发明创造名称：像素阵列、显示面板及显示装置
外观设计名称：
决定号：192194
决定日：2019-10-11
委内编号：1F250130
优先权日：
申请（专利）号：201510587540.9
申请日：2015-09-15
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方光电科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张帆
合议组组长：崔双魁
参审员：李雪莹
国际分类号：G02F1/1362；G02F1/1343
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而该区别技术特征部分被其他对比文件公开，部分属于本领域公知常识，且不会产生任何预料不到的技术效果，则权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510587540.9，名称为“像素阵列、显示面板及显示装置”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为京东方科技集团股份有限公司、北京京东方光电科技有限公司。本申请的申请日为2015年09月15日，公开日为2015年11月11日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年01月10日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1、3、9-10不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求2、4-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年09月15日提交的说明书第1-36段、说明书附图1-3、说明书摘要、摘要附图、权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
1. 一种像素阵列，包括交叉且绝缘设置的多条栅线和条数据线，以及多条所述栅线和多条所述数据线交叉位置处限定出的多个像素单元；每个所述像素单元均包括薄膜晶体管和条状电极；其中，位于同一列中的两相邻的所述像素单元中的条状电极的倾斜方向不同，其特征在于，每个所述像素单元中的所述薄膜晶体管均位于其中的条状电极的倾斜方向的相反方向。
2. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管所在方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向拐角。
3. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，位于同一列中的两相邻的所述像素单元中的条状电极的倾斜方向沿数据线所在方向对称。
4. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，位于同一列的列中的两相邻的所述像素单元的薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。
5. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，位于同一行的所述像素单元中的条状电极的倾斜方向相同。
6. 根据权利要求1-5中任一项所述的像素阵列，其特征在于，每个所述像素单元还包括位于条状电极所在层下方的板状电极。
7. 根据权利要求6所述的像素阵列，其特征在于，所述条状电极和所述板状电极中的一者为像素电极，另一者为公共电极。
8. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，在所述栅线、数据线，以及薄膜晶体管所在层上方还设置有黑矩阵。
9. 一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-8中任一项所述的像素阵列。
10. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的显示面板。
驳回决定认为，权利要求1、3的技术方案全部被对比文件1公开，因此权利要求1、3不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；独立权利要求9、10的技术方案包括权利要求1、3的技术方案时，在引用的权利要求不具备新颖性时，独立权利要求9、10也不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；从属权利要求2的附加技术特征由对比文件2给出了技术启示，从属权利要求4-8的附加技术特征是本领域技术人员的常用技术手段，因此从属权利要求2、4-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求9、10的技术方案包括权利要求2、4-8的技术方案时，在引用的权利要求不具备创造性时，独立权利要求9、10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。申请人京东方科技集团股份有限公司、北京京东方光电科技有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年04月20日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，将原权利要求1中的“交叉且绝缘设置的多条栅线和多条数据线，以及多条所述栅线和多条所述数据线交叉位置处限定出的多个像素单元”修改为“多条横向设置的栅线和与所述栅线交叉绝缘设置的多条数据线，以及多条所述栅线和多条所述数据线交叉位置处限定出的多个平行四边形状的像素单元”；将原权利要求1中的“位于同一列中的两相邻的所述像素单元中的条状电极的倾斜方向不同”修改为 “位于同一列中的两相邻的所述像素单元两侧的数据线相对于两相邻的所述像素单元之间的栅线对称设置，以使两相邻的平行四边形状的所述像素单元相对于设置在两相邻的所述像素单元之间的栅线对称设置”；同时，将原权利要求2、3合并至原权利要求1中，得到修改后的权利要求1，同时适应性的修改权利要求编号和权利要求引用关系。
复审请求人认为：本发明与对比文件1的区别技术特征包括：（1）2P2D像素阵列中，每个所述像素单元中的所述薄膜晶体管均位于其中的条状电极的倾斜方向的相反方向；（2）每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管方向所在方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向的拐角。其实际要解决的技术问题是增加开口率。像素单元钝角处的空间更大，TFT设置在钝角处且条状电极的拐角向着锐角方向弯折时，可以同时保证像素电极的完整性和开口率的最大化。对比文件1的条状电极没有拐角，对比文件2没有针对本发明的技术问题提出相应技术方案 。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
1. 一种像素阵列，包括多条横向设置的栅线和与所述栅线交叉绝缘设置的多条数据线，以及多条所述栅线和多条所述数据线交叉位置处限定出的多个平形四边形状的像素单元；每个所述像素单元均包括薄膜晶体管和条状电极；其中，位于同一列中的两相邻的所述像素单元两侧的数据线相对于两相邻的所述像素单元之间的栅线对称设置，以使两相邻的平形四边形状的所述像素单元相对于设置在两相邻的所述像素单元之间的栅线对称设置；位于同一列中的两相邻的所述像素单元中的条状电极的倾斜方向沿数据线所在方向对称；其特征在于，
每个所述像素单元中的所述薄膜晶体管均位于其中的条状电极的倾斜方向的相反方向；
每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管所在方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向拐角。
2. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，位于同一列的列中的两相邻的所述像素单元的薄膜晶体管的源极连接不同的数据线。
3. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，位于同一行的所述像素单元中的条状电极的倾斜方向相同。
4. 根据权利要求1-3中任一项所述的像素阵列，其特征在于，每个所述像素单元还包括位于条状电极所在层下方的板状电极。
5. 根据权利要求4所述的像素阵列，其特征在于，所述条状电极和所述板状电极中的一者为像素电极，另一者为公共电极。
6. 根据权利要求1所述的像素阵列，其特征在于，在所述栅线、数据线，以及薄膜晶体管所在层上方还设置有黑矩阵。
7. 一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-6中任一项所述的像素阵列。
8. 一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求7所述的显示面板。。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年06月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年06 月11 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向拐角。基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案所要解决的技术问题是：充分利用像素单元中的位置，以实现开口率最大化。对比文件2给出了在条状电极两端设置拐角的技术启示，而且相对于不设置拐角的条状电极，增加拐角可以增加电极长度，从而增加开口率，这是本领域技术人员的公知常识，因此本领域技术人中在对比文件2的启示下容易想到可以在对比文件1的条状电极上增加拐角的设置。同时，从对比文件2的图10中可以看出，在一个像素单元的区域内，在与条状电极的拐角倾斜方向相反方向的位置处的空间最大，且对比文件1中也给出了在条状电极倾斜方向相反的位置设置晶体管，本领域技术人员从增大开口率的角度考虑，很容易想到可以将薄膜晶体管设置于所述空间内。因此，权利要求1不具备创造性。权利要求2-6的附加技术特征或被对比文件1、2公开，或属于本领域的常用技术手段，因此，权利要求2-6不具备创造性。独立权利要求7要求保护一种显示面板，对比文件1和对比文件2均公开了包括像素阵列的显示面板，基于对权利要求1-6的评述，权利要求7不具备创造性。独立权利要求8要求保护一种包括权利要求7所述的显示面板的显示装置，对比文件1和对比文件2都公开了显示装置，因此基于前面的评述，权利要求8也不具备创造性。
复审请求人于2019 年07 月17 日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：本发明与对比文件1的区别技术特征包括：2P2D像素阵列中，每个所述像素单元中的所述薄膜晶体管均位于其中的条状电极的倾斜方向的相反方向；每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管所在方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向拐角。本申请实际要解决的技术问题是：如何提高2P2D像素阵列中像素单元的开口率。对比文件1的条状电极的端部无拐角，也就不存在本发明的技术问题，不能解决本发明技术问题。虽然对比文件2公开了条状电极两端具有与其倾斜方向相同的拐角，但对比文件2中没有公开薄膜晶体管的设置位置，也就是说对比文件2中的条状电极两端的拐角的倾斜方向的设置并没有参照薄膜晶体管的位置进行设置，因此本领域技术人员在看到对比文件2时，并不能够根据薄膜晶体管的设置位置以设置条状电极两端的拐角的延伸方向，即对比文件2不能够给出本申请技术启示。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2018年04月20日提交了权利要求书的修改替换页，经审查，所作修改符合专利法第33条和实施细则第61条第1款的规定，因此，本复审决定所依据的文本为：复审请求人于申请日2015年09月15日提交的说明书第1-36段、说明书附图1-3、说明书摘要、摘要附图、以及2018年04月20日提交的权利要求第1-8项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，而该区别技术特征部分被其他对比文件公开，部分属于本领域公知常识，且不会产生任何预料不到的技术效果，则权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
（1）.权利要求1要求保护一种像素阵列。对比文件1公开了一种阵列基板，参见图1b，所述阵列基板包括：多个像素单元PU，所述像素单元PU包括2×2子像素区矩阵，所述2×2子像素区矩阵包括依次排列的第一子像素区Z1、第二子像素区Z2、第三子像素区Z3和第四子像素区Z4；每个所述子像素区包括至少两个子像素电极；每个所述子像素电极中包括条状电极；所述第一子像素区Z1和所述第三子像素区Z3中至少有一个子像素电极中的所述条状电极与第一方向Y1平行；所述第二子像素区Z2和所述第四子像素区Z4中至少有一个子像素电极中的所述条状电极与第二方向Y2平行；所述第一方向Y1和第二方向Y2相互交叉，所述第一方向Y1和第二方向Y2之间的夹角大于0度，且小于等于90度(在图1b中第一方向Y1和第二方向Y2之间的夹角为大于0度且小于90度)；其中，与所述第一方向Y1平行的条状电极所在的子像素电极和与所述第二方向Y2平行的条状电极所在的子像素电极围成的区域是第一区域Z5，所述第一区域Z5中设置有子像素开关（参见说明书第[0043]段，图1b），图4a是与图1b相对应的像素单元中的数据线、栅极线和像素开关的设置情况。参见图4a，所述像素单元还包括：用于控制八个子像素电极的八个子像素开关（T1-T8）,分别设置于第一区域Z5内；两条栅极线，所述两条栅极线为第一栅极线G1和第二栅极线G2；以及四条与所述栅极线（G1和G2）交叉设置的数据线，所述四条数据线为第一数据线D1、第二数据线D2、第三数据线D3和第四数据线D4。各所述栅极线（G1和G2）和数据线（D1-D4）分别与每个子像素电极对应的子像素开关电连接（参见说明书第[0069]段，图4a、4b）；各个子像素开关，可以采用薄膜晶体管来制作（参见说明书第[0084]段）。从图4b中可以看出，多条栅线G1和G2横向设置且必然与多条数据线D1-D4交叉绝缘设置，多条栅极线G1和G2和多条数据线D1-D4交叉位置处限定出多个平行四边形状的子像素电极P1-P8，每个子像素电极P1-P8均包括子像素开关T1-T8和条状电极；位于同一列中的两相邻的所述像素单元Z1、Z4两侧的数据线D1、D2相对于两相邻的像素单元之间的栅线G2对称设置，使得相邻的平行四边形状的像素单元相对于设置在两相邻的所述像素单元之间的栅线对称设置；位于同一列中的两相邻的所述子像素电极中的条状电极的倾斜方向沿数据线所在方向对称，每个所述子像素电极中的子像素开关均位于其中的条状电极的倾斜方向的相反方向。
经对比分析可知：对比文件1中的多个像素单元PU对应于权利要求1中的像素阵列，子像素电极P1-P8对应于权利要求1中的多个平行四边形状的像素单元。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向拐角。
基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案所要解决的技术问题是：充分利用像素单元中的位置，以实现开口率最大化。
对比文件2公开了一种阵列基板，包括：基板31；设置在基板31上的多条栅极线32和多条数据线33，其中，多条栅极线32和多条数据线33交叉形成多个像素单元34；每个像素单元34包括条状的像素电极35，所述像素电极35包括多个条形狭缝351（参见说明书第[0047]段）；在图10中，在条形狭缝351的两端设置有拐角352，且条形狭缝351两端的拐角352拐向两个不同的方向（参见说明书第[0055]段，图10）。由此可见，对比文件2给出了在条状电极两端设置拐角的技术启示，而且相对于不设置拐角的条状电极，增加拐角可以增加电极长度，从而增加开口率，这是本领域技术人员的公知常识，因此本领域技术人中在对比文件2的启示下容易想到可以在对比文件1的条状电极上增加拐角的设置。同时，从对比文件2的图10中可以看出，在一个像素单元的区域内，在与条状电极的拐角倾斜方向相反方向的位置处的空间最大，且对比文件1中也给出了在条状电极倾斜方向相反的位置设置晶体管，本领域技术人员从增大开口率的角度考虑，很容易想到可以将薄膜晶体管设置于所述空间内。也就是说，本领域技术人员在对比文件2的启示下，容易想到在对比文件1的条状电极两端设置拐角，同时也容易想到将拐角的方向设置为远离薄膜晶体管的方向，这样可以将开口率最大化。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识而得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：复审请求人认为的区别特征“每个所述像素单元中的所述薄膜晶体管均位于其中的条状电极的倾斜方向的相反方向”已经被对比文件1公开；对于区别技术特征“每个所述条状电极的靠近所述薄膜晶体管的一端具有背离所述薄膜晶体管方向所在方向的拐角，另一端具有靠近薄膜晶体管所在方向的拐角”，虽然对比文件2没有明确公开薄膜晶体管的设置位置，但对于本领域技术人员来说，在选择薄膜晶体管设置位置时必然要考虑薄膜晶体管与像素电极的位置关系对开口率所造成的影响，必然会以保证较大的开口率为目标来选择薄膜晶体管的设置位置。从对比文件2的附图10中可以明确看出，在像素单元中与像素电极拐角方向相反的位置处存在较大空间，同时对比文件1公开了薄膜晶体管设置在像素单元内与像素电极倾斜方向相反的较大空间处，因此，本领域技术人员在面对对比文件2中的电极形状时，很容易想到可以将薄膜晶体管设置于与像素电极拐角方向相反的较大空间内，这样可以最大程度地增大开口率，也不会影响像素电极拐角的设置，不会影响像素电极的正常工作。
因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
（2）.权利要求2是权利要求1的从属权利要求。对于本领域技术人员而言，位于同一列的列中的两相邻的所述像素单元的薄膜晶体管的源极连接不同的数据线，是本领域技术人员常用的施加数据信号的方式，属于本领域公知常识。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）.权利要求3是权利要求1的从属权利要求。对比文件2中记载了位于同一行像素单元34中的像素电极35中的多个条形狭缝351的长轴Y1互相平行（参见说明书第[0047]段，图8）。可见，从属权利要求3的附加技术特征被对比文件2公开。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）.权利要求4是对权利要求1-3的进一步限定，权利要求5是对权利要求4的进一步限定，对于本领域技术人员而言，根据显示需要，选择具体的液晶驱动模式如VA、FFS以及IPS是本领域技术人员的常用技术手段，而像素单元包括位于条状电极所在层下方的板状电极，以及其中一者为像素电极，另一者为公共电极属于常见的液晶驱动电极设置方式。。因此，当其引用的权利要求1-3不具备创造性时，从属权利要求4、5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）.权利要求6是权利要求1的从属权利要求，为了防止漏光，而在栅线、数据线，以及薄膜晶体管所在层上方设置遮光用的黑矩阵，是本领域技术人员的常用技术手段。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性时，从属权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（6）.独立权利要求7要求保护一种显示面板。对比文件1和对比文件2均公开了包括像素阵列的显示面板，基于对权利要求1-6的评述，权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（7）.独立权利要求8要求保护一种包括权利要求7所述的显示面板的显示装置，对比文件1和对比文件2都公开了显示装置，因此基于前面的评述，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年01 月10 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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