发明创造名称：OLED显示器件及其制作方法
外观设计名称：
决定号：192826
决定日：2019-09-29
委内编号：1F283776
优先权日：
申请（专利）号：201610235382.5
申请日：2016-04-15
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：罗崇举
合议组组长：杨丽丽
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L27/32,H01L51/50,H01L51/56,H01L51/54
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征也没有被其它对比文件公开，该区别技术特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员在上述对比文件基础上结合本领域公知常识得到该权利要求的技术方案是非显而易见的，且由于包括该区别技术特征使得该权利要求的技术方案实现了有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610235382.5，发明名称为“OLED显示器件及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳市华星光电技术有限公司，申请日为2016年04月15日，公开日为2016年06月15日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2019年03月04日发出驳回决定，以权利要求1-8不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请，其具体理由为：（1）权利要求1和对比文件1（CN104183718A，公开日为2014年12月03日）相比区别在于：（i）电子传输层的材料是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物；（ii）有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50；（iii）基板边缘与盖板之间封装胶材。区别技术特征（i）是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2（CN104795505A，公开日为2015年07月22日）给出的技术启示容易得到的；区别技术特征（ii）属于本领域的惯用技术手段；区别技术特征（iii）属于本领域公知常识；因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）权利要求2-4的附加技术特征被对比文件1或对比文件2公开，在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也均不具备创造性。（3）权利要求5和对比文件1相比区别在于：（i）步骤2中提供有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物形成电子传输层；（ii）有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50；（iii）基板边缘与盖板之间涂布封装胶材进行封装。区别技术特征（i）是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2给出的技术启示容易得到的；区别技术特征（ii）属于本领域的惯用技术手段；区别技术特征（iii）属于本领域公知常识；因此权利要求5相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）权利要求6-8的附加技术特征被对比文件1或对比文件2公开，在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也均不具备创造性。
驳回决定所依据的审查文本为：申请人于2018年03月22日提交的权利要求第1-8项；于申请日2016年04月15日提交的说明书第0001-0072段、说明书附图图1-2、说明书摘要及摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种OLED显示器件，其特征在于，包括：基板(10)、形成于所述基板(10)上的阳极(20)、形成于所述阳极(20)上的空穴注入层(30)、形成于所述空穴注入层(30)上的空穴传输层(40)、形成于所述空穴传输层(40)上的发光层(50)、形成于所述发光层(50)上的空穴阻挡层(60)、形成于所述空穴阻挡层(60)上的电子传输层(70)、形成于所述电子传输层(70)上的电子注入层(80)、形成于所述电子注入层(80)上的阴极(90)、与所述基板(10)相对设置的覆盖所述基板(10)的盖板(100)、及设于所述基板(10)边缘与所述盖板(100)之间的封装胶材(110)；
所述电子传输层(70)的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物；
所述有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50。
2. 如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述有机电子传输材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。
3. 如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述机金属卤化物钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素中的一种或多种的组合。
4. 如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述电子传输层(70)的膜厚为10nm至100nm之间。
5. 一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上自下而上依次形成阳极(20)、空穴注入层(30)、空穴传输层(40)、发光层(50)、及空穴阻挡层(60)；
步骤2、提供有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，利用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物在所述空穴阻挡层(60)上形成电子传输层(70)；
步骤3、在所述电子传输层(70)上形成电子注入层(80)，在电子注入层(80)上形成阴极(90)；
步骤4、在所述基板(10)的边缘上涂布封装胶，形成一圈封装胶材(110)，提供盖板(100)，用所述盖板(100)覆盖所述基板(10)并通过封装胶材(110)与所述基板(10)贴合，所述盖板(100)与所述基板(10)相对设置；
所述有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50。
6. 如权利要求5所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述有机电子传输材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。
7. 如权利要求5所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述机金属卤化物钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素中的一种或多种的组合。
8. 如权利要求5所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2中采用湿法成膜工艺形成所述电子传输层(70)，膜厚为10nm至100nm之间。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年05月22日向国家知识产权局提出复审请求，同时修改了权利要求书，其中在独立权利要求1中补入技术特征“所述电子传输层（70）采用湿法成膜工艺制备”，在独立权利要求5中补入技术特征“所述步骤2中采用湿法成膜工艺形成所述电子传输层（70）”。复审请求人陈述意见认为：对比文件1中的电子传输层34不论在构成成分，还是构成成分的比例，亦或是制作的方法，均与本申请的电子传输层存在明显的差异。对比文件2中电子传输层5是由单一的有机无机杂化材料构成，不含有有机电子传输材料，其中更未公开有机无机杂化材料与其他材料的比例，也没有公开如何制作，其仅仅能够给出采用单一的有机无机杂化材料制作电子传输层的技术启示。因此权利要求1相比对比文件1和2具有突出的实质性特点。权利要求1的技术方案可以实现电子传输层的电子迁移率高，成膜难度低，成膜质量好，提升OLED显示器件稳定性，具有显著的进步。因此权利要求1具备创造性。
复审请求人于2019年05月22日提交的权利要求书为：
“1. 一种OLED显示器件，其特征在于，包括：基板(10)、形成于所述基板(10)上的阳极(20)、形成于所述阳极(20)上的空穴注入层(30)、形成于所述空穴注入层(30)上的空穴传输层(40)、形成于所述空穴传输层(40)上的发光层(50)、形成于所述发光层(50)上的空穴阻挡层(60)、形成于所述空穴阻挡层(60)上的电子传输层(70)、形成于所述电子传输层(70)上的电子注入层(80)、形成于所述电子注入层(80)上的阴极(90)、与所述基板(10)相对设置的覆盖所述基板(10)的盖板(100)、及设于所述基板(10)边缘与所述盖板(100)之间的封装胶材(110)；
所述电子传输层(70)的材料为有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物；
所述有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50；
所述电子传输层(70)采用湿法成膜工艺制备。
2. 如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述有机电子传输材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。
3. 如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述机金属卤化物钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素中的一种或多种的组合。
4. 如权利要求1所述的OLED显示器件，其特征在于，所述电子传输层(70)的膜厚为10nm至100nm之间。
5. 一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上自下而上依次形成阳极(20)、空穴注入层(30)、空穴传输层(40)、发光层(50)、及空穴阻挡层(60)；
步骤2、提供有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，利用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物在所述空穴阻挡层(60)上形成电子传输层(70)；
步骤3、在所述电子传输层(70)上形成电子注入层(80)，在电子注入层 (80)上形成阴极(90)；
步骤4、在所述基板(10)的边缘上涂布封装胶，形成一圈封装胶材(110)，提供盖板(100)，用所述盖板(100)覆盖所述基板(10)并通过封装胶材(110)与所述基板(10)贴合，所述盖板(100)与所述基板(10)相对设置；
所述有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物中，有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50；
所述步骤2中采用湿法成膜工艺形成所述电子传输层(70)。
6. 如权利要求5所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述有机电子传输材料为金属配合物材料、或咪唑类电子传输材料。
7. 如权利要求5所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述机金属卤化物钙钛矿材料的结构式为：CH3NH3PbA3，其中A为氯元素、溴元素、及碘元素中的一种或多种的组合。
8. 如权利要求5所述的OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述电子传输层(70)的膜厚为10nm至100nm之间。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年05月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：首先，复审请求人增加的有机材料层由湿法成膜工艺制备的技术特征是OLED技术领域的公知常识，参见工具书《学科发展报告（化学）2012-2013》（中国科学技术协会出版社 2014年04月30日），其中第149页教导了“湿法制备WOLED器件，可有效缩减制备工艺和降低生产成本”、“通过湿法制备可精确的薄膜中材料掺杂比例，有效提高材料的利用率”。其次，（1）对比文件1公开了电子传输层材料可以是有机电子材料混合物，其可掺杂其他材料；对比文件2公开了钙钛矿-有机无机杂化材料具有高电子迁移率特性，两者结合并利用湿法成膜工艺技术（便于精确调整材料混合掺杂比例、成本低）的公知技术可以得到本申请权利要求1、5的技术方案（具体参见驳回理由）；（2）湿法成膜公知技术具有成膜难度简单、成本低，易于提升成膜质量的特征；（3）对比文件2明确公开了钙钛矿-有机无机杂化材料是本领域的现有技术。因此坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组经过认真阅卷并合议，认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年05月22日提出复审请求时提交了权利要求书修改替换页，经审查，其修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人于2019年05月22日提交的权利要求第1-8项；于申请日2016年04月15日提交的说明书第0001-0072段、说明书附图图1-2、说明书摘要及摘要附图。
（二）具体审查意见
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征也没有被其它对比文件公开，该区别技术特征不属于本领域的公知常识，本领域技术人员在上述对比文件基础上结合本领域公知常识得到该权利要求的技术方案是非显而易见的，且由于包括该区别技术特征使得该权利要求的技术方案实现了有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审决定引用与驳回决定相同的对比文件，为：
对比文件1：公开号为CN104183718A，公开日为2014年12月03日；
对比文件2：公开号为CN104795505A，公开日为2015年07月22日。
1、关于权利要求1的创造性
权利要求1请求保护一种OLED显示器件。对比文件1公开了一种有机电致发光装置，并具体公开了（参见说明书第0005-0015段、第0022-0079段，附图1-3）：包括基板1、阳极层2、有机功能层3和阴极层4；有机功能层3包括依次层叠的空穴传输层31、发光层32、n掺杂阻挡层33（相当于空穴阻挡层）、电子传输层34与阴极层4层叠结合；空穴注入层层叠在阳极层2与空穴传输层31之间，电子注入层层叠在电子传输层34与阴极层4之间；电子传输层34材料可以是PBD、Bphen、TPBi等中至少一种，电子传输层34厚度为30～100nm；作为优选实施例，上述有机功能层3中的电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，掺杂剂优选为碱金属化合物，如碳酸锂(Li2CO3)，叠氮化锂(LiN3)，叠氮化铯(CsN3)，碳酸铯(Cs2CO3)等材料中的至少一种，也即该电子传输层34为n掺杂剂掺杂的电子传输层。在电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，能有效提高该电子传输层34对电子的传输性能；且封装工艺采用玻璃盖板封装。
由上述对比可知，权利要求1与对比文件1相比包含区别技术特征：（1）电子传输层的材料是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物；有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50；（2）电子传输层采用湿法成膜工艺制备；（3）基板边缘与盖板之间封装胶材。基于上述区别技术特征可以确定权利要求1实际解决的技术问题是：（1）提高电子传输层的电子迁移率并降低成膜难度；（2）如何制备电子传输层；（3）如何封装器件。
对比文件2公开了一种有机发光二极管，其中具体公开了（参见说明书第0018-0036段，图1）如下技术特征：包括下基板1，依次位于下基板1上的阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、阳极6、上基板7；其中电子传输层5和/或空穴传输层3为有机无机杂化层，即电子传输层5和空穴传输层3至少之一为有机无机杂化层；所述有机无机杂化层可以是钙钛矿-有机无机杂化层，即具有钙钛矿结构的有机无机杂化层；所述钙钛矿-有机无机杂化层可以是卤化铅甲胺层，如氯化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层、溴化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层等。
根据驳回决定、前置审查意见和复审请求书的相关意见可知，原实质审查部门和复审请求人的争议焦点主要在于：本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2得到电子传输层的材料是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物以及进而结合本领域常用技术手段得到二者的混合质量比是否是显而易见的。即，区别技术特征（1）在已有证据的基础上对本领域技术人员而言是否是显而易见的。
对此，合议组认为：
本申请针对现有技术中采用有机层的电子传输层电子迁移率低，采用有机金属卤化物钙钛矿材料电子迁移率高但制备高质量薄膜困难的技术问题；采用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物形成电子传输层的技术方案；达到了提高电子迁移率、降低成膜难度并提高成膜质量的技术效果。可见，本申请的发明构思主要在于对电子传输层材料的改进，采用了有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物作为电子传输层材料。
驳回决定引用的证据包括对比文件1和对比文件2，其中关于电子传输层材料的相关公开内容主要包括：
对比文件1中关于电子传输层材料公开的内容主要为（参见说明书第0039段）：“电子传输层34所选用的材料可以是PBD、Bphen、TPBi、BCP、TAZ中至少一种”、“电子传输层34材料还可以是本领域公知的其他电子传输材料”。
对比文件2中关于电子传输层材料公开的内容主要为（参见说明书第0021-0022、0028-0029段）：“电子传输层5和/或空穴传输层3为有机无机杂化层”、“所述有机无机杂化层可以为钙钛矿-有机无机杂化层”、“所述钙钛矿-有机无机杂化层可以为卤化铅甲胺层，如氯化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层、溴化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层”。
从上述内容可知，对比文件1中仅公开了电子传输层可以是上述有机电子传输材料的混合物，也可以是“本领域公知的其他电子传输材料”，但是对比文件1没有公开电子传输层可以是上述有机电子传输材料与本领域公知的其他电子传输材料的混合物。而对比文件2仅公开了一种可以认定为“本领域公知”的电子传输材料。基于上述对比文件1和对比文件2公开的内容，本领域技术人员得到电子传输层的材料是一种有机电子传输材料、多种有机电子传输材料、有机金属卤化物钙钛矿材料或者其他本领域公知的电子传输材料是显而易见的。但是，本领域技术人员在对比文件1和对比文件2公开的上述内容的基础上，得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的，需要付出创造性劳动。
此外，驳回决定引用的证据对比文件1中，关于电子传输层材料的相关内容还包括：
对比文件1公开了（参见说明书第0040-0041段）：“电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，也即是该电子传输层34为n掺杂剂掺杂的电子传输层。在电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，能有效提高该电子传输层34对电子的传输性能”、“上述实施例中的n掺杂剂优选为碱金属化合物，如碳酸锂，叠氮化锂，叠氮化铯，碳酸铯等材料中的至少一种”。
从上述内容可见，对比文件1仅公开了电子传输层中可以包括碳酸锂等n掺杂剂，仍没有公开电子传输层可以是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，本领域技术人员在对比文件1公开的上述内容基础上结合对比文件2得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的，需要付出创造性劳动。
综上，合议组认为：本领域技术人员在对比文件1和对比文件2的基础上得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的，在此前提下，本领域技术人员结合对比文件和本领域公知常识得到有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比也是非显而易见的。即，区别技术特征（1）在已有证据的基础上对本领域技术人员而言是非显而易见的。
同时，本领域中常用的电子传输层材料是有机电子传输材料，有机金属卤化物钙钛矿材料也属于本领域常用的电子传输层材料，但是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物不属于本领域技术人员熟知的电子传输层材料，即区别技术特征（1）不属于本领域的公知常识。
综上可见，权利要求1由于包括区别技术特征（1）使其相对于对比文件1、对比文件2具有突出的实质性特点。
对于区别技术特征（2）和（3）：湿法成膜工艺属于本领域技术人员熟知的OLED器件中常用的薄膜制备方法，在基板边缘和盖板之间进行封装以及采用胶材封装均属于OLED器件中常见工艺，因此电子传输层采用湿法成膜工艺制备以及基板边缘与盖板之间封装胶材、即区别技术特征（2）和（3）均属于本领域的公知常识。
基于区别技术特征（1），权利要求1的技术方案解决了现有技术中采用有机层的电子传输层电子迁移率低，采用有机金属卤化物钙钛矿材料电子迁移率高但制备高质量薄膜困难的技术问题，达到了提高电子迁移率、降低成膜难度并提高成膜质量的技术效果，具有显著的进步。
因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、关于权利要求2-4的创造性
从属权利要求2-4直接或间接引用独立权利要求1，鉴于权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性，则对其作进一步限定的从属权利要求2-4相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求5的创造性
权利要求5请求保护一种OLED显示器件的制作方法。对比文件1公开了一种有机电致发光装置的制作方法，并具体公开了（参见说明书第0005-0015段、第0022-0079段，附图1-3）：包括步骤：提供玻璃基板；阳极层的制备；有机功能层的制备：在阳极层外面表依次蒸镀P掺杂剂掺杂的空穴传输层、电子阻挡层、发光层、有机金属配合物阻挡层、n掺杂剂掺杂的有机金属配合物阻挡层（相当于空穴阻挡层）和电子传输层（相当于步骤1和步骤2）；有机功能层的制备：在真空系统中，在电子传输层上蒸镀形成阴极（相当于步骤3）；封装：在制作完电致发光装置后，需要对装置进行封装，封装工艺采用玻璃盖板封装（相当于步骤4）；其中，有机功能层3包括依次层叠的空穴传输层31、发光层32、n掺杂阻挡层33、电子传输层34与阴极层4层叠结合；空穴注入层层叠在阳极层2与空穴传输层31之间，电子注入层层叠在电子传输层34与阴极层4之间；电子传输层34材料可以是PBD、Bphen、TPBi等中至少一种，电子传输层34厚度为30～100nm；作为优选实施例，上述有机功能层3中的电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，掺杂剂优选为碱金属化合物，如碳酸锂(Li2CO3)，叠氮化锂(LiN3)，叠氮化铯(CsN3)，碳酸铯(Cs2CO3)等材料中的至少一种，也即该电子传输层34为n掺杂剂掺杂的电子传输层。在电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，能有效提高该电子传输层34对电子的传输性能；且封装工艺采用玻璃盖板封装。
由上述对比可知，权利要求5与对比文件1相比包含区别技术特征：（1）提供有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物形成电子传输层；有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比为1：0.5至1：50；（2）采用湿法成膜工艺形成电子传输层；（3）基板边缘与盖板之间涂布封装胶材进行封装。基于上述区别技术特征可以确定权利要求5实际解决的技术问题是：（1）提高电子传输层的电子迁移率并降低成膜难度；（2）如何制备电子传输层；（3）如何封装器件。
对比文件2公开了一种有机发光二极管，其中具体公开了（参见说明书第0018-0036段，图1）如下技术特征：包括下基板1，依次位于下基板1上的阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、阳极6、上基板7；其中电子传输层5和/或空穴传输层3为有机无机杂化层，即电子传输层5和空穴传输层3至少之一为有机无机杂化层；所述有机无机杂化层可以是钙钛矿-有机无机杂化层，即具有钙钛矿结构的有机无机杂化层；所述钙钛矿-有机无机杂化层可以是卤化铅甲胺层，如氯化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层、溴化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层等。
根据驳回决定、前置审查意见和复审请求书的相关意见可知，原实质审查部门和复审请求人的争议焦点主要在于：本领域技术人员在对比文件1的基础上结合对比文件2得到电子传输层的材料是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物以及进而结合本领域常用技术手段得到二者的混合质量比是否是显而易见的。即，区别技术特征（1）在已有证据的基础上对本领域技术人员而言是否是显而易见的。
对此，合议组认为：
本申请针对现有技术中采用有机层的电子传输层电子迁移率低，采用有机金属卤化物钙钛矿材料电子迁移率高但制备高质量薄膜困难的技术问题；采用有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物形成电子传输层的技术方案；达到了提高电子迁移率、降低成膜难度并提高成膜质量的技术效果。可见，本申请的发明构思主要在于对电子传输层材料的改进，采用了有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物作为电子传输层材料。
驳回决定引用的证据包括对比文件1和对比文件2，其中关于电子传输层材料的相关公开内容主要包括：
对比文件1中关于电子传输层材料公开的内容主要为（参见说明书第0039段）：“电子传输层34所选用的材料可以是PBD、Bphen、TPBi、BCP、TAZ中至少一种”、“电子传输层34材料还可以是本领域公知的其他电子传输材料”。
对比文件2中关于电子传输层材料公开的内容主要为（参见说明书第0021-0022、0028-0029段）：“电子传输层5和/或空穴传输层3为有机无机杂化层”、“所述有机无机杂化层可以为钙钛矿-有机无机杂化层”、“所述钙钛矿-有机无机杂化层可以为卤化铅甲胺层，如氯化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层、溴化铅甲胺（CH3NH3PbCl3）层”。
从上述内容可知，对比文件1中仅公开了电子传输层可以是上述有机电子传输材料的混合物，也可以是“本领域公知的其他电子传输材料”，但是对比文件1没有公开电子传输层可以是上述有机电子传输材料与本领域公知的其他电子传输材料的混合物。而对比文件2仅公开了一种可以认定为“本领域公知”的电子传输材料。基于上述对比文件1和对比文件2公开的内容，本领域技术人员得到电子传输层的材料是一种有机电子传输材料、多种有机电子传输材料、有机金属卤化物钙钛矿材料或者其他本领域公知的电子传输材料是显而易见的。但是，本领域技术人员在对比文件1和对比文件2公开的上述内容的基础上，得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的，需要付出创造性劳动。
此外，驳回决定引用的证据对比文件1中，关于电子传输层材料的相关内容还包括：
对比文件1公开了（参见说明书第0040-0041段）：“电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，也即是该电子传输层34为n掺杂剂掺杂的电子传输层。在电子传输层34中掺杂有n掺杂剂，能有效提高该电子传输层34对电子的传输性能”、“上述实施例中的n掺杂剂优选为碱金属化合物，如碳酸锂，叠氮化锂，叠氮化铯，碳酸铯等材料中的至少一种”。
从上述内容可见，对比文件1仅公开了电子传输层中可以包括碳酸锂等n掺杂剂，仍没有公开电子传输层可以是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物，本领域技术人员在对比文件1公开的上述内容基础上结合对比文件2得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的，需要付出创造性劳动。
综上，合议组认为：本领域技术人员在对比文件1和对比文件2的基础上得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的，在此前提下，本领域技术人员结合对比文件和本领域公知常识得到有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比也是非显而易见的。即，区别技术特征（1）在已有证据的基础上对本领域技术人员而言是非显而易见的。
同时，本领域中常用的电子传输层材料是有机电子传输材料，有机金属卤化物钙钛矿材料也属于本领域常用的电子传输层材料，但是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物不属于本领域技术人员熟知的电子传输层材料，即区别技术特征（1）不属于本领域的公知常识。
综上可见，权利要求5由于包括区别技术特征（1）使其相对于对比文件1、对比文件2具有突出的实质性特点。
对于区别技术特征（2）和（3）：湿法成膜工艺属于本领域技术人员熟知的OLED器件中常用的薄膜制备方法，在基板边缘和盖板之间进行封装以及采用胶材封装均属于OLED器件中常见工艺，因此采用湿法成膜工艺形成电子传输层以及在基板边缘与盖板之间涂布胶材进行封装、即区别技术特征（2）和（3）均属于本领域的公知常识。
基于区别技术特征（1），权利要求5的技术方案解决了现有技术中采用有机层的电子传输层电子迁移率低，采用有机金属卤化物钙钛矿材料电子迁移率高但制备高质量薄膜困难的技术问题，达到了提高电子迁移率、降低成膜难度并提高成膜质量的技术效果，具有显著的进步。
因此，权利要求5相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于权利要求6-8的创造性
从属权利要求6-8直接或间接引用独立权利要求5，鉴于权利要求5相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性，则对其作进一步限定的从属权利要求6-8相对于对比文件1、对比文件2和本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）、关于驳回决定和前置审查意见
对于驳回决定和前置审查意见中的相关意见，合议组意见如下：
对比文件1中公开了电子传输层可以是有机电子传输材料的混合物，也可以是“本领域公知的其他电子传输材料”，但是对比文件1没有公开电子传输层可以是上述有机电子传输材料与“本领域公知的其他电子传输材料”的混合物。尽管对比文件1还公开了电子传输层中可以包括碳酸锂等n掺杂剂，但是，其中仍没有公开电子传输层可以是有机电子传输材料与“本领域公知的其他电子传输材料”的混合物。而这一事实正是驳回决定中进行事实认定和技术启示认定的基础。因此，尽管对比文件2公开了电子传输层是有机金属卤化物钙钛矿材料，可以认定为“本领域公知”的电子传输材料。但是，基于上述对比文件1和对比文件2公开的内容，本领域技术人员得到电子传输层的材料是一种有机电子传输材料、多种有机电子传输材料、有机金属卤化物钙钛矿材料、其他本领域公知的电子传输材料或者包括n掺杂剂的上述材料是显而易见的，但是得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是非显而易见的。因此，对于驳回决定中关于本领域技术人员在对比文件1和对比文件2的基础上得到电子传输层是有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料的混合物是显而易见的、以及进而结合本领域公知常识得到有机电子传输材料与有机金属卤化物钙钛矿材料混合质量比是显而易见的相关认定，合议组认为不妥，不予支持。
综上，合议组认为权利要求1和5相对于已有证据和本领域公知常识的结合具备创造性。
本复审决定仅针对驳回决定和前置审查意见中指出的缺陷进行评述，至于本申请中是否还存在其他不符合专利法及实施细则的缺陷，留待实质审查部门继续审查。
基于上述理由，合议组依法作出以下复审请求审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年03月04日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2019年05月22日提交的权利要求第1-8项；
复审请求人于申请日2016年04月15日提交的说明书第0001-0072段、说明书附图图1-2、说明书摘要及摘要附图。
根据专利法第41条第2款的规定，如对本复审请求审查决定不服，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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