发明创造名称：晶片的加工方法
外观设计名称：
决定号：200161
决定日：2019-10-12
委内编号：1F280408
优先权日：2013-02-22
申请（专利）号：201410054299.9
申请日：2014-02-18
复审请求人：株式会社迪思科
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：潘光虎
合议组组长：孙学锋
参审员：刘利芳
国际分类号：H01L21/78
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件公开的技术方案相比存在区别特征，但该区别特征是在对比文件公开内容的基础上容易想到的，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410054299.9，名称为“晶片的加工方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为株式会社迪思科。本申请的申请日为2014年02月18日，优先权日为2013年02月22日，公开日为2014年08月27日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年01月18日发出驳回决定，驳回了本申请，驳回决定引用了一篇对比文件：
对比文件1：US2009294913A1，公开日为2009年12月03日。
驳回理由是权利要求1-2不具备专利法第22条第3款规定的创造性：权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：激光加工步骤中，在不经过使聚光点位于残存的基板的一部分与功能层之间的中间部的改质层形成步骤的情况下形成激光加工槽，基于上述区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是如何形成激光加工槽，而对比文件1明确公开了使用激光照射晶片被融化切断，即对比文件1给予了本领域技术人员使用激光融化烧蚀形成加工槽的技术启示，因此权利要求1不具备创造性；权利要求2的附加技术特征部分被对比文件1所公开，部分为本领域惯用手段。驳回决定所依据的文本为：申请日提交的说明书摘要、说明书第1-108段、摘要附图、说明书附图；2018年08月08日提交的权利要求第1-2项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种晶片的加工方法，沿着划分器件的多个间隔道对晶片进行分割，在该晶片上，通过在基板的表面上层叠的功能层而形成了该器件，
该晶片的加工方法的特征在于，包括：
切削槽形成步骤，从基板的背面侧使切削刀位于与间隔道对应的区域，以残留未到达功能层的一部分的方式形成切削槽；以及
激光加工步骤，从实施了该切削槽形成步骤的基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射激光光线，使残存的基板的一部分和功能层破断，
在该激光加工步骤中，从基板的背面侧使聚光点对齐该切削槽的底部，沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在不经过使聚光点位于残存的基板的一部分与功能层之间的中间部的改质层形成步骤的情况下在残存的基板的一部分和功能层上直接形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断。
2. 根据权利要求1所述的晶片的加工方法，包括：
晶片支撑步骤，在实施该切削槽形成步骤之前，在层叠在构成晶片的基板上的功能层的表面上粘贴粘贴带，并且隔着粘贴带通过环状的框架来支撑晶片，其中，该环状的框架具有收纳晶片的大小的开口部；以及
器件分离步骤，在实施了该激光加工步骤后，使粘贴有晶片的粘贴带扩张，沿着间隔道将晶片分离为各个器件。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年04月23日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件。复审请求人认为：本申请的聚光点是设置于基板背面侧的切削槽的底部，而通常情况下聚光点照射到残存的基板的内部以形成改质层，因此对比文件1没有公开“在不经过使聚光点位于残存的基板的一部分与功能层之间的中间部的改质层形成步骤的情况下形成激光加工槽”，因此权利要求1相对于对比文件1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年04月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，对比文件1公开了：从晶片背面侧使激光对齐沟槽16（即本申请的切削槽）的底部，沿着该沟槽16的底部照射波长为355nm激光L，激光融化切断基板晶片（即意味着355nm激光对晶片有吸收性），从而使残存的基板的一部分与功能层破断，因此区别技术特征仅仅为聚光点的相关限定；直接用激光切断晶片，本就是本领域技术人员的惯用手段，本领域技术人员有能力对对比文件1的激光切断步骤进行改进，使用激光直接融化切断晶片的方式，此外，在驳回决定中并未认定聚光点位于基板表面，而是认定将聚光点设置为从目标区域的表面（基板切削槽内的剩余部分的表面）开始从外向内的照射融化，是惯用手段，因为这就是一种激光融化切断晶片的惯用方式；本申请的第1实施方式是激光融化切断，但是并未记载“没有形成改质层”，审查员在历次通知书中从未认可过上述“没有形成改质层”的陈述，对比文件1虽然形成了改质层，但是其明确记载了融化切断，因此可以认定对比文件1同样公开了本申请第1实施方式（融化切断）；申请人认为对比文件1公开了改质层就对应于本申请的第2实施方式，那么申请人不应该否认对比文件1公开的融化切断可以对应于本案申请的第1实施方式；即使申请人坚持改质层是否形成是对比文件与本申请区别的关键，但是对比文件1通过先切割形成切削槽再激光处理剩余晶片的方法，解决了与本申请相同的技术问题，实现了与本申请相同的技术效果，在此基础上对激光处理方式的具体限定（例如聚光点的设置），也是本领域技术人员的惯用手段，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月09日向复审请求人发出复审通知书，引用了驳回决定中的对比文件1，指出：（1）权利要求1中的特征“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧使聚光点对齐该切削槽的底部，沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在不经过使聚光点位于残存的基板的一部分与功能层之间的中间部的改质层形成步骤的情况下在残存的基板的一部分和功能层上直接形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断”超出了原说明书和权利要求书记载的范围；（2）即使克服超范围的问题，权利要求1-2仍然不具备创造性：权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断，基于此区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是选择合适的切断方法将形成沟槽的晶片分割为片，而该区别技术特征属于本领域的公知常识，因此权利要求1相对于对比文件1和公知常识不具备创造性；（3）权利要求2的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分为公知常识。
复审请求人于2019年09月19日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页（包括2项权利要求），其中将原权利要求1中的“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧使聚光点对齐该切削槽的底部，沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在不经过使聚光点位于残存的基板的一部分与功能层之间的中间部的改质层形成步骤的情况下在残存的基板的一部分和功能层上直接形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断”修改为“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断”，在权利要求1中加入特征“该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒”。复审请求人认为：权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断，其中，该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒”，且该区别技术特征并不是本领域的公知常识；上述区别技术特征具有如下有益效果：不需要另外的用于单片化的步骤，进而能够有效地沿着划分器件的多个间隔道将晶片分割为各个器件，而不会污损基板的表面侧的功能层；因而修改后的权利要求1相对于对比文件1具备创造性。复审请求人提交的权利要求书如下：
“1. 一种晶片的加工方法，沿着划分器件的多个间隔道对晶片进行分割，在该晶片上，通过在基板的表面上层叠的功能层而形成了该器件，
该晶片的加工方法的特征在于，包括：
切削槽形成步骤，从基板的背面侧使切削刀位于与间隔道对应的区域，以残留未到达功能层的一部分的方式形成切削槽；以及
激光加工步骤，从实施了该切削槽形成步骤的基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射激光光线，使残存的基板的一部分和功能层破断，
在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断，其中，该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒。
2. 根据权利要求1所述的晶片的加工方法，包括：
晶片支撑步骤，在实施该切削槽形成步骤之前，在层叠在构成晶片的基板上的功能层的表面上粘贴粘贴带，并且隔着粘贴带通过环状的框架来支撑晶片，其中，该环状的框架具有收纳晶片的大小的开口部；以及
器件分离步骤，在实施了该激光加工步骤后，使粘贴有晶片的粘贴带扩张，沿着间隔道将晶片分离为各个器件。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年09月19日提交了权利要求书的全文替换页（共包括2项权利要求），经合议组审查，该修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本审查决定所依据的文本为：申请日2014年02月18日提交的说明书摘要、说明书第1-108段、摘要附图、说明书附图；2019年09月19日提交的权利要求第1-2项。
关于专利法第33条
专利法第33条规定，申请人可以对其专利申请文件进行修改，但是，对发明和实用新型专利申请文件的修改不得超出原说明书和权利要求书记载的范围。
复审请求人在2019年09月19日提交了权利要求书的全文替换页，将原权利要求1中超范围的“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧使聚光点对齐该切削槽的底部，沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在不经过使聚光点位于残存的基板的一部分与功能层之间的中间部的改质层形成步骤的情况下在残存的基板的一部分和功能层上直接形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断”修改为“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断”，修改后的技术特征记载在申请日提交的权利要求1和说明书第0089段中；在权利要求1中增加了技术特征“该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒”，新增加的技术特征记载在说明书第0090-0093段中；上述修改没有超出原说明书和权利要求书记载的范围，符合专利法第33条的规定。
3、关于专利法第22条的第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与对比文件公开的技术方案相比存在区别特征，但该区别特征是在对比文件公开内容的基础上容易想到的，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定使用的对比文件与驳回决定和复审通知书所使用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2009294913A1，公开日为2009年12月03日。
3.1、权利要求1不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1请求保护一种晶片的加工方法。对比文件1公开了一种晶片的加工方法（参见说明书第0043-0108段，附图1A-3C）：沿着划分电路图样CP（相当于本申请的器件）的多个划分线15（相当于本申请的间隔道）对半导体晶片10进行分割，在该半导体晶片10上，通过在基板的表面18上形成电路图样CP（相当于本申请中的功能层），对比文件1虽然没有明确记载电路图样CP是叠层的，且本领域技术人员可直接地毫无疑义地确定电路图样CP由基板表面18上的叠层功能层形成；晶片的加工方法包括：切割步骤（即本申请的切削槽形成步骤），从基板的另一面19（即本申请的背面）使切削刀20位于与划分线15对应的区域，以残留未切割部分12的方式（即本申请的以未到达功能层的一部分的方式）形成沟槽16（即本申请的切削槽）；以及辐射步骤（相当于本申请的激光加工步骤），在基板的表面18，在半导体晶片10用激光形成改质层14，在该辐射步骤中，从基板的另一面使聚光点对齐沟槽16的底部，沿着该沟槽16的底部照射波长为355nm激光L，使残存的基板的一部分和功能层破断。
权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断，其中，该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒。基于此区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是选择合适的切断方法将形成沟槽的晶片分割为片。
针对上述区别技术特征，在本领域中，激光可以切割晶片是公知常识，本领域技术人员可以在对比文件1公开的先形成改质层后施加外力切断晶片的技术的基础上结合公知常识容易想到将“激光可以切断晶片”这一技术替换对比文件1公开的先形成改质层后施加外力切断晶片的技术，从而获得使用激光融化切断切割刀切割残留未切割部分的技术方案。在使用激光切割的时候，本领域技术人员知道聚光点对准切割的对象，即在使用激光切割残留未切割部分时，激光聚焦点聚焦在切割的具体位置上，即本领域技术人员容易获得“基板的背面侧使聚光点对齐该切削槽的底部，沿着该切削槽的底部照射激光光线”的技术方案。同时对比文件1还公开了：从基板的另一面照射激光的波长为355nm激光L（参见说明书79段，附图2B）。本领域技术人员可以根据实际需要选择合适的激光加工条件是本领域的常规选择，这不需要付出创造性劳动。因此本领域技术人员在对比文件1的基础上结合公知常识容易获得“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性的355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断，其中，该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒”的技术方案。因此本领域技术人员在对比文件1公开的内容的基础上结合公知常识获得权利要求1所请求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
3.2、权利要求2不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2是权利要求1的从属权利要求。对比文件1公开了（参见说明书第92段、附图3B）：断裂步骤（相当于本申请的器件分离步骤），在实施了辐射步骤后，使粘贴有半导体晶片10的保护带50（相当于本申请的粘贴带）扩张，沿着划分线15将半导体晶片10分离为各个芯片30。对比文件1虽然没有明确记载切割步骤之前还包括晶片支撑步骤，但是在实施切削槽形成前将晶片支撑起来是本领域的公知常识；而通过环状的框架来支撑晶片也是本领域的公知常识，因此本领域技术人员在对比文件1公开的内容的基础上结合公知常识获得“晶片支撑步骤，在实施该切削槽形成步骤之前，在层叠在构成晶片的基板上的功能层的表面上粘贴粘贴带，并且隔着粘贴带通过环状的框架来支撑晶片，其中，该环状的框架具有收纳晶片的大小的开口部；以及器件分离步骤，在实施了该激光加工步骤后，使粘贴有晶片的粘贴带扩张，沿着间隔道将晶片分离为各个器件”的技术方案是显而易见的。因此在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2同样也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、针对复审请求人的意见陈述
复审请求人认为：权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：“在该激光加工步骤中，从基板的背面侧沿着该切削槽的底部照射对于基板和功能层具有吸收性355nm波长的激光光线，在残存的基板的一部分和功能层上形成激光加工槽，从而使残存的基板的一部分与功能层破断，其中，该激光加工步骤的加工条件如下：重复频率为200KHz，输出为1.5W，加工进给速度为300nm/秒”，且该区别技术特征并不是本领域的公知常识；上述区别技术特征具有如下有益效果：不需要另外的用于单片化的步骤，进而能够有效地沿着划分器件的多个间隔道将晶片分割为各个器件，而不会污损基板的表面侧的功能层。
对此，合议组认为：在本领域中，激光可以切割晶片是公知常识；而在使用激光切割的时候，本领域技术人员知道聚光点对准切割的对象；在此基础上，本领域技术人员在面对如何使用激光切割残留未切割部分时，容易想到将激光聚焦点聚焦在切割的具体位置上；同时本领域技术人员可以根据实际需要选择合适的激光加工条件是本领域的常规选择，这不需要付出创造性劳动。因此本领域技术人员能够在对比文件1公开的内容的基础上结合公知常识获得区别技术特征的技术方案，从而获得不需要另外的用于单片化的步骤进而能够有效地沿着划分器件的多个间隔道将晶片分割为各个器件而不会污损基板的表面侧的功能层的有益效果。
因此，复审请求人意见陈述不予接受。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年01月18日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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