对比文件公开，部分区别技术特征为本领域公知常识，且本领域技术人员有动机将该对比文件以及该公知常识应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案，权利要求1请求保护一种COA型阵列基板，对比文件1公开了一种像素阵列及显示器，其中，披露了以下技术特征（参见说明书第31-44段，第62-64段，附图3）：该像素阵列包括多个彩色子像素和多个白色子像素沿行方向和列方向排列形成二维阵列，三个不同颜色的彩色子像素和一个白色子像素构成一个像素组。多个像素组沿行方向依次排列。彩色子像素包括品红子像素、青色子像素和黄色子像素。每个子像素除了相应颜色的滤色器之外，还可以包括其他必要部件，例如，作为开关的薄膜晶体管、数据线、栅极线等。该像素阵列可用于液晶显示器，具体而言，彩色子像素包括相应颜色的滤色器，各种颜色的子像素利用相应颜色的滤色器来实现，滤色器可以为形成在阵列基板上的结构（COA）结构。也就是说，品红子像素、青色子像素和黄色子像素分别利用品红滤色器、青色滤色器和黄色滤色器来实现。
对比文件1中，品红滤色器、青色滤色器和黄色滤色器分别用于透射形成品红色、青色和黄色光，分别对应于本申请中的品红色光阻块、青色光阻块和黄色光阻块；像素组包括三个不同颜色的彩色子像素和一个白色子像素，对应于本申请中的像素单元；每个像素组包括多个子像素，每个子像素包括TFT，由此，基板包括对应于多个子像素的多个TFT。
权利要求1与对比文件1的区别在于：1）基板包括设于基板上的TFT层、设于彩色光阻层上的像素电极，彩色光阻层设于TFT层上；TFT包括：设于基板上的栅极、设于栅极及基板上的栅极绝缘层、设于栅极绝缘层上的半导体层、及设于半导体层上的源极与漏极。2）透明光阻块透射白色光品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块和透明光阻块从左到右依次排列。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何构建COA基板；如何排列光阻块。
对于区别技术特征1），对比文件2公开了一种COA基板，其中，披露了以下技术特征（参见说明书第41-58段，附图4）：该COA基板包括基板1，基板1上设置有栅极2，栅绝缘层3覆盖基板1和栅极2，栅绝缘层3上设有有源层4，源极5和漏极6设置在有源层4上，栅极2、栅绝缘层3、有源层4、源极5和漏极6构成TFT层。TFT层上依次设有第一钝化层7、黑矩阵8，黑矩阵8上形成彩色滤光片9，彩色滤光片9经由钝化层7设于TFT层上。彩色滤光片9上依次设置有有机绝缘层10、公共电极层11、第二钝化层12和像素电极层13，像素电极层13设于彩色滤光片9上。因此，对比文件2公开了一种COA基板以及形成COA基板的子像素的具体结构，对于解决如何构建COA基板的技术问题给出了技术启示。因此，在对比文件1公开了构成像素单元的像素阵列、并且像素阵列可以为形成在阵列基板上的结构（COA）结构的基础上，本领域技术人员能够从对比文件2获得技术启示，将对比文件2公开的COA基板的具体结构应用于对比文件1，这不需要付出创造性劳动。
对于区别技术特征2），在本领域中，彩色液晶显示器中通常采用涵盖最多色光的白光作为背光，此时，采用透明光阻块作为白色子像素的光阻块为本领域技术人员的常规选择。此外，多种子像素从左到右依次排列形成子像素单元、多个子像素单元重复排列构成像素阵列的方式为本领域技术人员的常规选择。那么，在对比文件1公开的品红子像素、青色子像素、黄色子像素和白色子像素构成的像素阵列中，采用品红子像素、青色子像素、黄色子像素和白色子像素从左到右依次排列形成子像素单元、多个子像素单元重复排列构成像素阵列的方式，对于本领域技术人员来说是容易想到的。此时，品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块和透明光阻块从左到右依次排列形成像素单元。
由此可见，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和本领域公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
复审请求人认为：对比文件1虽然公开了三个不同颜色的彩色子像素和一个白色子像素构成一个像素组，但是，相邻的像素组中并不是按照同一个颜色顺序从左到右依次排列的，四种颜色的子像素的滤色器无法利用同一个光罩进行制作，制程光罩数量多，产品成本增加。本申请中，所有像素单元中的四个不同颜色的光阻块均按照同一个颜色顺序从左到右依次排列，制作时，可以利用同一光罩制作不同颜色的光阻块，制程光罩数量少，产品成本降低。对比文件1对此并没有任何公开，也不能提供任何技术启示，该特征也并非本领域的常用技术手段，因此，权利要求1具备创造性。
对此，合议组认为：尽管对比文件1公开的子像素排列方式与本申请不同，但是，各种子像素从左到右依次排列形成子像素单元、多个子像素单元重复排列构成像素阵列的方式为本领域技术人员的常规选择。对比文件1背景技术描述的各种子像素排列方式即为这种方式：图2示出了一种RGBW的像素阵列。在每行子像素中，以R-W-B-G的重复单元重复设置（参见说明书第4段，附图2），对比文件1也正是由于这种子像素排列方式在驱动过程中会容易产生串扰，才对子像素单元内的各子像素排列方式进行了调整，而在不考虑串扰，或者串扰造成的影响可以忽略的情况下，为便于制作，本领域技术人员容易想到采用各种子像素从左到右依次排列形成子像素单元、多个子像素单元重复排列构成像素阵列的方式。此时，可以利用同一光罩制作滤色器，同样能够减少制程光罩数量，降低产品成本。因此，复审请求人的意见不能被接受。
权利要求4请求保护一种COA型阵列基板的制作方法，如前所述，对比文件1公开了一种像素阵列及显示器，由其结构可知其制作方法包括下述步骤（参见说明书第31-44段，第62-64段，附图3）：提供一基板，基板包括呈阵列排布的多个子像素区域；制作像素阵列，品红子像素、青色子像素和黄色子像素和一个白色子像素构成一个像素组，多个像素组沿行方向依次排列。每个子像素包括薄膜晶体管，由此，TFT层包括对应于多个子像素的多个TFT。
权利要求4与对比文件1的区别在于：还包括如下步骤：1）在基板形成TFT层，在TFT层上制作彩色光阻层，在彩色光阻层上形成像素电极；TFT包括：设于基板上的栅极、设于栅极及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于半导体层上的源极与漏极；2）透明光阻块透射白色光；品红色光阻块、青色光阻块、黄色光阻块和透明光阻块从左到右依次排列。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何构建COA基板；如何排列光阻块。
权利要求4与对比文件1的区别特征1）、2）分别与权利要求1与对比文件1的区别特征1）、2）相同，基于与权利要求1评述部分相同的理由，在对比文件1的基础上，结合对比文件2和本领域公知常识得到权利要求4的技术方案是显而易见的，权利要求4不具备突出的实质性特点和显著进步，不具备创造性。
权利要求2、5进一步限定了像素电极与漏极的连接方式。对比文件2还公开了彩色滤光片9对应于漏极6上方设有过孔，像素电极13通过该过孔与漏极6相接触（参见附图4）。因此，权利要求2、5的附加技术特征被对比文件2公开，因此，当它们引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2、5也不具备创造性。
权利要求3、6进一步限定了像素电极的材料。对比文件2还公开了在第二钝化层上沉积ITO或者IZO，然后经过曝光、显影、刻蚀形成像素电极层（参见说明书第87段）。因此，权利要求3、6的附加技术特征被对比文件2公开。因此，当它们引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3、6也不具备创造性。
综上所述，本申请权利要求1-6不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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