发明创造名称：具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法
外观设计名称：
决定号：194375
决定日：2019-09-27
委内编号：1F244981
优先权日：2011-07-28
申请（专利）号：201210433195.X
申请日：2012-07-27
复审请求人：桑德克斯有线有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：赵洁
合议组组长：唐晓君
参审员：徐治华
国际分类号：E21B47/00(2012.01);E21B49/00(2006.01)
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件中的一实施例相比存在区别技术特征，但该区别技术特征的一部分已被该对比文件中的其他实施例公开且给出了相关技术启示，在该技术启示下，本领域技术人员有动机根据实际需要对该对比文件的结构构造进行必要的合乎逻辑的改变，由此即可获得该权利要求所请求保护的技术方案，并且其技术效果可以预期，则该项权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201210433195.X，名称为“具有半导体中子检测池的中子孔隙度测量装置和方法”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为桑德克斯有线有限公司。本申请的申请日为2012年07月27日，优先权日为2011年07月28日，公开日为2013年03月13日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年10月30日以本申请权利要求1-15、18-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由作出驳回决定，驳回决定所依据的文本为：申请日2012年07月27日提交的说明书摘要、说明书第1-49段（第1-10页）、摘要附图、说明书附图图1-7（第1-7页）；2017年09月25日提交的权利要求第1-20项。驳回决定引用了如下对比文件：
对比文件1：US2004/0178337A1，公开日为2004年09月16日；
对比文件2：WO2004/040332A2，公开日为2004年05月13日；
对比文件3：EP0895097B1，公告日为2006年10月04日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种中子孔隙度测量装置（300、400），包括：
中子源（340），其配置成发射具有第一能量的中子；
分段的半导体检测器（330、200），其包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池（210、410、100），所述池在离所述中子源（340）的第一距离和第二距离之间以共面子集（R1-R8）来布置，并且所述共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池，
其中，所述中子检测池（210、410、100）中的一个或更多配置成独立于所述中子检测池中的一个或更多其它池来采集与检测的中子有关的数据。
2. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体中子检测池中的每个包括：
半导体衬底，其掺杂以形成pn结，并具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构；以及
电极，其中的一个电极与所述半导体衬底的所述第一表面相接触而其中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面相接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成当中子在所述半导体衬底之内被俘获时发生采集电信号；
其中，所述共面子集布置成围绕中心轴的多个行，所述多个行被可调节地编组为包括具有多个共面行的所述第一组检测池和具有多个共面行的所述第二组检测池，以通过对所述多个行的不同编组进行孔隙度测量。
3. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述微结构是所述中子反应材料的沟或柱。
4. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述中子反应材料包括10B或6Li。
5. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，从所述第一表面到所述半导体衬底之内的中子反应材料的所述微结构的厚度在50 μm到200 μm之间。
6. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体衬底是碳化硅。
7. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体中子检测池中的每个还包括：
电子器件，其配置成处理和计数接收自所述电极的所述电信号。
8. 如权利要求7所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体中子检测池和所述电子器件配置成在高达250 ?C的温度下操作。
9. 如权利要求7所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述电子器件配置成将电位差提供到相应的半导体中子检测池的所述电极。
10. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，还包括：
处理单元，其配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估所述装置外部的层组的孔隙度值。
11. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述处理单元基于第一半导体中子检测器池中检测的中子数量的第一总和与第二半导体中子检测器池中检测的中子数量的第二总和的至少一个比来评估所述孔隙度值，所述第二半导体中子检测器池比所述第一半导体中子检测器池离所述中子源更远地定位。
12. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述处理单元还配置成在离所述中子源的相同距离处、通过比较具有不同位置的池中检测的中子数量来对未从所述层组被反冲的所述池中检测的中子进行校正。
13. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，还包括：
存储器，其配置成存储接收自所述半导体中子检测池和所述处理单元的数据。
14. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述处理单元配置成将接收自所述中子检测池的数据传送到远程装置。
15. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，其中：
所述中子源和所述分段的半导体检测器沿着轴被布置；以及
所述半导体中子检测池在离所述中子源的不同距离的行集合中相对于所述轴被对称地布置，相同行中的池在离所述中子源的相同距离处。
16. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，还包括：
机壳，其封装所述中子源和所述分段的半导体检测器，
其中所述多个半导体中子检测池环绕中心轴以方位角和轴向分段的方式来布置。
17. 如权利要求16所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述机壳具有配置成接纳可移除中子化学源或永久中子发生器装置的腔。
18. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述中子孔隙度测量装置配置成当钻井时被使用以及具有穿过所述中子孔隙度测量装置中的泥浆通道，所述半导体中子检测池在邻接所述泥浆通道的内壁和外壁之间成圆形地布置。
19. 一种中子孔隙度测量工具（300、400），包括：
中子源（340），其配置成发射具有第一能量的中子；
分段的半导体检测器（330、200），其包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池（210、410、100），所述池在离所述中子源（340）的第一距离和第二距离之间以共面子集（R1-R8）来布置，并且所述共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池，以及所述中子检测池（210、410、100）中的一个或更多配置成独立于所述中子检测的池中的一个或更多其它池来采集与检测的中子有关的数据，所述池中的每个包括：
半导体衬底（120），其掺杂形成pn结，并具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构（110）；
电极（130、140），其中的一个电极与所述半导体衬底的所述第一表面相接触，而其中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面相接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成当中子在所述半导体衬底之内被俘获时发生采集电信号；以及
电子器件（150），其配置成处理和计数接收自所述电极的所述电信号；以及
处理单元（380），其连接到所述分段的半导体检测器以及配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估孔隙度值。
20. 一种制造中子孔隙度测量装置的方法（500），包括：
将中子源（340）和分段的半导体检测器（200、330）安装（S510）到机壳（350）之内，所述中子源（340）配置成发射具有第一能量的中子，所述分段的半导体检测器（200、330）包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池（210、410、100），所述池在离所述中子源（340）的第一距离和第二距离之间以共面子集（R1-R8）来布置，并且所述共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池；以及
将所述半导体中子检测池（210、410、100）连接（S520）到处理单元（380），所述处理单元（380）配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池（210、410、100）中检测的中子数量来评估孔隙度值，其中，所述池中的每个包括：
半导体衬底（120），其掺杂成形成pn结，并具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构；
电极（130、140），其中的一个电极与所述半导体衬底的所述第一表面相接触，以及其中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面相接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成当中子在所述半导体衬底之内被俘获时发生采集电信号；以及
电子器件（150），其配置成处理和计数接收自所述电极的所述电信号。”
驳回决定指出：独立权利要求1与对比文件1的区别是：共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池。但是，该区别为本领域的常规技术手段；由此可知，权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分被对比文件2公开，部分为本领域的常用技术手段；从属权利要求3-6的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求7、9、15的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求8、12、13、18的附加技术特征为本领域的常规技术手段；从属权利要求10的附加技术特征部分被对比文件3公开，部分为本领域的常用技术手段；从属权利要求11的附加技术特征被对比文件3公开；从属权利要求14的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分为本领域的常用技术手段；因此，从属权利要求2-15、18不具备专利法第22条第3款的创造性。独立权利要求19与对比文件1的区别是：（1）半导体衬底具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构；（2）处理单元，其连接到所述分段的半导体检测器以及配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估孔隙度值；（3）共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池。但是，上述区别（1）已经被对比文件2公开；区别（2）部分被对比文件3公开，部分为本领域常用的技术手段；区别（3）为本领域的常规技术手段；由此可知，权利要求19相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求20与对比文件1的区别是：（1）半导体衬底具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构；（2）将所述半导体中子检测池连接到处理单元，处理单元配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估孔隙度值；（3）共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池。但是，上述区别（1）已经被对比文件2公开；区别（2）部分被对比文件3公开，部分为本领域常用的技术手段；区别（3）为本领域的常规技术手段；由此可知，权利要求20相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对申请人的意见陈述，进一步指出：首先，对比文件1中已经公开了用于井孔的中子探测器，实际上也公开了一种导体中子探测器的中子孔隙度测量装置，并采用近端检测器702和多个远端检测器704以及曲线检测器704'-704''''用于检测，由此可见对比文件1已经给出了多角度多维度进行检测而不依赖单一检测器进行检测的启示，本领域技术人员会根据实际检测需要对检测器进行各种适宜的分组，并通过不同编组方式所测量的孔隙度优化获得其具有较显著更小的不确定性；其次，虽然对比文件1仅公开了具体数量的检测器，但是本领域技术人员均知晓更多检测器可以实现更多角度和维度的测量从而可以优化获得更小的不确定性但也会带来投入成本的增加，因而基于投入成本与精确性方面考虑，本领域技术人员会根据需要设置适宜数量的检测器而并非局限于对比文件1所给出的数量，因此本领域技术人员有动机使用更多共面行设置的检测器和不同分组形成远检测器和近检测器。驳回决定的其他说明部分还指出，权利要求16的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分为本领域的常用技术手段，权利要求17的附加技术特征被对比文件1公开，因此，权利要求16-17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年02月13日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了修改后的权利要求书，依据说明书的记载在独立权利要求1、19、20中增加了技术特征“其中，在所述中子源和所述分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料”，复审请求人认为：在中子源和分段的半导体检测器之间填充中子吸收器材料可以降低测量噪声；此外，对比文件1仅公开了使用多个近检测器和远检测器来增加检测表面面积，对比文件1未公开或教导将多个共面子集分为至少两个不同的组，对比文件1背离了本申请中多个半导体中子检测池的分组方法，其可以解决降低孔隙度值不确定性的技术问题。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年03月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）权利要求中新增加的特征已经被对比文件1公开；（2）对比文件1中已经公开了用于井孔的中子探测器，实际上也公开了一种导体中子探测器的中子孔隙度测量装置，并采用近端检测器702和多个远端检测器704以及曲线检测器704'-704''''用于检测，由此可见对比文件1已经给出了多角度多维度进行检测而不依赖单一检测器进行检测的启示，本领域技术人员会根据实际检测需要对检测器进行各种适宜的分组，并通过不同编组方式所测量的孔隙度优化获得其具有较显著更小的不确定性，且没有带来预料不到的技术效果，因此全部权利要求均不具备创造性。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月18日向复审请求人发出了复审通知书。该复审通知书中指出：独立权利要求1与对比文件1的区别是：（1）共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池；（2）在中子源和分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料。但是，上述区别技术特征部分被对比文件1公开，部分为本领域的常用技术手段；因此，权利要求1相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2的附加技术特征部分被对比文件1公开、部分被对比文件2公开，部分为本领域的常用技术手段；从属权利要求3-6的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求7、9、15、18的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求8的附加技术特征为本领域的常规技术手段；从属权利要求10-13的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分被对比文件3公开，部分为本领域的常用技术手段；从属权利要求14、16、17的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分为本领域的常用技术手段；因此，从属权利要求2-18不具备专利法第22条第3款的创造性。独立权利要求19与对比文件1的区别是：（1）共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池；（2）在中子源和分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料；（3）半导体衬底具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构。但是，上述区别（1）、（2）部分被对比文件1公开，部分为本领域的常用技术手段；区别（3）被对比文件2公开；因此，权利要求19相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。独立权利要求20与对比文件1的区别是：（1）共面子集包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池；（2）在中子源和分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料；（3）半导体衬底具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构。但是，上述区别（1）、（2）部分被对比文件1公开，部分为本领域的常用技术手段；区别（3）被对比文件2公开；因此，权利要求20相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：
对比文件1已经公开了填充中子吸收器材料以降低测量噪声的技术方案；此外，对比文件1中其他实施例已经给出了在轴向上设置多个检测器来提高孔隙度精度的教导；并且，对比文件3中也在轴向上设置了3组检测器以确定孔隙度，其能够实现相同的技术效果。故修改后的权利要求仍然不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年07月01日提交了意见陈述书和修改的权利要求书，依据说明书的记载修改了独立权利要求1、19、20，增加了技术特征“圆柱形表面”，并相应修改了从属权利要求2，修改后的权利要求书为：
“1. 一种中子孔隙度测量装置（300、400），包括：
中子源（340），其配置成发射具有第一能量的中子；
分段的半导体检测器（330、200），其包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池（210、410、100），所述池在离所述中子源（340）的第一距离和第二距离之间以共面子集（R1-R8）来布置，并且所述共面子集包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有所述圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池，
其中，所述中子检测池（210、410、100）中的一个或更多配置成独立于所述中子检测池中的一个或更多其它池来采集与检测的中子有关的数据，并且
其中，在所述中子源和所述分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料。
2. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体中子检测池中的每个包括：
半导体衬底，其掺杂以形成pn结，并具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构；以及
电极，其中的一个电极与所述半导体衬底的所述第一表面相接触而其中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面相接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成当中子在所述半导体衬底之内被俘获时发生采集电信号；
其中，所述共面子集布置成围绕中心轴的多个行，所述多个行被可调节地编组为包括具有所述第一多个共面行的所述第一组检测池和具有所述第二多个共面行的所述第二组检测池，以通过对所述多个行的不同编组进行孔隙度测量。
3. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述微结构是所述中子反应材料的沟或柱。
4. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述中子反应材料包括10B或6Li。
5. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，从所述第一表面到所述半导体衬底之内的中子反应材料的所述微结构的厚度在50 μm到200 μm之间。
6. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体衬底是碳化硅。
7. 如权利要求2所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体中子检测池中的每个还包括：
电子器件，其配置成处理和计数接收自所述电极的所述电信号。
8. 如权利要求7所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述半导体中子检测池和所述电子器件配置成在高达250 ?C的温度下操作。
9. 如权利要求7所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述电子器件配置成将电位差提供到相应的半导体中子检测池的所述电极。
10. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，还包括：
处理单元，其配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估所述装置外部的层组的孔隙度值。
11. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述处理单元基于第一半导体中子检测器池中检测的中子数量的第一总和与第二半导体中子检测器池中检测的中子数量的第二总和的至少一个比来评估所述孔隙度值，所述第二半导体中子检测器池比所述第一半导体中子检测器池离所述中子源更远地定位。
12. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述处理单元还配置成在离所述中子源的相同距离处、通过比较具有不同位置的池中检测的中子数量来对未从所述层组被反冲的所述池中检测的中子进行校正。
13. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，还包括：
存储器，其配置成存储接收自所述半导体中子检测池和所述处理单元的数据。
14. 如权利要求10所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述处理单元配置成将接收自所述中子检测池的数据传送到远程装置。
15. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，其中：
所述中子源和所述分段的半导体检测器沿着轴被布置；以及
所述半导体中子检测池在离所述中子源的不同距离的行集合中相对于所述轴被对称地布置，相同行中的池在离所述中子源的相同距离处。
16. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，还包括：
机壳，其封装所述中子源和所述分段的半导体检测器，
其中所述多个半导体中子检测池环绕中心轴以方位角和轴向分段的方式来布置。
17. 如权利要求16所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述机壳具有配置成接纳可移除中子化学源或永久中子发生器装置的腔。
18. 如权利要求1所述的中子孔隙度测量装置，其中，所述中子孔隙度测量装置配置成当钻井时被使用以及具有穿过所述中子孔隙度测量装置中的泥浆通道，所述半导体中子检测池在邻接所述泥浆通道的内壁和外壁之间成圆形地布置。
19. 一种中子孔隙度测量工具（300、400），包括：
中子源（340），其配置成发射具有第一能量的中子；
分段的半导体检测器（330、200），其包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池（210、410、100），所述池在离所述中子源（340）的第一距离和第二距离之间以共面子集（R1-R8）来布置，并且所述共面子集包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有所述圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池，以及所述中子检测池（210、410、100）中的一个或更多配置成独立于所述中子检测的池中的一个或更多其它池来采集与检测的中子有关的数据，其中在所述中子源和所述分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料，并且其中所述池中的每个包括：
半导体衬底（120），其掺杂形成pn结，并具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构（110）；
电极（130、140），其中的一个电极与所述半导体衬底的所述第一表面相接触，而其中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面相接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成当中子在所述半导体衬底之内被俘获时发生采集电信号；以及
电子器件（150），其配置成处理和计数接收自所述电极的所述电信号；以及
处理单元（380），其连接到所述分段的半导体检测器以及配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估孔隙度值。
20. 一种制造中子孔隙度测量装置的方法（500），包括：
将中子源（340）和分段的半导体检测器（200、330）安装（S510）到机壳（350）之内，所述中子源（340）配置成发射具有第一能量的中子，所述分段的半导体检测器（200、330）包括配置成检测具有比所述第一能量小的第二能量的中子的多个半导体中子检测池（210、410、100），所述池在离所述中子源（340）的第一距离和第二距离之间以共面子集（R1-R8）来布置，其中在所述机壳中在所述中子源和所述分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料，并且其中所述共面子集包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有所述圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池；以及
将所述半导体中子检测池（210、410、100）连接（S520）到处理单元（380），所述处理单元（380）配置成在对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在所述半导体中子检测器池（210、410、100）中检测的中子数量来评估孔隙度值，其中，所述池中的每个包括：
半导体衬底（120），其掺杂成形成pn结，并具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构；
电极（130、140），其中的一个电极与所述半导体衬底的所述第一表面相接触，以及其中的另一个电极与所述半导体衬底的第二表面相接触，所述第二表面与所述第一表面相对，所述电极配置成当中子在所述半导体衬底之内被俘获时发生采集电信号；以及
电子器件（150），其配置成处理和计数接收自所述电极的所述电信号。”
复审请求人认为：对比文件1图17A中两个传感器仅沿垂直方向堆叠在一起，17B中多个传感器以三维配置设置/堆叠；而本申请中多个中子检测池垂直地布置在圆柱形表面上，这种布置与对比文件1图17A或者17B中检测器布置结构显著不同；对比文件1教导本领域技术人员要将多个层叠的传感器仅沿垂直方向布置，或者是从三个三维轴线彼此相交的公共点/公共位置分别沿这三个三维轴线方向设置多个层叠的传感器，使得这些传感器不会彼此相交，因此，从对比文件1的教导出发，本领域技术人员没有动机将多个传感器沿垂直方向布置在圆柱形表面上；对比文件2、3也未公开上述技术特征。因此，修改后的权利要求1-20具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时对申请文件进行了修改，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审请求审查决定所针对的文本如下：申请日2012年07月27日提交的说明书摘要、说明书第1-49段（第1-10页）、摘要附图、说明书附图图1-7（第1-7页）；2019年07月01日提交的权利要求第1-20项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
具体到本案，权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.1、权利要求1请求保护一种中子孔隙度测量装置，对比文件1公开了一种用于井孔的中子探测器，为一种中子孔隙度测量装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第[0004]-[0013]，[0037]-[0073]段，图2，7-8，17）：包括化学或加速中子源706，其发射高能量中子（相当于第一能量的中子），中子穿过地层，分散开来并失去能量，再被检测器吸收；多个近端检测器702和远端检测器704设置在工具302中，检测器为半导体检测器（共同构成分段的半导体检测器），近端检测器702和远端检测器704检测热化的中子（相当于具有比第一能量小的第二能量的中子），其配置成具有4个在截面上分段的半导体检测器704'，704''，704'''，704''''，四个曲线检测器704'，704''，704'''，704''''设置于工具体的圆周上，每个检测器具有拱形的曲形横断面，以增加探测表面积，结合附图7及8B可以看出，这些半导体检测器具有圆柱形表面；检测器702和704在距离中子源706的第一距离和第二距离之间以共面子集来布置；各检测器之间彼此独立的采集与检测的中子有关的数据；图17A-17B示出堆叠状态或正交状态的半导体检测器，图1-16中任一实施例中的检测器均可以设置为多个检测器1700，以检测中子数量并测量中子能量；采用这样的堆叠以及多轴的设置方式，本申请可以用以测量需要的参数，例如，中子孔隙度，超热中子及热中子孔隙度，增强分辨率孔隙度（通过检测器之间的组合），以及方位角中子孔隙度。
权利要求1与对比文件1相比，区别在于：（1）共面子集包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有所述圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池；（2）在中子源和分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求相对于对比文件1实际解决的技术问题为：降低测量噪声，减小孔隙度值的不确定性。
对于区别（1），对比文件1第[0073]段公开的上述内容，即每个实施例中的检测器均可以替换为如图17A或17B所示出的检测器组合状态，并通过检测器之间的组合可以得到增强分辨率的孔隙度。在对比文件1公开的上述内容的教导下，本领域技术人员容易将对比文件1中每个近端检测器702及远端检测器704均替换为在轴向上堆叠的两个或多个检测器，同时保留检测器的圆柱形表面以增大检测表面积，也即，形成包括两个或多个具有圆柱形表面的共面行的第一组检测池和具有圆柱形表面的两个或多个共面行的第二组检测池，以测量需要的参数；并且，有动机通过检测器之间的组合得到增强分辨率孔隙度，也即，减小孔隙度值的不确定性。
对于区别（2），对比文件1（参见说明书第[0060]-[0061]段，图5-6）公开了：图6为图5中监测检测器502的横截面图，检测器502优选的缠绕有计数增强材料600，例如含硼塑料（相当于中子吸收器材料），来提高检测器502的超热计数效率；且上述技术特征在对比文件1该实施例中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是为了提高中子计数效率，降低测量噪声；也就是说，对比文件1的上述技术方案给出了设置中子吸收器材料以降低测量噪声的技术启示，在该启示下，本领域技术人员容易对最接近的现有技术进行改进，具体在在中子源和分段的半导体检测器之间填充中子吸收器材料以实现相应的技术效果，无需付出创造性的劳动。
因此，对于本领域技术人员而言，在对比文件1的基础上结合本领域的常规技术手段得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2对其引用的权利要求作了进一步限定，对比文件1还公开了：中子检测器包括传感元件202（相当于半导体衬底），传感元件202包括基底206和用于捕获中子的材料层208，在一个实施例中，传感元件使用标准化学蒸汽沉积技术制造以将材料层208沉积到基底206上，基底208优选的是硅基质，材料层206可优选的为碳化硼，碳化硼充当P-型材料并且硅基质充当N-型材料以形成一个半导体检测器（也即，半导体衬底掺杂以形成pn结），材料层208的表面形成检测器的检测表面210（相当于第一表面），电极212和电极214分别相对地设置在基底206（相当于第二表面）和检测表面210上，基底206与检测表面210相对，电极212及214被配制成获取材料层208捕获中子时发生的电信号；图17A-17B示出堆叠状态或正交状态的半导体检测器，图1-16中任一实施例中的检测器均可以设置为多个检测器1700，以检测中子数量并测量中子能量；采用这样的堆叠以及多轴的设置方式，本申请可以用以测量需要的参数，例如，中子孔隙度，超热中子及热中子孔隙度，增强分辨率孔隙度（通过检测器之间的组合），以及方位角中子孔隙度。在对比文件1公开了通过检测器之间的组合可以得到增强分辨率孔隙度的教导下，本领域技术人员容易将共面子集布置成围绕中心轴的多个行，多个行被可调节地编组为包括具有多个共面行的第一组检测池和具有多个共面行的第二组检测池，以通过对多个行的不同编组进行孔隙度测量，这样的设置方式为本领域技术人员为得到高的精确度而能采用的常规技术手段。
而特征“具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构”，“微结构是中子反应材料的沟或柱”已经被对比文件2公开，对比文件2公开了一种高效率中子探测器及探测方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第23页第7行至第21行，图7-9）：在半导体材料72的正面和背面蚀刻形成孔70（结合图7-8，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定所述孔从半导体材料的表面延伸），并在孔70中填充中子反应材料74。且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提高中子探测的效率，也就是说对比文件2给出了将该上述区别技术特征用于对比文件1的启示。
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、对于权利要求3-6的附加技术特征，对比文件2公开了：
（1）微结构是中子反应材料的沟或柱（参见说明书第23页第7-21行，第30页第16-28行，图7-9，19-20）；
（2）中子反应材料包括10B、6Li（参见说明书第20页第25行-第21页第12行）；
（3）半导体102内的中子反应材料具有深度112（相当于微结构的厚度），对于LiF填充的检测器，圆孔深度为300微米（参见说明书第30页第2-26行，图17）；而根据实际需要选择微结构的厚度在50-200微米之间为本领域技术人员能够做出的常规选择；
（4）半导体材料42可以是碳化硅（参见说明书第20页第9-24行，图4）；
因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、对于权利要求7、8的附加技术特征，对比文件1公开了（参见说明书第[0048]-[0049]段，图2）：电流脉冲可以被例如电流表218检测，电流脉冲优选的采用一个类似于数字转换器220的设备转化为数字信号，数字信号再优选地被处理器处理，以确定中子计算速度；偏压源204、电流表218、数字转化器220、处理器222等共同组成电子器件，其配置成处理和计数接收自电极的电信号。由于在进行中子孔隙度测量时，工作环境的温度比较高，因此在选择测量装置时选择耐高温的部件是本领域的常规技术手段，因而，将半导体中子检测池和电子器件配置成在高达250℃的温度下操作是本领域技术人员根据实际检测需要可进行的常规选择，没有产生预料不到的技术效果。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、对于权利要求9的附加技术特征，对比文件1公开了（参见说明书第[0011]、[0046]-[0053]段，图2）：由偏压源204、电流表218、数字转化器220、处理器222等共同组成电子器件配置成将电位差提供到检测器的电极212和214。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、对于权利要求10-13的附加技术特征，对比文件1公开了：测量电路218、220以及处理器222（相当于处理单元）连接到分段的半导体检测器，处理电流脉冲以确定由捕获到的中子得到的不同的参数，热中子数率（每秒的数量）可以确定出地层的孔隙率。对比文件3公开了一种用于测量钻径特征和地层特性的方法和器具，并具体公开了（参见说明书第[0002]、[0021]-[0025]段，图1）：在进行中子孔隙度测量时，通过近端中子探测器130的计数率N、阵列探测设备140和远端中子探测器150的计数率F，通过计数率N、计数率F以及计数率A（相当于中子数量）的比率N/F以及N/A指示孔隙度；通过近端中子探测器130的计数率N（相当于第一半导体中子检测器池中检测的中子数量）和远端中子探测器150的计数率F（相当于第二半导体中子检测器池中检测的中子数量），通过计数率N和计数率F的比率N/F指示孔隙度，远端中子探测器150比近端中子探测器130离所述中子源更远地定位；且其在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于评估孔隙度，也就是说对比文件3给出了将上述技术特征用于对比文件1的启示；而设置一定的时间间隔进行计数率的测量是本领域的常用技术手段，并且，在对比文件3的技术启示下，本领域技术人员容易想到设置处理装置并将其配置成基于对所有所述池相同的时间间隔期间、基于在半导体中子检测器池中检测的中子数量来评估所述装置外部的层组的孔隙度值；为了提高评估结果的准确性而将处理单元配置成在离所述中子源的相同距离处、通过比较具有不同位置的池中检测的中子数量来对未从所述层组被反冲的所述池中检测的中子进行校正是本领域中常用的技术手段；设置存储器对来自半导体中子检测池和处理单元的数据存储接收以提高数据处理效率是本领域中常用的技术手段，没有产生预料不到的技术效果。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、对于权利要求14的附加技术特征，对比文件1还公开了（参见说明书第[0039]段，图1）：在泥浆输送管132上设置转换器144，其相应于钻径泥浆的压力变化产生电信号，地面转换器146将电信号传送给地面控制器148；也即，对比文件1公开了设置地面控制器（相当于远程装置）在地面上接收井下探测工具传送的数据。而为了实现远程操控、提高检测效率，本领域技术人员容易想到将处理单元配置成将接收自所述中子检测池的数据传送到远程装置，没有产生预料不到的技术效果。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、对于权利要求15的附加技术特征，对比文件1还公开了（参见说明书第[0045]-[0072]段，图7-8）：中子发射源706设置于接近工具的中心轴，分段的半导体曲面检测器被布置在预期的轴向位置；分段的半导体曲面检测器，包括多个近端检测器702（相当于半导体中子检测池之一）和远端检测器704（相当于半导体中子检测池之一），被布置在预期的轴向位置，并相对于工具中心对称排列（相当于相对于所述轴被对称地布置），检测器还可以被配置为由四个曲线检测器704'，704''，704'''，704''''（分别相当于多个半导体中子检测池之一）设置于工具体的圆周上，四个检测器所在纵向位置距离中子源距离相同，每个检测器具有拱形的曲形横断面。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9、对于权利要求16、17的附加技术特征，对比文件1公开了（参见说明书[0037]-[0073]段，图10）：井下探测工具包括机壳1008、化学或加速中子源1002、近端中子检测器1004、远端中子检测器1006，机壳1008封装所述中子源1002、近端中子检测器1004和远端中子检测器1006，也即具有接纳可移除中子化学源或永久中子发生器装置的腔；图17A-17B示出堆叠状态或正交状态的半导体检测器，图1-16中任一实施例中的检测器均可以设置为多个检测器1700，以检测中子数量并测量中子能量；采用这样的堆叠以及多轴的设置方式，本发明可以用以测量需要的参数，例如，中子孔隙度，超热中子及热中子孔隙度，增强分辨率孔隙度（通过检测器之间的组合），以及方位角中子孔隙度。在对比文件1的教导下，本领域技术人员容易将多个半导体中子检测池环绕中心轴以方位角和轴向分段的方式来布置，且采用该常规技术手段没有带来预料不到的技术效果，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10、对于权利要求18的附加技术特征，对比文件1公开了（参见说明书[0037]-[0073]段，图3-17）：测量装置具有中心孔304，以允许钻径流体从工具中流过，也即，中子孔隙度测量装置配置成当钻井时被使用以及具有穿过中子孔隙度测量装置中的泥浆通道，从图8中可以看出，检测器在邻接泥浆通道的内壁和外壁之间成圆形地布置。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11、权利要求19请求保护一种中子孔隙度测量装置，对比文件1公开了一种用于井孔的中子探测器，为一种中子孔隙度测量装置，并具体公开了以下技术特征（参见对比文件1的说明书第[0004]-[0013]，[0037]-[0073]段，图2，7-8，17）：包括化学或加速中子源706，其发射高能量中子（相当于第一能量的中子），中子穿过地层，分散开来并失去能量，再被检测器吸收；多个近端检测器702和远端检测器704设置在工具302中，检测器为半导体检测器（共同构成分段的半导体检测器），近端检测器702和远端检测器704检测热化的中子（相当于具有比第一能量小的第二能量的中子），其配置成具有4个在截面上分段的半导体检测器704'，704''，704'''，704''''，四个曲线检测器704'，704''，704'''，704''''设置于工具体的圆周上，每个检测器具有拱形的曲形横断面，以增加探测表面积，结合附图7及8B可以看出，这些半导体检测器具有圆柱形表面；检测器702和704在距离中子源706的第一距离和第二距离之间以共面子集来布置；各检测器之间彼此独立的采集与检测的中子有关的数据；图17A-17B示出堆叠状态或正交状态的半导体检测器，图1-16中任一实施例中的检测器均可以设置为多个检测器1700，以检测中子数量并测量中子能量；采用这样的堆叠以及多轴的设置方式，本申请可以用以测量需要的参数，例如，中子孔隙度，超热中子及热中子孔隙度，增强分辨率孔隙度（通过检测器之间的组合），以及方位角中子孔隙度；
中子检测器包括传感元件202（相当于半导体衬底），传感元件202包括基底206和用于捕获中子的材料层208，在一个实施例中，传感元件使用标准化学蒸汽沉积技术制造以将材料层208沉积到基底206上，基底208优选的是硅基质，材料层206可优选的为碳化硼，碳化硼充当P-型材料并且硅基质充当N-型材料以形成一个半导体检测器（也即，半导体衬底掺杂以形成pn结），材料层208的表面形成检测器的检测表面210（相当于第一表面），电极212和电极214分别相对地设置在基底206（相当于第二表面）和检测表面210上，基底206与检测表面210相对，电极212及214被配制成获取材料层208捕获中子时发生的电信号；
电流脉冲可以被例如电流表218检测，电流脉冲优选的采用一个类似于数字转换器220的设备转化为数字信号，数字信号再优选地被处理器处理，以确定中子计算速度；偏压源204、电流表218、数字转化器220、处理器222等共同组成电子器件，其配置成处理和计数接收自电极的电信号；
测量电路218、220以及处理器222（相当于处理单元）连接到分段的半导体检测器，处理电流脉冲以确定由捕获到的中子得到的不同的参数，热中子数率（每秒的数量）可以确定出地层的孔隙率；也即处理单元连接到分段的半导体检测器以及配置成在对所有检测器相同的时间间隔内、基于在半导体中子检测器中检测的中子数量来评估孔隙度值。
权利要求19与对比文件1相比，区别在于：（1）共面子集包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有所述圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池；（2）在中子源和分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料；（3）半导体衬底具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求相对于对比文件1实际解决的技术问题为：降低测量噪声，减小孔隙度值的不确定性。
对于区别（1），对比文件1第[0073]段公开的上述内容，即每个实施例中的检测器均可以替换为如图17A或17B所示出的检测器组合状态，并通过检测器之间的组合可以得到增强分辨率的孔隙度。在对比文件1公开的上述内容的教导下，本领域技术人员容易将对比文件1中每个近端检测器702及远端检测器704均替换为在轴向上堆叠的两个或多个检测器，同时保留检测器的圆柱形表面以增大检测表面积，也即，形成包括两个或多个具有圆柱形表面的共面行的第一组检测池和具有圆柱形表面的两个或多个共面行的第二组检测池，以测量需要的参数；并且，有动机通过检测器之间的组合得到增强分辨率孔隙度，也即，减小孔隙度值的不确定性。
对于区别（2），对比文件1（参见说明书第[0060]-[0061]段，图5-6）公开了：图6为图5中监测检测器502的横截面图，检测器502优选的缠绕有计数增强材料600，例如含硼塑料（相当于中子吸收器材料），来提高检测器502的超热计数效率；且上述技术特征在对比文件1该实施例中所起的作用与其在本发明中所起的作用相同，都是为了提高中子计数效率，降低测量噪声；也就是说，对比文件1的上述技术方案给出了设置中子吸收器材料以降低测量噪声的技术启示，在该启示下，本领域技术人员容易对最接近的现有技术进行改进，具体在在中子源和分段的半导体检测器之间填充中子吸收器材料以实现相应的技术效果，无需付出创造性的劳动。
对于区别（3），对比文件2公开了一种高效率中子探测器及探测方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第23页第7行至第21行，图7-9）：在半导体材料72的正面和背面蚀刻形成孔70（结合图7-8，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定所述孔从半导体材料的表面延伸），并在孔70中填充中子反应材料74。且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提高中子探测的效率，也就是说对比文件2给出了将该上述区别技术特征用于对比文件1的启示。
因此，对于本领域技术人员而言，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到该权利要求的技术方案是显而易见的，权利要求19不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.12、权利要求20请求保护一种制造中子孔隙度测量装置的方法，对比文件1公开了一种用于井孔的中子探测器，并公开了一种制造中子孔隙度测量装置的方法，具体公开了（参见说明书第[0004]-[0013]，[0037]-[0073]段，图2-17）：利用机壳1008封装中子源1002、分段的半导体中子探测器；包括化学或加速中子源706，其发射高能量中子（相当于第一能量的中子），中子穿过地层，分散开来并失去能量，再被检测器吸收；多个近端检测器702和远端检测器704设置在工具302中，检测器为半导体检测器（共同构成分段的半导体检测器），近端检测器702和远端检测器704检测热化的中子（相当于具有比第一能量小的第二能量的中子），其配置成具有4个在截面上分段的半导体检测器704'，704''，704'''，704''''，四个曲线检测器704'，704''，704'''，704''''设置于工具体的圆周上，每个检测器具有拱形的曲形横断面，以增加探测表面积，结合附图7及8B可以看出，这些半导体检测器具有圆柱形表面；检测器702和704在距离中子源706的第一距离和第二距离之间以共面子集来布置；各检测器之间彼此独立的采集与检测的中子有关的数据；图17A-17B示出堆叠状态或正交状态的半导体检测器，图1-16中任一实施例中的检测器均可以设置为多个检测器1700，以检测中子数量并测量中子能量；采用这样的堆叠以及多轴的设置方式，本申请可以用以测量需要的参数，例如，中子孔隙度，超热中子及热中子孔隙度，增强分辨率孔隙度（通过检测器之间的组合），以及方位角中子孔隙度；
测量电路218、220以及处理器222（相当于处理单元）连接到分段的半导体检测器，处理电流脉冲以确定由捕获到的中子得到的不同的参数，热中子数率（每秒的数量）可以确定出地层的孔隙率；
中子检测器包括传感元件202（相当于半导体衬底），传感元件202包括基底206和用于捕获中子的材料层208，在一个实施例中，传感元件使用标准化学蒸汽沉积技术制造以将材料层208沉积到基底206上，基底208优选的是硅基质，材料层206可优选的为碳化硼，碳化硼充当P-型材料并且硅基质充当N-型材料以形成一个半导体检测器（也即，半导体衬底掺杂以形成pn结），材料层208的表面形成检测器的检测表面210（相当于第一表面），电极212和电极214分别相对地设置在基底206（相当于第二表面）和检测表面210上，基底206与检测表面210相对，电极212及214被配制成获取材料层208捕获中子时发生的电信号；
电流脉冲可以被例如电流表218检测，电流脉冲优选的采用一个类似于数字转换器220的设备转化为数字信号，数字信号再优选地被处理器处理，以确定中子计算速度；偏压源204、电流表218、数字转化器220、处理器222等共同组成电子器件，其配置成处理和计数接收自电极的电信号。
权利要求20与对比文件1相比，区别在于：（1）共面子集包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有所述圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池；（2）在中子源和分段的半导体检测器之间填充有中子吸收器材料；（3）半导体衬底具有形成从第一表面延伸到所述半导体衬底之内的中子反应材料的微结构。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求相对于对比文件1实际解决的技术问题为：降低测量噪声，减小孔隙度值的不确定性。
对于区别（1），对比文件1第[0073]段公开的上述内容，即每个实施例中的检测器均可以替换为如图17A或17B所示出的检测器组合状态，并通过检测器之间的组合可以得到增强分辨率的孔隙度。在对比文件1公开的上述内容的教导下，本领域技术人员容易将对比文件1中每个近端检测器702及远端检测器704均替换为在轴向上堆叠的两个或多个检测器，同时保留检测器的圆柱形表面以增大检测表面积，也即，形成包括两个或多个具有圆柱形表面的共面行的第一组检测池和具有圆柱形表面的两个或多个共面行的第二组检测池，以测量需要的参数；并且，有动机通过检测器之间的组合得到增强分辨率孔隙度，也即，减小孔隙度值的不确定性。
对于区别（2），对比文件1（参见说明书第[0060]-[0061]段，图5-6）公开了：图6为图5中监测检测器502的横截面图，检测器502优选的缠绕有计数增强材料600，例如含硼塑料（相当于中子吸收器材料），来提高检测器502的超热计数效率；且上述技术特征在对比文件1该实施例中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是为了提高中子计数效率，降低测量噪声；也就是说，对比文件1的上述技术方案给出了设置中子吸收器材料以降低测量噪声的技术启示，在该启示下，本领域技术人员容易对最接近的现有技术进行改进，具体在在中子源和分段的半导体检测器之间填充中子吸收器材料以实现相应的技术效果，无需付出创造性的劳动。
对于区别（3），对比文件2公开了一种高效率中子探测器及探测方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第23页第7行至第21行，图7-9）：在半导体材料72的正面和背面蚀刻形成孔70（结合图7-8，本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定所述孔从半导体材料的表面延伸），并在孔70中填充中子反应材料74。且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提高中子探测的效率，也就是说对比文件2给出了将该上述区别技术特征用于对比文件1的启示。
因此，对于本领域技术人员而言，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域的常规技术手段得到该权利要求的技术方案是显而易见的，权利要求20不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的意见，合议组认为：
对比文件1附图7-8中所示出的实施例中，中子检测器的结构布置在圆柱形表面上，并且，说明书中明确记载该设置方式是为了增加检测的表面积；对比文件1附图17所示的实施例中，仅给出了中子检测器垂直堆叠布置的具体方式，并未给出中子检测器形状的具体建议；也即，在附图17的实施例的启示下，为了在增加检测表面积的同时减小孔隙度值的不确定性，当本领域技术人员将附图17中中子检测器的垂直堆叠布置方式应用到附图7-8中时，并不会改变圆柱形表面的具体形状，而最终得到包括具有圆柱形表面的第一多个共面行的第一组检测池和具有圆柱形表面的第二多个共面行的第二组检测池的共面子集。
因此，复审请求人的意见不具有说服力，本申请的权利要求不具备创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年10月30日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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