发明创造名称：半导体感光器件及其感光表面处理方法
外观设计名称：
决定号：192240
决定日：2019-10-12
委内编号：1F278330
优先权日：
申请（专利）号：201711352995.8
申请日：2017-12-15
复审请求人：中芯集成电路（宁波）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：熊洁
合议组组长：孙学锋
参审员：潘光虎
国际分类号：H01L27/146
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求与最接近的对比文件相比存在多个区别技术特征，但是该些区别技术特征的一部分特征被其它对比文件公开，且该部分特征在各相应对比文件中所起的作用与其在本申请中的作用相同，即该对比文件给出了将该部分特征应用到最接近的对比文件中的技术启示，该区别技术特征的另一部分特征为本领域的公知常识，且该另一部分特征所起的技术效果是本领域技术人员可以预期的，本领域技术人员并不需要付出创造性的劳动即可得到该另一部分特征，则该权利要求相对于该些对比文件和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及发明名称为“半导体感光器件及其感光表面处理方法”的第201711352995.8号发明专利申请（下称本申请），申请人为中芯集成电路（宁波）有限公司，申请日为2017年12月15日，公开日为2018年05月01日。
2019年02月01日，国家知识产权局原审查部门针对申请人于申请日提交的说明书第1-118段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2018年07月31日提交的权利要求第1-25项，驳回了本申请。
驳回决定所引用的对比文件如下：
对比文件3：JP2006186295A，公开日为2006年07月13日。
驳回决定中认为：（1）独立权利要求1与对比文件3的区别技术特征在于：采用分子气相沉积工艺，对感光功能层面进行自组装成膜处理，以形成所述透光疏水覆盖层。但是，采用分子气相沉积工艺进行自组装成膜是本领域的公知技术常识。因此，权利要求1不具备突出的实质性特点，因而不符合专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-25的附加技术特征或被对比文件3公开，或为本领域的公知常识，因此，在其引用的独立权利要求1不具备创造性的基础上，从属权利要求2-25也不具备创造性。
驳回决定针对的权利要求的内容如下：
“1. 一种半导体感光器件的感光表面处理方法，其特征在于，包括：
提供半导体感光器件，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；
采用分子气相沉积工艺对所述感光功能面进行自组装成膜处理，形成位于所述感光功能面上的透光疏水覆盖层。
2. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述自组装成膜处理的步骤包括：
向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽；
控制工艺参数，以形成所述透光疏水覆盖层。
3. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的透光率大于或等于80％。
4. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述半导体光敏器件上的滤光膜，所述滤光膜用于对所述感光功能面接收的光信号进行选择性吸收和通过。
5. 如权利要求4所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述滤光膜上的微透镜。
6. 如权利要求2所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述分子气相沉积工艺的步骤还包括：向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽之前，对所述感光功能面进行氧等离子体处理。
7. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，在所述分子气相沉积工艺之前，还包括：进行去离子水清洗。
8. 如权利要求6所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的参数包括：反应气体包括O2，工艺压强为0.01mTorr至1000mTorr，反应气体的流量为1sccm至10000sccm，工艺时间为1秒至10000秒。
9. 如权利要求2所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述自组装成膜处理的参数包括：工艺时间为100秒至10000秒，工艺温度为0℃至50℃。
10. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的厚度为至
11. 如权利要求10所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层为单层分子。
12. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的材料为全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷和十八烷基三氯硅烷中的一种或多种。
13. 如权利要求5所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述滤光膜的材料为染色聚合物，所述微透镜的材料为透明聚合物。
14. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述半导体感光器件为CMOS图像传感器或电荷耦合器件。
15. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，提供的所述半导体感光器件集成于晶圆内，或者，所述半导体感光器件集成于芯片内。
16. 一种半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；
所述半导体感光器件还包括：位于所述感光功能面上的透光疏水覆盖层，所述透光疏水覆盖层采用分子气相沉积工艺所形成。
17. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的透光率大于或等于80％。
18. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述半导体光敏器件上的滤光膜，所述滤光膜用于对所述感光功能面接收的光信号进行选择性吸收和通过。
19. 如权利要求18所述的半导体感光器件，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述滤光膜上的微透镜。
20. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的厚度为至
21. 如权利要求20所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层为单层分子。
22. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的材料为全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷和十八烷基三氯硅烷中的一种或多种。
23. 如权利要求19所述的半导体感光器件，其特征在于，所述滤光膜的材料为染色聚合物，所述微透镜的材料为透明聚合物。
24. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件为CMOS图像传感器或电荷耦合器件。
25. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件集成于晶圆内，或者，所述半导体感光器件集成于芯片内。 ”
2019年04月03日，申请人（下称请求人）对上述驳回决定不服，向国家知识产权局提出复审请求，请求人在提出复审请求时对权利要求书进行了修改，修改如下：把从属权利要求10的附加技术特征加入到了独立权利要求1中，把从属权利要求20的附加技术特征加入到了独立权利要求17中，并对权利要求的编号和引用关系进行了适应性修改。
修改后的独立权利要求如下：
“1. 一种半导体感光器件的感光表面处理方法，其特征在于，包括：
提供半导体感光器件，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；
采用分子气相沉积工艺对所述感光功能面进行自组装成膜处理，形成位于所述感光功能面上的透光疏水覆盖层，所述透光疏水覆盖层的厚度为5?至 100?。
15. 一种半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；
所述半导体感光器件还包括：位于所述感光功能面上的透光疏水覆盖层，所述透光疏水覆盖层采用分子气相沉积工艺所形成，所述透光疏水覆盖层的厚度为5?至100?”
请求人认为：（1）权利要求1与对比文件3相比至少具有如下区别技术特征：1）采用分子气相沉积工艺对所述感光功能面进行自组装成膜处理；2）所述透光疏水覆盖层的厚度为5?至100?。对比文件3没有公开上述区别技术特征1）和区别技术特征2），结合本申请说明书第[0061]段的记载，综合考虑透光疏水覆盖层的透光率、打线制程的难易度、以及单层分子所构成的自组装单层膜的厚度，设定所述透光疏水覆盖层的厚度为5?至100?。而根据对比文件3说明书第[0075]段的记载，对比文件3中的防水层采用涂布工艺或者蒸镀工艺形成，而且，根据对比文件3公开文本第[0018]段的记载，对比文件3中的防水层厚度需控制在50nm-500nm的范围内，因此对比文件3未公开上述区别技术特征1）和区别技术特征2）。
（2）对比文件1和公开文献《薄膜技术与应用》的结合上不可能给出采用上述区别技术特征以解决本申请技术问题的技术启示。根据公开文献《薄膜技术与应用》第214页的记载，分子自组装技术所形成的分子自组装膜层用于修饰基板表面，从而诱导合成所需功能薄膜（例如：诱导合成氧化锌薄膜、TiO2薄膜或铁酸铋薄膜），即公开文献中公开的自组装薄膜技术用于在自组装膜层上形成所需功能薄膜，该文献中的自组装膜层并非为形成在感光功能面上的透光疏水覆盖层，也起不到相应的作用，该公开文献未给出采用何种手段以提高半导体图像传感器模组的加工组装成品率的技术启示，上述区别技术特征非本领域的公知技术常识。而且，基于对比文件3中的防水层厚度需控制在50nm-500nm的范围内，即使对比文件3结合该公开文献，也不可能给出采用上述区别技术特征。
经形式审查合格后，国家知识产权局受理了该请求，并于2019年 04月19日向请求人发出了复审请求受理通知书，同时将本申请转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
在前置审查意见书中，国家知识产权局原审查部门认为：对比文件3公开了图像拾取设备在微透镜7上方形成的透光疏水层，以防止图像拾取设备制造过程中的灰尘、外来杂质及水汽带来的污染问题，即已经公开了本申请主体发明要点，而其与权利要求1的区别仅在于：采用何种工艺形成所述透光疏水层、以及设置合适的疏水层厚度。虽然本申请权利要求1疏水层厚度5 ?-100?与对比文件3透光疏水层的500?-5000?看似有差异，但是在分子自组装纳米材料制备领域，以上两个厚度范围并非是阶跃式的不同，换言之，这只是薄膜厚度线性数值上的差异，而且如此薄的膜层厚度对半导体打线焊接工艺来说并不会有太大难度，设置权利要求1中的上述厚度是本领域技术人员根据实际需要而惯用的技术手段， 其技术效果也是可以预期得到的。基于上述原因，请求人主张的理由均不成立，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局组成合议组，对本复审请求进行审理，并于2019年06月13日向请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1、15相对于对比文件3和公知常识的结合不具备创造性；从属权利要求2-14、16-23的附加技术特征或被对比文件3公开，或为本领域的公知常识，因此，在其引用的独立权利要求1、15不具备创造性的基础上，从属权利要求214、16-23也不具备创造性。
针对上述复审通知书，请求人于2019年07月26日提交了意见陈述书，提交了权利要求书的全文修改替换页，其中在权利要求1中加入了技术特征“所述分子气相沉积工艺的步骤包括：对所述感光功能面进行氧等离子体处理，适于实现对所述感光功能面的羟基化；在所述氧等离子体处理后，向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽”；在权利要求14中加入了特征“所述感光功能面为经氧等离子体处理后实现羟基化的面”，并删除了原从属权利要求2、6，对权利要求的编号和引用关系进行了适应性修改。
修改后的权利要求书如下：
“1. 一种半导体感光器件的感光表面处理方法，其特征在于，包括：
提供半导体感光器件，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；
采用分子气相沉积工艺对所述感光功能面进行自组装成膜处理，形成位于所述感光功能面上的透光疏水覆盖层，所述分子气相沉积工艺的步骤包括：对所述感光功能面进行氧等离子体处理，适于实现对所述感光功能面的羟基化；在所述氧等离子体处理后，向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽。
2. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的透光率大于或等于80％。
3. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述半导体光敏器件上的滤光膜，所述滤光膜用于对所述感光功能面接收的光信号进行选择性吸收和通过。
4. 如权利要求3所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述滤光膜上的微透镜。
5. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，在所述分子气相沉积工艺之前，还包括：进行去离子水清洗。
6. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述氧等离子体处理的参数包括：反应气体包括O2，工艺压强为0.01mTorr至1000mTorr，反应气体的流量为1sccm至10000sccm，工艺时间为1秒至10000秒。
7. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述自组装成膜处理的参数包括：工艺时间为100秒至10000秒，工艺温度为0℃至50℃。
8. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的厚度为5 ?至100 ?。
9. 如权利要求8所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层为单层分子。
10. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的材料为全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷和十八烷基三氯硅烷中的一种或多种。
11. 如权利要求4所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述滤光膜的材料为染色聚合物，所述微透镜的材料为透明聚合物。
12. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，所述半导体感光器件为CMOS图像传感器或电荷耦合器件。
13. 如权利要求1所述的感光表面处理方法，其特征在于，提供的所述半导体感光器件集成于晶圆内，或者，所述半导体感光器件集成于芯片内。
14. 一种半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件具有感光功能面，所述感光功能面为经氧等离子体处理后实现羟基化的面，所述感光功能面下包含有半导体光敏器件，所述半导体感光器件通过所述感光功能面接收感测光辐射信号，通过所述半导体光敏器件将所述光辐射信号转化为电信号；
所述半导体感光器件还包括：位于所述感光功能面上的透光疏水覆盖层，所述透光疏水覆盖层采用分子气相沉积工艺所形成。
15. 如权利要求14所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的透光率大于或等于80％。
16. 如权利要求14所述的半导体感光器件，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述半导体光敏器件上的滤光膜，所述滤光膜用于对所述感光功能面接收的光信号进行选择性吸收和通过。
17. 如权利要求16所述的半导体感光器件，其特征在于，所述感光功能面下还包含：位于所述滤光膜上的微透镜。
18. 如权利要求14所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层的厚度为至
19. 如权利要求18所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层为单层分子。
20. 如权利要求14所述的半导体感光器件，其特征在于，所述透光疏水覆盖层 的材料为全氟癸基三氯硅烷、四氢辛基三氯硅烷、四氢辛基甲基二氯硅烷和十八烷基三氯硅烷中的一种或多种。
21. 如权利要求17所述的半导体感光器件，其特征在于，所述滤光膜的材料为染色聚合物，所述微透镜的材料为透明聚合物。
22. 如权利要求14所述的半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件为CMOS图像传感器或电荷耦合器件。
23. 如权利要求14所述的半导体感光器件，其特征在于，所述半导体感光器件集成于晶圆内，或者，所述半导体感光器件集成于芯片内。”
复审请求人在意见陈述书认为：（1）修改后权利要求1与对比文件3相比，至少包括以下区别技术特征：1）采用分子气相沉积工艺对所述感光功能面进行自组装成膜处理；2）所述分子气相沉积工艺的步骤包括：对所述感光功能面进行氧等离子体处理，适于实现对所述感光功能面的羟基化；在所述氧等离子体处理后，向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽。对比文件3仅公开了“在透镜上形成防水层”这一特征，且根据对比文件3公开文本第[0075]段的记载，对比文件3中的防水层采用涂布工艺或者气相沉积工艺形成，对比文件3未公开采用分子气相沉积工艺对所述感光功能面进行自组装成膜处理的内容，也没有公开分子气相沉积工艺的具体内容，因此，对比文件3未公开上述区别技术特征1）和区别技术特征2）。本申请是先发现感光功能面具有游离-H键的，之后利用游离-H键这个特点，采用氧等离子体处理提供O元素，使游离-H键与O相结合以生成羟基，从而实现对感光功能面的羟基化，所述羟基为后续形成硅羟基提供了基础。在实际自组装成膜处理的过程中，前驱体分子与所述感光功能面形成Si-O-Si的共价键结合，从而提高所述透光疏水覆盖层与所述感光功能面的结合强度。对比文件3和公知常识性证据1中均没有公开基片表面具有游离-H键的内容，因此，不存在利用所述游离-H键进行羟基化，以提高透光疏水覆盖层与感光功能面的结合强度的启示，也就不存在在成膜之前对基片进行氧等离子体处理的动机。因此，本领域技术人员在对比文件3和和公知常识性证据1的基础上，无法获得采用上述区别技术特征以解决本申请技术问题的技术启示。因此，修改后权利要求1具备突出的实质性特点。同理，独立权利要求14也具备创造性，从属权利要求也具备创造性。
至此，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
请求人在2019年07月26日提交意见陈述书时，提交了权利要求书的全文修改替换页。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定依据的文本为：复审请求人于申请日提交的说明书第1-118段、说明书附图、说明书摘要、摘要附图；2019年07月26日提交的权利要求第1-23项。
（二） 具体理由的阐述 专利法第22条第3款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果权利要求与最接近的对比文件相比存在多个区别技术特征，但是该些区别技术特征的一部分特征被其它对比文件公开，且该部分特征在各相应对比文件中所起的作用与其在本申请中的作用相同，即该对比文件给出了将该部分特征应用到最接近的对比文件中的技术启示，该区别技术特征的另一部分特征为本领域的公知常识，且该另一部分特征所起的技术效果是本领域技术人员可以预期的，本领域技术人员并不需要付出创造性的劳动即可得到该另一部分特征，则该权利要求相对于该些对比文件和本领域公知常识的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本决定在评述权利要求创造性时所使用的对比文件与驳回决定以及复审通知书中使用的对比文件相同，即：
对比文件3：JP2006186295A，公开日为2006年07月13日；
公知常识性证据1：《薄膜技术与应用》，冯丽萍，刘正堂编，西北工业大学出版社，第214页，公开日期为2016年02月。
1.权利要求1
权利要求1要求保护一种半导体感光器件的感光表面处理方法。对比文件3（参见说明书第[0001]-[0023]、[0064]-[0090]段，附图1）公开了一种固态图像拾取设备及其制造方法，具体披露了：如图1所示固态图像拾取设备具有上部感光表面，用作CCD或CMOS的图像感应基板内包括光敏部件3（相当于权利要求1的半导体光敏器件），显然其能具有将接受的光辐射信号转换为电信号，这是CCD等光敏部件的基本功能；如说明书第[0006]-[0016]段记载了为了防止图像拾取设备制造过程中的灰尘、外来杂质及水汽带来的污染问题，上述图像拾取设备还包括在微透镜7上方形成的透光疏水层（相当于权利要求1的透光疏水覆盖层）。
由此可见，对比文件3公开了权利要求1大部分技术特征，其采用透光疏水层的技术特征和技术效果及要解决的问题也与本申请基本相同，两者的区别技术特征仅在于：（1）采用分子气相沉积工艺，对感光功能层面进行自组装成膜处理，以形成所述透光疏水覆盖层；（2）所述分子气相沉积工艺的步骤包括：对所述感光功能面进行氧等离子体处理，适于实现对所述感光功能面的羟基化；在所述氧等离子体处理后，向所述分子气相沉积工艺的腔室内通入自组装单层膜前驱体和水蒸汽。
基于上述区别技术特征，其在本申请中实际要解决的技术问题是采用何种工艺、如何形成位于感光功能面上的透光疏水覆盖膜。
对于上述区别技术特征（1），采用分子气相沉积工艺进行自组装成膜是本领域的公知技术常识，例如公知常识性证据1记载了“例如采用分子自组装技术在玻璃基片表面制备十八烷基三氯硅烷自组装单层膜”；而且本申请透光疏水覆盖层的材料就包括十八烷基三氯硅烷，这是本领域的公知技术常识。
对于上述区别技术特征（2），对比文件3还公开了（参见说明书第0018-0020段）：疏水透光膜的制备采用疏水性醋环类或有机硅树脂前驱体，而通入水蒸气作为反应气源及控制工艺参数本领域技术人员根据实际需要而惯用的技术手段；羟基化是指向有机分子引入羟基的反应，向化合物分子中引入羟基的方法有很多，例如还原、加成、取代、氧化、水解等，而对感光功能面进行氧等离子体处理，属于通过氧化的方式引入羟基，从而实现对所述感光功能面的羟基化，这是本领域常见的对感光功能面处理以形成疏水层的常见方法，属于本领域的公知常识。因此，上述区别技术特征（2）属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件3的基础上，结合本领域上述公知常识得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求1不具备突出的实质性特点，因而不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
2.权利要求2
对于从属权利要求2，对比文件3还公开了（参见说明书第[0018]-[0020]段）：疏水透光膜对于400-750nm波长的光的透过率大于95%，即公开了从属权利要求2的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求2也不具备创造性。
3.权利要求3、4
对比文件3的附图1公开了在光敏部件3上方形成有红色R、绿色G、蓝色B彩色滤光层5；及其上的微透镜组7。即公开了从属权利要求3-4的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求3-4也不具备创造性。
4.权利要求5-7、9-10
从属权利要求5-7、9-10的附加技术特征对分子气相沉积步骤做了进一步限定，从属权利要求5-7、9-10分别对制备自组装成膜的具体工艺参数、材料选择等做了进一步限定，但是上述附加技术特征是本领域技术人员根据实际需要而惯用的技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求5-7、9-10也不具备创造性。
5.从属权利要求8
虽然本申请权利要求8的疏水层厚度5?~100?与对比文件3透光疏水层的500?~5000?看似有差异，但是在分子自组装纳米材料制备领域，以上两个厚度范围并非是阶跃式的不同，换言之，这只是薄膜厚度线性数值上的差异，而且如此薄（纳米尺度）的膜层厚度对半导体打线焊接工艺来说并不会有太大难度，设置权利要求1中的上述厚度是本领域技术人员根据实际需要（比如疏水性能、防尘防杂质、易于打线）而惯用的技术手段，属于本领域的公知常识，其技术效果也是可以预期得到的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求8也不具备创造性。
6.权利要求11-13
对于从属权利要求11，对比文件3说明书第[0070]-[0082]段还公开了微透镜7由透明（碱可溶性）聚合物制成，而滤光膜选用染色聚合物材料是本领域惯用的技术手段；对比文件3还公开了光敏部件用作CCD或CMOS器件；并且光敏部件集成在固态图像拾取设备基板内，即公开了从属权利要求11-13的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求11-13也不具备创造性。
7.权利要求14
权利要求14要求保护一种半导体感光器件。对比文件3（JP特开2006-186295A，说明书第[0001]-[0023]、[0064]-[0090]段，附图1）公开了一种固态图像拾取设备，具体披露了：如图1所示固态图像拾取设备具有上部感光表面，用作CCD或CMOS的图像感应基板内包括光敏部件3（即权利要求16的半导体光敏器件），显然其能具有将接受的光辐射信号转换为电信号，这是CCD等光敏部件的基本功能；如说明书第[0006]-[0016]段记载了为了防止图像拾取设备制造过程中的灰尘、外来杂质及水汽带来的污染问题，上述图像拾取设备还包括在微透镜7上方形成的透光疏水层（相当于权利要求15的透光疏水覆盖层）。
由此可见，对比文件3公开了权利要求14大部分技术特征，其采用透光疏水层的技术特征和技术效果及要解决的问题也与本申请基本相同，两者的区别技术特征仅在于:（1）采用分子气相沉积工艺，对感光功能层面进行自组装成膜处理，以形成所述透光疏水覆盖层；（2）所述感光功能面为经氧等离子体处理后实现羟基化的面。
基于上述区别技术特征，其在本申请中实际要解决的技术问题是采用何种工艺、如何形成位于感光功能面上的透光疏水覆盖膜。
对于上述区别技术特征（1），采用分子气相沉积工艺进行自组装成膜是本领域的公知技术常识，例如公知常识性证据1记载了“例如采用分子自组装技术在玻璃基片表面制备十八烷基三氯硅烷自组装单层膜”；而且本申请透光疏水覆盖层的材料就包括十八烷基三氯硅烷，这是本领域的公知技术常识。
对于上述区别技术特征（2），而对感光功能面进行氧等离子体处理，实现对所述感光功能面的羟基化，是本领域常见的对感光功能面处理以形成疏水层的常见方法，属于本领域的公知常识。因此，上述区别技术特征（2）属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件3的基础上，结合本领域上述公知常识得到权利要求14的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求14不具备突出的实质性特点，因而不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
8.权利要求15
对比文件3说明书第[0018]-[0020]段还公开了疏水透光膜对于400-750nm波长的光的透过率大于95%，即公开了从属权利要求15的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求15也不具备创造性。
9.权利要求17、19
对比文件3附图1公开了在光敏部件3上方形成有红色R、绿色G、蓝色B彩色滤光层5；及其上的微透镜组7。即公开了从属权利要求17、19的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求17、19也不具备创造性。
10.权利要求18
虽然本申请权利要求18的疏水层厚度5?~100?与对比文件3透光疏水层的500? ~5000?看似有差异，但是在分子自组装纳米材料制备领域，以上两个厚度范围并非是阶跃式的不同，换言之，这只是薄膜厚度线性数值上的差异，而且如此薄（纳米尺度）的膜层厚度对半导体打线焊接工艺来说并不会有太大难度，设置权利要求1中的上述厚度是本领域技术人员根据实际需要（比如疏水性能、防尘防杂质、易于打线）而惯用的技术手段，属于本领域的公知常识，其技术效果也是可以预期得到的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求18也不具备创造性。
11.权利要求19-20
从属权利要求19-20的附加技术特征分别对制备自组装成膜的具体工艺参数、材料选择等做了进一步限定，但是上述附加技术特征是本领域技术人员根据实际需要而惯用的技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求19-20也不具备创造性。
12.权利要求21-23
对于从属权利要求21，对比文件3说明书第[0070]-[0082]段还公开了微透镜7由透明（碱可溶性）聚合物制成，而滤光膜选用染色聚合物材料是本领域惯用的技术手段；对比文件3还公开了光敏部件用作CCD或CMOS器件；并且光敏部件集成在固态图像拾取设备基板内，即公开了从属权利要求22-23的附加技术特征。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求21-23也不具备创造性。
（三）关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：权利要求1与对比文件3的区别技术特征均为本领域公知技术常识。在公知常识性证据1中已有明确教导，工具书《薄膜技术与应用》公开了分子自组装技术在玻璃基片表面制备十八烷基三氯硅烷自组装单层膜，显然采用分子气相沉积形成的该自组装单层膜必然要依托于某种基板或基底材料，并形成在上述基板或基底表面，正如本申请的透明疏水层300要形成在微透镜110的感光功能面101表面上；客观上，公知常识性证据1明确教导了在玻璃基片上制备自组装单层膜的公知技术手段，而且这种玻璃基片并未局限于是平面或是如本申请微透镜的凸起表面，而本领域技术人员是具备所属技术领域所有普通技术知识和常规技术手段，其能够从上述工具书中得到将自组装单层膜形成在微透镜表面或是玻璃基片表面的技术教导，这并不需求创造性劳动。而且，公知常识性证据1中还教导了自组装单层膜是十八烷基三氯硅烷，这也恰恰公开了本申请说明书第[0027]、[0053]、[0101]段及权利要求12、22记载的所述透光疏水覆盖层是十八烷基三氯硅烷。因此，合议组认为上述工具书公开的上述内容给出了上述区别技术特征是本领域公知常识的相关技术教导。对比文件3公开了图像拾取设备在微透镜7上方形成的透光疏水层，以防止图像拾取设备制造过程中的灰尘、外来杂质及水汽带来的污染问题，即已经公开了本申请主要的发明点，而其与权利要求1的区别仅在于：采用何种工艺形成所述透光疏水层。对比文件3还公开了（参见说明书第0018-0020段）：疏水透光膜的制备采用疏水性醋环类或有机硅树脂前驱体，而通入水蒸气作为反应气源及控制工艺参数本领域技术人员根据实际需要而惯用的技术手段；羟基化是指向有机分子引入羟基的反应，向化合物分子中引入羟基的方法有很多，例如还原、加成、取代、氧化、水解等，而对感光功能面进行氧等离子体处理，属于通过氧化的方式引入羟基，从而实现对所述感光功能面的羟基化，因此，对感光功能面进行氧等离子体处理，实现对所述感光功能面的羟基化，是本领域常见的对感光功能面处理以形成疏水层的常见方法，属于本领域的公知常识。感光功能面具有游离的-H键，是感光功能面本身的属性，属于本领域的公知常识，而对感光功能面进行氧等离子体处理，属于通过氧化的方式引入羟基，从而实现对所述感光功能面的羟基化，是本领域常见的技术手段，因此，通过氧等离子处理，就在感光功能面上使游离的-H键与O结合从而形成了羟基，从而实现了感光功能面的羟基化，这是本领域的常用技术手段。因此，权利要求1与对比文件1的区别技术特征均为本领域的公知常识。复审请求人陈述的上述理由不成立。
根据上述事实和理由, 本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年02月01日对201711352995.8号发明专利申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
