发明创造名称：具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区
外观设计名称：
决定号：192197
决定日：2019-10-10
委内编号：1F276520
优先权日：2014-01-24
申请（专利）号：201410352654.0
申请日：2014-07-23
复审请求人：台湾积体电路制造股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：陈冬冰
合议组组长：刘婧
参审员：黄万国
国际分类号：H01L21/336,H01L29/78,H01L29/41
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征的一部分属于本领域的公知常识，该区别技术特征的其余部分被其他对比文件公开且具有相应的技术启示，则该项权利要求的技术方案相对于所述对比文件与本领域公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410352654.0，发明名称为“具有横向延伸部分的晶体管的嵌入式源极或漏极区”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为台湾积体电路制造股份有限公司，申请日为2014年07月23日，优先权日为2014年01月24日，公开日为2015年07月29日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年12月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年07月23日提交的说明书附图第1-13页、说明书摘要、摘要附图，2017年09月12日提交的说明书第1-19页，2018年09月13日提交的权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种形成半导体结构的方法，包括：
提供其上配置有栅极结构的体结构；
所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁；
在所述栅极侧壁上方形成间隔件；
在所述体结构中形成第一凹槽，
所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边并且在所述间隔件下面横向延伸；
在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及
生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充；
其中，在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度，包括：在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构，以形成所述凹槽延伸部，其中，从上至下观察，所述蚀刻速率控制掺杂区与所述间隔件不存在重叠。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中：
提供其上配置有栅极结构的体结构包括：
提供包括鳍结构的所述体结构；以及
形成环绕所述鳍结构的一部分的所述栅极结构。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中：
在所述体结构中形成第一凹槽包括：
各向同性蚀刻所述体结构，直到达到第一距离和第二距离的范围内的横向深度，所述第一距离为所述体结构的顶面的水平面处的所述间隔件的第一侧壁和第二侧壁之间的距离以及所述第二距离为所述体结构的所述顶面的水平面处的所述间隔件的所述第一侧壁和所述栅极侧壁之间的距离，
所述间隔件的所述第一侧壁比所述间隔件的所述第二侧壁更接近所述栅极侧壁。
4. 根据权利要求3所述的方法，其中：
在所述栅极侧壁上方形成间隔件包括：
在所述栅极侧壁上形成密封层；以及
在所述密封层上形成所述间隔件。
5. 根据权利要求3所述的方法，其中：
在所述栅极侧壁上方形成间隔件包括：
在所述栅极侧壁上形成所述间隔件。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中：
提供其上配置有栅极结构的体结构包括：
提供包括所述体结构的衬底；以及
在所述体结构之上形成所述栅极结构。
7. 一种形成半导体结构的方法，包括：
提供其上配置有栅极结构的体结构；
所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁；
在所述栅极侧壁上方形成间隔件；
在所述体结构中形成第一凹槽，
所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边，使得暴露由所述体结构覆盖的所述间隔件的表面；
在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及
生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的所述第一凹槽被填充；
其中，在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度包括：在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构，以形成所述凹槽延伸部，其中，从上至下观察，所述蚀刻速率控制掺杂区与所述间隔件不存在重叠。
8. 根据权利要求7所述的方法，其中：
在所述体结构中第一凹槽形成在所述栅极结构旁边包括：
在由所述第一凹槽暴露的表面下面，形成具有壁部分的所述第一凹槽，使得所述壁部分沿着所述间隔件的所述表面的暴露的方向朝向所述体结构中的与所述栅极侧壁对准的平面逐渐变细。
9. 根据权利要求8所述的方法，其中：
在所述体结构的顶面的水平面处，所述壁部分位于由所述第一凹槽暴露的所述间隔件的所述表面和所述栅极侧壁之间的区域内。
10. 根据权利要求7所述的方法，其中：
在所述栅极侧壁上方形成间隔件包括：
在所述栅极侧壁上形成密封层；以及
在所述密封层上形成所述间隔件。
11. 根据权利要求7所述的方法，其中：
在所述栅极侧壁上方形成间隔件包括：
在所述栅极侧壁上形成所述间隔件。”
驳回决定引用了如下对比文件：
对比文件1：US2009/0280627A1，公开日为2009年11月12日；
对比文件2：US2008/0299724A1，公开日为2008年12月04日；
对比文件4：CN103165435A，公开日为2013年06月19日。
驳回决定指出：独立权利要求1、7与对比文件1的区别技术特征是：在体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于间隔件旁边，体结构通过干化学刻蚀，蚀刻速率控制区与间隔件在竖直方向上不重叠。该区别技术特征的一部分被对比文件4公开且作用相同，其余区别技术特征为本领域的公知常识。因而权利要求1、7相对于对比文件1、4和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-3、5-6、8-9、11的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，从属权利要求4、10的附加技术特征被对比文件2公开且具有相应的技术启示，因此，从属权利要求2-6、8-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年03月15日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，共11项权利要求。所做的修改在于：在驳回决定所针对的权利要求书的基础上，删除权利要求1和7中的技术特征“其中，从上至下观察，所述蚀刻速率控制掺杂区域所述间隔件不存在重叠”，并向权利要求1和7中补入技术特征“其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域”。
复审请求人认为：权利要求1包括技术特征：“其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域”。对比文件1的应力源材料228并不包括超出体结构204的具有小平面的区域。该技术特征是权利要求1与对比文件1的区别技术特征。对比文件2-4也未公开上述区别技术特征。权利要求1具备创造性。权利要求7也包括上述区别技术特征，因而，权利要求7也具备创造性。
提出复审请求时新提交的权利要求1、7内容如下：
“1. 一种形成半导体结构的方法，包括：
提供其上配置有栅极结构的体结构；
所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁；
在所述栅极侧壁上方形成间隔件；
在所述体结构中形成第一凹槽，
所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边并且在所述间隔件下面横向延伸；
在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及
生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充，其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域；
其中，在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度，包括：在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构，以形成所述凹槽延伸部。”
“7. 一种形成半导体结构的方法，包括：
提供其上配置有栅极结构的体结构；
所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁；
在所述栅极侧壁上方形成间隔件；
在所述体结构中形成第一凹槽，
所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边，使得暴露由所述体结构覆盖的所述间隔件的表面；
在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及
生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的所述第一凹槽被填充，其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域；
其中，在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度包括：在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构，以形成所述凹槽延伸部。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年06月27日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。复审通知书引用了驳回决定所引用的对比文件1、2和实质审查过程中引用的对比文件3（US2012/0100681A1，公开日为2012年04月26日）。具体评述为：独立权利要求1、7与对比文件1的区别技术特征是：（1）所述应力源材料包括超出体结构的具有小平面的区域；（2）在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构以形成凹槽延伸部。然而区别技术特征（1）被对比文件2公开且具有技术启示，区别技术特征（2）被对比文件3公开且具有技术启示。因此，权利要求1、7不具备创造性。从属权利要求2-6、8-11的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件2公开，或属于本领域的公知常识，因此，上述从属权利要求也不具备创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：对比文件2公开了（参见说明书第[0022]段、附图7）：在凹槽36、40内以及凹槽38、42内外延生长源漏区44、46，源漏区44、46作为应力源，由附图7可见，源漏区44、46包括超出体结构16的具有小平面的区域。对比文件2公开了区别技术特征“其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域”，且其作用同样是提高应力源漏的应力。因此，对比文件2具有技术启示。
复审请求人于2019年08月01日提交了意见陈述书，并提交了经过修改的权利要求书，共11项权利要求。所做的修改在于：在复审通知书所针对的权利要求书的基础上，将权利要求1、7的技术特征“在所述体结构中形成第一凹槽”修改为“通过蚀刻体结构的部分在所述体结构中形成第一凹槽”；并向权利要求1、7补入技术特征“并且所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度”。复审请求人认为：修改后的权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：通过蚀刻体结构的部分在体结构中形成第一凹槽，第一凹槽形成在间隔件旁边并且在间隔件下面横向延伸，体结构的蚀刻部分与围绕体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度。对比文件1使用离子注入技术将半导体材料204的部分变为非晶区域220，即非晶区域220与周围的半导体材料204中的相邻区域具有不同掺杂浓度，因而对比文件1未公开上述区别技术特征。对比文件2、对比文件3也没有公开上述区别技术特征。因此，权利要求1-11具备创造性。
复审请求人于2019年08月01日提交的权利要求1和7内容如下：
“1. 一种形成半导体结构的方法，包括：
提供其上配置有栅极结构的体结构；
所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁； 在所述栅极侧壁上方形成间隔件；
通过蚀刻体结构的部分在所述体结构中形成第一凹槽，
所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边并且在所述间隔件下面横向延伸，并且所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度；
在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及
生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充，其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域；
其中，在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度，包括：在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构，以形成所述凹槽延伸部。”
“7. 一种形成半导体结构的方法，包括：
提供其上配置有栅极结构的体结构；
所述栅极结构包括横穿所述体结构的栅极侧壁； 在所述栅极侧壁上方形成间隔件；
通过蚀刻体结构的部分在所述体结构中形成第一凹槽，
所述第一凹槽形成在所述间隔件旁边，使得暴露由所述体结构覆盖的所述间隔件的表面，并且所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度；
在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部，以延伸所述第一凹槽的垂直深度；以及
生长晶格常数不同于所述体结构的应力源材料，使得延伸的所述第一凹槽被填充，其中，所述应力源材料包括超出所述体结构的具有小平面的区域；
其中，在所述第一凹槽下面形成凹槽延伸部以延伸所述第一凹槽的垂直深度包括：在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构， 以形成所述凹槽延伸部。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年08月01日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所做的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：申请日2014年07月23日提交的说明书附图第1-13页、说明书摘要、摘要附图，2017年09月12日提交的说明书第1-19页，2019年08月01日提交的权利要求第1-11项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征的一部分属于本领域的公知常识，该区别技术特征的其余部分被其他对比文件公开且具有相应的技术启示，则该项权利要求的技术方案相对于所述对比文件与本领域公知常识的结合不具备创造性。
2.1关于权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种形成半导体结构的方法，对比文件1公开了一种形成半导体结构的方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0018]-[0028]段、附图3-8）：提供其上配置有栅极结构208的体结构204；体结构204的材料可以是纯硅，或掺杂了锗或碳的硅；所述栅极结构208包括横穿所述体结构204的侧壁；在所述栅极侧壁上方形成间隔件216；如图6所示，采用各向同性蚀刻法在体结构204中形成第一凹槽222（说明书第[0025]段，即对比文件1公开了蚀刻体结构的部分形成第一凹槽），所述第一凹槽222形成在间隔件216旁边并且在间隔件216下面横向延伸；在所述第一凹槽222下面形成凹槽延伸部即凹槽226位于第一凹槽222下方的部分，以延伸第一凹槽222的垂直深度；向凹槽226内填充应力诱导半导体材料228，该应力诱导半导体材料228可以是磷掺杂的碳化硅，其比硅的晶格小，也可以是硼掺杂的硅锗，比硅的晶格大，即对比文件1公开了生长晶格常数不同于体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度；（2）所述应力源材料包括超出体结构的具有小平面的区域；（3）在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构以形成凹槽延伸部。
基于上述区别可以确定权利要求1实际所要解决的技术问题是：简化工艺、提高应力源漏的应力效应、提高蚀刻凹槽的速率。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了（参见说明书第[0023]-[0025]段、附图5-6）：通过离子注入法在体结构中形成非晶区域220，使得非晶区域220的掺杂浓度与相邻体结构的掺杂浓度不同，通过蚀刻去除非晶区域220以形成第一凹槽222；其目的是获得所需的蚀刻轮廓（参见说明书第[0016]段）。然而，不经过离子注入，直接蚀刻体结构，去除体结构的一部分材料以形成凹槽是本领域的惯用手段，从而所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度。
对于区别技术特征（2），对比文件2公开了（参见说明书第[0015]-[0022]段、附图7）：在凹槽36、40内以及凹槽38、42内外延生长源漏区44、46，源漏区44、46作为应力源，由附图7可见，源漏区44、46包括超出体结构16的具有小平面的区域。对比文件2公开了区别技术特征（2），且其作用同样是提高应力源漏的应力。因此，对比文件2具有技术启示。
对于区别技术特征（3），对比文件3公开了（参见说明书第[0017]-[0030]段、附图4-8）：在基板202内形成第一掺杂区210和第二掺杂区214，进行第一蚀刻工艺以移除基板位于栅结构240两侧的部分形成凹槽220；进行第二蚀刻工艺以移除基板位于栅结构240两侧的部分形成凹槽226。针对第二掺杂区214的第一蚀刻工艺具有较高的蚀刻速率，因为第二掺杂区214具有与p型掺杂剂中和了的n型掺杂剂。第一蚀刻工艺以及第二蚀刻工艺可以用干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺（参见说明书第[0025]、[0030]段）。可见，对比文件3公开了在基板内进行掺杂以形成蚀刻速率控制掺杂区，且用干法蚀刻工艺来蚀刻基板的技术内容。本领域技术人员可以从中获得技术启示，在将其应用至对比文件1中，为了提高第一凹槽下面的凹槽延伸部的蚀刻速率，而采用掺杂方式形成蚀刻速率控制掺杂区，并用干法蚀刻工艺去除该掺杂区，以形成凹槽延伸部。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和本领域的公知常识得到权利要求1所请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2关于权利要求2-6的创造性
权利要求2引用权利要求1，平面晶体管与FinFET是本领域常见的晶体管类型。体结构包括鳍，以及环绕鳍结构的一部分形成栅极结构都是制造FinFET的常规技术手段。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款的规定。
权利要求3引用权利要求1，对比文件1公开了（说明书第[0025]段、附图6）：在体结构204中形成第一凹槽222的步骤包括：各向同性蚀刻体结构204中的无定形区域220，直到达到第一距离和第二距离的范围内的横向深度；所述第一距离为体结构204的顶面水平面处的所述间隔件216的第一侧壁和第二侧壁之间的距离；第二距离为体结构204的顶面水平面处的所述间隔件216的第一侧壁和栅极侧壁之间的距离，所述间隔件216的第一侧壁比所述间隔件216的第二侧壁更靠近栅极侧壁。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款的规定。
权利要求4引用权利要求3，权利要求5引用权利要求3，对比文件2公开了（说明书第[0015]-[0017]段、附图7）：在栅极侧壁上方形成间隔件34包括：在栅极侧壁上形成间隔物22以及介质层32（即密封层），在介质层32上形成间隔件34。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4、5也不具备专利法第22条第3款的规定。
权利要求6引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见附图3）：提供其上配置有栅极结构的体结构包括：提供包括所述体结构204的衬底；以及在所述体结构204之上形成所述栅极结构208。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3关于权利要求7的创造性
权利要求7请求保护一种形成半导体结构的方法，对比文件1公开了一种形成半导体结构的方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第[0018]-[0028]段、附图3-8）：提供其上配置有栅极结构208的体结构204；体结构204的材料可以是纯硅，或掺杂了锗或碳的硅；所述栅极结构208包括横穿所述体结构204的侧壁；在所述栅极侧壁上方形成间隔件216；如图6所示，采用各向同性蚀刻法在体结构204中形成第一凹槽222（说明书第[0025]段，即对比文件1公开了蚀刻体结构的部分形成第一凹槽），所述第一凹槽222形成在间隔件216旁边，使得暴露由体结构204覆盖的间隔件216的下表面；在所述第一凹槽222下面形成凹槽延伸部即凹槽226位于第一凹槽222下方的部分，以延伸第一凹槽222的垂直深度；向凹槽226内填充应力诱导半导体材料228，该应力诱导半导体材料228可以是磷掺杂的碳化硅，其比硅的晶格小，也可以是硼掺杂的硅锗，比硅的晶格大，即对比文件1公开了生长晶格常数不同于体结构的应力源材料，使得延伸的第一凹槽被填充。
权利要求7与对比文件1的区别技术特征在于：（1）所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度；（2）所述应力源材料包括超出体结构的具有小平面的区域；（3）在所述体结构中蚀刻速率控制掺杂区形成在所述第一凹槽下面并且位于至少一个间隔件旁边；以及使用干化学蚀刻来蚀刻所述体结构以形成凹槽延伸部。
基于上述区别可以确定权利要求7实际所要解决的技术问题是：简化工艺、提高应力源漏的应力效应、提高蚀刻凹槽的速率。
对于区别技术特征（1），对比文件1（参见说明书第[0023]-[0025]段、附图5-6）公开了：通过离子注入法在体结构中形成非晶区域220，使得非晶区域220的掺杂浓度与相邻体结构的掺杂浓度不同，通过蚀刻去除非晶区域220以形成第一凹槽222；其目的是获得所需的蚀刻轮廓（参见说明书第[0016]段）。然而，不经过离子注入，直接蚀刻体结构，去除体结构的一部分材料以形成凹槽是本领域的惯用手段，从而所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度。
对于区别技术特征（2），对比文件2公开了（参见说明书第[0015]-[0022]段、附图7）：在凹槽36、40内以及凹槽38、42内外延生长源漏区44、46，源漏区44、46作为应力源，由附图7可见，源漏区44、46包括超出体结构16的具有小平面的区域。对比文件2公开了区别技术特征（2），且其作用同样是提高应力源漏的应力。因此，对比文件2具有技术启示。
对于区别技术特征（3），对比文件3公开了（参见说明书第[0017]-[0030]段、附图4-8）：在基板202内形成第一掺杂区210和第二掺杂区214，进行第一蚀刻工艺以移除基板位于栅结构240两侧的部分形成凹槽220；进行第二蚀刻工艺以移除基板位于栅结构240两侧的部分形成凹槽226。针对第二掺杂区214的第一蚀刻工艺具有较高的蚀刻速率，因为第二掺杂区214具有与p型掺杂剂中和了的n型掺杂剂。第一蚀刻工艺以及第二蚀刻工艺可以用干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺（参见说明书第[0025]、[0030]段）。可见，对比文件3公开了在基板内进行掺杂以形成蚀刻速率控制掺杂区，且用干法蚀刻工艺来蚀刻基板的技术内容。本领域技术人员可以从中获得技术启示，在将其应用至对比文件1中，为了提高第一凹槽下面的凹槽延伸部的蚀刻速率，而采用掺杂方式形成蚀刻速率控制掺杂区，并用干法蚀刻工艺去除该掺杂区，以形成凹槽延伸部。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2、3和本领域的公知常识得到权利要求7所请求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求7不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4关于权利要求8-11的创造性
对于权利要求8、9、11，对比文件1公开了（参见附图6）：在所述体结构204中第一凹槽222形成在所述栅极结构208旁边包括：在由所述第一凹槽222暴露的表面下面，形成具有壁部分的所述第一凹槽222，使得所述壁部分沿着所述间隔件216的所述表面的暴露的方向朝向所述体结构204中的与所述栅极侧壁对准的平面逐渐变细；在所述体结构204的顶面的水平面处，所述壁部分（即凹槽224侧壁的弯曲部分）位于由所述第一凹槽222暴露的所述间隔件216的所述表面和所述栅极侧壁之间的区域内；在所述栅极侧壁上方形成间隔件216包括：在所述栅极侧壁上形成所述间隔件216。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求8、9、11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求10，对比文件2公开了（参见说明书第[0015]-[0017]段、附图7）：在栅极侧壁上方形成间隔件34包括：在栅极侧壁上形成间隔物22以及介质层32（即密封层），以及在介质层32上形成间隔件34。在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人在答复复审通知书所提出的意见，合议组认为：
（1）针对技术特征“通过蚀刻体结构的部分在体结构中形成第一凹槽”，对比文件1公开了：如图6所示，采用各向同性蚀刻法在体结构204中形成第一凹槽222（说明书第[0025]段），即对比文件1公开了通过蚀刻体结构的部分在体结构中形成第一凹槽，因此上述技术特征并不能成为权利要求1与对比文件1的区别技术特征。
（2）对比文件1公开了（参见说明书第[0023]-[0025]段、附图5-6）：通过离子注入法在体结构中形成非晶区域220，使得非晶区域220的掺杂浓度与相邻体结构的掺杂浓度不同，通过蚀刻去除非晶区域220以形成第一凹槽222；其目的是获得所需的蚀刻轮廓（参见说明书第[0016]段）。即对比文件1的上述技术手段是为了获得所需要的精细轮廓的凹槽。然而，根据蚀刻的需求，采用合适的蚀刻手段以及工艺参数，不经过离子注入，直接蚀刻体结构，本身就能够去除体结构的一部分材料以形成凹槽，这是本领域公知公用的技术手段，从而所述体结构的蚀刻部分与围绕所述体结构的蚀刻部分的相邻体结构具有相同的掺杂浓度。
综上所述，本申请权利要求1-11不具备创造性，对于复审请求人的意见，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年12月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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