发明创造名称：一种高效钙钛矿单晶光探测器及其制备方法
外观设计名称：
决定号：190958
决定日：2019-09-25
委内编号：1F269595
优先权日：
申请（专利）号：201610364976.6
申请日：2016-05-27
复审请求人：陕西师范大学
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：柴春英
合议组组长：骆素芳
参审员：李晓明
国际分类号：H01L51/42，H01L51/46，H01L51/48
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，部分上述区别技术特征不属于本领域的公知常识，同时该部分区别技术特征使得该权利要求所要求保护的技术方案获得了有益的技术效果，则该权利要求所要求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201610364976.6，名称为“一种高效钙钛矿单晶光探测器及其制备方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为陕西师范大学，申请日为2016年05月27日，公开日为2016年08月17日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月07日发出驳回决定，以权利要求1-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其中引用了对比文件1作为现有技术，即对比文件1：High-Performance Planar-Type Photodetector on (100) Facet of MAPbI3 Single Crystal, Lian Zhipeng, et al, Scientific Reports, VOL.5，2015年11月13日。驳回决定的主要理由是：权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征是：（1）ABX3钙钛矿结构的单晶体，其中A为H2N-CH＝NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br；（2）叉指电极的指宽为10nm～1cm、指长为10nm～10cm，光敏面积为200nm2～400cm2。其中，区别技术特征（1）属于本领域的公知常识；区别技术特征（2）是本领域技术人员可以根据需要进行选择；因此权利要求1相对于对比文件1和本领域的公知常识的结合不具备创造性。权利要求2的附加技术特征部分被对比文件1公开，其余部分是本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，因而不具备创造性。权利要求3相对于对比文件1进一步的区别技术特征“钙钛矿单晶的清洗、抛光及干燥工艺：将培养好的钙钛矿单晶用有机溶剂浸泡处理，以清洗除去单晶表面在培养过程中残留的杂质；有机溶剂为无水乙醚，氯苯，环己烷，异丙醇，二氯甲烷，乙酸乙酯或石油醚；将表面经过清洗的钙钛矿单晶表面进行抛光，将抛光后的单晶采用气体吹洗或有机溶剂中超声清洗清除单晶表面的粉末等细小颗粒；随后，将钙钛矿单晶置于真空干燥箱中干燥，干燥温度为10℃-200℃”属于本领域的常规技术手段，因此权利要求3相对于对比文件1和本领域的公知常识的结合不具备创造性。权利要求4的附加技术特征属于本领域的常规技术手段，因此不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2016年05月27日提交的说明书摘要、说明书第1-254段、摘要附图、说明书附图图1-3，2018年07月13日提交的权利要求第1-4项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：包括钙钛矿单晶及在钙钛矿单晶上设有的叉指电极；
所述的钙钛矿单晶为具有ABX3钙钛矿结构的单晶体，其中A为H2N-CH＝NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br；
所述的叉指电极的厚度为1nm～1cm，指宽为10nm～1cm，间距为10nm～1cm，指长为10nm～10cm，光敏面积为200nm2～400cm2。
2. 如权利要求1所述的一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：所述的叉指电极是金属或含金属合金电极，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铁(Fe)、铂(Pt)、锡(Sn)、铅(Pb)、镓(Ga)、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金等；叉指电极是导电非金属如石墨等；叉指电极是导电非金属化合物电极，包括卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物等；叉指电极是导电化合物电极，包括氧族化和物如氧化物、硫化物、硒化物等；叉指电极是导电化合物电极，包括卤素组化合物如氯化物、溴化物、碘化物、氟化物等；叉指电极是透明或半透明导电化合物，如透明导电氧化物等。
3. 一种根据权利要求1或2所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将培养好的钙钛矿单晶用有机溶剂浸泡处理，以清洗除去单晶表面在培养过程中残留的杂质；所用机溶剂为氯苯，环己烷，二氯甲烷，乙酸乙酯或石油醚；
2)将表面经过清洗的钙钛矿单晶表面进行抛光，将抛光后的单晶采用气体吹洗或有机溶剂中超声清洗清除单晶表面的粉末等细小颗粒；
3)随后，将钙钛矿单晶置于真空干燥箱中干燥，干燥温度为10℃－200℃；
4)将带有叉指图形的掩膜板固定在钙钛矿单晶一面上；
5)在固定了掩膜板的钙钛矿单晶一面上沉积得到叉指电极，即得到单晶光探测器。
4. 根据权利要求3所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于：步骤5)中通过热蒸发，光刻胶技术，磁控溅射，喷涂，印刷或脉冲沉积在钙钛矿单晶上沉积得到叉指电极。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月24日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书（包括权利要求第1-2项）。复审请求人认为：（1）本申请是基于ABX3钙钛矿单晶结构的单晶探测器，其种类包含不同链长和不同离子半径的A位离子。对于A位离子，离子链长或半径不同，得到的单晶的光学带隙不同，利用该单晶制备的探测器的光响应范围不同。首先，对于B位金属离子，传统的Pb毒性大，污染环境，而非铅的Ge和Sn则避免了这一问题。对于X位的卤素离子，本申请公开了Cl和Br，使用Br时，单晶为橘红色，适用于可见光；使用Cl时，单晶为透明的，适用于紫外光。（2）本申请基于钙钛矿单晶，在单晶的任何位置都可以制备探测器；而对比文件1中公开的是在单晶（100）晶面上制备探测器。本申请可以根据需要将单晶切割成任何形状，并制备满足要求的探测器，对比文件1只能应用（100）晶面，在单晶的生长过程中，暴露的晶面以及晶面大小是不可控的，对比文件1中MAPbI3单晶的（100）面的探测器只有在暴露了（100）晶面的单晶上才能实现。本申请中单晶尺寸大，并相应的获得了可以做成集成化探测器等优点。（3）本申请的电极材料与对比文件1的金电极材料不同。使用不同的单晶制备探测器时需要选择不同的电极材料。而对比文件1公开的金电极材料只适用于MAPbI3，金的成本高。不同的电极材料具有不同的特性，能满足不同需求的应用。（4）权利要求1与对比文件1的结构不同。因为，首先两侧的切割面不同、探测器结构不同。再者，本申请对单晶表面的抛光不属于常规技术选择，因为直接生长出来的单晶表面光滑，若不经过切割，则不需要抛光；但是由于表面光滑，对光的反射较大，本申请抛光的目的使光滑度降低，减少反射。（5）本申请仅仅是对本申请所涉及的钙钛矿单晶，针对钙钛矿单晶光探测器的制备相关发明的保护，并没有申请在整个半导体相关领域或相关技术手段的保护。
复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：包括钙钛矿单晶及在钙钛矿单晶上设有的叉指电极；
所述的钙钛矿单晶为具有ABX3钙钛矿结构的单晶体，其中A为H2N-CH＝NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br；
所述的叉指电极的厚度为10μm～1cm，指宽为10nm～1cm，间距为10nm～10μm，指长为10nm～10cm，光敏面积为200nm2～400cm2；
所述的叉指电极是金属或含金属合金电极，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铁(Fe)、铂(Pt)、锡(Sn)、铅(Pb)、镓(Ga)、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金等；叉指电极是导电非金属如石墨等；叉指电极是导电非金属化合物电极，包括卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物等；叉指电极是导电化合物电极，包括氧族化和物如氧化物、硫化物、硒化物等；叉指电极是导电化合物电极，包括卤素组化合物如氯化物、溴化物、碘化物、氟化物等；叉指电极是透明或半透明导电化合物，如透明导电氧化物等。
2. 一种根据权利要求1所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将培养好的钙钛矿单晶用有机溶剂浸泡处理，以清洗除去单晶表面在培养过程中残留的杂质；所用机溶剂为氯苯，环己烷，二氯甲烷，乙酸乙酯或石油醚；
2)将表面经过清洗的钙钛矿单晶表面进行抛光，将抛光后的单晶采用气体吹洗或有机溶剂中超声清洗清除单晶表面的粉末等细小颗粒；
3)随后，将钙钛矿单晶置于真空干燥箱中干燥，干燥温度为10℃－200℃；
4)将带有叉指图形的掩膜板固定在钙钛矿单晶一面上；
5)在固定了掩膜板的钙钛矿单晶一面上通过热蒸发，光刻胶技术，磁控溅射，喷涂，印刷或脉冲沉积得到叉指电极，即得到单晶光探测器。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，第一，对于ABX3钙钛矿结构，其中A为H2N-CH＝NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br；这是本领域的常规选择。第二，本申请并未记载钙钛矿单晶的尺寸，在为了获得大尺寸单晶的前提下，本领域技术人员利用切割法可进一步获得目标尺寸及目标晶面取向的单晶探测器，这是容易实现的。第三，本申请中并未记载钙钛矿单晶的尺寸、晶面，也未记载探测器是平面型或竖直型探测器，所以对该内容不予考虑。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月22日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-2不具备专利法第22条第3款规定的创造性，主要理由是：权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征为：（1）ABX3钙钛矿结构的单晶体中A为H2N-CH＝NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br；（2）叉指电极的厚度为10μm～1cm、指宽为10nm～1cm、间距为10nm～10μm、指长为10nm～10cm，光敏面积为200nm2～400cm2；（3）叉指电极是金属或含金属合金电极，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、纳(Na)、钼(Mo)、钨(W)、锌(Zn)、镍(Ni)、钛(Ti)、铁(Fe)、铂(Pt)、锡(Sn)、铅(Pb)、镓(Ga)、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金等；叉指电极是导电非金属如石墨等；叉指电极是导电非金属化合物电极，包括卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物等；叉指电极是导电化合物电极，包括氧族化合物如氧化物、硫化物、硒化物等；叉指电极是导电化合物电极，包括卤素组化合物如氯化物、溴化物、碘化物、氟化物等；叉指电极是透明或半透明导电化合物，如透明导电氧化物等。其中，区别技术特征（1）和（3）属于本领域的惯用技术手段；区别技术特征（2）是本领域技术人员基于本领域的常规需求可以进行选择的；因此权利要求1不具备创造性。权利要求2相对于对比文件1进一步的区别技术特征“步骤1）-3）；叉指状电极的形成方法具体为热蒸发，光刻胶技术，磁控溅射，喷涂，印刷或脉冲沉积”属于本领域的惯用技术手段，因此权利要求2不具备创造性。对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）MAPbI3中的MA相当于本申请中ABX3中的“A”,二者均属于钙钛矿单晶结构。ABX3中A为H2N-CH＝NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br时的ABX3均是本领域已知的钙钛矿单晶材料，在本领域中广泛应用。其具有对于A位离子，离子链长或半径不同，得到的单晶的光学带隙不同的属性也是本领域已知的，带隙不同的材料制备的探测器的光响应范围不同属于本领域的基础知识。为了保护环境避免使用Pb，转而采用其他性质相似的材料进行代替，是本领域惯用技术手段。如上所述不同带隙的材料制备的探测器的光响应范围不同属于本领域的基础知识，因此根据要制备的探测器的波长响应需求，而在卤素中选择相应的材料也属于本领域的惯用技术手段。（2）首先，本申请没有对钙钛矿单晶的尺寸、晶面进行限定，仅限定了在钙钛矿单晶上设置叉指状电极；对比文件1公开了在钙钛矿单晶上设置叉指状电极。即使复审请求人坚持认为本申请可以在单晶的任何部位制备探测器，对比文件1公开的（100）面也落在了上述范围之内，即下位概念公开上位概念。此外，钙钛矿单晶的特性为本领域技术人员所属熟知，根据上述已知的特性选择相应的晶面制备探测器是本领域技术人员根据需要，例如面积大等，可进行的常规技术选择，并且所述选择也不能带来预料不到的技术效果。（3）金以其具备良好的导电性等特性在本领域被广泛的用于各种电极的制备；金的价格昂贵，这是公知常识，因此本领域技术人员通常会根据需求，例如导电性、成本等因素综合考虑后，在常规的电极材料中选择适合的材料，例如，本申请中所列举的其他电极材料均是本领域常用的电极材料，其各有优缺点，本领域技术人员可综合考虑成本、透明性、导电性等，进行选择，相应的技术效果是可以预期的。（4）如上所述本申请没有对切割面进行限定。光探测器需要降低反射属于本领域常规需求，而使用抛光方法调整表面粗糙度属于本领域的惯用技术手段。（5）发明是否具备创造性，应当基于所属技术领域的技术人员的知识和能力进行评价。所属技术领域的技术人员，是指一种假设的“人”，假定他知晓申请日或优先权日之前发明所属技术领域所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，但他不具备创造能力。如果所要解决的技术问题能够促使本领域的技术人员在其他领域寻找技术手段，他也应具有从该其他技术领域中获知该申请日或优先权日之前的相关现有技术、普通技术知识和常规实验手段的能力。虽然本申请仅涉及的钙钛矿单晶光探测器，但是评价本申请是否具备创造性的主体是上述本领域技术人员，其具备上述能力，而不局限于钙钛矿单晶光探测器。
复审请求人于2019年06月06日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书（包括权利要求第1-2项）。复审请求人认为：第一，本申请是基于具有ABX3钙钛矿晶体结构的单晶探测器，其种类包含不同链长和不同离子半径的无机A位离子（Cs ），非铅的B位离子（Ge或Sn）以及不同的卤素离子（Cl或Br），其是一种全无机，无碳和无氢钙钛矿，毒性小，更贴近于实际应用。对比文件1公开的A位为有机离子，不稳定。首先，对于A位离子，离子链长或者半径不同，得到的单晶的光学带隙不同，利用该单晶制备的探测器的光响应范围也不同；采用无机单晶，更加稳定友好。B位离子未选用Pb，毒性小，降低污染。X位离子为Br时，适用于可见光探测器；X位离子为Cl时，适用于紫外探测器。第二，本申请在单晶的任何位置都可以制备探测器。第三，本申请中的电极材料与对比文件1中的金电极材料不同。第四，权利要求2相对于对比文件1的区别技术特征在于两者探测器的结构不同。修改后的权利要求书为：
“1. 一种高效钙钛矿单晶光探测器，其特征在于：包括钙钛矿单晶及在钙钛矿单晶上设有的叉指电极；
所述的钙钛矿单晶为具有ABX3钙钛矿结构的单晶体，其中A为Cs ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br；
所述的叉指电极的厚度为10μm～1cm，指宽为10nm～1cm，间距为10nm～10μm，指长为10nm～10cm，光敏面积为200nm2～400cm2；
所述的叉指电极是钼Mo、钨W、锌Zn、镍Ni、钛Ti、铁Fe、锡Sn、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金、石墨、卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物、氧化物、硫化物、硒化物、氯化物、溴化物、碘化物、氟化物或透明导电氧化物。
2. 一种根据权利要求1所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)将培养好的钙钛矿单晶用有机溶剂浸泡处理，以清洗除去单晶表面在培养过程中残留的杂质；所用机溶剂为氯苯，环己烷，二氯甲烷，乙酸乙酯或石油醚；
2)将表面经过清洗的钙钛矿单晶表面进行抛光，将抛光后的单晶采用气体吹洗或有机溶剂中超声清洗清除单晶表面的粉末等细小颗粒；
3)随后，将钙钛矿单晶置于真空干燥箱中干燥，干燥温度为10℃－200℃；
4)将带有叉指图形的掩膜板固定在钙钛矿单晶一面上；
5)在固定了掩膜板的钙钛矿单晶一面上通过热蒸发，光刻胶技术，磁控溅射，喷涂，印刷或脉冲沉积得到叉指电极，即得到单晶光探测器。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年06月06日答复复审通知书时提交了修改后的权利要求书全文替换页，其中包括权利要求第1-2项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本为：申请日2016年05月27日提交的说明书摘要、说明书第1-254段、摘要附图、说明书附图图1-3，于2019年06月06日提交的权利要求第1-2项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，部分上述区别技术特征不属于本领域的公知常识，同时该部分区别技术特征使得该权利要求所要求保护的技术方案获得了有益的技术效果，则该权利要求所要求保护的技术方案相对于上述对比文件以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书相同，即：
对比文件1：High-Performance Planar-Type Photodetector on (100) Facet of MAPbI3 Single Crystal, Lian Zhipeng, et al, Scientific Reports, VOL.5，2015年11月13日。
2.1权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种高效钙钛矿单晶光探测器。对比文件1（参见摘要、正文第1页第1段至第8页第4段，图2）公开了一种基于钙钛矿单晶的高效光探测器，并具体公开了以下技术特征：钙钛矿单晶及在钙钛矿单晶上设有的叉指电极（参见图2）；其中钙钛矿单晶具有MAPbX3钙钛矿结构（即ABX3钙钛矿结构），具体地可以为MAPbI3，其中MA为CH3NH3 （即：A可以为CH3NH3 ，B可以为Pb，X可以为I）；叉指电极的厚度为140nm，间距为20微米。
由此可知，该权利要求与对比文件1的区别技术特征为：（1）所述的叉指电极的厚度为10μm～1cm，指宽为10nm～1cm，间距为10nm～10μm，指长为10nm～10cm，光敏面积为200nm2～400cm2；（2）所述的叉指电极是钼Mo、钨W、锌Zn、镍Ni、钛Ti、铁Fe、锡Sn、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金、石墨、卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物、氧化物、硫化物、硒化物、氯化物、溴化物、碘化物、氟化物或透明导电氧化物；（3）ABX3中的A为Cs ；B为Ge或Sn；X为Cl或Br。基于上述区别技术特征可确定该权利要求实际解决的技术问题是：选择电极和探测器尺寸、电极材料，以及如何使用于光探测器的钙钛矿单晶材料更加稳定友好。
对于区别技术特征（1），叉指电极的厚度、指宽、间距以及指长即电极尺寸，及光敏面积，都是本领域技术人员基于本领域的常规需求，例如尽可能增加光敏面积的同时降低电阻，可以进行选择，并且上述选择也没有取得预料不到的技术效果。
对于区别技术特征（2），使用金属、含金属合金材料等本领域常见导电材料，例如，使用钼Mo、钨W、锌Zn、镍Ni、钛Ti、铁Fe、锡Sn、不锈钢、铝钛合金、铝硅合金、石墨、卤素族化合物、氧族化合物、氮族化合物、氧化物、硫化物、硒化物、氯化物、溴化物、碘化物、氟化物或透明导电氧化物等，形成电极属于本领域的惯用技术手段。
对于区别技术特征（3），虽然对比文件1公开了MAPbI3钙钛矿结构，其中MA为CH3NH3 （参见正文第8页），即ABX3中A为CH3NH3 ，B为Pb，X为I。但是，对比文件1未公开A位离子使用无机离子Cs ，并且也没有证据表明在ABX3钙钛矿单晶光探测器中，使用无机离子Cs 作为A位离子属于本领域的公知常识，并且使用无机离子Cs 作为A位离子与无机的B位离子Ge或Sn和无机X位离子Cl或Br共同构成ABX3单晶使权利要求1所限定ABX3单晶钙钛矿的整个结构为一种无碳、无氢的无机单晶钙钛矿结构，因而使得的权利要求1所限定的技术方案取得了毒性小，更加稳定友好，贴近于实际应用的有益技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是非显而易见的，即该权利要求所要求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著地进步，因而具备创造性。
2.2权利要求2具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2要求保护的是一种根据权利要求1所述的高效钙钛矿单晶光探测器的制备方法，基于前述对权利要求1具备创造性的评述可知，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求2所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是非显而易见的，即权利要求2所要求保护的技术方案具有突出的实质性特点和显著地进步，因而具备创造性。
对于驳回决定和前置审查意见的评述
驳回决定和前置审查意见书中指出：对比文件1公开了一种典型的ABX3钙钛矿晶体结构的单晶探测器，而对于ABX3钙钛矿晶体结构，其中A位离子为CH3NH3 、H2N-CH=NH2 、(CH3)4N 、C7H7 、Cs 或C3H11SN32 ，B位金属离子为Pb、Ge或Sn，均是是本领域的常规选择。对于A离子链长或者半径不同，得到的单晶的光学带隙不同，利用该单晶制备的探测器的光响应范围也不同；Pb毒性大，污染环境；以及X位的卤素离子使得探测器具备不同颜色，这均是本领域技术人员所公知的技术效果，本领域技术人员可以根据实际需求，选择不同ABX3钙钛矿晶体结构用于探测器，其不需要付出创造性劳动。
对此，合议组认为：虽然，对比文件1公开了MAPbI3钙钛矿结构，其中MA为CH3NH3 （参见正文第8页），即ABX3中A为CH3NH3 ，B为Pb，X可为I；以及避免使用毒性大的Pb以降低环境污染、X位的卤素离子使得探测器用于探测不同波长的光是本领域公知的技术效果。但是，对比文件1未公开A位离子使用无机离子Cs ，并且也没有证据表明在ABX3钙钛矿单晶光探测器中，使用无机离子Cs 作为A位离子属于本领域的公知常识，本领域技术人员不会将对比文件1中公开的有机A位离子选择为无机离子Cs ，并且使用无机离子Cs 作为A位离子与无机的B位离子Ge或Sn和无机X位离子Cl或Br共同构成ABX3单晶使权利要求1所限定的ABX3单晶钙钛矿的整个结构为一种无碳、无氢的无机单晶钙钛矿结构，因而使得的权利要求1所限定的技术方案取得了毒性小，更加稳定友好，贴近于实际应用的有益技术效果。
基于以上事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年09月07日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定所针对的文本的基础上继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
