发明创造名称：用于磁位置测量系统的射线可透过的发射器
外观设计名称：
决定号：192410
决定日：2019-09-29
委内编号：1F258717
优先权日：2014-01-31
申请（专利）号：201510053382.9
申请日：2015-02-02
复审请求人：阿森松技术公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：孙茂宇
合议组组长：刘畅
参审员：孟宪超
国际分类号：A61B6/00;A61B19/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与一篇对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域公知常识，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510053382.9，名称为“用于磁位置测量系统的射线可透过的发射器”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为阿森松技术公司。本申请的申请日为2015年02月02日，优先权日为2014年01月31日，公布日为2015年12月23日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门审查员于2018年06月06日发出驳回决定，驳回了本发明专利申请，其理由是：权利要求1-25不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为申请日提交的说明书第1-61段、说明书附图、说明书摘要和摘要附图；于2017年09月19日提交的权利要求第1-25项。
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：US2010/0305427A1，公开日期为2010年12月02日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种在磁位置测量系统中使用的设备，所述设备包括：
发射器，所述发射器包括:
场生成元件，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的由单个导体形成的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中，在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中，当所述设备用于X射线成像系统时，所述场生成元件具有50％或更小的X射线衰减。
3. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器的X射线衰减在包括所述场生成元件、所述间隔和所述非场生成区域的所述发射器的整个表面是均匀的。
4. 根据权利要求1所述的设备，包括支承所述场生成元件的支承结构，其中，所述支承结构具有低X射线横截面，并且包括碳纤维、硼纤维、玻璃纤维或分子量为27或更低的其它材料。
5. 根据权利要求1所述的设备，包括导电涡电流屏蔽元件，其中，所述屏蔽元件包括分子量为27或更低的金属并且所述屏蔽元件至少部分地位于X射线路径中，并且其中，当所述设备用于X射线成像系统时，所述屏蔽元件具有50％或更小的X射线衰减。
6. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述填充材料包括具有与所述螺旋体相同的厚度的铝并且被层压至与所述螺旋体相同的基底基板，或者厚度被调节为使得所述填充材料的X射线吸收度与所述螺旋体的X射线吸收度相匹配的不同材料的基底基板。
7. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述填充材料包括与包含粉末状二氧化钛的材料混合的聚合物基质，其中所述材料的比例包括被调节为使得所述填充材料的X射线衰减与所述螺旋体的X射线衰减相匹配的所述粉末状二氧化钛。
8. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述填充材料包括布置成与 所述螺旋体邻近的负镜像螺旋体，使得在所述发射器的整个表面上所述填充材料的组合X射线衰减是均匀的。
9. 根据权利要求8所述的设备，其中，所述镜像螺旋体由导电或非导电基板支承。
10. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述螺旋体为聚合物基板上的铝螺旋线圈。
11. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像装备。
12. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被配置成柔性地变形成期望的形状。
13. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被操作为接收器以感测由磁发射器生成的磁场。
14. 根据权利要求1所述的设备，包括传感器和处理器，其中，所述发射器被操作成磁耦合至所述传感器，所述传感器利用由所述发射器生成的磁场的无线转播，所述发射器连接至所述处理器，所述处理器能够检测所述传感器的取向、输出位置和所述转播的特性。
15. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述螺旋体由方形铝线形成。
16. 一种形成发射器的方法，包括：
形成场生成元件，包括在片材或板材中形成单个导体的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
用非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度。
17. 根据权利要求16所述的方法，其中，对所述发射器进行定位，使得在对X射线成像装备进行操作和定位时，所关注的X射线成像区域处于所述发射器的均匀衰减边界内。
18. 根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述至少一个螺旋体包括将螺旋图案光化学地蚀刻到铝聚酯层压片上。
19. 根据权利要求16所述的方法，其中，所述填充材料是镜像螺旋 体形式的。
20. 根据权利要求19所述的方法，其中，所述镜像螺旋体是屏蔽元件、机械支承体或场生成螺旋体层的一部分。
21. 一种系统包括：
成像系统，包括：
被配置成支承患者的表面，以及
X射线图像增强器和X射线源，被配置成在第一位置和第二位置之间关于所述表面一起旋转，以及
磁跟踪系统，被配置成与所述成像系统相结合地使用，包括发射器组件，其中所述发射器组件包括发射器，所述发射器包括：
场生成元件，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的由单个导体形成的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度。
22. 根据权利要求21所述的系统，其中，所述场生成元件为线圈。
23. 根据权利要求21所述的系统，其中所述发射器组件包括支承结构和屏蔽件。
24. 根据权利要求23所述的系统，其中所述磁跟踪系统包括传感器和处理器。
25. 根据权利要求24所述的系统，其中，所述处理器被配置成：
磁耦合至所述传感器，所述传感器利用由所述发射器组件生成的磁场的无线转播；
接收来自所述发射器组件的信息；以及
检测所述传感器的取向、输出位置和所述转播的特性。”
申请人阿森松技术公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年08月17日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书。复审请求人认为：修改后的权利要求1-24符合专利法第22条第3款的规定。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种在磁位置测量系统中使用的设备，所述设备包括：
发射器，所述发射器包括:
场生成元件，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的由单个导体形成的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中，在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度；
其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像设备；并且
所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下。
2. 根据权利要求1所述的设备，其中，当所述设备用于X射线成像系统时，所述场生成元件具有50％或更小的X射线衰减。
3. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器的X射线衰减在包括所述场生成元件、所述间隔和所述非场生成区域的所述发射器的整个表面是均匀的。
4. 根据权利要求1所述的设备，包括支承所述场生成元件的支承结构，其中，所述支承结构具有低X射线横截面，并且包括碳纤维、硼纤维、玻璃纤维或分子量为27或更低的其它材料。
5. 根据权利要求1所述的设备，包括导电涡电流屏蔽元件，其中，所述屏蔽元件包括分子量为27或更低的金属并且所述屏蔽元件至少部分地位于X射线路径中，并且其中，当所述设备用于X射线成像系统时，所述屏蔽元件具有50％或更小的X射线衰减。
6. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述填充材料包括具有与所述螺旋体相同的厚度的铝并且被层压至与所述螺旋体相同的基底基板，或者厚度被调节为使得所述填充材料的X射线吸收度与所述螺旋体的X射线吸收度相匹配的不同材料的基底基板。
7. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述填充材料包括与包含粉末状二氧化钛的材料混合的聚合物基质，其中所述材料的比例包括被调节为 使得所述填充材料的X射线衰减与所述螺旋体的X射线衰减相匹配的所述粉末状二氧化钛。
8. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述填充材料包括布置成与所述螺旋体邻近的负镜像螺旋体，使得在所述发射器的整个表面上所述填充材料的组合X射线衰减是均匀的。
9. 根据权利要求8所述的设备，其中，所述镜像螺旋体由导电或非导电基板支承。
10. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述螺旋体为聚合物基板上的铝螺旋线圈。
11. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被配置成柔性地变形成期望的形状。
12. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述发射器被操作为接收器以感测由磁发射器生成的磁场。
13. 根据权利要求1所述的设备，包括传感器和处理器，其中，所述发射器被操作成磁耦合至所述传感器，所述传感器利用由所述发射器生成的磁场的无线转播，所述发射器连接至所述处理器，所述处理器能够检测所述传感器的取向、输出位置和所述转播的特性。
14. 根据权利要求1所述的设备，其中，所述螺旋体由方形铝线形成。
15. 一种形成发射器的方法，包括：
形成场生成元件，包括在片材或板材中形成单个导体的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
用非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度，
其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像设备；并且
所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下。
16. 根据权利要求15所述的方法，其中，对所述发射器进行定位，使得在对所述X射线成像装备进行操作和定位时，所关注的X射线成像区 域处于所述发射器的均匀衰减边界内。
17. 根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述至少一个螺旋体包括将螺旋图案光化学地蚀刻到铝聚酯层压片上。
18. 根据权利要求15所述的方法，其中，所述填充材料是镜像螺旋体形式的。
19. 根据权利要求18所述的方法，其中，所述镜像螺旋体是屏蔽元件、机械支承体或场生成螺旋体层的一部分。
20. 一种用于X射线成像系统的磁定位系统，包括：
成像系统，包括：
被配置成支承患者的表面，以及
X射线图像增强器和X射线源，被配置成在第一位置和第二位置之间关于所述表面一起旋转，以及
磁跟踪系统，被配置成与所述成像系统相结合地使用，包括发射器组件，其中所述发射器组件包括发射器，所述发射器包括：
场生成元件，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的由单个导体形成的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度；
其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像设备；并且
所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下。
21. 根据权利要求20所述的磁定位系统，其中，所述场生成元件为线圈。
22. 根据权利要求20所述的磁定位系统，其中所述发射器组件包括支承结构和屏蔽件。
23. 根据权利要求20所述的磁定位系统，其中所述磁跟踪系统包括传感器和处理器。
24. 根据权利要求23所述的磁定位系统，其中，所述处理器被配置成：
磁耦合至所述传感器，所述传感器利用由所述发射器组件生成的磁场的无线转播；
接收来自所述发射器组件的信息；以及
检测所述传感器的取向、输出位置和所述转播的特性。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年04 月01 日向复审请求人发出复审通知书，指出：修改后的权利要求1-24仍不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019 年05 月14 日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，所作修改主要为在独立权利要求1、15、20中加入了新的技术特征“所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充”。修改后的权利要求书共包括24项权利要求，其中独立权利要求1、15、20如下：
“1. 一种在磁位置测量系统中使用的设备，所述设备包括：
发射器，所述发射器包括:
场生成元件，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的由单个导体形成的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中，在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度；
其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像设备；
所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下；并且
所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充。
15. 一种形成发射器的方法，包括：
形成场生成元件，包括在片材或板材中形成单个导体的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
用非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度，
其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像设备；
所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下；并且
所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充。
20. 一种用于X射线成像系统的磁定位系统，包括：
成像系统，包括：
被配置成支承患者的表面，以及
X射线图像增强器和X射线源，被配置成在第一位置和第二位置之间关于所述表面一起旋转，以及
磁跟踪系统，被配置成与所述成像系统相结合地使用，包括发射器组件，其中所述发射器组件包括发射器，所述发射器包括：
场生成元件，所述场生成元件包括布置在片材或板材中的由单个导体形成的至少一个平面的、圆形的螺旋体，其中在所述至少一个螺旋体的匝之间形成的间隔包括具有与所述螺旋体的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料，以及
非场生成区域，所述非场生成区域围绕所述场生成元件，其中所述非场生成区域具有与所述螺旋体和所述填充材料的X射线吸收度相似的X射线吸收度；
其中，所述发射器被配置成在X射线成像过程期间附接至X射线成像设备；
所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下；并且
所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充。”
复审请求人认为：（1）设置导电岛状非场生成区域有利于避免形成涡电流，从而减小X射线的阴影，其不属于本领域公知常识；（2）对比文件1没有公开填充材料86由铝、镁等材料形成，而是公开了平面传感器阵列80可以包括环氧树脂或其他类似材料86；（3）从属权利要求14的附加技术特征并非本领域公知常识。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年05月14日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作修改符合相关规定，故本决定所针对的文本为：复审请求人于申请日提交的说明书摘要、说明书第1-61段、摘要附图、说明书附图；于2019年05月14日提交的权利要求第1-24项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求1请求保护一种在磁位置测量系统中使用的设备，对比文件1（参见说明书第27-28、44-45、47、56-58段，图1、3-5）公开了一种使用磁测量手段的医疗定位设备，与本申请技术领域相同，该设备具有平板感测器阵列24、80（相当于权利要求1的发射器，根据说明书记载可知，附图4、5虽然为两个实施例，但两者对感测器阵列的构造是可以相互替换的，且附图4、5的感测器阵列为附图1的感测器阵列24的具体结构），该平板感测器阵列80包括线圈62（相当于场生成元件），该线圈62包括布置在由导电螺旋体66和填充材料86形成的平面（相当于片材或板材）中的由单个导体形成的至少一个平面的、矩形螺旋体66，其中在导电螺旋体66的匝之间形成的间隔包括具有与螺旋体66的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料（参见对比文件1说明书第47、57段，导电螺旋体66和填充材料86均由铝、镁、碳纳米管、石墨烯等相同材料形成，故两者对于X射线的吸收度也必然相同或相似），平板感测器阵列80还包括各线圈62之间的开放区域84（相当于非场生成区域），该开放区域84围绕线圈62，开放区域84具有与导电螺旋体66和填充材料82的X射线吸收度相似的填充材料，从而减少X射线图像的伪影（参见说明书第58段）。感测器阵列24（相当于发射器24）被配置成在X射线成像过程期间附接至病床26（相当于X射线成像设备）。
权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）权利要求1的场生成元件为圆形的螺旋体，而对比文件1的线圈62为矩形螺旋体；（2）权利要求1还限定了所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下；（3）权利要求1还限定了所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充。
对于区别技术特征（1），其实际解决的技术问题是如何构造场生成元件。但是，使用圆形螺旋体作为场生成元件属于本领域技术人员的常用技术手段。
对于区别技术特征（2），其实际解决的技术问题是如何减少图像中的伪影。但是，本领域技术人员应当知道，当线圈的间隔小于X射线成像设备的分辨率时，该范围内的X射线投影数据会被平均化，从而减少间隔与线圈之间的投影差值，减少图像中的伪影。故区别技术特征（2）属于本领域公知常识。
对于区别技术特征（3），其实际解决的技术问题是如何减少非场生成区域的涡流。但是，本领域技术人员应当知道，当非场生成区域为导电材料时，其在磁场中会形成涡流，而将容易产生涡流的区域彼此分隔开以减少涡流是本领域技术人员的常用技术手段。例如：电器中广泛采用彼此绝缘的薄钢片叠压制成铁心以减少涡流。
因此，本领域技术人员在对比文件1的基础上结合本领域公知常识得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人认为：对比文件1没有公开填充材料86由铝、镁等材料形成，而是公开了平面传感器阵列80可以包括环氧树脂或其他类似材料86。
合议组认为：对比文件1说明书第0057段公开了填充材料86具有与导电螺旋体66相匹配的X射线密度，说明书第0047段公开了导电螺旋体66由铝、镁、碳纳米管、石墨烯等相同材料形成，故对比文件1隐含公开了填充材料86由铝、镁、碳纳米管、石墨烯等材料形成。故合议组对复审请求人的意见不予支持。
从属权利要求2-4对权利要求1做了进一步限定，对比文件1还公开了如下的技术特征（说明书第58段）：通过在非线圈的开放区域84填充导电性的、射线可穿透的材料82，在导电螺旋体66之间的区域88填充与螺旋体66具有相同x射线吸收率的环氧树脂或其它材料86，获得整个区域x射线可穿透性，并减少伪影。同时，令线圈62具有50%或更小的衰减是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。并且，由于材料86与螺旋体66的x射线吸收率相同，因此可知材料86与螺旋体66的X射线衰减相同，同时令填充材料82的开放区域84的衰减与线圈区域相同，也是所属领域技术人员为了减少伪影有能力做出的常规选择，为所属技术领域的公知常识。支承线圈62的基底74,76,64，所述基底74,76,64由FR-4 PCB或柔性聚酰亚胺PCB，所属技术领域公知，上述两种材料均对X射线透明，即具有低X射线截面。而采用碳纤维、硼纤维、玻璃纤维或分子量为27或更低的其它材料制作基底也是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求5对权利要求1做了进一步限定，其附加技术特征的作用为：减小耦合至邻近导电或铁磁扭曲对象的磁场。然而屏蔽容易被磁场扭曲的对象，例如在线圈阵列24下方设置屏蔽件以屏蔽探测器，是所属领域技术人员希望减少磁场的负面影响时很容易想到的，为所属技术领域的公知常识。并且尽量减少x射线衰减也是所属技术领域的公知常识。因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求6-8对权利要求1做了进一步限定，权利要求9对权利要求8做了进一步限定，它们的附加技术特征的作用为：使发射器整个表面的X射线衰减相同。然而对比文件1还公开了如下的技术特征：材料86具有与螺旋体66相同的x射线衰减率(x-ray density)，同时参见图5可知，材料86的厚度与螺旋体66相同，因此对x射线的衰减也与螺旋体66相同。同时，由图3可知，螺旋体66之间的区域88构成负镜像螺旋体，因此填充区域88的材料86也构成负镜像螺旋体。对比文件1公开的材料86为环氧树脂，而采用铝、或树脂混合二氧化钛等所属技术领域常常使用的射线可穿透性材料替代环氧树脂，是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。对比文件1还公开了：镜像螺旋体-材料86也由基底74,76支承(相当于导电或非导电基板)。因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求6-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性；在权利要求8不具备创造性的基础上，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10-14对权利要求1做了进一步限定，对比文件1还公开了如下的技术特征（说明书第27-29,47,58段）：所述螺旋体66为柔性聚酰亚胺PCB(相当于聚合物)基板上的铝螺旋线圈。所述发射器24被配置成柔性的，参见说明书第47段，基底64可以是柔性的，因此变形成期望的形状。包括传感器16,22和计算机30（相当于处理器），其中，所述发射器24被操作成磁耦合至所述传感器16,22，所述传感器16,22利用由所述发射器24生成的磁场的无线转播，所述发射器24连接至所述计算机30，所述计算机30能够检测所述传感器16,22的取向、输出位置。利用传感器探测器发射器发出磁场的强度分布（传播特性）等也是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。同时，利用发射器24被操作为接收器，以及利用方形铝线形成螺旋体都是所属领域技术人员有能力做出的常规选择，为所属技术领域的公知常识。因此，在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求10-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人认为：本申请说明书记载了方形线会由于其均匀的厚度而更均匀地吸收入射X射线，权利要求14的附加技术特征具有该技术效果，不属于本领域公知常识。
合议组认为：由上评述可知，对比文件1已经给出了使线圈和开放区域对X射线均匀化从而减少图像伪影的技术启示，本领域技术人员在此基础上容易想到使线圈自身对X射线均匀化的技术手段，例如使用方形铝线制作线圈，这不需要付出创造性劳动。另外，根据对比文件1附图4可见，导电螺旋体的横截面为矩形，本领域技术人员在此基础上容易想到将采用方形铝线形成线圈。故合议组对复审请求人的意见不予支持。
权利要求15请求保护一种形成发射器的方法，对比文件1（参见说明书第27-28、44-45、47、56-58段，图1、3-5）公开了形成磁测量系统的方法，与本申请技术领域相同，包括具有平板感测器阵列24、80（相当于权利要求1的发射器，根据说明书记载可知，附图4、5虽然为两个实施例，但两者对感测器阵列的构造是可以相互替换的，且附图4、5的感测器阵列为附图1的感测器阵列24的具体结构），形成线圈62（相当于场生成元件），该线圈62包括布置在由导电螺旋体66和填充材料86形成的平面（相当于片材或板材）中的由单个导体形成的至少一个平面的、矩形螺旋体66，其中在导电螺旋体66的匝之间形成的间隔包括具有与螺旋体66的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料（参见对比文件1说明书第47、56段，导电螺旋体66和填充材料86均由铝、镁、碳纳米管、石墨烯等相同材料形成，故两者对于X射线的吸收度也必然相同或相似），用开放区域84（相当于非场生成区域）围绕线圈62，开放区域84具有与导电螺旋体66和填充材料82的X射线吸收度相似的填充材料，从而减少X射线图像的伪影（参见说明书第58段）。感测器阵列24（相当于发射器24）被配置成在X射线成像过程期间附接至病床26（相当于X射线成像设备）。
权利要求15与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）权利要求1的场生成元件为圆形的螺旋体，而对比文件1的线圈62为矩形螺旋体；（2）权利要求1还限定了所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下；（3）权利要求1还限定了所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充。
上述区别技术特征（1）、（2）、（3）与评述权利要求1创造性时的区别技术特征完全相同，故基于评述权利要求1相同的理由，本领域技术人员在对比文件1的基础上结合本领域公知常识得到权利要求15的技术方案是显而易见的，权利要求15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求16-18对权利要求15做了进一步限定，权利要求19对权利要求18做了进一步限定，它们的附加技术特征的作用为：更好地形成或使用发射器。然而，令关注的X射线成像区域在发射器均匀衰减边界内是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。同时，对比文件1已经公开了利用蚀刻的方法形成螺旋体66，并且材料可以是铝，而具体选择在铝聚酯层压片上进行蚀刻则是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。同时，对比文件1也公开了以镜像螺旋体的形式在每个螺旋体66的间隔中填充材料86。而令镜像螺旋体为屏蔽元件或另外的场生成螺旋体层的一部分是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。因此，在权利要求15不具备创造性的基础上，权利要求16-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。在权利要求18不具备创造性的基础上，权利要求19不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求20请求保护一种用于X射线成像系统的磁定位系统，对比文件1（参见说明书第27-28、44-45、47、56-58段，图1、3-5）公开了一种X射线成像系统中的磁测量系统，与本申请技术领域相同，该成像系统包括被配置成支承患者的床26（相当于权利要求20的支承患者的表面），荧光成像装置20具有X射线图像增强器和X射线源（参考附图1），被配置成在第一位置和第二位置之间关于床26一起旋转，磁测量系统，被配置成与荧光成像装置20相结合使用，包括发射器组件，发射器组件包括平板感测器阵列24、80（相当于权利要求1的发射器，根据说明书记载可知，附图4、5虽然为两个实施例，但两者对感测器阵列的构造是可以相互替换的，且附图4、5的感测器阵列为附图1的感测器阵列24的具体结构），该平板感测器阵列80包括线圈62（相当于场生成元件），该线圈62包括布置在由导电螺旋体66和填充材料86形成的平面（相当于片材或板材）中的由单个导体形成的至少一个平面的、矩形螺旋体66，其中在导电螺旋体66的匝之间形成的间隔包括具有与螺旋体66的X射线吸收度相似的X射线吸收度的填充材料（参见对比文件1说明书第47、56段，导电螺旋体66和填充材料86均由铝、镁、碳纳米管、石墨烯等相同材料形成，故两者对于X射线的吸收度也必然相同或相似），平板感测器阵列80还包括各线圈62之间的开放区域84（相当于非场生成区域），该开放区域84围绕线圈62，开放区域84具有与导电螺旋体66和填充材料82的X射线吸收度相似的填充材料，从而减少X射线图像的伪影（参见说明书第58段）。感测器阵列24（相当于发射器24）被配置成在X射线成像过程期间附接至病床26（相当于X射线成像设备）。
权利要求20与对比文件1相比，区别技术特征为：（1）权利要求1的场生成元件为圆形的螺旋体，而对比文件1的线圈62为矩形螺旋体；（2）权利要求1还限定了所述间隔被设置成足够小以处于所述X射线成像设备的分辨率之下；（3）权利要求1还限定了所述非场生成区域被分为导电岛，并且所述导电岛之间的间隔用所述填充材料来填充。
上述区别技术特征（1）、（2）、（3）与评述权利要求1创造性时的区别技术特征完全相同，故基于评述权利要求1相同的理由，本领域技术人员在对比文件1的基础上结合本领域公知常识得到权利要求20的技术方案是显而易见的，权利要求20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求21-23对权利要求20做了进一步限定，权利要求24对权利要求23做了进一步限定，对比文件1还公开了如下的技术特征（说明书第27-28,44-45,47,56-58段, 图1,图4-5）：所述线圈62（相当于场生成元件）为线圈；还包括发射器组件，所述发射器组件包括基底64（相当于支承结构）、螺旋体66（相当于磁发射器）。而增加屏蔽件是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。还包括传感器16,22和计算机30（相当于处理器）；计算机30（相当于处理器）被配置成磁耦合至所述传感器16,22，所述传感器16,22利用由所述发射器24生成的磁场的无线转播，接收发射器24的信息以及检测所述传感器16,22的取向、输出位置。利用传感器探测器发射器发出磁场的强度分布（传播特性）等也是所属领域技术人员有能力做出的常规选择。因此，在权利要求20不具备创造性的基础上，权利要求21-23不具备专利法第22条第3款规定的创造性；在权利要求23不具备创造性的基础上，权利要求24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年06月06日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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