发明创造名称：显示装置以及电子设备
外观设计名称：
决定号：191074
决定日：2019-09-23
委内编号：1F269681
优先权日：2013-07-02
申请（专利）号：201410313210.6
申请日：2014-07-02
复审请求人：精工爱普生株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王超
合议组组长：王治华
参审员：刘士奎
国际分类号：G09G3/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别，但该区别特征一部分被另一现有技术公开，其他部分是本领域技术人员容易想到采用的常规手段，则该权利要求要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410313210.6，名称为“显示装置以及电子设备”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请日为2014年07月02日，优先权日为2013年07月02日，公开日为2015年01月14日，申请人为精工爱普生株式会社。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是权利要求1-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定中引用了如下3篇对比文件：
对比文件1：CN101593768A，公开日为2009年12月02日；
对比文件2：US2009/0103036A1，公开日为2009年04月23日；
对比文件3：US2013/0076720A1，公开日为2013年03月28日。
驳回决定中还引用了如下参考文件：“AM-OLED的像素电路集锦（二）”，应根裕 ，《现代显示 Advanced Display》第125期，公开日为2011年06月30日。
驳回决定所依据的文本为申请日2014年07月02日提交的说明书摘要、说明书第1-80段、摘要附图、说明书附图1-6以及2018年01月17日提交的权利要求第1-20项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种显示装置，其为使用了有机电致发光面板的有源矩阵型的显示装置，所述显示装具备：
多个像素电路，所述多个像素电路分别包括：被配置在所述有机电致发光面板的像素区域内的有机发光二极管，以及对所述有机发光二极管进行驱动的多个晶体管；
多个扫描线，其在所述有机电致发光面板中沿着第一方向而被配置；
多个数据线，其在所述有机电致发光面板中沿着与所述第一方向正交的第二方向而被配置，
在所述第一方向上邻接的至少一组像素电路中，所述多个晶体管的栅电极及杂质扩散区域以线对称的方式被布局，在所述至少一组像素电路中被对称配置的至少一组晶体管的栅电极被一体构成，且被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层。
2. 如权利要求1所述的显示装置，其中，
还具备如下的屏蔽线，该屏蔽线被配置于分别与在所述第一方向上邻接的一组像素电路相连接的两个数据线之间。
3. 如权利要求1或2所述的显示装置，其中，
所述多个像素电路中的每个像素电路包括：
第一晶体管，其根据与栅极相连接的电容器的电位，而向所述有机发光二极管供给电流；
第二晶体管，其根据与栅极相连接的扫描线的电位，而将所述第一晶体管的栅极连接于一个数据线。
4. 如权利要求3所述的显示装置，其中，
在所述第一方向上邻接的一组像素电路的第二晶体管的栅电极被一体构成。
5. 如权利要求3所述的显示装置，其中，
所述多个像素电路中的每个像素电路还包括：
第三晶体管，其根据被供给至栅极的信号，而对所述第一晶体管的栅极和漏极之间的连接进行开闭；
第四晶体管，其根据被供给至栅极的信号，而对所述第一晶体管的漏极和所述有机发光二极管的阳极之间的连接进行开闭；
第五晶体管，其根据被供给至栅极的信号，而对所述有机发光二极管的阳极和复位电位线之间的连接进行开闭。
6. 如权利要求5所述的显示装置，其中，
在所述第一方向上邻接的第一像素电路至第三像素电路中，
所述第二像素电路及所述第三像素电路的第二晶体管的栅电极被一体构成，
所述第二像素电路及所述第三像素电路的第三晶体管的栅电极被一体构成，
所述第一像素电路及所述第二像素电路的第四晶体管的栅电极被一体构成，
所述第二像素电路及所述第三像素电路的第五晶体管的栅电极被一体构成。
7. 如权利要求3所述的显示装置，其中，
还具备如下的屏蔽线，该屏蔽线被配置在分别与在所述第一方向上邻接的一组像素电路的第一晶体管的栅电极相连接的两个配线之间。
8. 如权利要求1或2所述的显示装置，其中，
在所述第一方向上邻接的所述至少一组像素电路中被对称配置的所述至少一组晶体管的被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接。
9. 如权利要求1所述的显示装置，其中，
被一体构成的所述栅电极在一个连接点处与信号线相连接。
10. 一种电子设备，其具备权利要求1至9中任一项所述的显示装置。
11. 一种显示装置，具备：
发光元件，其被配置在像素区域；
多个像素电路，所述多个像素电路分别包括对所述发光元件进行驱动的多个晶体管；
多个扫描线，其沿着第一方向而配置；
多个数据线，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而配置，
在所述多个像素电路之中的于所述第一方向上邻接的至少一组像素电路中，所述至少一组像素电路中所包括的多个晶体管的栅电极以及杂质区域以线对称的方式而配置，在所述至少一组像素电路中以线对称的方式而配置的多个晶体管之中，至少一组晶体管的栅电极被一体构成，且被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层。
12. 如权利要求11所述的显示装置，其中，
在分别与所述至少一组像素电路中的各个像素电路连接的两个数据线之间，配置有屏蔽线。
13. 如权利要求11或12所述的显示装置，其中，
所述多个像素电路中的每个像素电路包括：
第一晶体管，其根据与栅极连接的电容器的电位，而向所述发光元件供给电流；
第二晶体管，其根据与栅极连接的扫描线的电位，而将所述第一晶体管的栅极连接于一个数据线。
14. 如权利要求13所述的显示装置，其中，
所述至少一组像素电路中的各个像素电路的第二晶体管的栅电极被一体构成。
15. 如权利要求13所述的显示装置，其中，
所述多个像素电路中的每个像素电路还包括：
第三晶体管，其根据被供给至栅极的信号，而对所述第一晶体管的栅极和漏极之间的连接进行开闭；
第四晶体管，其根据被供给至栅极的信号，而对所述第一晶体管的漏极和所述发光元件的阳极之间的连接进行开闭；
第五晶体管，其根据被供给至栅极的信号，而对所述发光元件的阳极和复位电位线之间的连接进行开闭。
16. 如权利要求15所述的显示装置，其中，
在所述多个像素电路之中的第一像素电路、与所述第一像素电路在所述第一方向上邻接的第二像素电路、与所述第二像素电路在所述第一方向上邻接的第三像素电路中，
所述第二像素电路及第三像素电路中的各个像素电路的第二晶体管的栅电极被一体构成，
所述第二像素电路及第三像素电路中的各个像素电路的第三晶体管的栅电极被一体构成，
所述第一像素电路及第二像素电路中的各个像素电路的第四晶体管的栅电极被一体构成，
所述第二像素电路及第三像素电路中的各个像素电路的第五晶体管的栅电极被一体构成。
17. 如权利要求13所述的显示装置，其中，
在分别与所述至少一组像素电路中的各个像素电路的第一晶体管的栅电极连接的两个配线之间配置有屏蔽线。
18. 如权利要求11或12所述的显示装置，其中，
在所述至少一组像素电路中以线对称的方式而配置的多个晶体管中的、被一体构成的所述至少一组晶体管的栅电极，在一个连接点处与一个配线连接。
19. 如权利要求11所述的显示装置，其中，
被一体构成的所述栅电极在一个连接点处与信号线相连接。
20. 一种电子设备，其具备权利要求11至19中任一项所述的显示装置。”
驳回决定认为：权利要求1请求保护一种显示装置。对比文件1是本申请最接近的现有技术，其公开了一种显示装置，权利要求1与对比文件1的区别在于：在所述至少一组像素电路中被对称配置的至少一组晶体管的栅电极被一体构成，且被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层。该区别使得本申请实际解决的技术问题是如何实现像素电路的小型化。对比文件2公开了一种显示装置，并具体公开了在该有源阵列型基板上，一个栅电极7及其对应的信号线被形成在两个相邻的像素之间，即公开了在所述至少一组像素电路中至少一组晶体管的栅电极被一体构成，这种方式可以使得基板上所需要的栅电极数量减半；像素电路中源极电极、栅极电极、电容器电极中至少一项由相邻像素共用；所形成的像素行或列的信号线的源极信号线、栅极信号线和共同信号线中至少一项由两相邻像素行或像素列共用；这种电路形态可以降低每一个像素电路组件所需要的最小区域；而该技术应用于多层结构可以降低共用组件形成过程中的准确性需求。对比文件2与本申请同属于显示控制领域，而且该特征在对比文件2中所起的作用与其在本发明中为解决其技术问题所起的作用相同，都是用于减少基板上的器件数量以实现像素电路的小型化，也就是说对比文件2给出了将该技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。且对比文件2已经公开了多层结构的形成方式，在此基础上使扫描线与栅电极位于不同层是本领域常规技术手段。由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2及本领域常规技术手段得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。基于类似理由，与权利要求1对应的独立权利要求11也不具备创造性。从属权利要求2-9和12-19的附加特征或者被对比文件1-3公开，或者属于本领域公知常识，因此也不具备创造性。独立权利要求10和20请求保护的是一种电子设备，在权利要求1-9和11-19都不具备创造性时，也都不具备创造性。
申请人精工爱普生株式会社（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年12月25日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：在对比文件1-3以及参考文件中都没有公开独立权利要求1中“晶体管的栅电极被一体构成，且被配置于与扫描线被配置的层不同的层”相关的技术特征，因此权利要求1的技术方案相对于独立权利要求1-3以及参考文件或它们的结合具有创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月29日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年05月30 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1请求保护一种显示装置。对比文件1公开了一种显示装置，本申请权利要求1与对比文件1相比，其区别特征为：被对称配置的被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层的至少一组晶体管的栅电极被一体构成。基于以上区别，本申请相对于对比文件1实际解决的技术问题是实现像素电路的小型化。对比文件2公开了一种显示装置并公开了上述区别技术特征，而且上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是通过共用的方式减少栅电极数量以实现像素电路的小型化。因此该权利要求1所要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。基于类似理由，与权利要求1对应的独立权利要求11也不具备创造性。从属权利要求2-9和12-19的附加特征或者被对比文件1-3公开，或者属于本领域公知常识，因此也不具备创造性。独立权利要求10和20请求保护的是一种电子设备，在权利要求1-9和11-19都不具备创造性时，权利要求10和20也都不具备创造性。
复审请求人于2019年07月09日提交了意见陈述书和权利要求书的全文修改替换页，其中在独立权利要求1中增加了技术特征“在所述第一方向上邻接的所述至少一组像素电路中被对称配置的所述至少一组晶体管的被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接，所述连接点位于所述栅电极的中心，被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像”，在独立权利要求11中增加了技术特征“在所述至少一组像素电路中以线对称的方式而配置的多个晶体管中的、被一体构成的所述至少一组晶体管的栅电极，在一个连接点处与一个配线连接，所述连接点位于所述栅电极的中心，被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像”，删除了原权利要求8和18并对权利要求序号作了适应性修改。
修改后的独立权利要求1和10内容如下：
“1. 一种显示装置，其为使用了有机电致发光面板的有源矩阵型的显示装置，所述显示装具备：
多个像素电路，所述多个像素电路分别包括：被配置在所述有机电致发光面板的像素区域内的有机发光二极管，以及对所述有机发光二极管进行驱动的多个晶体管；
多个扫描线，其在所述有机电致发光面板中沿着第一方向而被配置；
多个数据线，其在所述有机电致发光面板中沿着与所述第一方向正交的第二方向而被配置，
在所述第一方向上邻接的至少一组像素电路中，所述多个晶体管的栅电极及杂质扩散区域以线对称的方式被布局，在所述至少一组像素电路中被对称配置的至少一组晶体管的栅电极被一体构成，且被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层，
在所述第一方向上邻接的所述至少一组像素电路中被对称配置的所述至少一组晶体管的被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接，
所述连接点位于所述栅电极的中心，
被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像。
10. 一种显示装置，具备：
发光元件，其被配置在像素区域；
多个像素电路，所述多个像素电路分别包括对所述发光元件进行驱动的多个晶体管；
多个扫描线，其沿着第一方向而配置；
多个数据线，其沿着与所述第一方向交叉的第二方向而配置，
在所述多个像素电路之中的于所述第一方向上邻接的至少一组像素电路中，所述至少一组像素电路中所包括的多个晶体管的栅电极以及杂质区域以线对称的方式而配置，在所述至少一组像素电路中以线对称的方式而配置的多个晶体管之中，至少一组晶体管的栅电极被一体构成，且被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层，
在所述至少一组像素电路中以线对称的方式而配置的多个晶体管中的、被一体构成的所述至少一组晶体管的栅电极，在一个连接点处与一个配线连接，
所述连接点位于所述栅电极的中心，
被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像。”
复审请求人认为：在对比文件1的说明书第12页第22-23行中，记载了“出于降低电阻值的目的，第二配线层LZ中的写入扫描线104WS、电源供应线lo5DSL和视频信号线lo6Hs都由铝、钨等制成”，此外，仅仅在说明书第13页第2行中，记载了“采样晶体管125的栅极端子G和写入扫描线104WS经由第一配线层Ll中的延伸配线125GL（栅极配线）彼此连接”，然而，延伸配线125GL的另一端是否与采样晶体管125在同一层连接，未被对比文件1记载，也未被对比文件1的图10明确公开。因此，技术特征“被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层”未被对比文件1、2公开。另外，技术特征“在所述第一方向上邻接的所述至少一组像素电路中被对称配置的所述至少一组晶体管的被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接，所述连接点位于所述栅电极的中心，被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像”未被对比文件1-2公开或给出启示。因此，复审请求人认为，独立权利要求1相对于对比文件1、2的组合具有创造性，相应地，其他权利要求也都具备创造性。
在上述程序的基础上，本案合议组在仔细审阅了全部案卷后，认为本案事实已经清楚，依法作出本审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年07月09日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，其中所作的修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定以申请日2014年07月02日提交的说明书摘要、说明书第1-80段、摘要附图、说明书附图1-6，2019年07月09日提交的权利要求第1-18项为基础作出。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别，但该区别特征一部分被另一现有技术公开，其他部分是本领域技术人员容易想到采用的常规手段，则该权利要求要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备创造性。
具体到本案：
1、权利要求1请求保护一种显示装置。对比文件1公开了一种显示装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第5页第12段-第15页第2段，附图1-11）：应用于有源矩阵型有机EL显示装置，有机EL元件形成在其中形成有TFT的半导体基板上；显示装置1包括显示面板部分100，显示面板部分100包括作为主要部分的像素阵列部分102，其中设置具有作为多个显示元件的多个有机EL元件的像素电路P以构成有效图像区，每个像素电路P包括N沟道驱动晶体管121、N沟道采样晶体管125和当电流流过时发光的作为电光元件示例的有机EL元件127，有机电致发光(EL)元件诸如有机发光二极管(OLED)。垂直扫描侧的扫描线104WS_1到104WS_n和105DSL_1到105DSL_n以及水平扫描侧的作为扫描线的视频信号线(数据线)106HS_1到106HS_m形成在像素阵列部分102中。图10-11示出的第二实施例的第二示例中，相同行中彼此相邻的两个像素电路P中的一个像素电路P的布局被镜像反转，并且从图10-11能够看出两个像素电路中的晶体管的栅极G、源极S和漏极D全部呈镜像对称。在像素电路中，第一配线层L1设置在最低层侧，而第三配线层L3和第二配线层L2依次设置在其上，第二配线层L2中具有写入扫描线104WS，采样晶体管125的栅极端子G和写入扫描线104WS经由第一配线层L1中的延伸配线125GL即栅极配线彼此连接。
经分析可知，对比文件1中的有机EL元件形成在半导体基板上并应用于有源矩阵型有机EL显示装置相当于本申请中的使用了有机电致发光面板的有源矩阵型的显示装置，N沟道驱动晶体管121和N沟道采样晶体管125相当于本申请中的对有机发光二极管进行驱动的多个晶体管。垂直扫描侧的扫描线104WS_1到104WS_n和105DSL_1到105DSL_n相当于本申请中的沿着第一方向而被配置的多个扫描线，水平扫描侧的作为扫描线的视频信号线(数据线)106HS_1到106HS_m相当于本申请中的沿着与第一方向正交的第二方向而被配置的多个数据线。相同行中彼此相邻的两个像素电路P中的一个像素电路P的布局被镜像反转相当于本申请中的在第一方向上邻接的至少一组像素电路中多个晶体管以线对称的方式被布局，其中源极S和漏极D相当于本申请中的杂质扩散区域。另外，因为在对比文件1中写入扫描线104WS位于第二配线层L2，栅极配线125GL位于第一配线层L1，从图10能够看出，栅极配线125GL的一端通过接触孔与写入扫描线104WS连接，栅极配线125GL的另一端与采样晶体管125的栅极端子G在同一层连接，又因为第一配线层L1与第二配线层L2在不同层，所以采样晶体管125的栅极端子G与写入扫描线104WS也不同层配置，这就相当于本申请中的晶体管的栅电极被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层。
由此可见，本申请权利要求1与对比文件1相比，其区别特征为：被对称配置的被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层的至少一组晶体管的栅电极被一体构成；被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接，所述连接点位于所述栅电极的中心，被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像。基于以上区别，本申请相对于对比文件1实际解决的技术问题是实现像素电路的小型化以及选择配线与栅电极的连接位置。
对比文件2公开了一种显示装置（参见对比文件2的说明书第0046-0048段，第0059段及附图5），并具体公开了在该有源阵列型基板上，一个栅电极7被形成在两个相邻的像素之间（相当于本申请中的在所述至少一组像素电路中至少一组晶体管的栅电极被一体构成），共用的栅电极7也被用作栅极信号线（相当于本申请的配线）的一部分（因此栅电极与栅极信号线必然在一个连接点处相连接），这种方式可以使得基板上所需要的栅电极数量减半；栅电极被相邻像素共享的这种电路结构能减少电路组件需要的最小面积。由此可见，上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是通过共用的方式减少栅电极数量以实现像素电路的小型化，也就是说对比文件2给出了将该技术特征用于该对比文件1以解决其技术问题的启示。因此，本领域技术人员有动机将对比文件2中已经公开的相邻像素之间的晶体管的栅电极被一体构成的技术手段应用到对比文件1中被对称配置的被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层的至少一组晶体管的栅电极结构中从而获得本申请的相关技术方案。另外，在对比文件2已经公开了被一体构成的所述栅电极在一个连接点处与一个配线相连接的情况下，本领域技术人员可以根据实际情况和需要来选择连接点的具体位置，其中连接点位于电极的中心是本领域的常规选择，当选择连接点位于所述栅电极的中心时被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上显然会关于所述连接点而形成镜像。由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规选择从而得到该权利要求1所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人在答复复审通知书时所陈述的意见，合议组认为：从图10能够看出，栅极配线125GL的一端通过接触孔与写入扫描线104WS连接，栅极配线125GL的另一端与采样晶体管125的栅极端子G在同一层连接，因为如果不在同一层连接的话就会如图10其它位置一样通过接触孔连接，既然栅极配线125GL与采样晶体管125的栅极端子G的连接端没有通过接触孔连接显然能表明它们是在同一层进行连接。又因为第一配线层L1与第二配线层L2在不同层，所以采样晶体管125的栅极端子G与写入扫描线104WS也在不同层配置，这就相当于对比文件1应公开了本申请中的晶体管的栅电极被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层。另外，在上面评述中已经明确指出特征“在所述第一方向上邻接的所述至少一组像素电路中被对称配置的所述至少一组晶体管的被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接”已经被对比文件2公开，而特征“所述连接点位于所述栅电极的中心，被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像”虽然没有被对比文件1和2公开，但是其属于本领域的常规选择。因此独立权利要求1相对于对比文件1、2和本领域的常规选择的结合不具备创造性。
2、从属权利要求2引用了权利要求1，并限定了屏蔽线的技术特征。对比文件3公开了可以被用于OLED显示的像素电路并具体公开了（参见说明书第0025段，第0049-0053段，附图5A-5B）：该像素电路多条与像素连接的数据线，保护线522（相当于屏蔽线）被设置在水平方向上相邻的两条数据线之间（屏蔽线被配置于两个数据线之间），可以减小数据线之间的不需要的耦合电容，从而能减少或消除视觉影响。由此可见，从属权利要求2的附加技术特征已经被对比文件3公开，而且上述特征在对比文件3中起的作用与其在本申请中所起的作用相同,都是用于减小邻接的数据线间的电容的影响，即该对比文件给出了将上述附加技术特征应用到对比文件1和2中以进一步解决其技术问题的技术启示。由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2、对比文件3和本领域的常规选择从而得到该权利要求2所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求2不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、从属权利要求3引用了权利要求1或2，并限定了像素电路的结构，从属权利要求4引用了权利要求3，并限定了第二晶体管的栅极被一体构成。对比文件1还公开了（参见说明书第1页最后一段，第9页第25行-第11页第9行，附图1-3）每个像素电路包括驱动晶体管121（相当于本申请的第一晶体管），保持电容器120连接在驱动晶体管121的源极端子和栅极端子之间，驱动晶体管121的源极直接连接到有机EL元件127的阳极端子，写入到保持电容器的输入图像信号对应的驱动信号被驱动晶体管转换成电流信号，得到的驱动电流被供应到有机EL元件（相当于本申请的根据与栅极相连接的电容器的电位而向有机发光二极管供给电流）；还包括采样晶体管125（相当于本申请的第二晶体管），其栅极连接扫描线104WS，漏极连接晶体管121的栅极，当扫描线104WS选通时可以使得晶体管121的栅极连通道数据线106HS（相当于本申请中其根据与栅极相连接的扫描线的电位，而将所述第一晶体管的栅极连接于一个数据线）。由此可见，从属权利要求3的附加技术特征已经被对比文件1公开。此外，在对比文件2已经公开了一个栅电极在相邻像素电路中被共用的基础上，本领域技术人员可以根据像素电路的具体结构根据需要选择哪一个晶体管的栅电极被共用。因而在其引用权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。
4、从属权利要求5引用了权利要求3，并限定了像素电路的结构，从属权利要求6引用了权利要求5，并限定了哪些栅电极被一体构成。从属权利要求5中限定的像素电路为5T1C结构，在有机电致发光显示电路领域，常规的5T1C电路具备连接在驱动管栅极和漏极之间的晶体管，根据连接在栅极的控制信号对驱动管栅极和漏极之间的开闭，例如参考文件1（“AM-OLED的像素电路集锦（二）”，应根裕 ，《现代显示 Advanced Display》 ，第125期，2011年6月）中正文第3页图24（1）公开了一种像素电路，其中晶体管T2即实现上述功能；而该像素电路中的晶体管T4根据连接至栅极的发光控制线EM信号，对驱动管的漏极和有机发光二极管的阳极之间的连接进行开闭；此外，在有机发光二极管的阳极和复位电位线之间设置一个晶体管来控制开闭从而控制对有机发光二极管的阳极进行复位，也是有机电致发光显示电路领域的常规技术手段。此外，在对比文件2已经公开了一个栅电极在相邻像素电路中被共用的基础上，本领域技术人员可以根据像素电路的具体结构根据需要选择哪些晶体管的栅电极被共用。因而在其引用权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。
5、从属权利要求7引用了权利要求３，并限定了屏蔽线的技术特征。对比文件1已经公开了（参见附图2-3）数据线106HS通过节点ND122连接到驱动晶体管121（相当于第一晶体管）的栅极，而对比文件３已经公开了保护线522（相当于屏蔽线）被设置在相邻的两条数据线之间。在将对比文件3中的保护线522结合到对比文件1中时由于数据线连接到晶体管121的栅极，即可将保护线配置在相邻像素电路的第一晶体管的栅电极相连接的两个数据线配线之间。因而在其引用权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
6、从属权利要求8引用了权利要求1，并限定了被一体构成的栅电极连接情况的附加技术特征。对比文件2已经公开了相邻像素之间的晶体管的栅电极被一体构成，并且还公开了（见说明书第0059段）共用的栅电极7也被用作栅极信号线（相当于本申请的信号线）的一部分（因此栅电极与信号线必然在一个连接点处相连接）。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求9请求保护一种电子设备，其具备权利要求1-8中任一项所述的显示装置。在显示控制领域，将OLED屏幕等显示装置应用在手机、平板电脑等电子设备中一种常规技术手段，在权利要求1-8都不具备创造性的情况下，权利要求9也不具备创造性。
8、权利要求10请求保护一种显示装置。参见第1条意见中对比文件1公开的内容以及分析可知，本申请权利要求10与对比文件1相比，其区别特征为：以线对称的方式而配置的多个晶体管之中被配置于与所述扫描线被配置的层不同的层的至少一组晶体管的栅电极被一体构成；被一体构成的栅电极，在一个连接点处与一个配线相连接，所述连接点位于所述栅电极的中心，被一体构成的所述栅电极在所述第一方向上关于所述连接点而形成镜像。基于以上区别，本申请相对于对比文件1实际解决的技术问题是实现像素电路的小型化以及选择配线与栅电极的连接位置。由于权利要求10与对比文件1之间的区别特征与权利要求1与对比文件1之间的区别特征实质上相同，因此根据第1条意见中对权利要求1的评述相同的理由可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规选择从而得到该权利要求10所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求10不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、从属权利要求11引用了权利要求10，并限定了屏蔽线的技术特征。对比文件3公开了可以被用于OLED显示的像素电路并具体公开了（参见说明书第0025段，第0049-0053段，附图5A-5B）：该像素电路多条与像素连接的数据线，保护线522（相当于屏蔽线）被设置在相邻的两条数据线之间（屏蔽线被配置于两个数据线之间），可以减小数据线之间的不需要的耦合电容，从而能减少或消除视觉影响。由此可见，从属权利要求12的附加技术特征已经被对比文件3公开，而且上述特征在对比文件3中起的作用与其在本申请中所起的作用相同,都是用于减小邻接的数据线间的电容的影响，即该对比文件给出了将上述附加技术特征应用到对比文件1和2中以进一步解决其技术问题的技术启示。由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2、对比文件3和本领域的常规选择从而得到该权利要求11所要求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求11不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
10、从属权利要求12引用了权利要求10或11，并限定了像素电路的结构，从属权利要求13引用了权利要求12，并限定了各个第二晶体管的栅极被一体构成。对比文件1还公开了（参见说明书第1页最后一段，第9页第25行-第11页第9行，附图1-3）每个像素电路包括驱动晶体管121（相当于本申请的第一晶体管），保持电容器120连接在驱动晶体管121的源极端子和栅极端子之间，驱动晶体管121的源极直接连接到有机EL元件127的阳极端子，写入到保持电容器的输入图像信号对应的驱动信号被驱动晶体管转换成电流信号，得到的驱动电流被供应到有机EL元件（相当于本申请的根据与栅极相连接的电容器的电位而向有机发光二极管供给电流）；还包括采样晶体管125（相当于本申请的第二晶体管），其栅极连接扫描线104WS，漏极连接晶体管121的栅极，当扫描线104WS选通时可以使得晶体管121的栅极连通道数据线106HS（相当于本申请中其根据与栅极相连接的扫描线的电位，而将所述第一晶体管的栅极连接于一个数据线）。由此可见，从属权利要求12的附加技术特征已经被对比文件1公开。此外，在对比文件2已经公开了一个栅电极在相邻像素电路中被共用的基础上，本领域技术人员可以根据像素电路的具体结构根据需要选择各个像素电路中的哪一个晶体管的栅电极被共用。因而在其引用权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。
11、从属权利要求14引用了权利要求12，并限定了像素电路的结构，从属权利要求15引用了权利要求14，并限定了哪些栅电极被一体构成。从属权利要求14中限定的像素电路为5T1C结构，在有机电致发光显示电路领域，常规的5T1C电路具备连接在驱动管栅极和漏极之间的晶体管，根据连接在栅极的控制信号对驱动管栅极和漏极之间的开闭，例如参考文件1（“AM-OLED的像素电路集锦（二）”，应根裕 ，《现代显示 Advanced Display》 ，第125期，2011年6月）中正文第3页图24（1）公开了一种像素电路，其中晶体管T2即实现上述功能；而该像素电路中的晶体管T4根据连接至栅极的发光控制线EM信号，对驱动管的漏极和有机发光二极管的阳极之间的连接进行开闭；此外，在有机发光二极管的阳极和复位电位线之间设置一个晶体管来控制开闭从而控制对有机发光二极管的阳极进行复位，也是有机电致发光显示电路领域的常规技术手段。此外，在对比文件2已经公开了一个栅电极在相邻像素电路中被共用的基础上，本领域技术人员可以根据像素电路的具体结构根据需要选择相邻的像素电路中哪些晶体管的栅电极被共用。因而在其引用权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。
12、从属权利要求16引用了权利要求12，并限定了屏蔽线的技术特征。对比文件1已经公开了（参见附图2-3）数据线106HS通过节点ND122连接到驱动晶体管121（相当于第一晶体管）的栅极，而对比文件３已经公开了保护线522（相当于屏蔽线）被设置在相邻的两条数据线之间。在将对比文件3中的保护线522结合到对比文件1中时由于数据线连接到晶体管121的栅极，即可将保护线配置在相邻像素电路的第一晶体管的栅电极相连接的两个数据线配线之间。因而在其引用权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
13、从属权利要求17引用了权利要求10，并限定了被一体构成的栅电极连接情况的附加技术特征。对比文件2已经公开了相邻像素之间的晶体管的栅电极被一体构成，并且还公开了（见说明书第0059段）共用的栅电极7也被用作栅极信号线（相当于本申请的信号线）的一部分（因此栅电极与信号线必然在一个连接点处相连接）。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
14、权利要求18请求保护一种电子设备，其具备权利要求10-17中任一项所述的显示装置。在显示控制领域，将OLED屏幕等显示装置应用在手机、平板电脑等电子设备中一种常规技术手段，在权利要求10-17都不具备创造性的情况下，权利要求18也不具备创造性。
综上，本申请权利要求1-18均不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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