发明创造名称：一种半导体结构及其制备方法
外观设计名称：
决定号：192016
决定日：2019-10-09
委内编号：1F273761
优先权日：
申请（专利）号：201510151431.2
申请日：2015-03-31
复审请求人：上海和辉光电有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张卉
合议组组长：陈冬冰
参审员：颜庙青
国际分类号：H01L29/78,H01L29/423,H01L21/336,H01L21/28
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案相对于一篇作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征的一部分被其他对比文件公开，且具有技术启示，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该项权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，从而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为2015101514312，发明名称为“一种半导体结构及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为上海和辉光电有限公司，申请日为2015年03月31日，公开日为2015年09月02日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年11月02日发出驳回决定，以权利要求1-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年09月25日提交的权利要求第1-9项，申请日2015年03月31提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-4页、说明书摘要、摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体衬底；
于所述半导体衬底上按照从下至上的顺序依次制备多晶硅层、栅绝缘层和金属层；
部分刻蚀所述金属层至所述栅绝缘层，以形成栅极线，所述栅绝缘层包括栅氧化层和氮化硅层，且所述栅氧化层覆盖所述多晶硅层的上表面，所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，以降低源漏区离子注入工艺中所需的离子的剂量；
进行源漏区离子注入工艺，以在位于暴露的栅绝缘层下方临近所述栅极线的位置处的所述多晶硅层中形成源漏区；
部分刻蚀所述金属层至所述栅绝缘层中，以形成所述栅极线的步骤具体为：
部分刻蚀所述金属层至所述栅氧化层的上表面，以形成所述栅极线。
2. 如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述源漏区离子注入工艺的能量为25-35KeV，离子注入的剂量为2e14～4e14ions·cm-2。
3. 如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，
采用硼离子进行所述源漏区离子注入工艺。
4. 如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流。
5. 如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，制备所述多晶硅层的步骤之前，所述方法还包括于所述半导体衬底上表面形成缓冲层的步骤。
6. 一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1-5中任一方法制备获得，应用于MOS器件的源漏区离子注入工艺中，所述半导体结构包括：
半导体衬底；
多晶硅层，设置于所述半导体衬底之上，且所述多晶硅层中形成有源漏区；
栅绝缘层，覆盖所述多晶硅层的上表面；
栅极线，设置于所述栅绝缘层之上；
其中，位于所述栅极线下方的栅绝缘层的厚度大于暴露的栅绝缘层的厚度；
所述栅绝缘层包括栅氧化层和氮化硅层，且所述栅氧化层覆盖所述多晶硅层的上表面，所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，以降低源漏区离子注入工艺中所需的离子的剂量。
7. 如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述源漏区离子注入工艺的能量为25～35KeV，离子注入的剂量为2e14～4e14ions·cm-2。
8. 如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，
采用硼离子进行所述源漏区离子注入工艺。
9. 如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述结构还包括：
缓冲层，设置于所述半导体衬底和所述多晶硅层之间以将所述半导体衬底和所述多晶硅层予以隔离。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN1979815A，公开日为2007年06月13日；
对比文件2：KR10-2005-0117128A，公开日为2005年12月14日。
驳回决定的具体理由是：1、独立权利要求1请求保护一种半导体结构的制备方法，其与对比文件1的区别技术特征在于：1）提供的基板是半导体衬底；2）所述栅绝缘层包括栅氧化层和氮化硅层，且所述栅氧化层覆盖所述多晶硅层的上表面，所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，以降低源漏区离子注入工艺中所需的离子的剂量；3）部分刻蚀所述金属层至所述栅绝缘层中，以形成所述栅极线的步骤具体为：部分刻蚀所述金属层至所述栅氧化层的上表面，以形成所述栅极线。区别技术特征1）是本领域的公知常识，区别技术特征2）和3）中的一部分被对比文件2公开并且作用相同，在将对比文件2公开的技术特征应用至对比文件1后，结合本领域的常规技术知识容易获得具有所述区别技术特征2）和3）的技术方案。因此权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-5的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识。因此，从属权利要求2-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。3、独立权利要求6请求保护一种半导体结构，采用如权利要求1-5中任一方法制备获得，除引用部分以外，权利要求6与对比文件1的区别技术特征还在于：半导体结构应用于MOS器件的源漏区离子注入工艺中。然而，该区别技术特征属于本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。4、从属权利要求7-9的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识。因此，从属权利要求7-9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月15日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-8项，所做的主要修改为：在驳回决定所针对的权利要求书的基础上，将权利要求4上升为独立权利要求1，删除权利要求1，并适应性地修改了权利要求的序号和引用关系。
提出复审请求时新修改的权利要求1内容如下：
“1. 一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一半导体衬底；
于所述半导体衬底上按照从下至上的顺序依次制备多晶硅层、栅绝缘层和金属层；
部分刻蚀所述金属层至所述栅绝缘层，以形成栅极线，所述栅绝缘层包括栅氧化层和氮化硅层，且所述栅氧化层覆盖所述多晶硅层的上表面，所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，以降低源漏区离子注入工艺中所需的离子的剂量；
进行源漏区离子注入工艺，以在位于暴露的栅绝缘层下方临近所述栅极线的位置处的所述多晶硅层中形成源漏区；
部分刻蚀所述金属层至所述栅绝缘层中，以形成所述栅极线的步骤具体为：
部分刻蚀所述金属层至所述栅氧化层的上表面，以形成所述栅极线；
形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流。”
复审请求人认为：1）对比文件1在形成覆盖源漏区的介电层370之后再进行热工艺，并且介电层370可选用氮化硅。由此可见，对比文件1并无要解决“活化工艺中，活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面”这一技术问题的意图，同时其采用的技术手段也不能够解决上述技术问题，因此，对比文件1并未公开区别技术特征“所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，部分刻蚀所述金属层至所述栅氧化层的上表面，以形成所述栅极线，形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流”。2）对比文件2中，氮化硅层23b与栅极30宽度并不相同，因此不可能随栅极同时刻蚀形成；其次，氮化硅层23b同样对器件源漏区产生部分阻挡，因此不足以实现活化工艺中，活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面这一技术效果。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年07月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：1、权利要求1-8相对于对比文件1、2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、对于复审请求人的意见，合议组答复如下：（1）对比文件1公开了在形成第一源极/漏极432a之后形成介电层370，然后对结构体进行快速加热退火工艺，本领域技术人员可以确定，对比文件1的热退火工艺虽然在形成介电层370之后，但该工艺仍旧能够对源漏区实现活化、降低栅绝缘层与多晶硅层接触界面上的漏电流；而且权利要求1中并未限定所进行的活化工艺是使“活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面”的活化工艺，即对比文件1的热退火工艺相当于本申请的活化工艺，因此对比文件1公开了“形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流”这一技术特征。（2）对比文件1的栅绝缘层虽然是单一材料，但其具有位于栅极下方的厚区以及位于源漏区上方的薄区，其目的是提高源漏区的离子注入效率，而对比文件2的栅绝缘层包括两种不同的材料，位于栅极下方的是两种材料的堆叠，位于高掺杂源漏区的仅是单层材料，亦能够提高高掺杂源漏区离子注入效率，本领域技术人员容易想到将对比文件2中栅绝缘层的两层材料应用到对比文件1中。虽然对比文件2的氮化硅层23b与栅极30宽度并不相同，这是因为对比文件2以制作LD结构的薄膜晶体管为目的，LD薄膜晶体管包括高掺杂的源漏区和低掺杂的源漏区，因此在对比文件2中氮化硅层的宽度形成为比栅极的宽度宽，从而利用栅极区域之外的、同时包括氮化硅层和氧化硅层的栅绝缘层在多晶硅层中形成低浓度源漏掺杂区15b，在仅包括氧化硅层的栅绝缘层对应的多晶硅层区域形成高浓度源漏掺杂区15a。在无需形成低浓度掺杂区时，例如对比文件1中仅需形成单一掺杂浓度的源漏区的晶体管，本领域技术人员能够根据实际需要对氮化硅层的宽度进行适当的调整，使得氮化硅层与栅极等宽。
复审请求人于2019年09月05日提交了意见陈述书，未修改申请文件。
复审请求人在意见陈述书中指出：1）权利要求1与对比文件1之间至少存在以下区别技术特征：所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，部分刻蚀所述金属层至所述栅氧化层的上表面，以形成所述栅极线，形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流。根据本申请说明书第[0047]段的记载，使活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面的原因是由于源漏区后进行活化工艺时没有氮化硅层的阻挡，而非特殊的活化工艺。权利要求1已经限定氮化硅层仅位于栅极线的下方，即在源漏区后进行活化工艺时没有氮化硅层的阻挡，从而使活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面。可见，权利要求1已经对产生使活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面这一有益效果的技术特征进行了限定。对比文件1是在形成覆盖源漏区的介电层370之后再进行热工艺，并且介电层370可选用氮化硅，对比文件1并无要解决“活化工艺中，活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面”这一技术问题的意图，同时其采用的技术手段也不能够解决上述技术问题。2）对比文件2中氮化硅层23b与栅极30宽度并不相同，因此不可能随栅极同时刻蚀形成；其次，对比文件2中氮化硅层23b同样对器件源漏区产生部分阻挡，因此不足以实现活化工艺中，活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面这一技术效果。可见对比文件2也未公开上述区别技术特征。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出复审审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年09月05日答复复审通知书时未对申请文件进行修改。故，本复审请求审查决定所依据的审查文本与复审通知书所依据的审查文本相同，即： 2019年02月15日提交的权利要求第1-8项，申请日2015年03月31提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-4页、说明书摘要、摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案相对于一篇作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，而该区别技术特征的一部分被其他对比文件公开，且具有技术启示，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该项权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，从而不具备创造性。。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN1979815A，公开日为2007年06月13日；
对比文件2：KR10-2005-0117128A，公开日为2005年12月14日。
2.1 关于权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种半导体结构的制备方法，对比文件1公开了一种薄膜晶体管的制备方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第6页倒数第2段-第11页第2段，图4A-4F）：提供基板310；于基板310上按照从下至上的顺序依次制备第一多晶硅岛状物330a、栅绝缘层440和栅极材料层，栅极材料层可以是铬或其他金属材质，对栅极材料层进行光刻工艺与蚀刻工艺，以形成第一栅极350a（参见说明书第7页最后1段）；利用第一栅极350a作为掩模部分蚀刻栅绝缘层440，以使第一栅极350a底下的栅绝缘层440的厚度大于其他部分的栅绝缘层440的厚度（参见说明书第10页第2段），所述栅绝缘层440覆盖所述多晶硅岛状物330a的上表面；进行第一离子植入工序S310（即第一源极/漏极432a离子注入工艺），以在位于暴露的栅绝缘层440下方临近第一栅极350a的位置处的第一多晶硅岛状物330a中形成第一源极/漏极432a；在形成覆盖源漏区的介电层370之后进行热工艺，其可以是快速加热退火工艺（RTA）。退火工艺对源漏区具有活化作用，能够降低栅绝缘层与多晶硅层接触界面上的漏电流，即对比文件1隐含公开了“形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流”。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：1）提供的基板是半导体衬底；2）所述栅绝缘层包括栅氧化层和氮化硅层，且所述栅氧化层覆盖所述多晶硅层的上表面，所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方，以降低源漏区离子注入工艺中所需的离子的剂量，部分刻蚀所述金属层至所述栅绝缘层中，以形成所述栅极线的步骤具体为：部分刻蚀所述金属层至所述栅氧化层的上表面，以形成所述栅极线。
基于上述区别技术特征可以确定该权利要求相对于对比文件1公开的内容实际解决的问题在于：适用于MOS器件的衬底选择，以及如何更容易地实现对栅绝缘层的部分刻蚀以提高离子注入效率。
对于区别技术特征1），以半导体材料作为半导体结构的衬底是本领域技术人员的常规选择，属于本领域的公知常识。
对于区别技术特征2），对比文件2公开了一种半导体结构的制备方法（参见第2页倒数第2段-第4页第6段，图1a-1d），其制备的半导体结构的栅绝缘层23包括由氧化硅层构成的第一栅极绝缘层23a和由氮化硅层构成的第二栅极绝缘层23b，且第一栅极绝缘层23a覆盖多晶硅半导体层15的上表面，第二栅极绝缘层23b位于栅极30下方，暴露出部分氧化硅层构成的第一栅极绝缘层23a，上述特征在对比文件2中的作用与所述区别技术特征2）在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，均是利用不同材料的蚀刻选择性不同来提高部分刻蚀栅绝缘层的效率。因此，对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中的技术启示。此外，对比文件1已经公开了（如图4F所示）栅绝缘层440中较厚的部分仅位于第一栅极350a的下方，因而当将对比文件2公开的栅绝缘层结构应用于对比文件1时，本领域技术人员容易想到在利用第一栅极作为掩模部分蚀刻栅绝缘层的步骤中，蚀刻第一栅极区域以外的氮化硅层至露出氧化硅层的上表面，氮化硅层仅位于第一栅极下方。同时，由于对应源漏区的栅绝缘层被部分蚀刻导致厚度减小，其客观上具有降低源漏区离子注入工艺中所需离子剂量的技术效果。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，因此该权利要求不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、关于权利要求2的创造性
权利要求2引用权利要求1。对比文件1还公开（参见说明书第8页第3段、第10页最后1段）：在第一实施例中，第一离子注入工序S210所植入的离子的掺杂浓度介于2E14-2E15ions/cm2，较佳的植入能量例如是30keV；第二实施例与第一实施例相比，由于栅绝缘层440的厚度较薄，第一离子植入工序S310（即第一源极/漏极432a离子注入工艺）的植入能量可以是介于5keV至100keV之间，较佳的植入能量为20keV。可见，对比文件1公开了合适的离子掺杂浓度和离子注入能量。权利要求2限定的离子注入能量和剂量是本领域技术人员在对比文件1公开的上述内容的基础上可依实际需要作出的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、关于权利要求3的创造性
权利要求3引用权利要求1。对比文件1进一步公开了（参见说明书第8页第3段）第一实施例中，采用硼离子进行第一离子注入工序S210，在此基础上，第二实施例采用与第一实施例相同的硼离子进行第一离子植入工序S310对本领域技术人员而言是很容易想到的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、关于权利要求4的创造性
权利要求4引用权利要求1。对比文件1进一步公开了（参见说明书第6页倒数第2段）制备第一多晶硅岛状物330a之前，还包括于基板310上表面形成缓冲层320的步骤。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、关于权利要求5的创造性
权利要求5请求保护一种半导体结构，采用如权利要求1-4中任一方法制备获得。对比文件1还公开了一种半导体结构，应用于薄膜晶体管的源漏区离子注入工艺中，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第6页倒数第2段、第8页第3段、第10页第2段-第11页第2段，图4A-4F）：半导体结构包括：基板310；第一多晶硅岛状物330a，设置于基板310之上，且第一多晶硅岛状物330a中形成有第一源极/漏极432a；栅绝缘层440，覆盖第一多晶硅岛状物330a的上表面；第一栅极350a，设置于栅绝缘层440之上；其中，位于第一栅极350a下方的栅绝缘层440的厚度大于暴露的栅绝缘层440的厚度。
除引用部分外，权利要求5与对比文件1的区别技术特征为：半导体结构应用于MOS器件的源漏区离子注入工艺中。然而，将对比文件1公开的应用于薄膜晶体管的源漏区离子注入工艺中的半导体结构应用于MOS器件的源漏区离子注入工艺中，对本领域技术人员而言是容易想到的。另外，参见上述对权利要求1-4的评述可知，权利要求1-4相对于对比文件1、2以及本领域的公知常识不具备创造性。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、关于权利要求6的创造性
权利要求6引用权利要求5。对比文件1进一步公开了（参见说明书第8页第3段、第10页最后1段）：在第一实施例中，第一离子注入工序S210所植入的离子的掺杂浓度介于2E14-2E15ions/cm2，较佳的植入能量例如是30keV；第二实施例与第一实施例相比，由于栅绝缘层440的厚度较薄，第一离子植入工序S310（即第一源极/漏极432a离子注入工艺）的植入能量可以是介于5keV至100keV之间，较佳的植入能量为20keV。可见，对比文件1公开了合适的离子掺杂浓度和离子注入能量。权利要求6限定的离子注入能量和剂量是本领域技术人员在对比文件1公开的内容的基础上可依实际需要作出的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、关于权利要求7的创造性
权利要求7引用权利要求5。对比文件1进一步公开了（参见说明书第8页第3段）：第一实施例中，采用硼离子进行第一离子注入工序S210，在此基础上，第二实施例采用与第一实施例相同的硼离子进行第一离子植入工序S310对本领域技术人员而言是很容易想到的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、关于权利要求8的创造性
权利要求8引用权利要求5。对比文件1进一步公开了（参见图4F）缓冲层320，设置于基板310和第一多晶硅岛状物330a之间以将基板310和第一多晶硅岛状物330a予以隔离。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人于2019年09月05日提交的意见陈述书中的意见，合议组认为：
（1）首先，权利要求1记载的技术特征“形成所述源漏区后进行活化工艺”，不等同“形成源漏区后随即进行活化工艺”，权利要求1的方法步骤为开放式撰写方式，只要现有技术披露了活化工艺在形成源漏区之后进行，则应当认为现有技术公开了该技术特征。正如对比文件1所公开的（参见说明书第9页第4段）：在形成浅掺杂漏极336b之后，在基板310上形成图案化介电层370，……在形成介电层之后，对于上述工艺所形成的结构体进行热工艺，其可以是快速加热退火工艺。即对比文件1公开了退火工艺在形成源漏区后进行，相当于公开了权利要求1的上述技术特征，该技术特征并不能作为权利要求1与对比文件1的区别技术特征。其次，复审请求人所认为的“权利要求1已经限定氮化硅层仅位于栅极线的下方，在源漏区后进行活化工艺时没有氮化硅层的阻挡”，进一步得出技术效果“从而使活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面”不能成立，如前所述，权利要求1的方法步骤为开放式撰写方式，权利要求1不能排除形成源漏区后，还具有其他工艺，例如在栅绝缘层上形成其他层，然后再进行活化。此时，即使氮化硅层仅位于栅极线的下方，由于其他层的存在阻挡了活化的氢的扩散，从而无法达到“使活化的氢更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面”这一效果。因此，由“所述氮化硅层仅位于所述栅极线的下方”并不能直接地、毫无疑义地得出权利要求1的活化工艺是使“活化的氢可更多的扩散至多晶硅层和栅极线界面”的活化工艺。对比文件1公开了对结构体进行快速加热退火工艺，本领域技术人员可以确定，对比文件1的热退火工艺虽然在形成介电层370之后，但该工艺仍旧能够对源漏区实现活化、降低栅绝缘层与多晶硅层接触界面上的漏电流。权利要求1的活化工艺无法与对比文件1的快速加热退火工艺相区分，因此对比文件1公开了“形成所述源漏区后进行活化工艺，以降低所述栅绝缘层与所述多晶硅层接触的界面上的漏电流”这一技术特征。虽然对比文件1的退火时机是在形成介电层370之后进行，但是在形成源漏区后即进行退火从而对源漏区进行活化也是本领域的常规选择。
（2）对比文件1的栅绝缘层虽然是单一材料，但其具有位于栅极下方的厚区以及位于源漏区上方的薄区，其目的是提高源漏区的离子注入效率，而对比文件2的栅绝缘层包括两种不同的材料，位于栅极下方的是两种材料的堆叠，位于高掺杂源漏区的仅是单层材料，亦能够提高高掺杂源漏区离子注入效率，本领域技术人员容易想到将对比文件2中栅绝缘层的两层材料应用到对比文件1中来提高源漏区离子注入效率。虽然对比文件2的氮化硅层23b与栅极30宽度并不相同，这是因为对比文件2以制作LD结构的薄膜晶体管为目的，LD薄膜晶体管包括高掺杂的源漏区和低掺杂的源漏区，因此在对比文件2中氮化硅层的宽度形成为比栅极的宽度宽，从而利用栅极区域之外的、同时包括氮化硅层和氧化硅层的栅绝缘层在多晶硅层中形成低浓度源漏掺杂区15b，在仅包括氧化硅层的栅绝缘层对应的多晶硅层区域形成高浓度源漏掺杂区15a。在无需形成低浓度掺杂区时，例如对比文件1中仅需形成单一掺杂浓度的源漏区的晶体管，本领域技术人员能够根据实际需要对氮化硅层的宽度进行适当的调整，使得氮化硅层与栅极等宽。
综上，本申请权利要求1-8相对于现有证据不具备创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月02日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
