一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板-复审决定


发明创造名称:一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
外观设计名称:
决定号:191804
决定日:2019-09-29
委内编号:1F285686
优先权日:
申请(专利)号:201610643609.X
申请日:2016-08-08
复审请求人:京东方科技集团股份有限公司 合肥鑫晟光电科技有限公司
无效请求人:
授权公告日:
审定公告日:
专利权人:
主审员:杨子芳
合议组组长:吴海涛
参审员:窦明生
国际分类号:H01L27/12,H01L27/02,G02F1/1362
外观设计分类号:
法律依据:专利法第22条第3款
决定要点
:如果一项权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征,该区别技术特征既未被现有技术公开,也无法从现有技术中获得启示,同时该区别特征也不是本领域的公知常识,且该区别技术特征能够使得该权利要求的技术方案获得有益的技术效果,则该权利要求的技术方案相对于现有证据具备创造性。
全文:
本复审请求审查决定涉及申请号为201610643609.X,名称为“一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板”的发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司、合肥鑫晟光电科技有限公司,申请日为2016年08月08日,公开日为2016年12月07日。
经实质审查,国家知识产权局原审查部门于2019年02月20日发出驳回决定,驳回了本申请,其理由是:权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体地,(1)独立权利要求1与对比文件1(CN105185740A,公开日为2015年12月23日)相比,区别在于:在形成阵列基板的静电释放ESD环之前,在走线区域电连接栅金属层图形和源漏金属层图形;栅金属层图形和源漏金属层图形中至少有一个接地。上述区别技术特征部分是在对比文件1的基础上容易想到的,部分为本领域公知常识,因此独立权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性。(2)基于类似的理由,独立权利要求10、11、16相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也不具备创造性。(3)从属权利要求2-9、12-15的附加技术特征或被对比文件1公开,或为本领域的公知常识,因此当引用的权利要求不具备创造性时,从属权利要求2-9、12-15也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为:于申请日2016年08月08日提交的说明书第1-109段、说明书附图图1-3G、说明书摘要、摘要附图,于2018年10月30日提交的权利要求第1-16项。
驳回决定所针对的权利要求书如下:
“1. 一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域,其特征在于,包括:
在形成所述阵列基板的静电释放ESD环之前,在所述走线区域电连接所述阵列基板的栅金属层图形和所述阵列基板的源漏金属层图形;
所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述走线区域外边缘形成栅金属电极,所述栅金属电极接地;
将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接。
3. 根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述栅金属电极设置于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置。
4. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在形成所述阵列基板的ESD环之后,所述制作方法还包括:
断开走线区域所述阵列基板的栅金属层的图形和所述阵列基板的源漏金属层的图形之间的电连接。
5. 根据权利要求4所述的方法,其特征在于,形成所述阵列基板的源漏金属层的图形之前,所述制作方法包括:
提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成栅金属层的图形;
在所述栅金属层的图形上形成栅绝缘层和有源层;
对走线区域的所述栅绝缘层和所述有源层进行构图,形成贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔,所述过孔处暴露出走线区域的栅金属层的图形。
6. 根据权利要求5所述的方法,其特征在于,电连接所述阵列基板的栅金属层的图形和所述阵列基板的源漏金属层的图形包括:
在对走线区域的所述栅绝缘层和所述有源层进行刻蚀之后,形成源漏金属层的图形,所述源漏金属层的图形通过所述过孔与所述栅金属层的图形电连接。
7. 根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述对走线区域的所述栅绝缘层和所述有源层进行构图包括:
在有源层上涂覆光刻胶;
通过半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶未保留区域,所述光刻胶完全保留区域对应显示区域有源层的图形所在区域,所述光刻胶未保留区域对应所述过孔所在区域,所述光刻胶部分保留区域对应其他区域;
对光刻胶未保留区域的有源层和栅绝缘层进行刻蚀;
去除光刻胶部分保留区域的光刻胶;
对光刻胶部分保留区域的有源层进行刻蚀;
去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。
8. 根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述过孔处的源漏金属层的图形为电连接所述阵列基板的栅金属层的图形和所述阵列基板的源漏金属层的图形的导电连接线。
9. 根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述断开走线区域所述阵列基板的栅金属层的图形和所述阵列基板的源漏金属层的图形之间的电连接包括:
利用激光切断所述栅金属层的图形和所述阵列基板的源漏金属层的图形之间的电连接。
10. 一种阵列基板,其特征在于,采用如权利要求1-9中任一项所述的制作方法制作得到。
11. 一种阵列基板,其特征在于,包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域,还包括设置于所述显示区域和走线区域的栅金属层图形和源漏金属层图形;所述栅金属层图形和源漏金属层图形在所述走线区域电连接;
所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地。
12. 根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,在所述走线区域外边缘设置有栅金属电极,所述栅金属电极接地;
将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接。
13. 根据权利要求12所述的阵列基板,其特征在于,所述栅金属电极位于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置。
14. 根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括衬底基板,所述源漏金属层图形设置于所述栅金属层图形远离所述衬底基板的一侧;所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形之间设置有栅绝缘层和有源层;所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形通过贯穿所述栅绝缘层和所述有源层的过孔连接。
15. 根据权利要求14所述的阵列基板,其特征在于,所述过孔处的源漏金属层的图形为电连接所述阵列基板的栅金属层的图形和所述阵列基板的源漏金属层的图形的导电连接线。
16. 一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求10-15中任意一项所述的阵列基板。”
申请人(下称复审请求人)对上述驳回决定不服,于2019年06月06日向国家知识产权局提出了复审请求,提交了意见陈述书和修改的权利要求书全文替换页(包括权利要求第1-12项),其中将从属权利要求2和3的附加技术特征合并到独立权利要求1中,将从属权利要求12和13的附加技术特征合并到独立权利要求11中,形成新的独立权利要求9,并对权利要求编号及引用关系进行了适应性修改。复审请求人认为:(1)对比文件1公开的是在显示区域而不是走线区域实现不同导电图形之间的电连接,且为了避免静电释放现象的发生采用的是利用金属连接线连接栅极金属图形201和源极金属图形205,而不是将栅金属层图形和源漏金属层图形中至少有一个接地。(2)对比文件1没有指出栅极金属图形201和源极金属图形205电连接的过程是在形成ESD环之前实现的,在对比文件1已经给出在显示区域使栅极金属图形201和源极金属图形205电连接即可实现避免静电释放现象发生的情况下,本领域技术人员根本没有动机将对比文件1进行技术改良,以在ESD环形成之前使栅极金属图形201和源极金属图形205在走线区域与地连接,这不属于本领域的公知常识。(3)对比文件1没有给出需要防止摩擦不良的技术启示,更无法得到可通过将栅金属电极设置于走线区域并和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行这一技术手段来防止摩擦不良。复审请求人提出复审请求时新修改的独立权利要求1和9如下:
“1. 一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域,其特征在于,包括:
在形成所述阵列基板的静电释放ESD环之前,在所述走线区域电连接所述阵列基板的栅金属层图形和所述阵列基板的源漏金属层图形;
所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地;
所述方法还包括:
在所述走线区域外边缘形成栅金属电极,所述栅金属电极接地;
将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接;
所述栅金属电极设置于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置。”
“9. 一种阵列基板,其特征在于,包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域,还包括设置于所述显示区域和走线区域的栅金属层图形和源漏金属层图形;所述栅金属层图形和源漏金属层图形在所述走线区域电连接;
所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地;
在所述走线区域外边缘设置有栅金属电极,所述栅金属电极接地;
将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接;
所述栅金属电极位于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置。”
经形式审查合格,国家知识产权局于2019年06月12日依法受理了该复审请求,并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为:(1)为了防止完成工艺的器件中的ESD现象,设置静电释放ESD环为本领域技术手段,由于栅金属层和源漏金属层之间的电连接为工艺过程中,即在本领域技术人员在对比文件1公开的器件中设置ESD释放环的情况下,栅金属层和源漏金属层之间的电连接必然设置在形成静电释放ESD环之前。(2)在走线区域设置液晶盒测试CT电极为本领域惯用技术手段。在本领域技术人员设置新的电极线时,为了形成对称的、平衡的结构,以弱化新的布线对器件的影响,根据已有电极结构的位置、方向、密度进行合理布局,为本领域惯用技术手段。为了防止摩擦不良,将栅金属电极设置于和液晶盒测试CT电极平行为本领域技术人员容易想到的。 因而坚持原驳回决定。
随后,国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年08月05日向复审请求人发出复审通知书,指出:权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体地,(1)独立权利要求1与对比文件1相比,区别在于:①在形成阵列基板的静电释放ESD环之前,在走线区域电连接栅金属层图形和源漏金属层图形;②在走线区域外边缘形成栅金属电极,栅金属电极接地;将栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与栅金属电极连接,栅金属层图形和源漏金属层图形中至少有一个接地;栅金属电极设置于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置。区别技术特征①是在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识容易想到的,区别技术特征②部分为本领域的公知常识,部分是本领域技术人员容易想到的,因此独立权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性。(2)基于类似的理由,独立权利要求8、9、12相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也不具备创造性。(3)从属权利要求2-7、10、11的附加技术特征或被对比文件1公开,或是本领域技术人员容易想到的,或为本领域的公知常识,因此当引用的权利要求不具备创造性时,从属权利要求2-7、10、11也不具备创造性。
复审请求人于2019年09月19日提交了意见陈述书和修改的权利要求书全文替换页(包括权利要求第1-12项),其中在独立权利要求1和9中增加了技术特征“所述CT电极包括栅线CT检测电极和数据线CT检测电极,多个栅线CT检测电极沿着与栅线平行的方向排列,多个数据线CT检测电极沿着与数据线平行的方向排列,所述栅金属电极设置于多个栅线CT检测电极连线的延长线和多个数据线CT检测电极连线的延长线的交点处”。复审请求人认为:(1)对比文件1没有公开“在形成静电释放ESD环之前进行栅金属层和源漏金属层之间的电连接以解决工艺过程中的静电释放问题”,且“栅金属层和源漏金属层之间的电连接”与“设置静电释放ESD环”都可以实现静电释放,本领域技术人员仅在对比文件1的基础上,没有动机、也不可能将可以实现相同技术效果的两种完全不同的技术手段结合在同一技术方案中。(2)本申请权利要求1相较于包括对比文件1在内的现有技术的区别并不仅仅是与地连接,而是如何实现与地连接。(3)在对比文件1没有给出需要防止摩擦不良的技术启示的情况下,本领域技术人员仅在现有技术的教示之下,根本无法得到需要防止摩擦不良的技术启示,更无法得到可通过将栅金属电极设置于走线区域并和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行,所述CT电极包括栅线CT检测电极和数据线CT检测电极,多个栅线CT检测电极沿着与栅线平行的方向排列,多个数据线CT检测电极沿着与数据线平行的方向排列,所述栅金属电极设置于多个栅线CT检测电极连线的延长线和多个数据线CT检测电极连线的延长线的交点处等技术手段来防止摩擦不良。
复审请求人新提交的独立权利要求1和9如下:
“1. 一种阵列基板的制作方法,所述阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域,其特征在于,包括:
在形成所述阵列基板的静电释放ESD环之前,在所述走线区域电连接所述阵列基板的栅金属层图形和所述阵列基板的源漏金属层图形;
所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地;
所述方法还包括:
在所述走线区域外边缘形成栅金属电极,所述栅金属电极接地;
将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接;
所述栅金属电极设置于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置;
所述CT电极包括栅线CT检测电极和数据线CT检测电极,多个栅线CT检测电极沿着与栅线平行的方向排列,多个数据线CT检测电极沿着与数据线平行的方向排列,所述栅金属电极设置于多个栅线CT检测电极连线的延长线和多个数据线CT检测电极连线的延长线的交点处。”
“9. 一种阵列基板,其特征在于,包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域,还包括设置于所述显示区域和走线区域的栅金属层图形和源漏金属层图形;所述栅金属层图形和源漏金属层图形在所述走线区域电连接;
所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地;
在所述走线区域外边缘设置有栅金属电极,所述栅金属电极接地;
将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接;
所述栅金属电极位于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置;
所述CT电极包括栅线CT检测电极和数据线CT检测电极,多个栅线CT检测电极沿着与栅线平行的方向排列,多个数据线CT检测电极沿着与数据线平行的方向排列,所述栅金属电极设置于多个栅线CT检测电极连线的延长线和多个数据线CT检测电极连线的延长线的交点处。”
在上述程序的基础上,合议组认为本案事实已经清楚,可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年09月19日在答复复审通知书时提交了意见陈述书和修改后的权利要求书的全文替换页,包括权利要求第1-12项,经审查,其修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此,本复审请求审查决定所针对的文本为:于申请日2016年08月08日提交的说明书第1-109段、说明书附图图1-3G、说明书摘要、摘要附图,于2019年09月19日提交的权利要求第1-12项。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定:创造性,是指同申请日以前已有的技术相比,该发明有突出的实质性特点和显著的进步,该实用新型有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案相对于最接近的现有技术存在区别技术特征,该区别技术特征既未被现有技术公开,也无法从现有技术中获得启示,同时该区别特征也不是本领域的公知常识,且该区别技术特征能够使得该权利要求的技术方案获得有益的技术效果,则该权利要求的技术方案相对于现有证据具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件相同,即
对比文件1:CN105185740A,公开日为2015年12月23日。
对比文件1是最接近的现有技术。
(2-1 )权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种阵列基板的制作方法,对比文件1公开了一种阵列基板的制作方法,并具体公开了以下技术特征(参见说明书第[0092]-[0108]段,附图1、6a-7f):阵列基板的制作方法,包括电连接阵列基板的栅金属层图形201和阵列基板的源漏金属层图形205,防止两者之间发生ESD;本领域技术人员可以直接地毫无疑义地确定阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域。
权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比,区别在于:①在形成所述阵列基板的静电释放ESD环之前,在所述走线区域电连接所述阵列基板的栅金属层图形和所述阵列基板的源漏金属层图形;②在所述走线区域外边缘形成栅金属电极,所述栅金属电极接地;将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接,所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地;③所述栅金属电极设置于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置,所述CT电极包括栅线CT检测电极和数据线CT检测电极,多个栅线CT检测电极沿着与栅线平行的方向排列,多个数据线CT检测电极沿着与数据线平行的方向排列,所述栅金属电极设置于多个栅线CT检测电极连线的延长线和多个数据线CT检测电极连线的延长线的交点处。基于上述区别技术特征,可以确定权利要求1实际解决的技术问题是:如何在形成阵列基板的静电释放ESD环之前,在走线区域使电连接的栅金属层图形和源漏金属层图形接地,以释放静电;增大阵列基板的显示面积、降低对显示区域的影响;防止摩擦不良。
对于区别技术特征②,为了释放静电电荷,将积聚有静电电荷的区域接地是本领域的常用技术手段;为了降低对显示区域的影响,简化制作工艺,在走线区域外边缘形成栅金属电极、使栅金属电极接地、将栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与栅金属电极连接都是本领域技术人员为了进行静电释放所采用的常用技术手段。对于区别技术特征①和③,对比文件1公开了为了防止在器件形成工艺过程中栅金属层和源漏金属层之间发生ESD,电连接栅金属层和源漏金属层、后续断开二者的电连接,在此基础上,为了增大阵列基板的显示面积实现窄边框,同时降低上述工艺过程对显示区域的影响,将非显示功能的器件结构例如上述电连接布置在阵列基板的走线区域是本领域的常用技术手段。可见,对比文件1并未公开在设置静电释放ESD环之前电连接栅金属层图形和源漏金属层图形以及栅金属电极的具体设置。虽然设置静电释放ESD环和电连接栅金属层和源漏金属层都可以实现静电释放,但对比文件1没有给出在设置静电释放ESD环之前电连接栅金属层图形和源漏金属层图形的技术启示,此外对比文件1也没有给出需要防止摩擦不良的技术启示,也没有证据表明在设置静电释放ESD环之前电连接栅金属层图形和源漏金属层图形以及栅金属电极的具体设置属于本领域的公知常识。而正是由于上述区别技术特征①和③的存在,使得权利要求1的技术方案具有以下技术效果:能够在静电释放ESD环形成之前防止静电,避免阵列基板受到静电损伤,且操作简单,防止摩擦不良。
综上所述,权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第22条第3款规定的创造性。
(2-2)权利要求2-7具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具备创造性的前提下,其从属权利要求2-7相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第22条第3款规定的创造性。
(2-3)权利要求8具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8要求保护一种阵列基板,采用权利要求1-7中任一项所述的制作方法得到。对比文件1公开了一种阵列基板,权利要求1-7任一项所述的制作方法相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具备创造性,在此不再赘述。因此,权利要求8相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第22条第3款规定的创造性。
(2-4)权利要求9具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9要求保护一种阵列基板,对比文件1公开了一种阵列基板,并具体公开了以下技术特征(参见说明书第[0092]-[0108]段,附图1、6a-7f):阵列基板包括电连接阵列基板的栅金属层图形201和阵列基板的源漏金属层图形205,防止两者之间发生ESD;本领域技术人员可以直接地毫无疑义地确定阵列基板包括显示区域和位于显示区域周边的走线区域。
权利要求9所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比,其区别在于:①栅金属层图形和源漏金属层图形在走线区域电连接;②在所述走线区域外边缘形成栅金属电极,所述栅金属电极接地;将所述栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与所述栅金属电极连接,所述栅金属层图形和所述源漏金属层图形中至少有一个接地;③所述栅金属电极设置于和阵列基板原有的液晶盒测试CT电极平行位置,所述CT电极包括栅线CT检测电极和数据线CT检测电极,多个栅线CT检测电极沿着与栅线平行的方向排列,多个数据线CT检测电极沿着与数据线平行的方向排列,所述栅金属电极设置于多个栅线CT检测电极连线的延长线和多个数据线CT检测电极连线的延长线的交点处。基于上述区别技术特征,可以确定权利要求9实际解决的技术问题是:释放静电,增大阵列基板的显示面积、降低对显示区域的影响;防止摩擦不良。
对于区别技术特征①,对比文件1公开了为了防止在器件形成工艺过程中栅金属层和源漏金属层之间发生ESD,电连接栅金属层和源漏金属层、后续断开二者的电连接,在此基础上,为了增大阵列基板的显示面积实现窄边框,同时降低上述工艺过程对显示区域的影响,将非显示功能的器件结构例如上述电连接布置在阵列基板的走线区域是本领域的常用技术手段。对于区别技术特征②,为了释放静电电荷,将积聚有静电电荷的区域接地是本领域的常用技术手段;为了降低对显示区域的影响,简化制作工艺,在走线区域外边缘设置栅金属电极、使栅金属电极接地、将栅金属层图形和源漏金属层图形中的至少一种与栅金属电极连接都是本领域技术人员为了进行静电释放所采用的常用技术手段。对于区别技术特征③,对比文件1没有公开栅金属电极的具体设置,也没有给出需要防止摩擦不良的技术启示,并且没有证据表明栅金属电极的具体设置属于本领域的公知常识。而正是由于上述区别技术特征③的存在,使得权利要求9的技术方案具有以下技术效果:能够避免阵列基板受到静电损伤,且防止摩擦不良。
综上所述,权利要求9相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第22条第3款规定的创造性。
(2-5)权利要求10-11具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10引用权利要求9,权利要求11引用权利要求10。在权利要求9相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具备创造性的前提下,其从属权利要求10-11相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第22条第3款规定的创造性。
(2-6)权利要求12具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12要求保护一种显示面板,包括权利要求8-11中任一项所述的阵列基板。对比文件1公开了一种显示面板,权利要求8-11任一项所述的阵列基板相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具备创造性,在此不再赘述。因此,权利要求12相对于对比文件1和本领域公知常识的结合也具有突出的实质性特点和显著的进步,具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对驳回决定及前置审查意见的评述
合议组认为:虽然对比文件1中的栅金属层和源漏金属层之间的电连接是在工艺过程中进行的,设置静电释放ESD环和电连接栅金属层和源漏金属层都可以实现静电释放,但对比文件1没有公开在设置静电释放ESD环之前电连接栅金属层图形和源漏金属层图形,本领域技术人员根据对比文件1的内容也无法直接地、毫无疑义地确定栅金属层和源漏金属层之间的电连接必然设置在形成静电释放ESD环之前,并且对比文件1也没有给出在设置静电释放ESD环之前电连接栅金属层图形和源漏金属层图形的技术启示;此外,对比文件1没有公开栅金属电极的具体设置,对比文件1没有给出需要防止摩擦不良的技术启示,并且也没有证据表明栅金属电极的具体设置属于本领域的公知常识。正是由于这些区别技术特征的存在,使得本申请的权利要求能够在静电释放ESD环形成之前防止静电,避免阵列基板受到静电损伤,且操作简单,防止摩擦不良。
三、决定
撤销国家知识产权局于2019年02月20日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序:
复审请求人于2016年08月08日提交的说明书第1-109段、说明书附图图1-3G、说明书摘要、摘要附图,于2019年09月19日提交的权利要求第1-12项。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。


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