发明创造名称：一个晶体管的智能写入
外观设计名称：
决定号：191041
决定日：2019-09-23
委内编号：1F262558
优先权日：2011-09-29
申请（专利）号：201110462564.3
申请日：2011-12-31
复审请求人：经度快闪存储解决方案有限责任公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：马驰
合议组组长：邹斌
参审员：董方源
国际分类号：G11C16/34，G11C16/16
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，并且这些区别技术特征既无法从现有技术中获得启示，也不属于本领域的公知常识，并且上述区别技术特征使得权利要求的技术方案能够达到有益的技术效果，那么该权利要求的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201110462564.3，名称为“一个晶体管的智能写入”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为经度快闪存储解决方案有限责任公司。本申请的申请日为2011年12月31日，优先权日为2011年09月29日，公开日为2013年04月10日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年06月26日发出驳回决定，以权利要求1-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其理由是：1. 权利要求1请求保护的方法与对比文件1（US6122198A，公开日为2000年09月19日）相比的区别在于：（1）在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，（2）从具有设定为所述单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的单元中读回数据；基于以上区别特征，权利要求1实际要解决的问题是如何缩短软编程的时间以及如何确定存储单元的阈值电压在可接受的范围内。对于区别（1），本申请是采用“并行”方式对过擦除的第一子集单元执行软编程，同时对未过擦除的第二子集单元执行编程禁止，而对比文件1采用“串行”的方式对过擦除的单元逐列执行软编程，而对其他单元执行编程禁止，即两者的执行方式有所不同，然而无论是采用并行的方式还是采用串行的方式，都是本领域常见的软编程方式，为了缩短软编程的时间，本领域技术人员容易想到同时选择多个过擦除的单元执行软编程操作，并同时对多个没有过擦除的单元禁止执行软编程操作，无需付出创造性劳动。对于区别（2），对比文件1已公开对选定的存储单元执行验证操作，确定选定的存储单元是否在最小阈值电压之上，其目的也是确定存储单元的阈值电压是否在可接受的范围内，而无论是验证操作还是读取操作，都是非易失性存储器的常规操作，其原理都是通过向字线施加读取电压，向位线施加预充电电压，然后存储单元会基于阈值电压存储状态导通或关闭，相应地，位线会放电或保持，因此通过感测位线的电压或电流变化，即可验证或读取存储单元的数据状态，而且为了保证存储单元的操作裕度，避免阈值电压范围过宽，通常会在验证或读取操作中留有余量，否则将很容易引起编程或读取错误，因此采用容限模式字线电压来保证存储单元的阈值电压分布具有适当容限量是本领域技术人员容易想到的，无需付出创造性劳动。因此在对比文件1的基础上结合上述公知常识得到权利要求1的方案是显而易见的。2. 相似于权利要求1，权利要求6请求保护的非易失性机器存储电路相对于对比文件1和公知常识的结合也是显而易见的。3. 权利要求2-5，7-11的附加特征或者被对比文件1公开，或者被对比文件2（CN101595529A，公开日为2009年12月02日）公开，或者是本领域的惯用手段，因而也不具备创造性。4. 权利要求12请求保护的方法与对比文件1相比的区别在于：（1）在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，（2）从具有设定为所述单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的单元中读回数据，（3）改变单元的所述第一子集的所述软编程的重复之间的软编程电压电平和软电压间隔中的一个或两个；基于以上区别特征，权利要求12实际要解决的问题是如何缩短软编程的时间，如何确定存储单元的阈值电压在可接受的范围内以及如何提高过擦除单元的阈值电压。对于区别（1）和（2），本领域技术人员基于对比文件1和公知常识是容易想到的（参见对权利要求1的评述，在此不再赘述），对于区别（3），对比文件2公开了一种软编程方法，其中逐步增加存储单元的软编程循环之间的软编程脉冲电压电平，其作用也是将存储单元阈值电压提高的最小阈值电压之上，即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中以进一步解决其技术问题的启示，此外，逐步增加脉冲间隔也是本领域技术人员为了将存储单元阈值电压提高到最小阈值电压之上而采取的惯用手段。因此在对比文件1的基础上结合对比文件2和公知常识得到权利要求12的方案是显而易见的。5. 权利要求13-19的附加特征或者被对比文件1或2公开，或者被对比文件3（CN1369097A，公开日为2002年09月11日）公开，或者是本领域的惯用手段，因而也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：2017年12月07日提交的权利要求第1-19项，申请日提交的说明书第1-62段、说明书附图图1-图13、说明书摘要、摘要附图 。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种方法，包括：
通过在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压；
从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；以及
重复所述选择性软编程和所述读回，直到全部所述第一子集单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。
2. 如权利要求1的方法，进一步包括：
逐步增加存储单元的所述第一子集单元的选择性软编程的重复之间的软编程脉冲间隔。
3. 如权利要求1的方法，进一步包括：
重复擦除所述字线中的单元，直到每一个单元具有低于所述目标阈值电压的阈值电压，或者直到已经应用了最大数量的擦除。
4. 如权利要求1的方法，进一步包括：
在对所述第一子集单元进行软编程之后，从具有设定为比目标阈值电压更负的值的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。
5. 如权利要求1的方法，进一步包括：
逐步增加存储单元的所述第一子集单元的所述选择性软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平。
6. 一种非易失性机器存储电路，包括：
多个存储单元；以及
逻辑，用以：
通过在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加字线上所述多个单元的所述第一子集单元的阈值电压；
从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；以及
在所述多个单元的所述第一子集单元上重复所述选择性软编程和所述读回，直到所述字线上全部所述第一子集单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。
7. 如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括改变所述多个单元的所述第一子集单元的所述软编程的重复之间的软编程脉冲间隔的逻辑。
8. 如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括在大块擦除字线上的所述多个单元之后，从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据的逻辑。
9. 如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括重复擦除所述字线中的单元，直到每一个单元具有低于所述目标阈值电压的阈值电压，或者直到已经应用了最大数量的擦除的逻辑。
10. 如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括在对所述第一子集单元进行软编程之后，从具有设定为比目标阈值电压更负的值的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据的逻辑。
11. 如权利要求6的非易失性机器存储电路，进一步包括改变所述多个单元的所述第一子集单元的所述软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平的逻辑。
12. 一种方法，包括：
通过在多个单元的第一子集单元上重复执行选择性软编程，同时在同一字线上的所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上的特定非易失性存储单元的阈值电压；
从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；
改变所述多个单元的所述第一子集单元的所述软编程的重复之间的软编程电压电平和软编程间隔中的一个或两个；以及
重复所述选择性软编程和所述读回，直到全部所述第一子集单元具有落在最小可接受值和最大可接受值之间的阈值电压。
13. 如权利要求12的方法，进一步包括：
在大块擦除之前对所述字线上的所述多个单元进行预编程。
14. 如权利要求12的方法，进一步包括：
在选择性地对所述多个单元的所述第一子集单元进行软编程之前，对所述字线上的全部所述多个单元进行大块软编程。
15. 如权利要求12的方法，进一步包括：
在大块擦除所述字线上的所述多个单元之后，从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。
16. 如权利要求15的方法，进一步包括：
重复擦除所述字线中的单元，直到每一个单元具有低于所述目标阈值电压的阈值电压，或者直到已经应用了最大数量的擦除。
17. 如权利要求12的方法，进一步包括：
在对所述第一子集单元进行软编程之后，从具有设定为比目标阈值电压更负的值的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。
18. 如权利要求12的方法，进一步包括：
逐步增加存储单元的所述第一子集单元的所述选择性软编程的重复之间的软编程脉冲电压电平。
19. 如权利要求12的方法，进一步包括：
逐步增加存储单元的所述第一子集单元的所述选择性软编程的重复之间的软编程脉冲间隔。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月11日向国家知识产权局提出了复审请求，但并未修改申请文件。复审请求人认为：本申请权利要求1相对于对比文件1的区别有两个：（1）通过在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，逐个单元地选择性地增加同一字线上多个非易失性存储单元中的特定存储单元的阈值电压；（2）从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。对于区别（1），对比文件1的过擦除校正步骤用于过擦除的存储器阵列中每个位，一个接一个位地检查，重复这个步骤直到每个正被验证的位的阈值电压高于最小阈值电压。本领域技术人员没有动机修改这样的方式来实现同时选择多个位执行过擦除校正，否则对比文件1将不能保证每个正被验证的单元的阈值电压都在最小阈值电压之上。同时，对比文件1的发明人肯定知晓同时选择多个单元进行过擦除比一个单元接一个单元地进行更省时省力，之所以没有这样做，正因为这样不能实现对比文件1的发明目的。关于区别（2），本领域技术人员同样不会容易想到。综上所述，本申请的权利要求1-19具备创造性 。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定，理由是：（1）对比文件1执行软编程的方式与本申请虽然不同，但这两种方式在本领域中都是常见的软编程方式，其优缺点也公知，为了缩短软编程的时间，本领域技术人员有动机采用同时选择多个过擦除单元执行软编程操作而对多个没有过擦除的单元禁止执行软编程操作，是无需付出创造性劳动的。（2）在对比文件1的步骤422、424中，对选定的存储单元执行验证操作，确定选定的存储单元是否在最小阈值电压VTMIN之上。其目的也是确定存储单元的阈值电压是否在最小阈值电压VTMIN之上（即可接受的范围内）。而无论是验证操作，还是读取操作都属于非易失性存储器的常规操作，其原理都是通过向字线施加读取电压，向位线施加预充电电压，然后存储单元会基于阈值电压存储状态导通或关断，相应地，位线会放电或保持，因此，通过感测位线的电压或电流变化，即可验证或读取存储单元的数据状态。而且，为了保证存储单元的操作裕度，避免阈值电压范围过宽，通常会在验证或读取操作中留有余量，否则将很容易引起编程或读取错误。在此基础上，具体采用“容限模式字线电压”来保证存储单元的阈值电压分布具有适当容限量是本领域技术人员容易想到的，无需付出创造性劳动。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组经过阅卷与合议，认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在提出复审请求时未修改申请文件，因此本复审决定所针对的文本与驳回决定相同，为：2017年12月07日提交的权利要求第1-19项，申请日提交的说明书第1-62段、说明书附图图1-图13、说明书摘要、摘要附图。
专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求所请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，并且这些区别技术特征既无法从现有技术中获得启示，也不属于本领域的公知常识，并且上述区别技术特征使得权利要求的技术方案能够产生有益的技术效果，那么该权利要求的技术方案具有突出的实质性特点和显著的进步，因而具备创造性。
本复审决定引用的对比文件与驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1，US6122198A，公开日为2000年09月19日；
对比文件2，CN101595529A，公开日为2009年12月02日;
对比文件3，CN1369097A，公开日为2002年09月11日；
其中，对比文件1作为最接近的现有技术。
2-1、权利要求1请求保护一种方法，对比文件1公开一种逐位过擦除校正方法，具体公开了（参见说明书第6栏第34行-第7栏第29行、第8栏第30-44行及图1、4A-4B、8）：在选择的行地址、列地址所对应的存储单元上执行选择性过擦除校正（相当于软编程），而且由于对比文件1是逐位过擦除校正，所以能够直接地、毫无疑义地确定在选择的行地址、列地址之外的未选择存储单元上禁止过擦除校正（相当于编程禁止），从而逐位地选择性地增加同一行地址（相当于同一字线）上多个非易失性存储单元中的选择存储单元的阈值电压至最小电压VTMIN之上；在步骤422、424中，对选定的存储单元执行验证操作（相当于读回数据），确定选定的存储单元是否在最小阈值电压VTMIN之上重复所述选择性过擦除校正和验证操作，指导全部存储单元具有落在最小阈值电压VTMIN（相当于最小可接受值）和最大阈值电压VTMAX（相当于最大可接受值）之间的阈值电压。
权利要求1请求保护的方案与对比文件1相比，区别在于：（1）在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止；（2）从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。基于以上区别，权利要求1实际要解决的问题是：如何提高软编程效率。
对于区别特征（2），尽管对比文件1没有具体描述如何进行验证，但在本领域这属于常规操作，其原理都是通过向字线施加读取电压，向位线施加预充电电压，然后存储单元会基于阈值电压存储状态导通或关断，相应地，位线会放电或保持，因此，通过感测位线的电压或电流变化，即可验证或读取存储单元的数据状态。而且，为了保证存储单元的操作裕度，避免阈值电压范围过宽，通常会在验证或读取操作中留有余量，否则将很容易引起编程或读取错误。在此基础上，具体采用“容限模式字线电压”来保证存储单元的阈值电压分布具有适当容限量是本领域技术人员容易想到的。
但是对于区别特征（1），在对比文件1的过擦除校正步骤中，对于过擦除的存储器阵列中每个位，一个接一个位地检查，重复这个步骤直到每个正被验证的位的阈值电压高于最小阈值电压。这意味着对比文件1给出的技术启示是逐位地进行过擦除校正，在对比文件1所给出的技术启示的基础上，本领域技术人员没有动机修改对比文件1逐位校正的操作方式来实现同时选择多个位执行过擦除校正，因为对比文件1没有教导在这种操作方式下如何保证每个正被验证的单元的阈值电压都在最小阈值电压之上以达到提高过擦除校正的效率的技术效果。虽然在存储器阵列中同时对多个存储单元进行某些操作是常见的，但现有技术没有给出可以将这种操作应用于过擦除校正的方法中的先例，因此上述区别特征（1）也不是本领域的公知常识。
综上所述，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识获得权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说非是显而易见的，并且能够达到提高软编程的效率的技术效果，因此权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件2公开一种软编程方法，逐步增加存储单元的软编程循环之间的软编程脉冲电压电平VSPGM，使存储单元的阈值电压提高到最小阈值电压之上。对比文件3公开一种通过对各存储单元加以软编程而在内存装置中紧缩门限电压分布曲线，该软编程电压包括小于3伏的斜坡电压VGS、小于5伏的VDS以及小于0伏的Vsub，该软编程电压施加于小于10微秒的时间周期，该VT分布被减少至小于2伏的最大宽度。可见，对比文件2和3也没有公开区别特征（1），因此在将现有证据相结合的情况下，权利要求1也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求6请求保护一种非易失性机器存储电路，对比文件1公开一种非易失性存储器，具体公开了（参见说明书第6栏第34行-第7栏第29行、第8栏第30-44行及图1、4A-4B、8）：多个存储单元102,，包括处理器/状态机114、行译码器110、列译码器108的控制电路（相当于逻辑），用以在选择的行地址、列地址所对应的存储单元上执行选择性过擦除校正（相当于软编程），而且由于对比文件1是逐位过擦除校正，所以能够直接地、毫无疑义地确定在选择的行地址、列地址之外的未选择存储单元上禁止过擦除校正（相当于编程禁止），从而逐位地选择性地增加同一行地址（相当于同一字线）上多个非易失性存储单元中的选择存储单元的阈值电压至最小电压VTMIN之上；在步骤422、424中，对选定的存储单元执行验证操作（相当于读回数据），确定选定的存储单元是否在最小阈值电压VTMIN之上重复所述选择性过擦除校正和验证操作，指导全部存储单元具有落在最小阈值电压VTMIN（相当于最小可接受值）和最大阈值电压VTMAX（相当于最大可接受值）之间的阈值电压。
权利要求6请求保护的方案与对比文件1相比，区别在于：（1）通过在多个单元的第一子集单元上执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止，在所述多个单元的所述第一子集单元上重复所述选择性软编程和所述读回；（2）从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据。基于以上区别，权利要求6实际要解决的问题是：如何提高软编程效率。
对于区别特征（2），尽管对比文件1没有具体描述如何进行验证，但在本领域这属于常规操作，其原理都是通过向字线施加读取电压，向位线施加预充电电压，然后存储单元会基于阈值电压存储状态导通或关断，相应地，位线会放电或保持，因此，通过感测位线的电压或电流变化，即可验证或读取存储单元的数据状态。而且，为了保证存储单元的操作裕度，避免阈值电压范围过宽，通常会在验证或读取操作中留有余量，否则将很容易引起编程或读取错误。在此基础上，具体采用“容限模式字线电压”来保证存储单元的阈值电压分布具有适当容限量是本领域技术人员容易想到的。
但是对于区别特征（1），在对比文件1的过擦除校正步骤中，对于过擦除的存储器阵列中每个位，一个接一个位地检查，重复这个步骤直到每个正被验证的位的阈值电压高于最小阈值电压。这意味着对比文件1给出的技术启示是逐位地进行过擦除校正，在对比文件1所给出的技术启示的基础上，本领域技术人员没有动机修改对比文件1逐位校正的操作方式来实现同时选择多个位执行过擦除校正，因为对比文件1没有教导在这种操作方式下如何保证每个正被验证的单元的阈值电压都在最小阈值电压之上，以达到提高过擦除校正的效率的技术效果。虽然在存储器阵列中同时对多个存储单元进行某些操作是常见的，但现有技术没有给出可以将这种操作应用于过擦除校正的方法中的先例，因此上述区别特征（1）也不是本领域的公知常识。
综上所述，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识获得权利要求6请求保护的技术方案对本领域技术人员来说非是显而易见的，并且能够达到提高软编程的效率的技术效果，因此权利要求6具备专利法第22条第3款规定的创造性。
进一步地，对比文件2和3也没有公开区别特征（1），因此在将现有证据相结合的情况下，权利要求6也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求12请求保护一种方法，对比文件1公开一种逐位过擦除校正方法，具体公开了（参见说明书第6栏第34行-第7栏第29行、第8栏第30-44行及图1、4A-4B、8）：在选择的行地址、列地址所对应的存储单元上执行选择性过擦除校正（相当于软编程），而且由于对比文件1是逐位过擦除校正，所以能够直接地、毫无疑义地确定在选择的行地址、列地址之外的未选择存储单元上禁止过擦除校正（相当于编程禁止），从而逐位地选择性地增加同一行地址（相当于同一字线）上多个非易失性存储单元中的选择存储单元的阈值电压至最小电压VTMIN之上；在步骤422、424中，对选定的存储单元执行验证操作（相当于读回数据），确定选定的存储单元是否在最小阈值电压VTMIN之上重复所述选择性过擦除校正和验证操作，指导全部存储单元具有落在最小阈值电压VTMIN（相当于最小可接受值）和最大阈值电压VTMAX（相当于最大可接受值）之间的阈值电压。
权利要求12请求保护的方案与对比文件1相比，区别在于：（1）通过在多个单元的第一子集单元上重复执行选择性软编程，同时在所述多个单元的第二子集单元上执行编程禁止；（2）从具有设定为所述多个单元的目标阈值电压的容限模式字线电压的所述第一子集单元中读回数据；（3）改变所述多个单元的所述第一子单元的所述软编程的重复之间的软编程电压电平和软编程间隔中的一个或两个。基于以上区别，权利要求12实际要解决的问题是：如何提高软编程效率。
对于区别特征（2），尽管对比文件1没有具体描述如何进行验证，但在本领域这属于常规操作，其原理都是通过向字线施加读取电压，向位线施加预充电电压，然后存储单元会基于阈值电压存储状态导通或关断，相应地，位线会放电或保持，因此，通过感测位线的电压或电流变化，即可验证或读取存储单元的数据状态。而且，为了保证存储单元的操作裕度，避免阈值电压范围过宽，通常会在验证或读取操作中留有余量，否则将很容易引起编程或读取错误。在此基础上，具体采用“容限模式字线电压”来保证存储单元的阈值电压分布具有适当容限量是本领域技术人员容易想到的。
对于区别特征（3），对比文件2公开一种软编程方法（参见说明书第11页第1段及图6），逐步增加存储单元的软编程循环之间的软编程脉冲电压电平VSPGM，使存储单元的阈值电压提高到最小阈值电压之上。即对比文件2给出了将上述特征应用到对比文件1中来提高过擦除阈值电压的启示，此外，逐步增加脉冲间隔也是本领域常见的技术手段。
但是对于区别特征（1），在对比文件1的过擦除校正步骤中，对于过擦除的存储器阵列中每个位，一个接一个位地检查，重复这个步骤直到每个正被验证的位的阈值电压高于最小阈值电压。这意味着对比文件1给出的技术启示是逐位地进行过擦除校正，在对比文件1所给出的技术启示的基础上，本领域技术人员没有动机修改对比文件1逐位校正的操作方式来实现同时选择多个位执行过擦除校正，因为对比文件1没有教导在这种操作方式下如何保证每个正被验证的单元的阈值电压都在最小阈值电压之上，以达到提高过擦除校正的效率的技术效果。虽然在存储器阵列中同时对多个存储单元进行某些操作是常见的，但现有技术没有给出可以将这种操作应用于过擦除校正的方法中的先例，因此上述区别特征（1）也不是本领域的公知常识。
综上所述，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识获得权利要求12请求保护的技术方案对本领域技术人员来说非是显而易见的，并且能够达到提高软编程的效率的技术效果，因此权利要求12具备专利法第22条第3款规定的创造性。
进一步地，对比文件3也没有公开区别特征（1），因此在将现有证据相结合的情况下，权利要求12也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、从属权利要求2-5、7-11、13-19直接或间接引用了权利要求1、6、12，鉴于权利要求1、6、12相对于现有证据具备创造性，权利要求2-5、7-11、13-19也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对驳回决定和前置审查意见书的相关意见的评述
对于原审查部门的意见（参见案由部分），合议组认为：对比文件1的过擦除校正步骤用于过擦除的存储器阵列中每个位，一个接一个位地检查，重复这个步骤直到每个正被验证的位的阈值电压高于最小阈值电压。如果将对比文件1的方案修改为同时对多个位执行过擦除校正，将不能保证每个正被验证的单元的阈值电压都在最小阈值电压之上。因此本领域技术人员没有动机修改对比文件1来实现本申请的技术方案。
至于本申请是否还存在其它缺陷，均留待实质审查程序继续进行审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年06月26日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在2017年12月07日提交的权利要求第1-19项，申请日提交的说明书第1-62段、说明书附图图1-图13、说明书摘要、摘要附图的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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